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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > 川に関連した英語例文

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川を含む例文一覧と使い方

該当件数 : 630



例文

Again, the sample stand 3 and the thin film specimen are introduced into the measuring chamber of AES held to a superhigh vacuum state and, while the sample stand 3 is rotated, ion sputtering of about 100is performed.例文帳に追加

再び、超高真空に保たれたAESの測定室に試料台3、及び薄膜試料を導入し、試料台3を回転させながら100Å程度イオンスパッタを行う。 - 特許庁

Between a transmissive conductive film (SnO2) 2 and a p-type- SiC:H layer 4, an amorphous film (a-Si film) 3 (thickness of about 50 Å) containing Si as a main component whose amount of hydrogen is 5 at.% or lower and which contains many defectives.例文帳に追加

透光性導電膜(SnO_2 )2とp型a−SiC:H層4との間に、水素量が5at%以下であって欠陥を多く含むSiを主成分とする非晶質膜(a−Si膜)3(厚さ:50Å程度)を設ける。 - 特許庁

This porous body is composed of an Si-containing substance in which the amount of Q^4Si atom accounts for 90% or more of the total amount of Si atoms, and has at least one peak at the position of 40-80 Å d spacing.例文帳に追加

Q^4Si原子の量がSi原子全体の量の90%より多いSi含有物質からなり、d間隔が40Åから80Åの位置に少なくとも1つのピークを有する多孔体。 - 特許庁

For forming the oxide film, a protective (oxide) film of 500or more is formed, without applying a bias, then an embedded film formation is conducted with an applied bias, and finally a high-speed film forming is conducted without bias.例文帳に追加

また、酸化膜を形成する際には、まず、バイアスを印加せずに500オングストローム以上の保護膜(酸化膜)を形成し、その後、バイアスを印加して埋め込み成膜を行い、最後に、バイアスを印加しないで高速成膜を行う。 - 特許庁

例文

(2) The optical recording medium described in any of claims 1 to 7 has a feature that the track pitch of the groove is 0.73-0.75 μm, the groove depth is 1450-1650 Å, and the groove width is 0.21-0.31 μm.例文帳に追加

(2) グルーブのトラックピッチが0.73〜0.75μm、かつ、溝深さが1450〜1650Å、溝幅が0.21〜0.31μmであることを特徴とする請求項1〜7の何れかに記載の光記録媒体。 - 特許庁


例文

The adsorbent is a fibrous active carbon, for example, a specific surface area is at least 600 m^2/g, a pore volume is at least 0.2 cm^3/g, and an average pore diameter is 10-35 Å.例文帳に追加

吸着材5aは、例えば、比表面積が少なくとも600m^2/g、全細孔容積が少なくとも0.2cm^3/gおよび平均細孔直径が10〜35オングストロームの繊維状活性炭である。 - 特許庁

A pad oxidizing film is removed from the upper surface of the layer 10, together with the formed regions 12 and 14, and then a high-quality silicon oxidation film 22 is subjected to thermal growth, until the thickness reaches about 60on the surface of the layer 10.例文帳に追加

形成された領域12および領域14とともに、層10の上表面はパッド酸化膜が取り除かれ、層10の表面に高品質シリコン酸化膜22が厚さ約60Åまで熱成長を行う。 - 特許庁

Ti, Nb, V, Mo, Zr-based precipitates or composite precipitates with a grain size of 10 to 2,000 Å are dispersed into the matrix of the base steel, and the average crystal grain size in the region from the surface layer to the depth of the sheet thickness×1/3 is refined to50 μm.例文帳に追加

下地鋼のマトリックスには粒径:10〜2000ÅのTi,Nb,V,Mo,Zr系析出物又は複合析出物が分散しており、表層から板厚×1/3の深さまでの領域における平均結晶粒径が50μm以下に調質されている。 - 特許庁

Disclosed are the adsorptive material for speaker system which is made of active carbon of ≥0.5 ml/g in cumulative capacity of pores of18in radius, and the speaker system having the same in a cabinet.例文帳に追加

半径18Å以下の累積細孔容積が0.5ml/g以上の活性炭でなる、スピーカ装置用吸着材料、およびこれをキャビネット内に有するスピーカ装置。 - 特許庁

例文

To provide a dry etching method capable of increasing an etching rate for a transparent conductive film on a substrate to 1500 to 2000 Å/min. without impairing a selection ratio and also suppressing dusting.例文帳に追加

基板上の透明導電性膜へのエッチングレートを1500〜2000Å/minまで選択比を損なうことなく向上させ、さらにダストの発生も抑制したドライエッチング方法を提供することにある。 - 特許庁

例文

The fibrous activated carbon to be used here has a specific surface area of at least 600 m^2/g, an entire fine pore volume of at least 0.2 cm^3/g, and an average fine pore diameter of 10-70 Å.例文帳に追加

ここで用いられる繊維状活性炭は、例えば、比表面積が少なくとも600m^2/g、全細孔容積が少なくとも0.2cm^3/gおよび平均細孔直径が10〜70オングストロームのものである。 - 特許庁

This process of treating metallic fuse is provided for treating a metallic fuse using a thin oxide 108 (having a thickness of about 6,000 Å) on a top interconnecting body 102.例文帳に追加

頂部相互接続体102の上に薄い(厚さが約6000オングストロームの)酸化物を用いた金属ヒューズ処理工程が提供される。 - 特許庁

The positive electrode active material 2 consists of a spinel type lithium manganese oxide expressed with general formula Li1+XAlYMn2-X-YO4 (in the formula, 0≤X≤0.15, and 0<Y≤0.3), and having a grating constant a Å in a range shown with formula below.例文帳に追加

正極活物質2が、一般式Li_1+XAl_YMn_2-X-YO_4(式中、0≦X≦0.15であり、0<Y≦0.3である。)で表され、格子定数aÅが下記式の範囲であるスピネル型リチウムマンガン酸化物からなる。 - 特許庁

A passive film containing one or more kinds of a nitride of Nb, Al, Zr, V, and B, having an atomic ratio N/O of N and O of 0.2 or more and a film thickness of 1000or less is formed on the surface of stainless steel base material.例文帳に追加

Nb,Al,Zr,V,Bの窒化物の一種又は二種以上とTiの窒化物とを含み、N,Oの原子比N/Oが0.2以上,膜厚:1000Å以下で導電性に優れた不動態皮膜がステンレス鋼基材の表面に形成されている。 - 特許庁

The substrate 31 is isotropically etched to about 200so that the protrusions 46a, 46b are completely removed and a diffraction optical element 47 having 8 steps shown in Fig (s) can be obtained.例文帳に追加

これにより、基板31は等方的に約200オングストローム、エッチングされるため、突起部46a、46bはほぼ完全に除去され、(s)に示す8段の階段形状を有する回折光学素子47が得られる。 - 特許庁

The objective porous complex is synthesized from a copper ion and trimesic acids, the objective, has a chemically structural formula of [Cu3(C9H3O6)2]n as a basic unit and has substantially the main face interval d=7.60 Å substantially according to the powder X-ray diffraction.例文帳に追加

銅イオンとトリメシン酸類とから合成される錯体であって、[Cu_3(C_9H_3O_6)_2]_n を基本単位とする構造式を有し、かつ粉末X線回折におけるメインの面間隔dが実質的に7.60Åである多孔質錯体である。 - 特許庁

The grain size of the recording layer at initial crystallization and that at erasure are the same (preferably in the range of 100-200 Å) (2).例文帳に追加

(2)記録層の初期結晶化時の結晶粒径と消去時の結晶粒径が同一である(好ましくは100〜200Åの範囲にある)光記録媒体。 - 特許庁

The ink composition for the writing utensils is obtained by compounding a vapor deposited aluminum flake powder having500thickness and ≤50 μm average particle diameter in an amount of 0.01-10 wt.% based on the total amount of the ink.例文帳に追加

厚みが500Å以下で、平均粒子径が50μm以下の蒸着アルミフレーク粉未をインキ全量に対して、0.01〜10重量%配合したことを特徴とする筆記具用インキ組成物。 - 特許庁

The catalyst for removing nitrogen oxides in an exhaust gas, wherein a component for removing the nitrogen oxides is supported by a carrier, has pores whose average pore size is 20 to 100measured by a gas adsorption method for measuring a pore size of 20 to 3,000 Å, and whose volume is 50% or more of the total volume of the pores measured by the gas adsorption method.例文帳に追加

排ガス中の窒素酸化物を浄化する窒素酸化物浄化用触媒であって、担体上に窒素酸化物浄化成分を担持し、直径20〜3000Åの細孔を測定するガス吸着法で計測した細孔の平均細孔直径が20〜100Åであり、かつ、前記平均細孔直径20〜100Åの細孔の容積が、前記ガス吸着法で計測した細孔の全細孔容積に対して50%以上であることを特徴とする。 - 特許庁

An antibacterial and/or antifungal toothbrush has bristles which are polybutylene terephthalate base material and have an end of 0.01-0.05 mm in diameter, and in the bristles of the toothbrush, resin of polybutylene terephthalate base material is evenly impregnated with coated material which is coated with silicone oxide of severalsize, which are gained with silicon compound or silicon compound derivative as precursors by each of nanometer-sized antibacterial metal grains.例文帳に追加

0.01〜0.05mm直径の先端部を有するポリブチレンテレフタレート基材の毛を有する抗菌性及び/又は抗真菌性歯ブラシであって、上記歯ブラシの毛は、ナノメータサイズの抗菌性金属粒子のそれぞれがシリコン化合物又はシリコン化合物誘導体を前駆体にして得られた数Åサイズのシリコン酸化物によりコーティングされたコーティング物がポリブチレンテレフタレート基材の樹脂に均一に含浸されている。 - 特許庁

After the crude ammonia is contacted with the catalyst having manganese oxide as the effective component, oxygen, carbon dioxide and water remaining in crude ammonia as the impurities are removed by contacting crude ammonia with synthetic zeolite of 4-10 Å equivalent pore diameter.例文帳に追加

また、粗アンモニアを、酸化マンガンを有効成分とする触媒と接触させた後、さらに細孔径が4〜10Å相当の合成ゼオライトと接触させて、粗アンモニアに不純物として含まれる酸素、二酸化炭素、水を除去する。 - 特許庁

Main components of this polyester film comprise ethylene terephthalate unit and ethylene naphthalene dicarboxylate unit, and crystal size of this polyethylene terephthalate is 10-50 Å, when the polyester film is measured by X-ray diffraction method.例文帳に追加

ポリエステルの主たる成分がエチレンテレフタレート単位とエチレンナフタレンジカルボキシレート単位であるポリエステルフィルムであり、かつ、ポリエステルフィルムをX線回折法で測定したときのポリエチレンテレフタレートの結晶サイズが10〜50オングストロームであるポリエステルフィルムである。 - 特許庁

The hydrogen storage material 1 has a polymer complex 2, wherein metal atoms 22 adsorbing hydrogen atoms 3 are coordination-bonded, and the polymer complex 2 has a structure wherein the metal atoms 22 are arranged at intervals of 3.6-4.5 Å.例文帳に追加

水素吸蔵材料1は、水素原子3を吸着する金属原子22が配位結合した高分子錯体2を有し、さらに、高分子錯体2が、金属原子22が3.6Å以上4.5Å以下の間隔で配列された構造を有している。 - 特許庁

The positive electrode material for fuel cell comprises a perovskite metal oxide and ceria family metal oxide that is doped by at least two types of lanthanoid heterogeneous elements different from each other and that has an average ion radius of the lanthanoid heterogeneous element of 0.90-1.02 Å.例文帳に追加

ペロブスカイト型金属酸化物と、互いに異なる少なくとも2種のランタノイド異種元素によってドーピングされ、前記ランタノイド異種元素の平均イオン半径が、0.90〜1.02Åであるセリア系金属酸化物と、を含む燃料電池用正極材料。 - 特許庁

The discotic liquid crystalline compound shows a discotic columnar phase as a liquid crystal phase and the stacking space of a molecule in the columnar phase is narrower than the graphite interlaminar distance of 3.345 Å.例文帳に追加

液晶相としてディスコティックカラムナー相を示し、カラムナー相中における分子のスタッキング間隔がグラファイト層間距離である3.345オングストロームより狭いことを特徴とするディスコティック液晶性化合物。 - 特許庁

A surface nitride layer section 1B is made so that the nitrogen content at a depth of 10 Å from the surface may be 2 atom.% or over by arranging the sapphire single crystal substrate 1 in nitrogen-containing atmosphere such as ammonium atmosphere.例文帳に追加

サファイア単結晶基板1をアンモニア雰囲気などの窒素含有雰囲気中に配置し、所定時間加熱することによって表面窒化層部分1Bを、その表面から10Åの深さにおける窒素含有量が2原子%以上となるように形成する。 - 特許庁

A substrate 11 is prepared, a chromium-containing underlayer is deposited, a cobalt alloy-containing 1st layer having20thickness is deposited on the underlayer and a cobalt-platinum alloy-containing 2nd layer is deposited on the 1st layer.例文帳に追加

クロムを含む下層と、該下層上に設けられた、コバルト合金を含む第一層と、該第一層上に設けられたコバルト−プラチナ合金を含む第二層と、を含み、該第一層が20Å以下の厚みをもつことを特徴とする、基板上に形成された磁気記録媒体。 - 特許庁

The scanning ring field reduced projector performs a lithographic patterning for producing devices in a design unit of maximum 0.4 μm, using X-ray radiations in a wavelength range of 300-40 Å.例文帳に追加

300Åから40Åまでの波長範囲内のX線放射線を用いて最大0.4μmまでの設計単位につくられるデバイスを生産するためのリソグラフィパターニングを行う走査リングフィールド縮小投影装置である。 - 特許庁

The multilayer structure comprises a plurality of separate layers such having a thickness less than 500 Å, wherein at least one of the layers is based on hafnium dioxide (HfO_2), zirconium dioxide (ZrO_2) or alumina (Al_2O_3).例文帳に追加

各々が500Å未満の厚さを有する複数の別個の層を備え、前記層の少なくとも1つが二酸化ハフニウム(HfO_2)、二酸化ジルコニウム(ZrO_2)、及びアルミナ(Al_2O_3)に基づくことを特徴とする多層構造体を構成する。 - 特許庁

In the organic polymeric siloxane catalyst having both of a sulfonic acid group-containing hydrocarbon group and a mercapto group- containing hydrocarbon group, the mean pore size in a pore size range of 20-200 Åin the meso-porous part of the catalyst is 25-80 Å.例文帳に追加

スルホン酸基含有炭化水素基とメルカプト基含有炭化水素基を共に有する有機高分子シロキサン触媒おいて、メソポーラス部の細孔径20〜200Åの範囲における平均細孔径が25〜80Åであることを特徴とする有機高分子シロキサン触媒。 - 特許庁

The catalyst for hydrodesulfurization of the gas oil fraction is obtained by supporting nickel and molybdenum as active metals and phosphorus as an other component on a carrier comprising silica-alumina and/or boria- alumina, and the catalyst has an average pore diameter of80and a pore volume of ≥0.2 cc/g.例文帳に追加

シリカ−アルミナ及び/又はボリア−アルミナからなる担体に、活性金属としてニッケル、モリブデン、及びその他の成分としてリンを担持した触媒であって、触媒の平均細孔径が80Å以上で、かつ細孔容量が0.2cc/g以上である軽油留分の水素化脱硫触媒。 - 特許庁

The crystal structure thereof is of a highly crystalline spinel (the space group is Fd3m), and has a lattice constant of ≥8.18 Å, and has a microstructure characterized by 400 to 800 cm^-1 absorption in the infrared absorption spectrum.例文帳に追加

結晶構造的には高い結晶性のスピネル構造(空間群、Fd3m)でありその格子定数が8.18Å以上であること、さらに赤外吸収スペクトルにおいて400〜800cm^−1に特徴的な微細構造を有する。 - 特許庁

The transistor includes the semiconductor layer formed on an insulating board, a gate insulating film composed of the filtering oxide film of 1-20in thickness, a gate electrode, an inter-layer insulating film, and source and drain electrodes.例文帳に追加

絶縁基板上に形成された半導体層、ゲート絶縁膜、ゲート電極、層間絶縁膜、ソース/ドレーン電極を含み、ゲート絶縁膜は1から20Åの厚さのフィルターリング酸化膜からなる薄膜トランジスタ及びその製造方法。 - 特許庁

In this case, when the silicon nitride film 22 is completely removed, the genuine amorphous silicon film 21 of the ground is exposed, the dry etching of the exposed genuine amorphous silicon film 21 is performed to some extent, and its etching rate is about 400 Å/min.例文帳に追加

この場合、窒化シリコン膜22が完全に除去されると、下地の真性アモルファスシリコン膜21が露出され、この露出された真性アモルファスシリコン膜21がある程度ドライエッチングされるが、そのエッチングレートは約400Å/minであった。 - 特許庁

The organic thin-film transistor having an organic semiconductor layer has a layer on which a benzene ring, having an interplanar spacing of 2.8-3.0 Å, is exposed, and the organic semiconductor layer is located on a surface on which the benzene ring is exposed.例文帳に追加

有機半導体層を具備する有機薄膜トランジスタにおいて、2.8〜3.0Åの面間隔を有するベンゼン環が露出する層を有し、そのベンゼン環が露出する表面上に有機半導体層を設けたことを特徴とする有機薄膜トランジスタ。 - 特許庁

The microcrystal semiconductor film 13 is of crystal structure and 5 to 400in average grain diameter based on the half band width of a Raman spectrum, 5 cm2 to 300 cm2/Vsec in electron mobility, and 7×1019 cm-3 or below in oxygen concentration.例文帳に追加

微結晶化した半導体膜13の平均粒径はラマンスペクトルの半値巾から5Å〜400Åの結晶構造を有し、電子移動度5cm^2〜300cm^2/Vsec、酸素濃度は7×10^19cm^−3以下である。 - 特許庁

The porous carbon includes a mesopore and a carbonaceous wall which constitutes the contour of the mesopore, wherein the X-ray diffraction spectrum to CuKα rays (a wavelength of 1.541 Å) has a peak at 26.45° of the Bragg angle 2θ.例文帳に追加

メソ孔とこのメソ孔の外郭を構成する炭素質壁とを備えた多孔質炭素であって、CuKα線(波長1.541Å)に対するX線回折スペクトルにおいて、ブラッグ角度2θの26.45°にピークを有することを特徴とする。 - 特許庁

In this case, when the silicon nitride film 22 is completely removed, the genuine amorphous silicon film 21 of the base is exposed, the exposed genuine amorphous silicon film 21 is dry-etched to some extent, and its etching rate is about 400 Å/min.例文帳に追加

この場合、窒化シリコン膜22が完全に除去されると、下地の真性アモルファスシリコン膜21が露出され、この露出された真性アモルファスシリコン膜21がある程度ドライエッチングされるが、そのエッチングレートは約400Å/minであった。 - 特許庁

Or, it contains cerium as cerium dioxide of ≥8 wt.% and ≤40 wt.% and a crystalline phase having an interplaner spacing (d) of 3.1-3.2 Å which is detected as a peak in X-ray diffractometry.例文帳に追加

あるいは、本焼結体は、セリウムを二酸化セリウムに換算して8重量%以上、40重量%以下含有しており、X線回折測定において面間隔(d)が3.1〜3.2オングストロームの位置にピークを有する結晶相を含んでいる。 - 特許庁

The interior wall material having moisture absorbing/releasing functions and a photocatalytic function is characterized in that pore diameter- controlled γ-alumina porous bodies having a pore diameter distribution of 20 to 60in radius and photocatalyst porous bodies having controlled pore diameters are blended.例文帳に追加

半径20〜60Åの細孔径分布を有する細孔径を制御したγ−アルミナ多孔体および細孔径を制御した光触媒多孔体とを配合したことを特徴とする水蒸気の吸放湿機能と光触媒機能を有する内装壁材。 - 特許庁

A conductive particle includes a gold layer with the average film thickness of300formed on a nickel layer as the outermost layer, and the elemental composition ratio between nickel and gold (Ni/Au) on the surface of the conductive particle by X-ray photoelectron spectroscopy analysis is ≤0.4.例文帳に追加

本発明の導電粒子は、ニッケル層上に形成された平均膜厚300Å以下の金層を最外層として有する導電粒子であって、X線光電子分光分析による導電粒子の表面におけるニッケル及び金の元素組成比(Ni/Au)が0.4以下であることを特徴とする。 - 特許庁

The anode for copper electroplating contains the oxygen or sulfur obtained by sintering copper powder, copper grains or copper pieces having an oxide layer, or nitride layer of ≥3 Å or both of these layers or a mixed layer composed thereof on the surfaces or both thereof at ≥5 ppm.例文帳に追加

表面に3Å以上の酸化層、硫化層又はこれらの双方の層若しくは混合層を有する銅粉、銅粒又は銅片を焼結して得られた酸素、硫黄若しくはこれらの双方を5ppm以上含有することを特徴とする電気銅めっき用アノード。 - 特許庁

In the alignment method of a semiconductor device utilizing aluminium interconnect lines 30 on the uppermost layer of a semiconductor substrate 10 as an alignment pattern for trimming, thickness of an antireflection film 30a on the surface of the aluminium interconnect lines 30 is set in the range of 200-400 Å.例文帳に追加

半導体基板10上の最上層のアルミニウム配線30をトリミング用のアライメントパターンとして利用する半導体装置のアライメント方法において、上記アルミニウム配線30の表面の反射防止膜30aの膜厚を200Å〜400Åとする。 - 特許庁

Therefore, an intermediate layer containing a ceramics-based material having a thickness of 2-20 μm, and a binder layer 4 having a thickness of 3,000-8,000 Å, are interposed between the mica substrate 1 and a molybdenum electrode 5.例文帳に追加

そこで、本発明では、マイカ基板1とモリブデン電極5との間に厚さが2μm以上20μm以下のセラミックス系の材料を含む中間層と、厚さが3000Å以上8000Å以下のバインダ層4を介在させる。 - 特許庁

Then, when reactive-ion etching using mixture gas of fluorine gas (100 sccm) and oxygen gas (100-400 sccm) as etching gas is performed, the dry etching of the silicon nitride film 22 in areas under the resist film 23 is performed, and its etching rate is about 2,000 Å/min.例文帳に追加

そして、エッチングガスとしてフッ素ガス(100sccm)および酸素ガス(100〜400sccm)の混合ガスを用いた反応性イオンエッチングを行なうと、レジスト膜23下以外の領域における窒化シリコン膜22がドライエッチングされ、そのエッチングレートは約2000Å/minであった。 - 特許庁

The dehumidifier has a porous membrane 1 having many micro pores 11 of pore diameters of 2-5and a cooling medium 4 serving as a cooling means for keeping the water vapor pressure inside the membrane 1 lower than that outside the membrane 1.例文帳に追加

2〜5オングストローム(Å)の穴径の細孔11が多数設けられた多孔質膜1と、この多孔質膜1の内側の水蒸気圧を多孔質膜1の外側の水蒸気圧よりも低く保つ冷却手段である冷却媒体4とを備える。 - 特許庁

Next, after depositing another oxide film 21 in the film thickness of about 1500on the whole surface, the element isolating oxide film is selectively removed from the region of a tunnel oxide film 11 and the region intersecting with a prospective source forming region by the SAS etching step.例文帳に追加

その後、全面に酸化膜21を約1500Åの膜厚で堆積した後、SASエッチングにより、トンネル酸化膜11及びソース形成予定領域と交叉する領域における素子分離酸化膜を選択的に除去する。 - 特許庁

The outer surface of a glass bottle immediate after molding is treated with a fluorocarbon gas and then the outside of the glass bottle is treated with a tin compound and/or a titanium compound to form a coating film of tin oxide or titanium oxide having 80-400 Å thickness.例文帳に追加

成形直後のガラスびんの外面をフロンガスで処理し、その後ガラスびんの外面をスズ化合物及び/又はチタン化合物で処理して80〜400オングストロームの厚さの酸化スズ又は酸化チタンの被膜を形成する。 - 特許庁

The adamantane pressed granule obtained by a roller press method or a pounding slug method has a median pore radius by volume of 3,000 Å or less and a particle size of 2 to 40 mm and can control growth of crystals formed by sublimation.例文帳に追加

ローラー圧縮法,スラッグ打錠法によって得られたアダマンタン圧縮造粒は,容積基準メジアン細孔半径が3000Å以下であり、粒径が2〜40mmのものが得られ,昇華物結晶の成長を抑えることができる等の特性を有する。 - 特許庁

例文

An object consisting of an organic cation made from an aromatic amine cation having a fourth class nitrogen atom and having a hydrogen atom in an aromatic ring and an anion having van der Waals volume of 76 Å^3 or more is used as an ionic liquid.例文帳に追加

イオン液体としては、第四級窒素原子を有する芳香族アミンカチオンからなり、芳香環中に水素原子を有する有機カチオンと、76Å^3 以上のファンデルワールス体積を有するアニオンとからなるものを用いる。 - 特許庁

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