「"Oxygen Radical"」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

A diffusion barrier layer formation process (step S6) is performed after a free layer formation process (step S5), and an oxide layer (diffusion barrier layer) is formed only on the surface of the free ferromagnetic layer by oxidizing an oxygen radical.例文帳に追加

自由層形成工程（ステップＳ５）の後に拡散バリア層形成工程（ステップＳ６）を行い、酸素ラジカルの酸化によって、自由強磁性層の表面にのみ、酸化層（拡散バリア層）を形成する。 - 特許庁

This coiled carbon fiber has both of a surface oxygen radical concentration (O1s/C1s) of 4.0-12.5 at.% when measured by X-ray photoelectron spectroscopy and a specific surface area of 200-1,100 m2/g.例文帳に追加

コイル状炭素繊維は、Ｘ線光電子分光法で測定される表面酸素基濃度（Ｏ1s／Ｃ1s）が４．０〜１２．５at％であり、かつ比表面積が２００〜１１００ｍ^2／ｇである。 - 特許庁

Since a high-concentration oxygen radical can be generated by using He as a discharge gas, a film in a composition range large in piezoelectric effect, for instance, represented by Pb(Zr_xTi_1-x)O_3 (x>0.4) can be efficiently manufactured.例文帳に追加

放電ガスとしてＨｅを用いることにより高濃度の酸素ラジカルを発生させることができるため、圧電効果の大きな組成範囲、例えばＰｂ（Ｚｒ_ｘＴｉ_１−ｘ）Ｏ_３（ｘ＞０．４）の膜を効率よく製造することができる。 - 特許庁

The solvent composition can remove the oxygen radical with the heat-resistant superoxide dismutase, and can prevent the oxidation of the substance being oxidatively easily deteriorated.例文帳に追加

耐熱性スーパーオキシドディスムターゼによって酸素ラジカルを除去することができ、酸化的変質を受けうる物質が酸化することを防止する。 - 特許庁

When the filter for eliminating the active oxygen is used as a filter pipe for eliminating the active oxygen, oxygen radical can be removed by feeding water in a prescribed amount immediately before smoking to a filter-containing section containing the water-soluble chitosan-manganese complex.例文帳に追加

この発明の活性酸素除去用フイルターは、活性化酸素除去用フィルターパイプとして使用する場合には、そのの水溶性キトサンマンガン錯体を含有するフィルター含有区画へ喫煙直前に所定量の水分を供給することによって酸素ラジカルを除去することができる。 - 特許庁

Such active species are added to an oxygen radical as an element bonding to Si atoms on the semiconductor surface to hinder the formation of double bonds between the Si atoms and oxygen atoms to reform the alteration layer, and the formed reforming layer is removed by wet etching.例文帳に追加

前記変質層を、酸素ラジカルに、前記半導体表面のＳｉ原子に結合してＳｉ原子と酸素原子との間の二重結合の形成を阻害するような元素の活性種を添加して改質し、形成された改質層をウェットエッチングにより除去する。 - 特許庁

Administration of these products to human or non-human vertebrates enables the suppression of oxidation in the body, the suppression of oxidation by active oxygen/radical in the body and the suppression of cerebral nerve cell disorder caused by excessive intake of glutamic acid.例文帳に追加

これらをヒト又はヒト以外の脊椎動物に投与することによって、体内酸化の抑制をはじめとし、体内に存在する活性酸素／ラジカルによる酸化を減少させることや、グルタミン酸の過剰摂取による脳神経細胞障害を抑制することができる。 - 特許庁

The optical element is irradiated with a UV radiation beam from a radiation source LA for mask pattern projection or a radiation source 7 exclusive for purge whereby the beam of radiation decomposes oxygen and produces an oxygen radical which cleans the optical element very effectively.例文帳に追加

マスクパターン投影用の線源ＬＡからの、またはパージ専用線源７からのＵＶ放射線ビームをこの光学要素に照射するので、この放射線が酸素を分解して酸素ラジカルを作り、それらが非常に効果的に光学要素をクリーニングする。 - 特許庁

Since the memory cell region M is sandwiched by the assist gate electrodes 21, the amount of an oxygen radical supplied to the surface of the exposed semiconductor substrate 1 is smaller than that supplied to the exposed semiconductor substrate 1 in the flat peripheral circuit region P.例文帳に追加

平坦な周辺回路領域Ｐに露出する半導体基板１の表面に供給される酸素ラジカルの量と比べると、メモリセル領域Ｍでは、アシストゲート電極部２１によって挟まれていることで、露出している半導体基板１の表面にまで供給される酸素ラジカルの量は少なくなる。 - 特許庁

After laminating a conductive material protection film on the organic material film by non-reactive sputtering method, an electrode is formed from the surface of this film by conversion to an oxide film by making use of a plasma oxidation method using oxygen radical ions by a low electron temperature high-density plasma apparatus.例文帳に追加

有機物材料膜の上に非反応性スパッタリング法で導電性材料保護膜を積層し、その後、この膜の表面から低電子温度高密度プラズマ装置による酸素ラジカルイオンを使ったプラズマ酸化法を利用して酸化物膜へと変換させて、電極を形成する。 - 特許庁

In the solvent composition, the oxygen radicals are removed by the compound having superoxide dismutase-mimetic activity including oxygen radical removing ability, thereby preventing the substance subject to oxidative alteration from being oxidized.例文帳に追加

本発明にかかる溶媒組成物においては、酸素ラジカル除去能を有するスーパーオキシドディスムターゼ様活性を有する化合物によって酸素ラジカルを除去することができ、酸化的変質を受けうる物質が酸化することを防止することができる。 - 特許庁

The nitriding method comprises steps of forming oxygen radicals by an oxygen radical forming mechanism, forming an oxide film on a silicon substrate by oxidizing the silicon substrate by the formed oxygen radicals, forming nitrogen radicals by a nitrogen radical forming mechanism, and forming the oxynitride film by nitriding the surface of the oxide film.例文帳に追加

酸素ラジカル形成機構によって酸素ラジカルを形成し、形成された酸素ラジカルで、シリコン基板を酸化してシリコン基板上に酸化膜を形成し、さらに窒素ラジカル形成機構で窒素ラジカルを形成して、前記酸化膜膜表面を窒化して酸窒化膜を形成する。 - 特許庁

To provide a negative ion source, an ion beam analysis device, an etching device, an oxygen radical generation device and an waste gas processor which can attain a large ion current by generating a surface-like negative ions by utilization of diamond semi-conductor device structure, with a diamond serving as a semi-conductor.例文帳に追加

ダイヤモンドを半導体と捉えて、ダイヤモンド半導体デバイス構造を利用して、面的な負イオン生成を実現することにより、大きなイオン電流を実現することができる負イオン源、イオンビーム分析装置、エッチング装置、酸素ラジカル発生装置及び排ガス処理装置を提供する。 - 特許庁

A nickel compound layer 13 on a gold film 12 formed by gold plating is removed by the physical etching effect of the generated ion and the generated oxygen radical reacts with particles 14a or 10b of the organic material scattered from the organic layer 14 or the resin substrate surface 10a to gasify.例文帳に追加

発生したイオンの物理的エッチング効果によって金メッキによる金膜１２上のニッケル化合物層１３を除去するとともに、発生した酸素ラジカルは有機物層１４や樹脂基板面１０ａから飛散する有機物の粒子１４ａや１０ｂと反応してガス化させる。 - 特許庁

With a wafer 90 arranged and rotated on a stage 30, the outer periphery of the wafer 90 is supplied with a first reactive gas such as oxygen radical and ozone from a first process head 10, to remove an organic film 93b at the outer periphery of a wafer.例文帳に追加

ステージ３０上にウェハ９０を配置して回転させるとともに、第１処理ヘッド１０からウェハ９０の外周部に酸素ラジカルやオゾン等の第１反応性ガスを供給し、ウェハ外周部の有機膜９３ｂを除去する。 - 特許庁

The occluded oxygen is turned to water by reacting to an oxygen radical, and the water is stored in the platinum catalyst and the solid polymer electrolyte membrane, therefore, oxidation of the platinum catalyst can be suppressed, and deterioration of the solid polymer electrolyte membrane by desiccation can be suppressed at the same time.例文帳に追加

吸蔵された水素は、酸素ラジカルと反応して水となり、その水は、白金触媒及び固体高分子電解質膜内に貯蔵されるため、白金触媒の酸化を抑制できると同時に固体高分子電解質膜の乾燥による劣化も抑制できる。 - 特許庁

A second insulating film 102 is then formed on the first insulating film 101 by causing a chemical reaction of insulating film deposition gas as second gas supplied to the vicinity of the substrate to be processed 100 with oxygen radical as active species produced from surface wave plasma.例文帳に追加

表面波プラズマから生成された活性種としての酸素ラジカルにより被処理基板１００近傍に供給された第２のガスとしての絶縁膜成膜用ガスを化学反応させて、第１の絶縁膜１０１上に第２の絶縁膜１０２を形成する。 - 特許庁

This method of producing oxide precursor is characterized by bringing an organic complex of a metal constituting an oxide or an organic compound of the above metal into contact with an active oxygen such as oxygen radical, an oxygen-containing cation or a peroxide ion and carrying out oxidative decomposition of an organic substance contained in the organic complex and the organic compound.例文帳に追加

酸化物を構成する金属の有機錯体又は当該金属の有機化合物を酸素ラジカル、含酸素カチオン、過酸化物イオンなどの活性酸素と接触させ、それら有機錯体及び有機化合物に含まれる有機物を酸化分解することを特徴とする酸化物前駆体の製造方法。 - 特許庁

To provide a method of forming a magnetic layer having stable magnetic characteristics and recording and playback characteristics by improving uniformity of oxygen radical concentration distribution to make uniform the concentration of oxygen taken in the magnetic layer in an in-plane direction, in reactive sputtering.例文帳に追加

反応性スパッタリングを行う際に、酸素ラジカル濃度分布の均一性を高め、磁性層中に取り込まれる酸素濃度を面方向において一様とし、磁気特性、記録再生特性が安定した磁性層の形成方法を提供する。 - 特許庁

There monosilane diluted with helium from a process gas inlet port 8 is supplied, as process gas, and reactive seeds (oxygen radical and monosilane) are brought into contact with the line-form one extending in the direction of its depth, and a stage 2 is carried right (forward trip), whereby a film is grown over the entire surface of the substrate 9.例文帳に追加

そこへプロセスガスとして、ヘリウムで希釈したモノシランをプロセスガス導入口８から供給し、図１の奥行き方向に延びたライン状に反応種（酸素ラジカルおよびモノシラン）を接触させ、ステージ２を図１の右方向に搬送する（往路）ことにより基板９全面に成膜を行う。 - 特許庁

By having such a mixed gas supplied to the positive electrode and an oxygen radical generated in the positive electrode at discharging which preferentially reacts with carbon dioxide to generate peroxy-dicarbonate ions which are soluble in the electrolyte solution; and thereby, deposition of compound on a positive electrode surface can be suppressed and a discharging capacity is enhanced.例文帳に追加

このような混合ガスを正極に供給することで、放電時に正極で生成する酸素ラジカルが、二酸化炭素と優先的に反応して電解液に可溶なパーオキシジカーボネートイオンを生成するため、正極表面への化合物の堆積を抑制可能であり、放電容量を高めることができる。 - 特許庁

The method includes a step of forming the element separation groove 2 having a crystal orientation different from that of a surface of the semiconductor substrate 1 in the semiconductor substrate 1, a step of depositing a metal 3 accelerating generation of an oxygen radical or a film containing the metal 3 on the semiconductor substrate 1, a step of oxidizing the semiconductor substrate 1, and a step of removing the metal or the metal-containing film.例文帳に追加

半導体基板１に半導体基板１表面とは異なる結晶面方位有する素子分離溝２を形成する工程と、半導体基板１上に酸素ラジカル発生を促進する金属３又は酸素ラジカル発生を促進する金属３を含む膜を堆積する工程と、半導体基板１を酸化する工程と、金属または金属を含む膜を除去する工程とを有する。 - 特許庁

In the pretreatment process, RPH (Remote Plasma Hydrogenation) treatment for supplying hydrogen radical onto a substrate is performed (202), RPN (Remote Plasma Nitriding) treatment for supplying nitrogen radical onto the substrate is performed (203), and then RPO (Remote Plasma Oxidation) treatment for supplying oxygen radical onto the substrate is performed (204) in the middle of substrate temperature increment for increasing a substrate temperature to a depositing one.例文帳に追加

前処理工程は、基板温度を成膜温度まで昇温させる基板昇温の途中で、水素ラジカルを基板上に供給するＲＰＨ（リモートプラズマ水素化）処理を行い（２０２）、その後、窒素ラジカルを基板上に供給するＲＰＮ（リモートプラズマ窒化）処理を行い（２０３）、その後、酸素ラジカルを基板上に供給するＲＰＯ（リモートプラズマ酸化）処理を行う（２０４）。 - 特許庁

A plasma 16 is generated between a processed article 11 coated with a thin compound film with its processed face containing carbon and a tool electrode 13 by impressing voltage on the tool electrode 13 while supplying gas including oxygen between the processed article 11 and the tool electrode 13, and the thin compound film 12 on the processed face is processed with oxygen radical generated from the plasma 16.例文帳に追加

加工面が炭素を含む化合物薄膜１２で被覆された被加工物１１と工具電極１３の間に酸素を含むガスを供給しつつ、工具電極１３に電圧を印加することにより、被加工物１１と工具電極１３の間にプラズマ１６を発生させ、プラズマ１６から発生した酸素ラジカルにより加工面の化合物薄膜１２を加工するようにした。 - 特許庁

In the process A, a film-forming material is supplied (202) to allow inorganic starting gas to attach to the substrate being unreacted during the heating of the substrate up to a film-forming temperature, and an oxygen radical is supplied to the substrate for performing (203) RPO (remote plasma oxidation) treatment to form the first film layer thereon.例文帳に追加

第１薄膜層形成工程Ａは、基板温度を成膜温度まで昇温させる基板昇温加熱の途中で、有機原料ガスを基板上に未反応のまま付着させる成膜原料供給を行なった後（２０２）、酸素ラジカルを基板上に供給して第１の薄膜層を形成するＲＰＯ（リモートプラズマ酸化）処理を行なう（２０３）。 - 特許庁

By keeping up such a state for a prescribed time, the particles (Ti atom) 141 sputtered from the heated target 102 are oxidized by an activated oxygen such as oxygen ion or oxygen radical in the ECR plasma and are deposited on the substrate 103 to form the titanium oxide film 112 thereon.例文帳に追加

この状態を所定時間継続することで、加熱されたターゲット１０２よりスパッタされている粒子（Ｔｉ原子）１４１が、ＥＣＲプラズマ中の酸素イオンや酸素ラジカルなどの活性化された酸素により酸化されて基板１０３の上に堆積し、基板１０３の上に酸化チタン膜１１２が形成される。 - 特許庁

A substrate 11 is carried into an oxide chamber F3, a first target with titanium as a main constituent is sputtered under an oxygen atmosphere to form an oxide layer made of a titanium oxide, the substrate 11 having the oxide layer is carried into an irradiation chamber F4, and the surface of the oxide layer is further irradiated with an oxygen radical to form a variable resistor.例文帳に追加

基板１１を酸化物チャンバＦ３に搬入し、チタンを主成分とする第一ターゲットを酸素雰囲気の下でスパッタさせてチタン酸化物からなる酸化物層を形成し、酸化物層を有する基板１１を照射チャンバＦ４に搬入し、酸化物層の表面にさらに酸素ラジカルを照射して可変抵抗体を形成した。 - 特許庁

Then, a tantalum pentoxide film of a monolayer that is an ink resistant film 75 as a liquid resistant film is formed at a part of a second ink contacting part as the wetted part of a sealing substrate 30 as the substrate by reaction of an oxygen radical and a penta-ethoxy-tantalum film formed at a part of the second ink contacting part of the sealing substrate 30.例文帳に追加

また、酸素ラジカルと基板としての封止基板３０の接液部としての第２接インク部の一部に形成されたペンタエトキシタンタル膜とが関わる反応によって、封止基板３０の第２接インク部の一部に液耐性膜としてのインク耐性膜７５である単分子層の五酸化タンタル膜を形成する。 - 特許庁

To provide an apparatus for producing functional water in which the expression of the active oxygen radical and ions to be caused is controlled by changing a photocatalytic body or adjusting an ultraviolet dose, the frequency and output of ultrasonic waves and the kind and amount of the gas to be mixed and which is safe and does not exert an adverse influence on the human body or the environment.例文帳に追加

光触媒体の変更、紫外線量・超音波の周波数及び出力・混入するガスの種別及び量を調節することにより、惹起される活性酸素種及びイオン類の発現を制御可能な物として、より安全で人体及び環境への悪影響を生じない機能水生成装置を提供する。 - 特許庁

The organic waste is composted by adding inorganic waste selected from a group composed of paper sludge incineration ash, coal incineration ash and the mixture thereof into the organic waste, stirring the resultant mixture in the presence of air while keeping a prescribed temperature and carrying out the radical decomposition of the organic material with oxygen radical species produced using the inorganic waste as a catalyst.例文帳に追加

有機性廃棄物に、ペーパースラッジ焼却灰、石炭焼却灰及びこれらの混合物でなる群から選ばれる無機性廃棄物を添加し、得られた混合物を、空気の存在下、所定温度に維持して攪拌し、無機性廃棄物を触媒として生ずる酸素ラジカル種によって、有機物をラジカル分解して堆肥化する。 - 特許庁

A composite comprising the polytetrafluoroethylene and a structural material (a polymer, a metal, ceramic, leather, or wood) are bonded with a cured mixed material of a tetrafluoroethylene-hexafluoropropylene-vinylidene fluoride terpolymer, a polyethylene-oxide modified silicone polymer coupling agent, and an oxygen-radical-containing copolymer (an epoxy polymer, a phenoxy polymer, or a hydroxylated diamine-diepoxide derivative copolymer).例文帳に追加

ポリテトラフルオロエチレンと構造材（ポリマー、金属、セラミック、皮、又は木）のコンポジットを、テトラフルオロエチレン-ヘキサフルオロプロピレン-フッ化ビニリデンターポリマーと、ポリエチレン-オキシド-変性シリコーンポリマーカップリング剤と、酸素-ラジカル-含有コポリマー（エポキシポリマー、フェノキシポリマー、又はヒドロキシル化ジアミン-ジエポキシド誘導コポリマー）との硬化した混合材で結合する。 - 特許庁

A catalyst element for accelerating oxidation is added to a semiconductor thin film containing silicon, heat treatment is made in oxidation atmosphere, and also the operation between oxygen radical and oxygen ion is utilized, thus forming an oxide film with improved quality on the semiconductor thin film containing silicon in a low-temperature process where the substrate temperature is at 600°C or less.例文帳に追加

シリコンを含む半導体薄膜に酸化を助長する触媒元素を添加し、酸化雰囲気中で熱処理することにより、また、酸素ラジカルおよび酸素イオンとの作用を利用することにより、基板温度が６００℃以下の低温プロセスにおいて、シリコンを含む半導体薄膜上に良質な酸化膜を形成する。 - 特許庁