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半を含む例文一覧と使い方

該当件数 : 630



例文

The production method for the film comprises plasma-treating the surface of the film, sticking nickel-chrome alloy thereon by sputtering to obtain a thickness of 20-2,000 Å, sticking a thickened metal, electroplating the thickened metal, and then performing heat treatment at 200-350°C.例文帳に追加

また、前記ポリイミドフィルムの表面をプラズマ処理した後、ニッケル−クロム合金をスパッタリングにより厚さ20〜2000Åとなるように付着させ、次いで厚付け金属を付着させ、さらに厚付け金属を電解メッキし、さらに200〜350℃の熱処理を行う金属化ポリイミドフィルムの製造方法。 - 特許庁

The active carbon has a pore volume of 0.9 to 1.5 cc/g obtained through a nitrogen adsorption isotherm in electrode at a temperature of 77 K, and the volume ratio of pores 15or below in size to all the pores is set at 30 to 50:100 in the active carbon.例文帳に追加

77Kでの窒素吸着等温線から求められる全細孔容積が0.9〜1.5cc/gであり、15Å以下の細孔容積の全細孔容積に占める割合(15Å以下の細孔容積/全細孔容積×100)が30〜50%であることを特徴とする電気二重層コンデンサー用活性炭。 - 特許庁

The manufacturing method for a cathode electrode comprises a cathode electrode formation process of forming a cathode layer by forming a cathode active material on a cathode collector at a forming rate of a range of 0.4-2.0 Å/sec by using a sputtering method and forming the cathode electrode made of the cathode collector and the cathode layer.例文帳に追加

本発明は、スパッタリング法を用いて、正極活物質を、0.4〜2.0Å/secの範囲内の成膜レートで、正極集電体上に成膜して正極層を形成し、上記正極集電体と上記正極層とからなる正極電極体を形成する正極電極体形成工程を有することを特徴とする正極電極体の製造方法を提供することにより、上記課題を解決する。 - 特許庁

To obtain a color filter manufactured by a micelle electrolytic method which does not necessitate accurate positioning, especially a uniform color filter for a reflective color liquid crystal display having 3,000 Å or larger in film thickness and being uniformly film formed while maintaining average transmissivity of light in the visible region 60% or higher by various contrivances.例文帳に追加

精密な位置合わせを必要としないミセル電解法により、製造されたカラーフィルター、特に均一な反射型カラー液晶ディスプレイ用カラーフィルターとして、種々の工夫により可視光平均透過率を60%以上に維持したままで、膜厚を3000Å以上に上げ、かつ均一に成膜したカラーフィルターの提供。 - 特許庁

例文

To provide a method for manufacturing a flash memory device which can solve problems in small process margin and mass production margin in the existing process, while completely stripping a fence of dielectric layer in a gate formation process in which a thickness of a second conductive film used as a floating gate is over 1500 Å.例文帳に追加

フローティングゲートとして用いられる第2導電膜の厚さを1500Å以上に適用するゲート形成工程で誘電体膜のフェンスを完全除去しながら、既存工程の工程時間及び量産性マージンが足りないという問題点を解決することが可能なフラッシュメモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁


例文

In a semiconductor device where a first silicon nitride film 10 including hydrogen is laminated and formed as a passivation film on the protective film 3 formed on the semiconductor substrate 1, the second silicon nitride film 5 of a thickness 100-500 Å is formed so as to cover the protective film 3 between the protective film 3 and the first silicon nitride film 10.例文帳に追加

半導体基板1に形成した保護膜3上に水素を含む第1の窒化シリコン膜10がパシベーション膜として積層形成されてなる半導体装置において、保護膜3と第1の窒化シリコン膜10の間に、膜厚が100〜500Åの第2の窒化シリコン膜5により保護膜3を覆うように形成したものである。 - 特許庁

There are provided a positive pole comprising fluorocarbon in which easily-graphatizable carbon or graphite material with plane interval of (002) plane being 3.50 Å or below is a starting carbon material, a negative pole capable of releasing lithium ion, and an organic electrolyte containing propanesultone, with an open circuit voltage being 3.5 V or lower after preliminary discharge.例文帳に追加

(002)面の面間隔が3.50Å以下である易黒鉛化性炭素または黒鉛質材料を出発炭素材料としたフッ化炭素からなる正極、リチウムイオンを放出可能な負極、及びプロパンサルトンを含有する有機電解液を組み合わせ、さらに予備放電後の開路電圧を3.5V以下とする。 - 特許庁

With the crystallization method, a first amorphous silicon film 6 is deposited on an oxide film 4, that is deposited for improving viscosity having a glass substrate 2 and for preventing contamination by approximately 10-300 Å, and then a silane (SiH4) or disilane (Si2H6) gas is allowed to flow to form a silicon crystal nucleus 8 on the first amorphous silicon film 6.例文帳に追加

結晶化方法は、ガラス基板2との粘着性向上及び汚染防止用として蒸着する酸化膜4上に第1非晶質シリコン膜6を約10〜300Å程度蒸着後シラン(SiH4)或いはジシラン(Si2H6)ガスをフローしてシリコン結晶核8を第1非晶質シリコン膜6上に形成させる。 - 特許庁

The silver halide emulsion contains silver halide grains comprising silver chloroiodobromide having a silver iodide content of 0.02-2.0 mol% and a silver bromide content of 0.02-5.0 mol% and having at least one layer in which silver iodide is locally present inside each grain, wherein an outermost shell layer not substantially containing iodide has a thickness of 6-100 Å.例文帳に追加

沃化銀含有率0.02〜2.0モル%であり、かつ臭化銀含有率0.02〜5.0モル%であり、かつ粒子内部に少なくとも1つの沃化銀局在層を有し、かつ実質的に沃化物を含有しない最外シェル層の厚さが6〜100Åである塩沃臭化銀を有してなるハロゲン化銀粒子を含有することを特徴とするハロゲン化銀乳剤。 - 特許庁

例文

This electrogalvanized steel sheet excellent in white rust resistance and blackening resistance has a galvanizing layer having an oxidized Zn film with a thickness of 10 to 200 Å, in which the cathode current density in the potential -1100 mV in an aqueous solution of NaCl (0.1 mol/L, 25°C) is40 μA/cm2.例文帳に追加

耐白錆性及び耐黒変性に優れる本発明の電気Znめっき鋼板とは、厚さ10Å以上200Å以下の酸化Zn皮膜を有するZnめっき層であって、NaCl水溶液(0.1mol/リットル,25℃)中での電位−1100mVにおけるカソード電流密度が40μA/cm^2以下であるZnめっき層を有することを特徴とする。 - 特許庁

例文

The semiconductor laser element is divided into the chips at a high yield, by adjusting the surface roughness Ra of the rear surface, namely, the surface on which the semiconductor layer is not formed of the GaN-based semiconductor substrate composed of a semiconductor wafer, which is constituted by laminating a semiconductor layer upon a hexagonal GaN substrate and has cleavage planes on its side faces to300 Å.例文帳に追加

本発明において、六方晶GaN基板上に半導体層が積層形成された半導体ウエハーであって、基板であり、また側面に、へき開面を有するGaN系半導体基板の裏面、つまり半導体層が形成されていない面の表面ラフネスRaが300オングストローム以下とすることで歩留まり良くチップ分割を行うものである。 - 特許庁

In the color filter comprising a resin matrix and a coloring layer arranged on a transparent substrate, the color filter and the color liquid crystal display device are characterized by having the resin black matrix consisting of particles with ≥1 Ω.cm volume resistivity and a polymer and by having100surface roughness of the resin black matrix.例文帳に追加

透明基板上に樹脂マトリックス、および着色層を設けたカラーフィルターにおいて、上記樹脂ブラックマトリックスが体積抵抗率1Ω・cm以上の粒子とポリマーからなり、該樹脂ブラックマトリックスの表面粗度が100オングストローム以下であることを特徴とするカラーフィルター、およびカラー液晶表示装置。 - 特許庁

A lower magnetic pole layer 19 and/or an upper magnetic pole layer 21 is formed by plating of NiFe alloy composed of 76 to 90 mass% Fe in the composition ratio or NiFe alloy which is 130 to 175in average crystal grain diameter and composed of 70 to 90 mass% Fe in the composition ratio.例文帳に追加

下部磁極層19及び/または上部磁極層21を、Feの組成比が76質量%以上で90質量%以下、あるいは平均結晶粒径が130Å以上で175Å以下で且つFeの組成比が70質量%以上で90質量%以下のNiFe合金でメッキ形成する。 - 特許庁

There are provided a positive pole comprising fluorocarbon in which easily-graphatizable carbon or graphite material with plane interval of (002) plane being 3.50 Å or below is a starting carbon material, a negative pole capable of releasing lithium ion, and an organic electrolyte containing ethylene sulfite, with an open circuit voltage being 3.5 V or lower after preliminary discharge.例文帳に追加

(002)面の面間隔が3.50Å以下である易黒鉛化性炭素または黒鉛質材料を出発炭素材料としたフッ化炭素からなる正極、リチウムイオンを放出可能な負極、及びエチレンサルファイトを含有する有機電解液を組み合わせ、さらに予備放電後の開路電圧を3.5V以下とする。 - 特許庁

In the display body including a substrate, a metallic layer and a transparent layer in this order and including an adhesive layer on one face of the substrate opposite to the metallic layer, the metallic layer is an indium vapor-deposited film disposed on the surface of the transparent layer and having ≤6% visible light transmittance and ≤600 Å thickness.例文帳に追加

基体と、金属層と、透明な層とを順に含み、前記基体の金属層とは反対面に粘着剤層を含む金属光沢を有する表示体において、前記金属層が前記透明な層表面上に設けられたインジウム蒸着膜であり、このインジウム蒸着膜の可視光線透過率が6%以下でありかつその厚さが600 オングストローム以下であるようにする。 - 特許庁

This method for producing the corresponding aromatic nitrile by performing the catalytic reaction of the mixed gas containing the alkyl-substituted aromatic hydrocarbon, ammonia and oxygen on the catalyst is provided by using the catalyst constituted by the oxides of vanadium and chromium, having the ≥0.10 and ≤0.30 cc/g total volume of pores of the catalyst having a ≥100diameter, and a carrier.例文帳に追加

アルキル置換芳香族炭化水素とアンモニアおよび酸素を含む混合ガスを触媒上で接触反応させて対応する芳香族ニトリルを製造するに際し、触媒の径が100Å以上の細孔の全容積が0.10cc/g以上0.30cc/g以下であるバナジウムとクロムの酸化物および担体から構成される触媒を用いる。 - 特許庁

This titanium sheet superior in the formability can maintain a lubricity with a die and a tool when being formed, without losing the formability of a raw material, and keeps scratch resistance against the die and the tool, by making a Vickers hardness at a load of 200 gf as 170 or less, and a thickness of an oxide film as 150or more, on the surface of the titanium sheet.例文帳に追加

チタン薄板の表面において、荷重200gfのビッカース硬さを170以下にし、更には酸化皮膜の厚さを150Å以上にすることにより、素材の成形性を損なうことなく成形時の金型や工具との潤滑性を維持し、更には金型や工具に対する耐疵付き性を確保した、成形性に優れたチタン薄板を得ることができる。 - 特許庁

An electrode catalyst for a fuel cell includes a nitrogen-containing carbon compound which contains 1-20 mass% of nitrogen, has a graphite structure with a distance on the d002 face measured by a powder X-ray diffraction method of 3.40-4.00 Å, and has at least three peaks in a range of 1,200-1,600 cm^-1 of a Raman shift wavenumber in a Raman spectrum.例文帳に追加

1〜20質量%の窒素を含有し、粉末X線回折法により測定されるd002面の間隔が3.40〜4.00Åであるグラファイト構造を有し、ラマンスペクトルのラマンシフト波数の1200〜1600cm^−1の範囲に少なくとも3つピークを有する含窒素炭素化合物を含む燃料電池用電極触媒。 - 特許庁

Ammonium hydrogencarbonate is added in a process for forming a precipitate by adding an alkali to an aq. soln. of a salt of a rare earth element and the resultant cake is separated by solid-liquid separation and fired at 300-900°C to produce the objective rare earth oxide having ≤0.5 μm Fischer diameter, ≥30 m2/g specific surface area and ≤250 Å crystallite size.例文帳に追加

フィッシャー径が0.5μm以下、比表面積が30m^2 /g以上、且つ結晶子サイズが250Å以下の希土類酸化物、および希土類元素の塩の水溶液に、アルカリを添加して沈殿を生成する過程で重炭酸アンモニウムを添加して得られるケーキを固液分離し、300℃以上900℃以下で焼成する希土類酸化物の製造方法。 - 特許庁

The method for manufacturing the compound semiconductor device comprises the steps of acquiring a lower electrode resist pattern 21 of a T-shaped gate electrode, then forming a pattern shrink material 1 in thickness of 3,000 to 40,000 Å on the entire surface, diffusing an acid from the lower layer resist pattern 21 in the shrink material 1, and mixing and baking 7 to crosslink the shrink material 1.例文帳に追加

図1(ロ)に示すように、T型ゲート電極の下部電極部レジストパタン21を得た後、パタンシュリンク材1を3000〜4000オングストロームの膜厚で全面に形成して、下層レジストパタン21からの酸をパタンシュリンク材1に拡散させ、パタンシュリンク材1が架橋するミキシングベーク7を行う。 - 特許庁

The sensor is comprised of a membrane capacitor of a structure in which a membrane 12 of a ferroelectric BaTiO3 of a thickness of 30 ML (approximately 120 Å) grown through the use of an MBE method is provided on a lower electrode 10 comprised of an SrTiO3 substrate doped with Nb of a thickness of 0.5 mm and in which a Pd upper electrode 14 is provided by deposition on the membrane 12.例文帳に追加

センサーは、0.5mm厚のNbをドープされたSrTiO_3基板から成る下側電極10の上にMBE法を用いて成長させた30ML(ほぼ120Å)厚の強誘電体BaTiO_3薄膜12を設け、その上に析出によりPdの上側電極14を設けた構造の薄膜キャパシタから成る。 - 特許庁

To provide spheric porous silica or silica/metal composite particles expressed by specified formula, having 0.1 to 500 μm particle size and substantially 1 sphericity obtained by a circumcircle method, and showing an X-ray diffraction peak from 1 to 5° for (Cu-Kα) and a maximum pore volume at a pore diameter from 15 to 40 Å, and to provide a method for manufacturing the particles.例文帳に追加

特定の式で表され、粒径が0.1乃至500μmの範囲にあり、外接円法で求めた真球度が実質上1であり、回折角1乃至5度(Cu−Kα)にX線回折ピークを有し且つ細孔径15乃至40オングストロームに細孔容積の極大値を有する球状多孔質シリカ乃至シリカ金属複合体粒子及びその製法を提供する。 - 特許庁

The second conductive film 114 is formed of barium, strontium or the like relatively thinner than the first conductive film 110, that is, in the thickness of 100-1000 Å.例文帳に追加

このような半導体メモリ装置及びその製造方法は、ストレージ電極用導電膜を薄く形成し、エッチングがよくできる障壁膜を静電容量確保のため導電膜より相対的に厚く形成することによりストレージ電極形成のための乾式エッチング時遷移金属のストレージ電極の側面蒸着が最小化でき、ストレージ電極間のブリッジが防止できる。 - 特許庁

A method for forming a resist pattern includes steps of: forming on a substrate 1 a resist layer 3 containing a polymer of α-chloromethacrylate and α-methylstyrene and not containing a fluorine atom; performing rendering or exposure of a predetermined pattern shape by irradiating the resist layer with an energy beam; and developing the rendered or exposed resist layer with a fluorocarbon-containing developer having a dissolution rate of an insoluble part of less than about 0.5 Å/h.例文帳に追加

基板1上に、α−クロロメタクリレートとα−メチルスチレンとの重合体を含みかつフッ素を含有しないレジスト層3を形成する工程と、前記レジスト層にエネルギービームを照射することにより、所定のパターン形状の描画又は露光を行う工程と、非溶解部の溶解速度が1時間あたり約0.5Å未満であるフルオロカーボンを含む現像剤によって、前記描画又は露光されたレジスト層を現像する現像工程と、を含む。 - 特許庁

This removal device and method for the siloxane make the digestion gas containing the siloxane to flow through a packed tower in which an absorbent is packed, and cause the absorbent to absorb the siloxane and remove them, wherein the absorbent has a specific surface area of500 m^2/g, a distribution peak of micro pores between 10 and 30 Å, and is an alkaline-treated active carbon.例文帳に追加

本発明のシロキサン類の除去装置及び方法は、シロキサン類を含有する消化ガスを、吸着剤を充填した充填塔を通過させて前記シロキサン類を前記吸着剤により吸着除去処理するシロキサン類の除去装置及び方法において、前記吸着剤が、比表面積500m^2/g以上であり、細孔分布ピークが10〜30Åの範囲にあり、かつアルカリ処理された活性炭であることを特徴とする。 - 特許庁

The titanium oxide powder contains an anatase-type crystal structure which has an interplanar spacing d of a (101) plane within the range of 3.478-3.562 Å obtained from the half-value width of a diffraction peak of the (101) plane of the anatase-type crystal.例文帳に追加

本発明の基材表面に親水性を付与するためのコーティング液は、少なくとも一部にスルホン酸基又はその前駆基のどちらか一方又はその双方を有する加水分解性シラン化合物又はその部分加水分解物のどちらか一方又はその双方と、アナターゼ型結晶構造を含みこのアナターゼ型結晶の(101)面の回折ピーク半値幅から求めた(101)面の面間隔d値が3.478Å〜3.562Åの範囲を満たす酸化チタン粉末とを親水性有機溶媒に分散させたことを特徴とする。 - 特許庁

The crude polyoxyalkylene polyol is produced by using a compound having P=N bond as the catalyst and carrying out an addition polymerization of an active hydrogen compound with an epoxide compound and then brought into contact with a solid acid having 450-1,200 m2/g specific surface area and 40-1,000 Å mean pore diameter to control the remaining content of the catalyst in the polyoxyalkylene polyol to150 ppm.例文帳に追加

P=N結合を有する化合物を触媒として、活性水素化合物にエポキサイド化合物を付加重合して粗製ポリオキシアルキレンポリオールを製造し、次いで、粗製ポリオキシアルキレンポリオールと、比表面積が450〜1200m^2/g、平均細孔直径が40〜100Åである固体酸とを接触させ、ポリオキシアルキレンポリオール中の触媒残存量を150ppm以下に制御することを特徴とするポリオキシアルキレンポリオールの製造方法、及び、該ポリオール誘導体の製造方法。 - 特許庁

This acrylic resin composition comprises a resin component obtained by polymerizing the acrylic alkyl ester in the presence of a crosslinked acrylic ester elastomer having 700-2,000 Å of weight-average particle sizes prepared by polymerization of a monomer mixture composed of an acrylic alkyl ester and a multi-functional compound and further polymerizing a methacrylic ester, which has a specific graft rate and of which a part soluble in methyl ethyl ketone has a specific viscosity.例文帳に追加

アクリル酸アルキルエステル及び多官能性化合物からなる単量体混合物を重合させてなる重量平均粒子径が700〜2000Åである架橋アクリル酸エステル系弾性体の存在下に、アクリル酸アルキルエステルを重合し、更にメタクリル酸エステルを重合して得られる樹脂成分からなり、特定のグラフト率を有し、メチルエチルケトン可溶分が特定の粘度を有するアクリル樹脂組成物。 - 特許庁

The self-assembled composition comprising a substantially homogeneous and ordered array of the photographically useful compound and silver and halide atoms in one or more hydrophilic colloid layer of the radiation sensitive image element comprising a support bearing one or more hydrophilic colloid layer, is characterized in that the average minimum distance from each Ag atom in the composition to an atom of the photographically useful compound in the composition is less than 50 Å.例文帳に追加

支持体上に1又は2以上の親水性コロイド層を有してなる感輻射線性画像形成要素において、1以上の親水性コロイド層に、写真的に有用な化合物が、実質的に均質に、かつ、規則的に配列した写真的に有用な化合物と銀原子及びハロゲン化物原子とを含んで成る自己集成型組成物であって、該組成物中の各Ag原子から該組成物中の該写真的に有用な化合物の原子までの平均最短距離が50Å未満であることを特徴とする自己集成型組成物。 - 特許庁

例文

A crude polyoxyalkylene polyol, prepared by using an alkaline compound as a catalyst, is added with 0.01 to 1.5 wt.% at least one adsorbent chosen from aluminum silicate or magnesium silicate having a specific surface area of from 600 to 1,200 m2/g and an average pore diameter of from 40 to 100to maintain the amount of the residual catalyst in the polyoxyalkylene polyol at 5 ppm or less.例文帳に追加

触媒として、アルカリ性化合物を用いて製造された粗製ポリオキシアルキレンポリオールに、比表面積が600〜1200m^2/g、平均細孔直径が40〜100Åであるケイ酸アルミニウム、及びケイ酸マグネシウムから選ばれた少なくとも1種の吸着剤を0.01〜1.5重量%加え、ポリオキシアルキレンポリオール中の触媒残存量を5ppm以下に制御するポリオキシアルキレンポリオールの精製方法。 - 特許庁

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