nm-eとは 意味・読み方・使い方

The epoxy resin composition for sealing semiconductors comprises (A) an epoxy resin, (B) a phenolic resin-based curing agent, (C) an inorganic filler other than the component (E) below, (D) a curing accelerator and (E) silicon carbide, where the average particle size of silicon carbide (E) is at least 1 nm and at most 1,000 nm.例文帳に追加

（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）フェノール樹脂系硬化剤、（Ｃ）下記（Ｅ）成分を除く無機充填材、（Ｄ）硬化促進剤、（Ｅ）炭化ケイ素を含むエポキシ樹脂組成物であって、前記炭化ケイ素（Ｅ）の平均粒径が１ｎｍ以上、１０００ｎｍ以下であることを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 - 特許庁

Light with wavelengths of 300 nm to 500 nm is irradiated to a hen eggs group E by a lighting part 4 and a diffusive reflector 5 disposed on an inner wall of an egg testing chamber 2 to emphasize contrast between eggshell surfaces and spots deposited on the surfaces by fluorescence of 600 nm to 700 nm radiated in the process of excited π-electrons in eggshell pigment returning to a base level.例文帳に追加

検卵室２の内壁に配設した照明部４と拡散反射板５によって、波長300nm〜500nmの光を鶏卵群Ｅに照射し、励起した卵殻色素中のπ電子が基底準位に復帰する過程で放射した600nm〜700nmの蛍光で卵殻表面と該面に付着した汚れのコントラストを強調する。 - 特許庁

The average diameter of crystal grains D, in the surface of the organic semiconductor layer in contact with the gate dielectric layer, is 160 to 600 nm and the average diameter of crystal grains E in the surface of the organic semiconductor layer opposite to the gate dielectric layer is 50 to 150 nm.例文帳に追加

有機半導体層のゲート絶縁層に接する面における結晶粒の平均粒径Ｄが１６０〜６００ｎｍであり、有機半導体層のゲート絶縁層とは反対側の面における結晶粒の平均粒径Ｅが５０〜１５０ｎｍである。 - 特許庁

The curable composition preferably contains 0.01-20 mass% photopolymerization initiator having ≤100 (1/mol/cm) extinction coefficient (e) per mol at 365 nm wavelength.例文帳に追加

該硬化性組成物は、波長３６５ｎｍにおけるモル当たりの吸光係数（ｅ）が１００（リットル／ｍｏｌ／ｃｍ）以下である光重合開始剤を０．０１〜２０質量％含むことが好ましい。 - 特許庁

An e×4WD C/U6 for controlling a motor 10 and the reducer clutch 17 for applying torque of the motor 10 to a motor driving wheel 12, stores a deferential gear oil temperature °C and characteristics of a deferential gear friction value Nm of the reducer clutch 17, and estimates a deferential gear friction value Nm from the characteristics and the estimated deferential gear oil temperature °C.例文帳に追加

モータ１０と、モータ１０のトルクをモータ駆動輪１２に印加する減速機クラッチ１７とを制御するｅ・４ＷＤ Ｃ／Ｕ６は、減速機クラッチ１７のデフ油温［℃］とデフフリクション［Ｎｍ］の特性を予め格納し、当該特性と推定されたデフ油温［℃］とからデフフリクション値［Ｎｍ］を推定する。 - 特許庁

The optical device having the porous antireflection film 2 composed of silicon oxide on the surface of a lens 1 is constituted so that the average hole diameter of the film 2 is ≤10mm, and a projection area of a part where the base plate tilt angle of the lens 1 is ≥50° is ≥10% of a projection area in an effective diameter E.例文帳に追加

レンズ１の表面に酸化ケイ素からなる多孔質反射防止膜２を有する光学素子であって、多孔質反射防止膜２の平均孔径が10 nm以下であって、レンズ１の基板傾斜角度50°以上の部分の投影面積が、有効径E内部の投影面積の10％以上である光学素子及びその製造方法。 - 特許庁

The composition for abrasive comprises (A) a grinding agent comprising an organic polymer with 5-500 nm of average particle size, (B) benzotriazole or its derivative, (C) an organic acid, (D) hydrogen peroxide, (E) polyvinyl alcohol and (F) water.例文帳に追加

（Ａ）研磨材、（Ｂ）ベンゾトリアゾールまたはその誘導体、（Ｃ）有機酸、（Ｄ）過酸化水素、（Ｅ）ポリビニルアルコール及び（Ｆ）水からなり、研磨材が、平均粒径５〜５００ｎｍの範囲にある有機高分子化合物からなる研磨用組成物である。 - 特許庁

The manufacturing apparatus which is characterized in that one wavelength in exposure is 140 to 310 nm and the other is 360 to 440 nm and different and is for manufacturing different kinds of resist liquids containing the mutually different solvent components is equipped with a manufacture line PL formed by connecting the following (a) to (c) and a reverse washing line RL comprising the following (d) to (e).例文帳に追加

露光時の波長が一方は１４０〜３１０ｎｍの範囲、他方が３６０〜４４０ｎｍの範囲である点で異なり、且つ溶剤成分が互いに異なるレジスト液を製造するための装置であって、下記のａ）〜ｃ）をこの順に接続した製造ラインＰＬと下記のｄ）〜ｅ）からなる逆洗浄ラインＲＬとを備えた製造装置。 - 特許庁