「げっけいき」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

月経周期において、排卵期、ホルモン異常、周期異常の検出および妊娠の検知、また、排卵日、月経開始日、出産予定日の推定を行う測定装置を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a measuring instrument for detecting an ovulation period, hormonal abnormality, cyclical abnormality in a menstrual cycle, detecting pregnancy and estimating the date of ovulation, the date of start of menstruation and the expected date of confinement. - 特許庁

ゲッタリングシンクを短時間で容易に形成できるとともに、ゲッタリングシンクの形成時に重金属汚染の懸念がない固体撮像素子用エピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing an epitaxial wafer for a solid-state imaging element, the method easily forming a gettering sink in a short time and never causing a concern for heavy-metal contamination in forming the gettering sink. - 特許庁

垂直磁気記録媒体等に用いられる軟磁性膜を成膜するためにＦｅ−Ｃｏ−Ｂ系合金ターゲット材に関して、良好なスパッタリング特性を有する低透磁率のＦｅ−Ｃｏ−Ｂ系合金ターゲット材を提供する。例文帳に追加

To provide a low permeability Fe-Co-B-based alloy target material having satisfactory sputtering properties for depositing a soft magnetic film used for a perpendicular magnetic recording medium or the like. - 特許庁

円筒形セラミックスターゲット材２１の内周面を電界還元して、ターゲット材の還元金属から成る下地層３１を形成し、次いで円筒形支持基材１１の外周面に円筒形セラミックスターゲット材を接合することにより、円筒形スパッタリングターゲットを製造する。例文帳に追加

The cylindrical sputtering target is manufactured by electrolytically reducing an inner circumferential surface of a cylindrical ceramics target material 21 to form an underlayer 31 formed of a reduced metal of the target material, and then bonding the cylindrical ceramics target material to the outer circumferential surface of a cylindrical support base material 11. - 特許庁

ビーム断面形状が一方向に長い、幅広形状のイオンビームをターゲット基板に照射して、ターゲット基板にイオンを均一に注入するイオン注入装置であって、イオンビームのビーム幅をターゲット基板のサイズに応じて自在に調整する。例文帳に追加

To enable an ion implanter uniformly implanting ions on a target substrate by irradiating wide shape ion beams with a beam cross section shape long in one direction on the target substrate to adjust a beam width of the ion beam freely in accordance with a size of the target substrate. - 特許庁

ターゲットの材料である粉末の改善を図り、これによって形成したターゲットを用いてＤＣスパッタリングを可能とすることにより成膜の均一性を高め、生産効率を上げることができる光ディスク保護膜形成用スパッタリングターゲットを得ることを目的とする。例文帳に追加

To obtain a sputtering target for deposition of optical disk protective film, capable of increasing the uniformity of film and enhansing productive efficiency by improving powder as material for target and enabling DC sputtering using the resultant target. - 特許庁

ゲッタ飛散防止機構２１は、内部磁気シールド体５０の孔部の磁気抵抗としての機能を損なうことがないようにして形成されていると共に、孔部を、ゲッタ部材６１から放出されるゲッタ６０の飛散方向に対向して覆うようにして形成されている。例文帳に追加

The getter scattering preventing mechanism 21 is formed without losing a function as the magnetic resistance for the hole part of the inner magnetic shield body 50, and is formed so as to cover the hole part in opposite to a scattering direction of the getter 60 emitted from a getter member 61. - 特許庁

底付き円筒状の形状であり、その内曲面がスパッタされるターゲットの製造方法において、スピニング加工による成形加工後、熱処理を施してメタルターゲットの微細組織を制御することを特徴とする底のある円筒状メタルターゲットの製造方法。例文帳に追加

The method for manufacturing the metal target of the cylindrical configuration with the bottom, of which the inner curved surface is sputtered, is characterized by metal spinning to form it and subsequent heat treatment to control a fine structure of the metal target. - 特許庁

本発明は、矩形ターゲットの全面にわたりエロージョンの均一性を向上させ、ターゲット利用率の高いマグネトロンカソードを実現することにより、より小型のターゲットで矩形基板上に膜厚分布に優れた成膜が可能なマグネトロンスパッタリング装置を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a magnetron sputtering apparatus, which can form a film superior in film thickness distribution on a rectangular substrate with a smaller target than before, by improving uniformity of erosion over the whole surface of the rectangular target, and by realizing a magnetron cathode for efficiently utilizing a target. - 特許庁

ターゲットＴの遠近に関わらず各検知エリアＫ１〜Ｋ１５の幅は一定値であるため、ターゲットＴの距離が近い場合でも、該ターゲットＴの広い面積からの反射波の受信レベル信号を加算して検知能力を高めることができる。例文帳に追加

The width of each detection area K1-K15 is a constant value regardless of the size of a distance until the target T so that the reception level signals of the reflected waves from the wide area of the target T, and the detecting capability can be improved even when the distance until the target T is close. - 特許庁

ターゲットに対する画像の画像位置を位置合わせする際の基準位置をターゲットの表裏両側から検出することができる画像形成装置及び画像形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide an image forming device that detects a reference position in aligning the position of an image with a target from both front and rear sides of the target, and an image forming method. - 特許庁

さらに、該予防又は改善剤は、社会的不安症、月経関連症候群における精神的不快症状、月経前に現れる不快感又はいらつきにも有効である。例文帳に追加

Furthermore, the prophylactic or ameliorating agent is effective even for social anxiety, mental dysphoric disorder in MRS (menstruation-related syndrome) and an unpleasant feeling or irritation appearing before menstruation. - 特許庁

ターゲット面１２０には、下にあるアノード基板から離れる方向で、アノードターゲット面の中心に向けてリバウンドした電子を案内する機能を有する輪郭付き形状が形成されている。例文帳に追加

On a target surface 120 with the direction leaving the anode substrate beneath, a shape with the contour is formed, which has the function to guide to the direction away from the anode substrate the electron that rebounded toward the center of the anode target surface. - 特許庁

ターゲットの表面付近のエロージョン領域に形成されるリング状の磁場以外にターゲットと基板とが対向したエリアの側方の特に基板に近い側に磁場を形成する。例文帳に追加

A magnetic field is formed on a side near to a substrate on a side of an area where a target and the substrate are opposed to each other except a ring-shaped magnetic field formed in an erosion area in the vicinity of the surface of the target. - 特許庁

ゲッタリングシンクを短時間で容易に形成できるとともに、ゲッタリングシンクの形成時に重金属汚染の懸念がない半導体デバイスの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a semiconductor device by which a gettering sink can easily be formed in a short period of time without any risk of causing the contamination of heavy metal when forming the gettering sink. - 特許庁

ゲッタリングシンクを短時間で容易に形成できるとともに、ゲッタリングシンクの形成時に重金属汚染の懸念がない裏面照射型固体撮像素子の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a back surface irradiation type solid-state imaging elementse by which a gettering sink can easily be formed in a short period of time without any risk of causing the contamination of heavy metal when forming the gettering sink. - 特許庁

従って、磁石装置２０により形成されるエロージョン領域は、孔２６の周囲に形成され、非エロージョン領域になるべき部分にはターゲット２１が存在しないから、ターゲット２１の使用効率が高い。例文帳に追加

In this way, an erosion region formed by the magnetic apparatus 20 is formed around the hole 26, and the target 21 is not present at a part serving as into a non-erosion region, thus the using efficiency of the target 21 is high. - 特許庁

グリッド電極9がターゲット3と基板4との間にある状態で、一定時間薄膜を形成した後、ターゲット3と基板4との間にグリッド電極9を介在させない状態で、さらに薄膜形成を行う。例文帳に追加

A thin film is deposited for a fixed time in a state where the grid electrode 9 lies between the target 3 and the substrate 4, and thereafter, a thin film is further deposited in a state where the grid electrode 9 is not interposed between the target 3 and the substrate 4. - 特許庁

Ｎｉ−Ｃｒ−Ｓｉ合金系およびＮｉ−Ｃｒ−Ｓｉ−Ｃｕ合金系の電極膜およびスパッタリングターゲット例文帳に追加

Ni-Cr-Si ALLOY BASED AND Ni-Cr-Si-Cu ALLOY BASED ELECTRODE FILM, AND SPUTTERING TARGET - 特許庁

配線層３６を形成した後、配線層３６上に支持基板４０を形成し、ゲッタリング層２１を含めて基板２０を除去する。例文帳に追加

After the wiring layer 36 is formed, a supporting substrate 40 is formed on the wiring layer 36, and the substrate 20 is removed including the gettering layer 21. - 特許庁

また、ＴＳ計測部５１が、受信したエコー信号に基づき、この目的物標のターゲットストレングスを計測する。例文帳に追加

A TS measurement part 51 measures target strength of the target on the basis of the received echo signal. - 特許庁

ノズル１から噴出された液体状のＳｎ合金は、表面張力により球形の形状となり、ターゲット２となる。例文帳に追加

The liquefied Sn alloy ejected from the nozzle 1 is formed in a spherical form by a surface tension, and reaches targets 2. - 特許庁

ウェハのスクライブ領域ＳＲに形成されるターゲットＴ２領域の下層に大面積ダミーパターンＤＬを形成する。例文帳に追加

A large area dummy pattern DL is formed to a lower layer of a target T2 region formed to a scribe region SR of a wafer. - 特許庁

厚膜部１０３ａは、ターゲット領域Ｓ_１の側に形成され、薄膜部１０３ｂは、禁止領域Ｓ_２の側に形成される。例文帳に追加

The thick-film section 103a is formed at the side of a target region S_1, and the thin-film section 103b is formed at the side of a prohibited area S_2. - 特許庁

前記対応関係の近似値と同じ対応関係を有したリソグラフィターゲットを近似パターンとして算出する。例文帳に追加

In an approximate pattern calculation step, a lithographic target having the same corresponding relationship as an approximate value of the above corresponding relationship is calculated as an approximate pattern. - 特許庁

薄膜トランジスタに使用できる非シリコン系半導体薄膜、及びそれを形成するためのスパッタリングターゲットを提供する。例文帳に追加

To provide a non-silicon series semiconductor thin film usable for a thin film transistor, and to provide a sputtering target for forming the non-silicon series semiconductor thin film. - 特許庁

バリア層は、Ｔｉ製のターゲットと希ガスを導入してプラズマ雰囲気を形成し、ターゲットをスパッタリングして第１金属層を形成し、処理室内に酸素ガス及び窒素ガスを含むガスを導入して、第１金属層の表面およびターゲット表面を酸窒化処理する。例文帳に追加

In the barrier layer, a target formed of Ti and a rare gas are introduced, then a plasma atmosphere is formed and a first metal layer is formed by sputtering the target, and a gas containing an oxygen gas and a nitrogen gas is introduced into a treating chamber to subject the surface of the first metal layer and the surface of the target to oxynitriding treatment. - 特許庁

そして、その解析結果に基づいて光学系移動機構２５、ターゲット移動機構３５を介して集光光学系２０、ターゲット３０を制御して、ターゲット３０での高速粒子Ｐの発生状態をフィードバック制御する。例文帳に追加

Subsequently, a mechanism 25 for moving the optical system is controlled on the basis of the results of the analysis, the condensing optical system 20 and the target 30 are controlled through a mechanism 35 for moving the target 30 for the feedback control over the state of the generation of the high-speed particles P in the target 30. - 特許庁

電子銃１、ターゲット２、回転装置３、ターゲット容器４からなる軟Ｘ線発生装置において、チタンもしくはカルシウムと酸素もしくは窒素とからなる金属−非金属化合物でターゲット２を形成し、電子銃１から４ＫｅＶ−８ＫｅＶの電子ビームを発生してターゲットに照射し軟Ｘ線を発生させる。例文帳に追加

In the soft X-ray generator, comprising an electron gun 1, a target 2, a rotation device 3 and a target vessel 4, a target 2, is formed with a metal-nonmetal compound constituted of titanium, calcium, and oxygen or nitrogen and electron beam of 4 keV to 8 keV is generated from the electron gun 1 to have the target and generate a soft X-ray irradiated. - 特許庁

本発明の一実施の形態によれば、膝はターゲットの面から９ｍｍより大きく離れて位置し、且つ、ターゲット面の外側周縁から少なくとも１ｍｍ半径方向内側に位置している。例文帳に追加

A knee is located away from a target surface by over 9 mm, and in the radial direction by at least 1 mm from an outer circumferential edge of the target surface. - 特許庁

前記温度分布と、ターゲットおよびバッキングプレートの各熱膨張係数およびヤング率とから、ターゲットとバッキングプレートの接合面に生じる剪断応力を有限要素法により計算する。例文帳に追加

The shear stress occurring in the joint faces between the target and the backing plate is calculated from the above temperature distributions, and each thermal expansion coefficient and Young's modulus of the target and the backing plate by a finite element method. - 特許庁

全長が２０００ｍｍ以上の等方的組織である一体型焼結Ｍｏ系ターゲット材の製造方法および一体型焼結Ｍｏ系ターゲット材を提供する。例文帳に追加

To provide a method for producing an integrally sintered Mo based target material with an isotropic structure having whole length of ≥2,000 mm, and to provide an integrally sintered Mo based target material. - 特許庁

薄膜形成装置は、真空槽２１中に、ターゲット２２、基板２３、基板２３の外周を取り囲むマスク３７及びターゲット２２上に磁界を形成するための磁気回路ユニット２６を備えている。例文帳に追加

As to this thin film deposition system, in a vacuum tank 21, a target 22, a substrate 23, a mask 37 surrounding the outer circumference of the substrate 23 and a magnet circuit unit 26 for forming the magnetic field on the target 22 are provided. - 特許庁

Ｂを必須成分として含有する金属系スパッタリングターゲットを圧延工程によって所定厚まで成形することが可能となる効果的なスパッタリングターゲットの製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method for effectively producing a puttering target capable of molding a metallic sputtering target containing B as essential components to a prescribed thickness by a rolling stage. - 特許庁

本発明の目的は、溶射した酸化亜鉛系円筒ターゲットの組織を汚染することなく加工して仕上げる酸化亜鉛系円筒ターゲットの製造方法を提供することにある。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a zinc oxide cylinder target, whereby the thermally sprayed zinc oxide cylinder target can be processed and finished without staining its structure. - 特許庁

本発明は、高屈折率薄膜をＤＣスパッタリング法で形成する際に用いられるスパッタリングターゲットであって、高屈折率薄膜の成膜速度が速く生産性が高いスパッタリングターゲットおよび該ターゲットを用いた高屈折率薄膜の形成方法の提供を目的とする。例文帳に追加

To provide a sputtering target which is used for depositing a high refractive index thin film by a DC sputtering process, and allows a high film deposition rate of the high refractive index thin film and high productivity, and to provide a method of depositing the high refractive index thin film using the target. - 特許庁

本発明では、ターゲット１５がスパッタリングされるときに、各ターゲット１５が基板１０に対して移動するので、スパッタリングのときに基板１０の全ての領域がターゲット１５と対向することになり、基板１０の表面に膜質均一な膜を形成することができる。例文帳に追加

According to this invention, since each of targets 15 moves to a substrate 10 upon sputtering the targets 15, all the regions of the substrate 10 face the targets 15 upon the sputtering, and thus, a film with uniform film quality can be deposited on the surface of the substrate 10. - 特許庁

(1)(d)により掲示された通知は，掲示後3月間は何人も法的権限なしに除去し，改変し，損壊し又は汚損してはならない。例文帳に追加

A person shall not at any time during the period of 3 months after a notice is affixed under subsection (1)(d) remove, alter, damage or deface the notice without lawful authority. - 特許庁

ゲッターミラー膜３２には、レーザー光Ｌにより走査線３３と略同じ形状、略同じ大きさの焼け部３４が形成される。例文帳に追加

A burnt part 34 of almost the same shape and almost the same size of the scanning line 33 is formed by the laser light L on the getter mirror film 32. - 特許庁

このスパッタターゲットをスパッタして形成したＡｌ合金膜にエッチング処理を施してＡｌ合金配線を形成する。例文帳に追加

An etching treatment is performed on the Al alloy film formed by sputtering this sputter target, thus forming Al alloy wiring. - 特許庁

ＬＰＰ型極端紫外光源装置において、中空円筒に近い形状を有するターゲットジェットを安定して形成する。例文帳に追加

To stably form a target jet having a shape close to a hollow tube in an LPP type extreme ultraviolet light source device. - 特許庁

プラナーイントリンシックゲッタリングゾーンを含む結合基板の形成方法とその方法により形成された基板例文帳に追加

METHOD FOR FORMING COUPLED SUBSTRATE CONTAINING PLANAR INTRINSIC GETTERING ZONE, AND SUBSTRATE FORMED BY THE METHOD - 特許庁

心臓血管疾患、慢性関節リウマチ、皮膚ガン、糖尿病、月経前症候群および経皮送達増強の予防および／または治療法の提供。例文帳に追加

To provide a method of treatment and/or prevention of cardiovascular disease, rheumatoid arthritis, skin cancer, diabetes, premenstrual syndrome, and transdermal transport enhancement. - 特許庁

本発明の一実施形態では、バイナリフォーマットのソースプログラム（Ｓ）と、バイナリ形式のターゲットプログラム（Ｔ）が提供される。例文帳に追加

In one embodiment of this invention, a source program (S) in binary format and a target program (T) in binary format are provided. - 特許庁

耐熱性微粒子層は所定のパターンで形成することが望ましく、このパターンと反転するパターンでゲッタ膜を形成することができる。例文帳に追加

The heat-resistant fine particle layer is desirably formed to be a prescribed pattern, and this pattern and its reversal pattern can form a getter film. - 特許庁