Semiconductor chips 1, 2, and 3 are connected to a substrate 4 by a reverse method of a ball bonding method.例文帳に追加

半導体チップ１，２，３と基板４とをボールボンディング法のリバース法により接続する。 - 特許庁

Because the suction ports 20A to 20D do not overlap the bonding regions, the bump electrodes 34 (reverse surface electrodes) are not sucked at the bonding regions.例文帳に追加

吸着口２０Ａ〜２０Ｄは接合領域と重なることがないので、この接合領域でバンプ電極３４（裏面電極）が吸引されることはない。 - 特許庁

Since wires in two directions can be formed on pads 4a of memory chips 4 by performing reverse bonding by ball bonding by overstriking, an effect equivalent to that of continuous stitch bonding of wedge bonding can be achieved by ball bonding.例文帳に追加

ボールボンディングによる逆ボンディングの重ね打ちを行うことにより、メモリチップ４のパッド４ａ上に２方向のワイヤを形成することが可能になるため、ボールボンディングでウエッチボンディングの連続ステッチボンディングと同等の効果を生み出すことができる。 - 特許庁

Performing reverse bonding in a layered manner by means of ball bonding enables wires in 2 directions to be formed on a pad 4a of a memory chip 4 to produce an equivalent effect to sequential stitch bonding of wedge bonding in ball bonding.例文帳に追加

ボールボンディングによる逆ボンディングの重ね打ちを行うことにより、メモリチップ４のパッド４ａ上に２方向のワイヤを形成することが可能になるため、ボールボンディングでウエッチボンディングの連続ステッチボンディングと同等の効果を生み出すことができる。 - 特許庁

Bonding pads of the semiconductor substrate correspond to IC chips having center pads, the bonding pads are widened almost at right angles to the array of the bonding pads and in the direction reverse to adjacent bonding pad, and wiring is carried out with a wide pattern width at the widened parts.例文帳に追加

センターパッドを持つＩＣチップに対応した半導体パッケージ基板のボンディングパットで、ボンディングパットをボンディングパットの列に対し、ほぼ直角方向に、且つ隣り合うボンディングパット反対方向に広げ、広がった部分のパターン幅を広く配線する。 - 特許庁

The top and reverse faces of a crystal diaphragm 1 are coated with a metal particulate paste bonding material nearby the outer periphery along the outer periphery.例文帳に追加

水晶振動板１の表裏面の外周近傍には金属微粒子ペースト接合材が外周に沿って塗布されている。 - 特許庁

A bonding auxiliary fabric 4a is fixed to the whole reverse side 3a of the lining material 3 through a fixing means.例文帳に追加

ライニング材３の裏面３ａ全面に、接合補助織物４ａが固着手段を介して固着されている。 - 特許庁

The nitride semiconductor layer includes a first surface on the bonding layer side, and a second surface on the reverse side to the first surface.例文帳に追加

窒化物半導体層は、接合層側の第１面と、第１面とは反対側の第２面とを有している。 - 特許庁

At this time, after first bonding the pad PD1, reverse motion is performed.例文帳に追加

このとき、パッドＰＤ１でファーストボンディングを実施した後、リバースモーションが行なわれることになる。 - 特許庁

On the reverse side of the seam part 11, a back sealing member may be arranged through the bonding resin 31 for sealing.例文帳に追加

継ぎ目部１１の裏側には、はみ出した封止用接着樹脂３１を介して裏封止部材を配設してもよい。 - 特許庁

Even if a heat loss is of such a type, the bonding faces are cooled by the cooling layer having a reverse thermal gradient, and thus a temperature distribution is rationalized, specifically, made even.例文帳に追加

このような発熱損失があってもその接合面は逆熱勾配の冷却層により冷却され、温度分布が適正化特に均一化される。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus capable of automatically producing normal and reverse bonding belt materials by the step replacement of a belt producing and supplying device without replacing a belt material when the normal and reverse bonding belt materials are produced by using a single strip material.例文帳に追加

単一のストリップ材を使用して正・逆貼り用ベルト材を製造する際にベルト材の交換を行うことなく、ベルト製造供給装置の段取り替えにより、正貼り用または逆貼り用のベルト材を自動的に製造することが出来るベルト部材の製造方法及びその装置にを提供する。 - 特許庁

The wiring 4 extends from a reverse surface of the center portion 3a to respective reverse surfaces of peripheral edges 3b to have one end connected to an electrode 2 and the other end connected to the bonding pad 6.例文帳に追加

配線４は、一端が電極２に接続され他端がボンディングパッド６に接続されるように中央部３ａの下面から周縁部３ｂのそれぞれの下面へ延びている。 - 特許庁

The photodetectors 101A and 101B have their bonding area set according to the voltage value of the reverse bias voltage applied from the reverse bias voltage applying means 172.例文帳に追加

また、受光素子１０１Ａ、１０１Ｂは、逆バイアス電圧印加手段１７２により印加される逆バイアス電圧の電圧値に応じて、受光素子１０１Ａ、１０１Ｂの接合面積が設定されている。 - 特許庁

To provide a bonding equipment which can reverse and transport a die, even when it is difficult to secure a large height difference between a pickup point and a bonding point.例文帳に追加

ピックアップポイントとボンディングポイントに大きな高低差を確保することができない場合であっても、ダイを反転して移送することができるボンディング装置を提供する。 - 特許庁

Of control circuit pads 2a provided at a control circuit chip 2, those to be connected to external connection pads 3b of a package 3 are bonded by reverse bonding, and are directly bonded to the external connection pads 3b by wedge bonding.例文帳に追加

制御回路チップ２に備えられる制御回路パッド２ａのうちパッケージ３の外部接続用パッド３ｂに接続されるものを逆ボンディングするとともに、外部接続用パッド３ｂに直接ウェッジボンディングする。 - 特許庁

This fabric of tourmaline is characterized by bonding the tourmaline 2 on a fabric 1 by using a double side adhesive 4 and bonding the fabric with another fabric 5 by using a reverse side of the double side adhesive.例文帳に追加

布地１にトルマリン２を両面粘着体４を用い粘着させ次に該両面粘着体の反対面を用いて該布地と布地５を粘着したことを特徴とするトルマリンの布地。 - 特許庁

Of the control circuit pads 2a, those to be connected to sensor pads 1b provided at a sensor chip 1 are also bonded by the reverse bonding, and are bonded by the wedge bonding on a plurality of steps of ball bonding portions formed in advance on the sensor pads 1b.例文帳に追加

また、制御回路パッド２ａのうちセンサチップ１に備えられるセンサパッド１ｂに接続されるものも逆ボンディングし、センサパッド１ｂに予め形成された複数段のボールボンディング上にウェッジボンディングする。 - 特許庁

This absorptive article 1 includes an obverse sheet part 2 of which at least one part is liquid permeable, a liquid impermeable reverse sheet 3, an absorptive body 4 arranged between the obverse sheet part 2 and the reverse sheet part 3, and a leakage preventive groove part 10 having one or a plurality of leakage preventive grooves 100 formed continuously with press-bonding parts for press-bonding the obverse sheet part 2 and the absorptive body 4.例文帳に追加

吸収性物品１は、少なくとも一部が液透過性の表面シート部２と、液不透過性の裏面シート部３と、表面シート部２と裏面シート部３との間に配置される吸収体部４と、表面シート部２及び吸収体部３を圧着する圧着部が連続的に形成されてなる１又は複数の防漏溝１００を有する防漏溝部１０と、を備える。 - 特許庁

A conductive well different from a substrate is formed to a region under the element of a semiconductor substrate front surface, and a constant voltage which biases the bonding between the well and the substrate to a reverse direction is applied in the frequency of a signal applied to the element through a resistor having a higher impedance than the impedance of the capacitance of the bonding between the reverse biased well and the substrate.例文帳に追加

半導体基板表面の、素子の下方の領域に、基板と異なる導電型のウエルを形成し、ウエルと基板との間の接合を逆方向にバイアスする一定の電圧を、素子に印加される信号の周波数において、逆バイアスされたウエルと基板との間の接合の容量のインピーダンスに比較して高いインピーダンスを有する抵抗を介して、印加する。 - 特許庁

Consequently, the time for which the ultraviolet vibrations are applied is made equal over the entire range of area A by which a reverse surface of the bump 30a comes into contact with the electrode 32b to obtain the uniform bonding state, thereby securing the excellent bonding strength.例文帳に追加

これにより、超音波振動が印加される時間をバンプ３０ａの下面において電極３２ｂと当接する面積Ａの全範囲について等しくすることができ、均一な接合状態を実現して良好な接合強度を確保することができる。 - 特許庁

The processing method of clothing, etc., with tourmaline is provided by bonding the tourmaline with the fabric of the clothing by using the one side surface of the double side adhesive sheet or tape, and then bonding the fabric with another fabric by using the reverse side of the adhesive sheet/tape to make a tourmaline-containing material.例文帳に追加

衣類等の布地にトルマリンを両面粘着シートや粘着テープの片面を用い粘着させ、次に粘着テープの反対面を用いて布地と布地を粘着してトルマリン含有体となす衣類等のトルマリンの加工方法。 - 特許庁

The thermocompression bonding device for the electronic component which bonds the electronic component to a substrate by thermocompression is provided with grid-shaped slits 14c around a component reverse reception range 14a corresponding to an electronic component mount position of the substrate on the reverse reception surface of a ceramic stage 14 which comes into contact with the reverse side of the substrate to receive the substrate from below.例文帳に追加

電子部品を基板に熱圧着する電子部品の熱圧着装置において、基板の下面に接触してこの基板を下受けするセラミックステージ１４の下受け面において基板の電子部品実装位置に対応した部品下受け範囲１４ａの周囲に格子状のスリット１４ｃを設ける。 - 特許庁

The press bonding tool 800 is configured to press-bond the terminal part 512 of the flexible substrate 500 to an electrode 80, and includes: a body part 810; a press bonding layer 820 having a plurality of projections 820a; and an adhesive layer 830 for sticking the press bonding layer 820 to a reverse surface 810a of the body part 810.例文帳に追加

圧着ツール８００は、フレキシブル基板５００の端子部５１２を、電極８０に対して圧着させるものであり、本体部８１０と、複数の凸部８２０ａ，８２０ａ…を備えた圧着層８２０と、この圧着層８２０を本体部８１０の下面８１０ａに貼り付ける接着層８３０とを備えている。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device constituted by bonding a second semiconductor device to a reverse surface of a first semiconductor device without lowering quality.例文帳に追加

品質を低下させることなく、第１の半導体デバイスの裏面に第２の半導体デバイスを接合して構成する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The insole is made by thermally pressure bonding a nonwoven fabric 2 or a synthetic resin film 3 to the obverse and reverse of a synthetic resin elastomer sheet 1A made by mixing a liquid silicone resin with alumina powder and stamping out the shape of a sole.例文帳に追加

液体シリコン樹脂にアルミナ粉体を混入してなる合成樹脂エラストマーシート１Ａの表裏面に不織布２または合成樹脂製フィルム３を熱圧着して足型に打ち抜いたことを特徴とする中敷。 - 特許庁

The reverse of the silicon substrate is mounted on an analyzing package (S108), and after performing a required wire bonding wire, the analysis to the silicon substrate is carried out (S109).例文帳に追加

シリコン基板の裏面を解析用のパッケージにマウントし（Ｓ１０８）、必要なワイヤボンディングワイヤを行った後、シリコン基板に対する解析を実施する（Ｓ１０９）。 - 特許庁

As a result, a reverse diode is formed across the collector electrode and the emitter electrode 34 of the chip body 10, and it is not required to form a diode inside the chip body 10 or to ensure bonding regions.例文帳に追加

その結果、チップ本体１０のコレクタ電極とエミッタ電極３４との間に逆方向ダイオードが形成され、チップ本体１０内でのダイオードの形成、ボンディング領域の確保が不要となる。 - 特許庁

Unrequired oxides and contaminants in the metallic bonding film composed of MCrAlY are removed by an ionized gas flow cleaning method such as reverse plasma arc cleaning.例文帳に追加

前記のＭＣｒＡｌＹから成る金属結合膜における不要な酸化物および汚染物質は、逆プラズマアーク清浄などのイオン化ガス流清浄方法により除去する。 - 特許庁

To provide a sheet body capable of bonding or removing easily a sheet by providing an urethane rubber layer on a reverse face of the sheet, and allowing reuse, and a method of forming the sheet body.例文帳に追加

本発明は、シートの裏面にウレタンゴム層を設けることによりシートの貼り付け、あるいは取り外しが容易に行え、かつ再使用を可能としたシート体およびシート体の形成方法を提供することを目的とするものである。 - 特許庁

Further, a semiconductor layer 108 of a conductive type reverse to the single conductive type, which forms bonding with single conductive type crystalline semiconductor particles 104, is formed.例文帳に追加

さらに、一導電型の結晶性半導体粒子１０４と接合を形成する一導電型とは逆の導電型の半導体層１０８を形成する。 - 特許庁

To prevent bonding reliability from decreasing caused by insufficient temperature of a solder junction on a reverse surface when a semiconductor device with a leadless structure is soldered using a noncontact type heating source.例文帳に追加

非接触型の加熱源を用いてリードレス構造の半導体装置をはんだ付けする際に、下面のはんだ接合部の温度不足に起因する接合信頼性の低下を防ぐ。 - 特許庁

A center substrate 6 is grounded through a ground terminal, and the processing voltage is applied between the center substrate 6 and a pair of insulating substrates 7A and 7B on reverse-surface sides of outside substrates 8A and 8B to perform anode bonding.例文帳に追加

中央基板６は、接地端子によって接地され、中央基板６と、外側基板８Ａ，８Ｂの裏面側の一対の絶縁性基板７Ａ，７Ｂの間には、加工電圧が加わり、陽極接合が実行される。 - 特許庁

The capillary 5 is elevated, and the capillary 5 is moved so that the underside 5a of the capillary 5 on the reverse side at the second point B in the direction of the second bonding point B is placed at the upper section of the ball 11.例文帳に追加

続いてキャピラリ５を上昇させ、その後キャピラリ５を第２ボンド点Ｂの方向に該第２ボンド点Ｂと反対側のキャピラリ５の下面５ａが前記圧着ボール１１の上方に位置するように移動させる。 - 特許庁

To realize wire bonding which can be applied to constitution in which semiconductor chips are mounted on top and reverse surfaces of a mounted plate and is highly reliable.例文帳に追加

被搭載板の表裏面に半導体チップが搭載された構成でのワイヤボンディングに適用でき、かつ高信頼性なワイヤボンディングを実現する。 - 特許庁

In such a manner, since the forward direction state and the reverse direction state can be appropriately switched, the fusion bonding of the solid adsorbent A inside the reaction chamber 22 is prevented.例文帳に追加

このように順方向状態と逆方向状態とを適宜切り替えることが可能であるため、反応室２２内の固体吸着剤Ａが溶着するのを防止できる。 - 特許庁

Thereby, since spatial inclination or bending of the energy band is generated at the inside of the photocatalyst and an electron produced by irradiation with a light and a positive hole are immediately moved in a reverse direction, both early re-bonding is prevented.例文帳に追加

これにより、光触媒の内部においてエネルギーバンドの空間的傾斜又は曲がりが生じ、光照射により生成した電子と正孔が直ちに逆方向に移動するため、両者の早期の再結合が防止される。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing devices in which an adhesive film for die bonding can be mounted on reverse surfaces of the devices without lowering the quality of the devices.例文帳に追加

デバイスの裏面にダイボンディング用の接着フィルムをデバイスの品質を低下させることなく装着することができるデバイスの製造方法を提供する。 - 特許庁

A second displacement gage 58 at a constant height from the bonding head 52 measures a difference (b) in height between the second displacement gage 58 and the reverse surface of the semiconductor chip 22.例文帳に追加

ボンディングヘッド５２に対して高さが一定の第２の変位計５８により、第２の変位計５８と半導体チップ２２の裏面との高さの差ｂを計測する。 - 特許庁

The reverse face side is cut in the end edge part of a base material 1 bonded with a reinforcement material 2 and a decorative material 3 on a surface, to form a curving treating area 4a and a bonding area 4b, and a recess 5 is formed on a base material 1 side end face.例文帳に追加

表面に補強材２及び化粧材３を貼着した基材１の端縁部において裏面側を切削し、湾曲処理領域４ａと貼着領域４ｂとを形成すると共に、基材１側端面に凹部５を形成する。 - 特許庁

The process comprises only two simpler steps than the conventional process, that is, a reverse transcriptional process synthesizing a cDNA using a mRNA as a template and a process for bonding an anchor and a nucleic acid.例文帳に追加

本方法は既存の方法より簡単な2段階の過程、即ちmRNAを鋳型としてｃＤＮＡを合成する逆転写過程、アンカーと核酸の結合過程だけで構成される。 - 特許庁

To provide an adhesive film having a low temperature wafer reverse surface-laminating property, hot time bonding force, and reflow resistance jointly, and a semiconductor device by using the same.例文帳に追加

低温ウェハー裏面ラミネート性、熱時接着力、及び耐リフロー性を併せ持つ接着フィルム、並びに、これを用いた半導体装置を提供する。 - 特許庁

The side duct 2 is arranged so that its fixing part 22 is solely secured to the reverse side oversurface 101 of the ceiling material 1 for vehicle by a bonding agent 3 such as a hot melt.例文帳に追加

側方ダクト２は、固定部２２のみがホットメルト等の接着剤３によって車両用天井材１の裏側上面１０１に固定してある。 - 特許庁

A space required for wire bonding is eliminated by providing a connection hole in a supporting layer side of an SOI board, and by connecting a terminal part of an active layer to a land on the circuit board from a reverse face using a bump or an anisotropic conducting film.例文帳に追加

ＳＯＩ基板の支持層側に接続穴を設け、バンプや異方性導電膜を用いて、裏面から活性層の端子部と回路基板上のランドを接続することにより、ワイヤーボンディングに要するスペースを不要とする。 - 特許庁