「おいそのもり」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

その結果、お守りの表面におけるそれらの図柄や模様等を視認でき、そのお守りを身に付けたり、あるいは適所に吊下げることにより、暗所においてもその存在を認識でき、かつ、視覚的にお守りを楽しむことができる。例文帳に追加

As a result, the patterns or the like on the surface of the amulet are visually recognized, and by putting the amulet on the body or hanging it from an appropriate part, the presence is recognized even in the dark place and the amulet is visually enjoyed. - 特許庁

補正値はメモリ１７においてデータ蓄積しておき、印刷の度にその補正値を利用する。例文帳に追加

The correction value is stored in a memory 17 and utilized every time when printing is performed. - 特許庁

そして、その選択タイミングにおいて利用可能な最新のフレームメモリを指定するようにする。例文帳に追加

A newest frame memory available at the select timing is specified. - 特許庁

メモリユニットを備えた半導体装置において、その動作タイミングのばらつきを低減する。例文帳に追加

To reduce variation in the operation timing in a semiconductor device having a memory unit. - 特許庁

水中に投棄した錘２，３は、水中において溶解し、その場に残ることがない。例文帳に追加

The weights 2, 3 disposed underwater are melted in water, and not left behind. - 特許庁

各一方方向への電子走査において、その終了位置がメモリ上に記憶される。例文帳に追加

An end position is stored in a memory in the electronic scanning in the respective one directions. - 特許庁

強誘電体メモリとその製造方法において、デバイスの信頼性を向上させること。例文帳に追加

To provide a ferroelectric memory and a method of manufacturing the same, in and by which reliability of a device is improved. - 特許庁

各メモリ１７，１８の読み出し出力は、切り替え後においてもそのまま保持される。例文帳に追加

The read output of each memory 17, 18 is held as it is even after the switching. - 特許庁

また、冗長制御回路は、その他のメモリブロックにおいて、不良メモリセル列に対応するメモリセル列を無効にし、これ等メモリセル列の代わりに冗長メモリセル列を有効にする。例文帳に追加

Also, the redundant control circuit invalidates a memory cell column corresponding to a defective memory cell column in the other memory block, and validates a redundant memory cell column instead of these memory cell columns. - 特許庁

メインメモリチップとその交替用のサブメモリチップとを持つ半導体記憶装置において、各メインメモリチップは不良化したメモリブロックの代替先として同一チップ内に複数の予備メモリブロックを持つ。例文帳に追加

In this semiconductor storage device having a main memory chip and a sub memory chip for alternation, each the main memory chip has a plurality of spare memory blocks inside the same chip as an alternative destination of a broken memory block. - 特許庁

本発明は、同期転送を行うメモリにおいて、メモリやその制御を行うメモリコントローラの設計が容易となる半導体メモリやメモリ制御の技術を提供することを課題とする。例文帳に追加

To provide a semiconductor memory and a technology of controlling the memory facilitating design of the memory or a memory controller carrying out memory control, in the memory to perform a synchronizing transfer. - 特許庁

無線機能付メモリモジュールにおいて、使用済みとなった後はそのメモリ内容を破壊することを可能とすることである。例文帳に追加

To destroy the content in the memory of a memory module with a radio function after the module has been used. - 特許庁

セキュリティ非対応のメモリカードの場合には、ステップＳ２０６において、そのメモリカードが使用できない旨の告知がなされる。例文帳に追加

When the memory card is not corresponding to security, the invalidity of the memory card is announced (a step S206). - 特許庁

不揮発性メモリが劣化した場合において、その不揮発性メモリを用いたシステムの動作を、簡易な構成により継続できるようにする。例文帳に追加

To continue operation of a system using a nonvolatile memory by a simple configuration when the nonvolatile memory deteriorates. - 特許庁

フラッシュメモリにおいて、メモリセルアレイの領域の一部を消去することが可能な半導体装置およびその制御方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device and its control method in which a part of a region of a memory cell array can be erased in a flash memory. - 特許庁

車両用計器において、その目盛り盤側から見たときの初期作動に伴う輝度をその後の輝度よりも高くすることを目的とする。例文帳に追加

To set brightness due to initial operation when viewed from the side of a dial plate higher than that thereafter in a measuring instrument of vehicles. - 特許庁

その結果，塗布処理において発生したウェハＷ周縁部の塗布液の盛り上がりが，その気流により押し流され，除去される。例文帳に追加

As a result, the swelling of the coating liquid on the peripheral part of the wafer W which is generated in the coating, is swept away and removed by the air flow. - 特許庁

これにより、従来の釣合錘において切り欠きが設けられていた部分に調整錘２２Ｌ，２２Ｒを装着することができるから、釣合錘として利用可能な空間内においてその全体重量を最大限に高めることができる。例文帳に追加

Thereby, since the adjustment weights 22L, 22R can be attached to a portion provided with a notch in a conventional counterweight, the whole weight can be enhanced to the maximum degree in the space utilizable as the counterweight. - 特許庁

地図上の任意の地点をメモリ地点として登録するとともに、その登録したメモリ地点に関する情報を登録するメモリ地点登録処理において、メモリ地点を登録した後に編集モードに移行することなく、そのメモリ地点に対応させて図形を登録する。例文帳に追加

To relate figures to memory points and register the figures without having to shift to an edit mode after the registration of the memory points in registration processing of memory points for registering any point in a map as a memory point and registering information on the registered memory point. - 特許庁

制御ロジックが、パケット分類要求に応答し、規則メモリからの規則メモリエントリを検索し、その規則メモリエントリ内の判定基準メモリポインタによって特定される判定基準メモリエントリを検索し、さらにその判定基準メモリエントリ内の値と、その分類要求に含まれる対応する値において、規則メモリエントリ内の演算子によって規定される演算を実行する。例文帳に追加

At a packet classification request, the control logic retrieves a rule memory entry from the rule memory and a criterion memory entry specified by a criterion memory pointer in the rule memory entry and further performs operation prescribed by an operator in the rule memory entry with a value in the criterion memory entry and the corresponding value included in the classification request. - 特許庁

翌3日朝、横山党が到着し、その他の味方も到着して、再び勢いを盛り返した。例文帳に追加

The next morning, on the 31st, the Yokoyama Party and their friends arrived and they regained power.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

その結果、ロックアップこもり音振動よりも高い周波数帯域の振動（加速時こもり音振動）の入力時においても、動的ばね定数を低く維持して効果的に防振効果を得ることができる。例文帳に追加

As a result, even when vibration in a frequency band higher than a lockup booming noise vibration (a booming noise vibration in acceleration) is input, the dynamic spring constant can be kept low and the vibration control effect can be obtained effectively. - 特許庁

種々の使用環境において水滴による曇りを防止できる優れた防曇性を有し、さらにその防曇性能が長期間にわたって持続する防曇性の時計用カバーガラスおよびこれを備えた時計を提供する。例文帳に追加

To provide a timepiece cover glass having superior antifogging properties capable of preventing fogging due to water droplets in various use environments and having long-term lasting antifogging effects, and to provide a timepiece including the same. - 特許庁

ロータ材に肉盛溶接を施し、補修部を形成する補修方法において、前記肉盛溶接は溶着速度の速い薄盛溶接であり、その薄盛溶接のビードを積層することにより前記補修部を形成する。例文帳に追加

In the repair method in which cladding by welding is applied on a rotor material to form a repair part, this cladding by welding is thin build-up welding with a high deposition rate, forming the repair part by laminating beads of the thin build-up welding. - 特許庁

本発明は、有機−無機複合膜による防曇被膜による防曇性物品において、必要とされる防曇性を維持しつつ、高い耐摩耗性や耐擦傷性を有する防曇性物品およびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide an antifogging article which has high abrasion resistance and high scratch resistance without detriment to the necessary antifogging properties in an antifogging article made antifogging with an antifogging coating film being an organic-inorganic composite film and to provide a method for producing the same. - 特許庁

親水性有機ポリマーを含む防曇性被膜による防曇性物品において、必要とされる防曇性を維持しつつ、高い耐摩耗性や耐擦傷性を有する防曇性物品およびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide an anti-fogging article which keeps the anti-fogging properties by an anti-fogging coating film containing a hydrophilic organic polymer and has a high abrasion resistance or friction resistance while holding the required anti-fogging properties, and to provide its manufacturing method. - 特許庁

コンピュータシステムにおいて動的確保したメモリの開放漏れ、つまりメモリリークはコンピュータシステムで有効なメモリ利用量を圧迫し不具合の元となるものであるが、そのメモリリークの究明は困難をきわめる。例文帳に追加

To solve the problem that the release omission of a dynamically secured memory, that is, memory leak in a computer system compresses a memory usage amount valid in the computer system, and results in failure, and that it is very difficult to investigate the memory leak. - 特許庁

親水性有機ポリマーを含む防曇被膜による防曇性物品において、必要とされる防曇性を維持しつつ、高い耐摩耗性や耐擦傷性を有する防曇性物品およびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide an anti-fogging article which keeps the anti-fogging properties provided by an anti-fogging coating film containing a hydrophilic organic polymer and has a high abrasion resistance or friction resistance while holding the required anti-fogging properties, and to provide its manufacturing method. - 特許庁

２Ｎ＋１ビットデータを格納するフラッシュメモリ装置に対するアドレススクランブル機能付きメモリ制御器を含むメモリシステム、およびそのメモリシステムにおいてアドレスデータをスクランブルする方法を提供する。例文帳に追加

To provide a memory system which includes a memory controller equipped with an address-scrambling function to a flash memory device which stores 2N+1 bit data, and also provide a method for scrambling address data in the memory system. - 特許庁

その結果、撮像素子において位相差ＡＦを精度良く行え、画素の微細化が進んでも良好に製造できる。例文帳に追加

As the result of this, the imaging element very precisely performs phase difference AF and is manufactured in good condition even if the definition of pixels becomes higher. - 特許庁

その結果、撮像素子において位相差ＡＦを精度良く行え、画素の微細化が進んでも良好に製造できる。例文帳に追加

As a result, phase difference AF can be performed with good accuracy in the imaging element so that even if the pixel is advanced in microstructure, it can be favorably manufactured. - 特許庁

絶縁破壊を誘発するタイプの書換え可能な不揮発性メモリセルにおいてラテラルな方向に場所を取らないもの、そして、そのようなメモリセルの製造方法、ならびに、そのようなメモリセルを多数有するメモリセルアレイを提供する。例文帳に追加

To provide a rewritable non-volatile memory cell that is a type having a chance of inducing dielectric breakdown, which requires less space in the lateral direction, to provide a method of manufacturing the memory cell, and to provide a memory cell array having a plurality of such memory cells. - 特許庁

江戸時代に於いては最も流通した物がその販売地、販売者の地名を冠することがあり、これもその一つである。例文帳に追加

During the Edo period, the thing that was most distributed took the name of its sales territory and seller, and this is an example of the practice.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

メモリブロックが選択されたことを示すブロック選択アドレスＢＡをラッチし、その出力をメモリブロックの出力バッファの活性化信号とすることにより複数のメモリブロックのうちどれか一つのメモリブロックが動作時においても非動作時においてもデータを出力する。例文帳に追加

A block selection address BA shown to select the memory block is latched, and data are output when one memory block of a plurality of the memory blocks is operated and in non-operation time by making the output the activation signal of the output buffer of the memory block. - 特許庁

ポリスチレン樹脂製シートに防曇剤を塗布し、防曇性シートを製造する方法において、その製造方法に必要な乾燥処理時間を短縮できる塗膜の乾燥方法及びその乾燥設備を提供すること。例文帳に追加

To provide a coating film drying method, and its drying equipment for shortening drying processing time required for a manufacturing method in the method for manufacturing a cloudiness preventing sheet by applying a cloudiness preventing agent to a polystyrene resin sheet. - 特許庁

画像読取装置において、原稿読取動作で画像データを貯めるバッファメモリがメモリフル近くなったとき、読み取り動作を停止し、その位置でそのときのＣＣＤライン周期信号の位相を保持する。例文帳に追加

When a buffer memory for storing picture data by an original reading operation approaches a memory full state in an image reader, the reading operation is stopped and the phase of a CCD line period signal on the stopped position is stored. - 特許庁

ＰＬＤ上のメモリ内の情報に従って構築される論理回路を備えた装置において、そのメモリでソフトエラーが発生した場合に、その装置のスループットの劣化を抑えた制御を行えるようにする。例文帳に追加

To perform control for suppressing deterioration of throughput of a device with a logic circuit constructed according to information inside a memory on a PLD when a soft error occurs in the memory. - 特許庁

メモリアレイ（ＭＡＲ，ＭＡＬ）において選択メモリセルのデータをラッチするデータレジスタ（１０）において、このデータレジスタに含まれるラッチ回路の不良が存在する場合その不良救済を行なうための手段を設ける。例文帳に追加

In a data register (10) latching data of a selected memory cell in a memory array (MAR, MAL), when defect of the latch circuit included in this data register exists, a means for performing defect relieving is provided. - 特許庁

その結果、第１階層メモリ２のアドレス(2s,2t),(2s+1,2t),(2s,2t+1),(2s+1,2t+1)に、第１階層の画素が書き込まれるタイミングにおいては、いずれにおいても、第２階層メモリ３の同一アドレス(s,t)にアクセスがなされる。例文帳に追加

As a result, in timing to write pixels of a first hierarchy into addresses (2s, 2t), (2s+1, 2t), (2s, 2t+1), (2s+1, 2t+1) of the first hierarchy memory 2, the same address (s, t) of the second hierarchy memory 3 is accessed in any cases. - 特許庁

主記憶メモリに読み込まれた最初の１ラインのアドレス変換において、１ライン全てのドットにおいてその変換後アドレスをキャッシュとして主記憶メモリにに保持する。例文帳に追加

In the address conversion of first one-line data read in a main memory, addresses after the conversion of all dots of the one-line data stored in the main memory are held in the main memory as a cache. - 特許庁

データをメモリとしてのＥＥＰＲＯＭ７における例えばメモリアドレスAddr01のメモリセルに書き込む場合、誤り検査回路８において、そのデータのデータ誤り検出符号と、メモリアドレスAddr01のアドレス誤り符号との演算により、メモリアドレスAddr01に応じて異なる誤り検出符号を生成する。例文帳に追加

In writing data in the memory cell of a memory address Addr01 in an EEPROM 7 as a memory, an error inspection circuit 8 generates an error detection code different according to the memory address Addr01 by the arithmetic operation of the data error detection code of the data and the address error code of the memory address Addr01. - 特許庁

そして、電源の再投入時には、アプリケーションがメモリブロック名を指定することにより、不揮発性メモリ４０においてメモリブロック名が検索され、そのメモリブロック名に対応するメモリブロックのデータにアクセスされる。例文帳に追加

Upon the restoration of a power supply, an application designates the name of any of the memory blocks, thereby searching the nonvolatile memory 40 for the name of that memory block, and accessing data in the memory block that matches the name. - 特許庁

メモリ管理装置１２０のメモリ領域確保・解放部１２２は、２次元の共有メモリ１１０において、多様なサイズの２次元（一次元を含む）のメモリ領域１１２ａ〜１１２ｃを自由に確保し、そのメモリ領域の使用後に解放する。例文帳に追加

The memory area securing/releasing part 122 of a memory management apparatus 120 freely secures two-dimensional (including one-dimensional) memory areas 112a-112c of various sizes in a two-dimensional shared memory 110, and releases the memory areas after use. - 特許庁

強誘電体メモリアレイにおいて、他のメモリセルの影響を受けることなく、選択したメモリセルからのみ、その記憶論理値を非破壊的に確実に読み出す。例文帳に追加

To non-destructively and surely read a stored logical value only from a selected memory cell without being affected by the other memory cell in a ferroelectric memory array. - 特許庁

メモリカードを多数枚、装着したチェンジャー装置において、再生されているメモリカードと、その再生状態を外部から容易に視認できるメモリカードとこれを用いたチェンジャー装置を提供する。例文帳に追加

To provide a memory card easily visually recognizable when it is being reproduced and also its reproducing state is visually recognizable from the outside, and a changer device using those, in the changer device mounting many memory cards. - 特許庁