「えむサイズ」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

ＥＥＰＲＯＭを内蔵した半導体集積回路において、製造プロセスを複雑化することなく、メモリセルのサイズを小さくする。例文帳に追加

To reduce the size of a memory cell, without complicating the manufacturing process, in a semiconductor integrated circuit with an EEPROM incorporated therein. - 特許庁

β比を向上させ且つ駆動用ＭＯＳトランジスタのサイズを小さくしてセル面積を縮小化できる半導体記憶装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor storage device capable of reducing the cell area by improving the β ratio and lessening the size of the drive MOS transistor. - 特許庁

試し書きデータは、ファイルシステムの複数論理ブロックからなり、且つ、ＭＰＥＧ２の１ＧＯＰ分のデータサイズとされる。例文帳に追加

The test writing data consists of a plurality of logical blocks of a file system and is in a data size for one GOP of an MPEG2. - 特許庁

１〜２０ｎｍサイズの第III族元素の酸化物結晶粒子が均一に分散されてなる、安定なコロイド液を製造する方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method for producing a stable colloidal solution in which oxide crystal grains of a group III element having 1-20 nm size are uniformly dispersed. - 特許庁

ＡＭミドルＡＧＣ感度をＩＣの端子数およびチップサイズを増加させることなく、ＩＣ外部から自由に設定可能にする。例文帳に追加

To freely set an AM middle AGC sensitivity from the outside of an IC without increasing number of IC terminals and its chip size. - 特許庁

ジエン系ゴム１００重量部及び粒子サイズ３０〜６００μｍの膨張黒鉛１〜３０重量部を含んでなるタイヤ用ゴム組成物。例文帳に追加

This rubber composition for the tires comprises 100 pts.wt. of a diene-based rubber and 1-30 pts.wt. of an expanded graphite having 30-600 μm particle size. - 特許庁

多孔質燃料は約２〜１０００ｎｍの構造サイズを有する固体であり、１０〜９８％の多孔度を有する。例文帳に追加

The porous fuel is a solid having a structural size of about 2-1,000 nm which has porosity of 10-98%. - 特許庁

性能を維持したままでより小さなサイズに製造が可能なＳＲＡＭセルを有する半導体記憶装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor storage device having SRAM cells which can be manufactured in small sizes while maintaining performance. - 特許庁

ＭＦＤＰは全て同一のレイアウトを有するので、出力電力ステップ・サイズの精度が改善される。例文帳に追加

Because the MFDPs all have identical layouts, accuracy of output power step size is improved. - 特許庁

強誘電体メモリセルとＳＲＡＭセルとを混載する半導体メモリ装置のチップサイズの縮小化を図れるようにする。例文帳に追加

To reduce chip size of a semiconductor memory in which ferroelectric memory cells and SRAM cells are loaded. - 特許庁

ブロックサイズＬのブロックでステージを加減速させることによって到達する最大速度Ｖｍａｘを算出する（Ｓ１３）。例文帳に追加

The maximum speed (Vmax) which reaches by accelerating or deaccelerating the stage at the block of the block size (L) is calculated (S13). - 特許庁

セルサイズを低減し、チップ製造の歩留まりを向上させる、コモンビット／コモンソースＲ−ＲＡＭを提供すること。例文帳に追加

To provide a common bit/common source R-RAM which can be reduced in cell size and improved in chip manufacturing yield. - 特許庁

ＮチャネルパワーＭＩＳ電界効果トランジスタと同等サイズ、同等コストで同等以上の性能を得る。例文帳に追加

To obtain a performance of equivalence or more in the same size as and at the same cost as an n-channel power MIS field effect transistor. - 特許庁

ＭＯＳ構造のトランジスタを含むインバータ回路において、トランジスタサイズやチップ面積の小型化を実現する。例文帳に追加

To realize reduction of a transistor size or a chip size in an inverter circuit including MOS transistors. - 特許庁

フォームの製造方法による制限を受けないサイズを持つ大型モノリシック・フォームから成る有機ＳＰＭを提供すること。例文帳に追加

To provide organic, small pore area materials ("SPMs") comprising large monolithic foams having sizes not limited by methods for producing the foams. - 特許庁

反射体１０は、１辺が規定単位Ｍで示される領域でランダムなサイズの凹部１３がランダムに配置されている。例文帳に追加

In a reflector 10, recessed parts 13 having random sizes are arranged at random in an area whose one side is expressed by a specific unit M. - 特許庁

Ｘ線画像の形成システムにおいて、フラットパネルディテクタ２の画素サイズを１００μｍ以下とした。例文帳に追加

In an X-ray radiographing system, the pixel sizes of a flat panel detector(FPD) 2 are 100 μm or less. - 特許庁

ＩＣのサイズの大型化を招くことなく、静電放電に対する保護機能をオンチップで有するＥ−ｐＨＥＭＴのＩＣを実現する。例文帳に追加

To provide an IC including E-pHEMTs (Enhancement Mode Pseudomorphic High Electron Mobility Transistors) having a ptotective function against on-chip electrostatic discharge without inviting enlargement of the size of the IC. - 特許庁

パステーブルの管理に使用するＲＡＭサイズを小さくすることが可能で、小型・低消費電力の移動無線端末装置を提供する。例文帳に追加

To provide a small-sized mobile wireless terminal with low power consumption in which the size of a RAM used for managing a path table can be reduced. - 特許庁

平均粒子サイズが１００ｎｍ以下であり、粒度分布がシャープである、四三酸化マンガン超微粒子およびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide super fine particles of trimanganese tetraoxide having ≤100 nm mean particle size and a sharp particle size distribution, and a method of producing the same. - 特許庁

ナノ粒子（主として直径１０ｎｍ以下）と呼ばれる微粒子を高スループットで確実且つ容易にサイズ選別する。例文帳に追加

To definitely and easily sort particles that are called nano particles (chiefly, diameter of 10 nm or less). - 特許庁

必要に応じて、さらに、２００〜６００℃の低温時効で平均粒子サイズが０．２μｍ以下のＣｒ炭窒化物が分散していることを特徴とする。例文帳に追加

If required, further, Cr carbonitrides with an average grain size of ≤0.2 μm are dispersed by low temperature aging at 200 to 600°C. - 特許庁

０.０１〜５０重量％のタンパク質ナノ粒子を含み、該タンパク質ナノ粒子の平均粒子サイズが１０〜２００ｎｍである、ヘアトリートメント組成物。例文帳に追加

The hair treatment composition comprises 0.01-50 wt.% of protein nanoparticles having an average particle size of 10-200 nm. - 特許庁

チップサイズの増大を防止するとともに、消費電力の増加を抑制しつつ、ＭＯＳトランジスタの温度依存性を補償する。例文帳に追加

To compensate temperature dependence of a MOS transistor while preventing an increase in chip size and suppressing an increase in power consumption. - 特許庁

ウエイト計算部３０のウエイト更新アルゴリズムにおいて、ＬＭＳにおけるステップサイズを可変とする。例文帳に追加

In a weight update algorithm of the weight calculation section 30, the step size in the LMS is variable. - 特許庁

導電性軟金属構造の最上部層に２００ｎｍ以上の粒子サイズを有する金属粒子を付着する。例文帳に追加

On an uppermost layer of the electrically conductive soft metal structure, the metal particles with particle sizes of 200 nm or larger are adhered. - 特許庁

基地中にＶ炭化物を含み、刃先に相当する部分に含まれる前記Ｖ炭化物のサイズが２８μｍ以下である刃物用白鋳鉄とした。例文帳に追加

In the white cast iron for a cutting tool in matrix V carbides are contained, and the size of the V carbides comprised in the part equivalent to the edge is ≤28 μm. - 特許庁

記憶するデータから所定サイズ分のデータをＲＡＭの書込準備領域に記憶し（Ｓ２）、停電発生の有無を問い合わせる（Ｓ３）。例文帳に追加

Data for a prescribed size is stored in the writing preparation area of a RAM from stored data (S2) to make an inquiry about the presence and absence of the occurrence of power interruption (S3). - 特許庁

１〜1０ｎｍサイズの金属酸化物の粒子が均一に分散されてなる、安定なコロイド液を製造する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a stable colloidal liquid in which metallic oxide particles of 1 to 10 nm size are uniformly dispersed. - 特許庁

ライト時には上位側から受信したデータをキャッシュし、所定のサイズ（１ＭＢ以上）のデータとしてまとめて下位側に送信する。例文帳に追加

In a write time, the low-order side driver caches the data received from the high-order side, and transmits the received data as data of a prescribed size (≥1MB) in a batch to the low-order side. - 特許庁

サーバ装置はデータベース検索情報を用いてデータベース検索を行い、この結果と、ＲＡＭ１２に格納した各情報とを用いて、表データの一部であるBookストリームのデータサイズを算出し、このサイズの領域をＲＡＭ１２に確保する。例文帳に追加

The server device performs database retrieval while using database retrieval information, calculates the data size of a Book stream as a part of table data while using this result and each of information stored on the RAM 12 and secures the area of this size on the RAM 12. - 特許庁

イントラ予測回路４１およびブロックサイズ決定回路４２によって、処理対象のマクロブロックＭＢ内の画像データと当該マクロブロックＭＢの周囲の画像データとの相関を基に、動き予測ブロックのサイズの候補を決定する。例文帳に追加

A candidate of the size of a movement prediction block is determined by an intra-prediction circuit 41 and a block size determination circuit 42 based on correlation between image data in the macro block MB of a processing object and image data around the macro block MB. - 特許庁

従来のシクロデキストリンが包接することの出来ない１ｎｍより大きなサイズであって、中空繊維状有機ナノチューブが安定に包接することの出来ない３ｎｍより小さいサイズの有機化合物を包接できる包接体及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a clathrate enclosing an organic compound larger than 1 nm in a size, which can not be enclosed by a conventional cyclodextrin, and smaller than 3 nm in a size, which can not be stably enclosed by a hollow fiber type organic nanotube, and a method for producing the same. - 特許庁

ディプレッションＭＯＳトランジスタ１２の物理的ゲートサイズがエンハンスメントＭＯＳトランジスタ１４の物理的ゲートサイズよりも小さく、且つドレイン電流−ゲート電圧の関係曲線が実質的に対数領域にあることを特徴とする半導体用基準電圧発生装置１０。例文帳に追加

The reference voltage generating device 10 for semiconductor is characterized in that a depletion MOS transistor 12 has a smaller physical gate size than an enhancement MOS transistor 14 and the relation curve of the drain current and gate voltage is substantially in a logarithmic area. - 特許庁

および、多重双晶構造を有する硫化亜鉛蛍光体粒子からなるエレクトロルミネッセンス蛍光体粉末であって、平均粒子サイズが５ｎｍ〜２０μｍであり、粒子サイズ分布の変動係数が３５％以下であるエレクトロルミネッセンス蛍光体粉末。例文帳に追加

The electroluminescent phosphor powder is composed of zinc sulfide phosphor particles having a multiple twin structure, an average particle size of 5 nm-20 μm, and a coefficient of variation of particle size distribution of 35% or lower. - 特許庁

基地局（ＢＳ）１０では、たとえばフレーム誤りの発生から再送要求があった無線端末局（ＭＳＡ）１３Ａに対してウィンドウサイズを縮小し、そのＭＳＡ１３Ａへの通信が正常化した場合にその縮小されたウィンドウサイズを復元する。例文帳に追加

A base station(BS) 10 reduces a window size with respect to a radio terminal station (MSA) 13A where a resending request is generated because a frame error is produced and restores the reduced window size when communication to the MSA 13A is normalized. - 特許庁

ビューファインダなどの表示デバイス（３）に対し、カメラモジュール（１）からの画像データを表示する際、画像サイズ変換回路（１０）からの表示に適したサイズの画像データを、表示用信号生成回路（１２）に内蔵されるラインメモリ（ＬＭ１−ＬＭｎ）を通して表示する。例文帳に追加

When displaying image data from a camera module (1) on a display device (3) such as a view finder, image data in a size suitable for display from an image size conversion circuit (10) are displayed via line memories (LM1-LMn) built in a display signal generation circuit (12). - 特許庁

水に高周波電流を印加してクラスターサイズを縮小し、該クラスターサイズを縮小した水に水素ガスを０．１ＭＰａから２．０ＭＰａの圧力下で溶解させ、上記水素ガスは都市ガス又はアルコールにプラズマを当て生成したものである水素水の製造法。例文帳に追加

In the manufacturing method of the hydrogen water, a high frequency current is impressed to water to reduce its cluster size, the hydrogen gas is dissolved in the water having the reduced cluster size under a pressure of 0.1 MPa to 2.0 MPa and plasma is applied to the city gas or the alcohol. - 特許庁

比較モードにおいて、表示制御部１１０は、選択されたファイルの拡大画像Ｍ７を、そのとき第１表示部１１ａに表示される拡大画像Ｍ７の数に応じたサイズ、すなわち、第１表示部１１ａに収まるできる限り大きなサイズで、第１表示部１１ａに表示させる。例文帳に追加

In the comparison mode, the display control part 110 controls a first display section 11a to display zoomed images M7 in the selected file with a size that corresponds to the number of the zoomed images M7 to be displayed on the first display section 11a at that time, namely, with the largest size with which the images can be displayed within the first display section 11a. - 特許庁

第２のＮチャネル型ＭＯＳトランジスタのチャネル領域が形成されているエピタキシャル層のチャネル長方向サイズは、第１のＮチャネル型ＭＯＳトランジスタのチャネル領域が形成されている素子領域Ａ１のチャネル長方向サイズよりも小さい。例文帳に追加

The channel length direction size of the epitaxial layer, where the channel region of the second n channel type MOS transistor is formed, is smaller than the channel lengthwise direction size of the element region A1, where the first n channel MOS transistor channel region is formed. - 特許庁

６８重量％と８７重量％の間のポリマー含量の０．５μｍと１０００μｍΦの間のサイズ範囲の少なくとも２モードのサイズ分布を持つ、ゲルを含まない、分子分散した溶融型ポリマー粒子の高濃縮水性ディスパージョンを使用する。例文帳に追加

A highly concentrated aqueous dispersion of molecular dispersion melt type polymer particles having 68-87 polymer content, a size distribution of at least two modes in a size range of 0.5 μm to 1,000 μmΦ, not containing a gel is used. - 特許庁

最表面１の少なくとも一部に、固体潤滑性を有する材質からなる平均粒径が０．５３ｎｍ乃至１．０５ｎｍのナノサイズ粒子３とナノサイズ粒子３を含有する保持剤４からなる潤滑層２を設ける。例文帳に追加

A lubricant layer 2 comprising nano-sized particles 3 composed of a material having solid lubricant properties and having 0.53 to 1.05 nm average particle diameter and a holding agent 4 containing the nano-sized particles 3 is provided to at least a part of an uppermost surface 1 of the magnetic recording medium. - 特許庁

一方、露光スポット径が３０μｍ又は１５μｍの場合、全画像パターンについての画像サイズが適正範囲内に収まる露光エネルギバンドが存在し、露光エネルギ制御を行うことなく全画像パターンについて画像サイズを適正範囲内に収めることができる。例文帳に追加

On the other hand, when the diameter of exposing spot is 30 μm or 15 μm, such an exposing energy band as the image size falls within an appropriate range for all image patterns exists and the image size can be confined within an appropriate range for all image patterns without requiring the control of exposing energy. - 特許庁

プリンタ２のデータ受信処理部２１は、ＰＣ（パーソナルコンピュータ）１からのＤＭＡの終了割り込みが先に発生したときは、ＤＭＡの受信サイズを大きくし、データ解析部２３からのデータ要求が先に発生したときは、受信サイズを小さくする。例文帳に追加

When a DMA end interference is generated in advance, from a personal computer (PC) 1, a data reception processing section 21 of a printer 2 increases the reception size of the DMA, and when a data request from a data analysis section 23 is produced earlier, the processing section 21 decreases the reception size. - 特許庁

ＵＢＭ膜の平面サイズよりもバンプ電極の平面サイズを小さく形成し、ＵＢＭ膜周縁に生じる応力集中を減少するための製造工程数を減少することができる半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a semiconductor device by which number of manufacturing processes can be reduced for forming UBM films having a plane size smaller than that of a bump electrode and reducing concentration of stress on the peripheral border of the UBM films. - 特許庁