h=fの英語

The formula (1) is -[C(H,F)_2]_n-X-(CF_2)_m-SO_3H when X is O or a direct bond and n, m are respectively integers of 1 or more and 3 or less.例文帳に追加

−[Ｃ(Ｈ、Ｆ)_2]_n−Ｘ−(ＣＦ_2)_m−ＳＯ_3Ｈ ・・・（１） 但し、Ｘは、Ｏ又は直接結合、ｎ、ｍは、それぞれ、１以上３以下の整数。 - 特許庁

One or more gases as the gases introduced into the deposition chamber 1303 chosen from Ar, H, F, NF3 or O may be used.例文帳に追加

成膜室１３０３に導入するガスとしては、Ａｒ、Ｈ、Ｆ、ＮＦ3、またはＯから選ばれた一種または複数種のガスを用いればよい。 - 特許庁

The coefficient string processing unit 44A changes coefficient values h(f, t) at each frequency f other than the target component out of plural coefficient values h(f, t) corresponding to each frequency f within the specific band B0 in the fundamental coefficient string H(t) to a passage value γ1, thereby generating a processing coefficient string G(t) every unit interval Tu.例文帳に追加

係数列加工部４４は、基礎係数列Ｈ(t)において特定帯域Ｂ0内の各周波数ｆに対応する複数の係数値ｈ(f,t)のうち目標成分以外の各周波数ｆの係数値ｈ(f,t)を通過値γ1に変更することで単位区間Ｔu毎に処理係数列Ｇ(t)を生成する。 - 特許庁

An operator designates an H-F direction image pickup region (Selected Total FOV), which is shorter than the whole length (Total FOV) of a subject, from a whole body scout image displayed on a display part (step 201).例文帳に追加

オペレータが表示部に表示された全身スカウト画像から被検体の全長（Total FOV）より短いＨ−Ｆ方向の撮像領域（Selected Total FOV）を指定する（ステップ２０１）。 - 特許庁

A relation (h)=F(P1, P2) of the pressures P1, P2 and the gap (h) between the roll surface and the nozzle, is beforehand obtd. and the gap (h) is measured with this relation during operation.例文帳に追加

圧力Ｐ１，Ｐ２とロール表面とノズルの隙間ｈとの関係ｈ＝Ｆ（Ｐ１，Ｐ２）を予め求め、この関係から運転中に隙間ｈを測定する。 - 特許庁

The device is composed of a plurality of sponges, rubber strings F, G, H, F", G", H", installed on the respective sponges, and a thick cloth I to which the six rubber strings are fastened.例文帳に追加

複数のスポンジ、各スポンジに取り付けられたゴム紐Ｆ・Ｇ・Ｈ・Ｆ”・Ｇ”・Ｈ”および、この６本のゴム紐を繋止する厚めの布地Ｉの材料で構成される。 - 特許庁

The invention provides quinazoline compounds represented by formula (1) (wherein R_1 is F or the like; R_2 is H, F or the like; R_3 is alkyl or the like; R_4 is -(CH_2)m-Het; m is 1, 2 or 3; and X is O or the like).例文帳に追加

式（式中、Ｒ1はＦ等、Ｒ2はＨ又はＦ等、Ｒ3はアルキル基等、Ｒ4は-(ＣＨ2)ｍ-Ｈｅｔであり、ｍは１〜３の整数であり、ＸはＯ等である。）のキナゾリン化合物。 - 特許庁

Next, a high-frequency electric field is applied from a high-frequency power supply 1300a to the vapor deposition mask 1302a, the gas (Ar, H, F, NF3 or O) is excited, and a plasma 1301 is generated.例文帳に追加

次いで、高周波電源１３００ａから蒸着マスク１３０２ａに高周波電界を印加してガス（Ａｒ、Ｈ、Ｆ、ＮＦ3、またはＯ）を励起してプラズマ１３０１を発生させる。 - 特許庁