「すえじゅん」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

光学センサＳａ，Ｓｂ，…Ｓｎの信号レベルを定期的に監視し、この各監視結果に対応するスライスレベルを順次に設定する。例文帳に追加

This sensor unit periodically monitors signal levels of optical sensors Sa, Sb,..., Sn and sequentially sets a slice level corresponding to each monitor result. - 特許庁

制御部１１は、件数期待値に補正係数を乗算したＳＳ推奨基準値の統合処理等を行なってＳＳの在庫部品を特定する。例文帳に追加

The control part 11 identifies stock components at the SS by performing the integrated processing etc. of SS recommended reference values obtained by multiplying the component number expected value by a correction coefficient. - 特許庁

平均粒子径Ｒｚと平均値Ａ_Ｌａと標準偏差Ｓ_Ｌａとは、（Ｓ_Ｌａ／Ａ_Ｌａ）×Ｒｚ≦０．９の関係を満たす。例文帳に追加

The average particle size Rz, average value A_La, and standard deviation S_La satisfy a relationship of (S_La/A_La)×Rz≤0.9. - 特許庁

波長多重された光パルスは中継器２１を経てＳＭＦ１１、ＮＺＤＳＦ１３、ＤＣＦ１２の順で伝送され、中継器２２に達する。例文帳に追加

Wavelength-multiplexed light pulses are transmitted in the order of SMF 11, NZDSF 13, and DCF 12 through a repeater 21 and reach a repeater 22. - 特許庁

温度の高い貯蔵タンク７２の気相部分のＳＦ６含有濃度を高い値とし、より純度の高いＳＦ６を得る。例文帳に追加

The SF6, containing concentration of gaseous phase part of the storage tank of high temperature, is made high, and a higher purify SF6 is obtained. - 特許庁

この際、各処理により得られる中間処理済み画像データＳＭ０〜ＳＭ４を順次テレビ３において再生する。例文帳に追加

In such a case, image data SM0 to SM4 subjected to intermediate processing, which are obtained by each of the processing are sequentially reproduced on the television 3. - 特許庁

また、リンス液に分散剤を添加することで、現像液中あるいはリンス液中の不純物を分散させウェハに付着することを防止している。例文帳に追加

Additionally, dispersant is added to the rinsing liquid, thus preventing the dopants in the developer or the rinsing liquid from being dispersed and depositing on the wafer. - 特許庁

補正信号Ｓｇ〜Ｓｉの値は、基準となる制御信号Ｓａ〜Ｓｆの値に比べて範囲が狭くて良い。例文帳に追加

For values of the correction signals Sg-Si, a range may be narrow, in comparison with values of the control signals Sa-Sf that become a reference. - 特許庁

基準電位Ｖｓｓに接続されたシールドＳＨ１を、スイッチＳＷ１につながる２系統の配線間に設ける。例文帳に追加

A shield SH1 connected to a reference potential Vss is provided between two wiring linked to a switch SW1. - 特許庁

ハンドオーバ処理やＣＳＦＢ手順において、ハンドオーバ先のセルやＣＳＦＢ先のセルを特定しつつ遅延を防ぐ。例文帳に追加

To prevent delay, while identifying cells of handover destinations and cells of CSFB destinations in handover processing and CSFB procedures. - 特許庁

移動速度検出部４は捕捉したＧＰＳ衛星の受信周波数と、ＧＰＳ衛星の基準周波数との遷移量から移動速度を演算する。例文帳に追加

A moving speed detector 4 calculates the moving speed from the transition quantity of a received frequency of the caught GPS satellite from a reference frequency of the satellite. - 特許庁

Ｓｐ１は解凍や三枚おろしなどの準備工程、Ｓａ３は本調味などの最終仕上げ工程を示す。例文帳に追加

A process Sp1 comprises a preparation process such as thawing or filleting, and a process of Sa3 comprises a final finishing process such as a main seasoning process. - 特許庁

パルス出力回路２０は、順番にアクティブレベルとなる複数のサンプリングパルスＳＭＰを出力する。例文帳に追加

A pulse output circuit 20 outputs a plurality of sampling pulse SMPs which are to be sequentially active levels. - 特許庁

サービス妨害攻撃に耐性を持つＳＳＬ／ＴＬＳ準拠システム、方法、サーバ、プログラムおよび記録媒体例文帳に追加

SSL/TLS-CONFORMING SYSTEM HAVING IMMUNITY TO SERVICE INTERFERENCE ATTACK, METHOD, SERVER, PROGRAM THEREOF AND RECORDING MEDIUM - 特許庁

基板１０上に順次ｎ−ＳＬＳ層２０、活性層２２、ｐ−ブロック層２４、ｐ−ＳＬＳ層２６を積層する。例文帳に追加

An n-SLS layer 20, an active layer 22, a p-block layer 24, and a p-SLS layer 26 are sequentially laminated on a substrate 10. - 特許庁

まず、ユーザに、任意の背景を選んで画像の取得を望む被写体を撮影させて基準画像を取得する（ＳＡ１〜ＳＡ４）。例文帳に追加

First, a user is made to select an optional background and photograph an object for which the acquisition of the image is desired, and a reference image is acquired (SA1-SA4). - 特許庁

デプレッションＭＯＳＦＥＴとエンハンスメントＭＯＳＦＥＴとを使った基準電圧回路において、その出力電圧のばらつきを低減する。例文帳に追加

To reduce variation in the output voltage related to a reference voltage circuit in which a depressed MOSFET and an enhanced MOSFET are used. - 特許庁

単純な加減算のアドレス演算器と処理量の多い特殊なアドレス演算器とを備えたアドレス生成回路の処理速度を向上させる。例文帳に追加

To accelerate the processing speed of an address generating circuit provided with the address computing element of simple addition/subtraction and the special address computing element of great throughput. - 特許庁

ソース線（ＳＬ０，ＳＬ１）を順次選択状態へ駆動し、対応のビット線に書込データを伝達してデータの書込を行なう。例文帳に追加

The data is written by driving the source lines (SL0, SL1) successively to be selected and transmitting writing data to a corresponding bit line. - 特許庁

無線端末装置が帰属可能な基地局のＳＳＩＤを優先順にＳＳＩＤリスト記憶部１１に設定する。例文帳に追加

An SSID (Service Set ID) of the base station to which the radio terminal device belongs is set in an SSID list storage part 11. - 特許庁

炉内機器の据付けに要する時間を短縮できる自然循環型沸騰水型原子炉の炉内機器の据付け方法を提供する。例文帳に追加

To provide an installation method of incore equipment of a natural circulation type boiling water reactor capable of shortening a time required for installing the incore equipment. - 特許庁

回路セル１０が、電源スイッチＭ１,Ｍ２とＶＳＳ上層分岐線７２を介して基準電圧幹線ＶＳＳに接続されている。例文帳に追加

The circuit cells 10 are connected to the reference voltage main line VSS via power switches M1, M2 and the VSS upper-layer branch lines 72. - 特許庁

設置物本体を安定させて設置面に据え付けることができる基準姿勢設置用スペーサー及び設置物本体据付方法を得ること。例文帳に追加

To provide a reference attitude installation spacer for stabilizing an installed body when fixed on an installation plane, and to provide an installed body fixing method. - 特許庁

第２ｎ型ＭＯＳＦＥＴ１９は、第１ｎ型ＭＯＳＦＥＴと基準電位端との間に接続され、ゲートに第２制御信号が供給される。例文帳に追加

A second n-type MOSFET 19 is connected between the first n-type MOSFET and the reference potential end, and a second control signal is supplied to the gate thereof. - 特許庁

非巡回型のＨＰＦ１１０は減衰信号ＳＡから高周波数帯域の信号成分ＳＨ０を抽出する。例文帳に追加

A non-cyclic HPF 110 extracts a signal component SHO of the high frequency band from the attenuation signal SA. - 特許庁

生成器は、ＤＳＳシーケンスおよびＤＳＳリードバック・シーケンスの関数として、係数循環型等化器ベクトルを生成する。例文帳に追加

The generator generates a coefficient cyclic equalizer vector as a function of the DSS sequence and DSS readback sequence. - 特許庁

外部から受信した１つまたは複数のＸＭＬ形式および非ＸＭＬ形式の送金依頼電文を全銀プロトコル準拠の形式に変換するシステムは、ＸＭＬ形式および非ＸＭＬ形式の送金依頼電文を共通ＸＭＬ形式の送金依頼電文に変換した後、全銀手順準拠の形式の送金依頼電文に変換する。例文帳に追加

In the system for converting at least one or a plurality of XML or non-XML remittance request telegram received from the outside into a format based on Japan bank association protocol, the XML or non-XML remittance request telegram is converted into a common-XML remittance request telegram, and thereafter is converted into the remittance request telegram in the format based on the Japan bank association protocol. - 特許庁

各ブレードサーバモジュールに基準クロックを分配できる基準クロック分配ユニットをバックプレーンに搭載し、各ブレードサーバモジュール内部のクロック分配回路によって基準クロックを切り換えることで、ＳＭＰ結合したブレードサーバモジュールの基準クロックの同期化を可能とする。例文帳に追加

Each blade server module has a reference clock distribution unit mounted on the back plane and adapted to distribute reference clocks and by switching reference clocks by a clock distribution circuit inside each blade server module, synchronization of reference clocks for SMP coupled blade server modules can be established. - 特許庁

そして、描画順位制御１０１は、ＳＡＴ１００から読み出したスプライトの表示優先順位とデプスバッファ１０３に格納された表示優先順位とを比較し、表示優先順位がより高いスプライトを読み出した場合にのみ、ラインバッファ１０２の画像データを上書きする。例文帳に追加

The rendering order control 101 then compares the display priority of a sprite read from the SAT 100 and the display priority order stored in the depth buffer 103 and, only if reading out a sprite of higher display priority, overwrites the image data in the line buffer 102. - 特許庁

さらに、メモリセル形成領域に形成されている低濃度ｎ型不純物拡散領域４４の不純物濃度を、高耐圧ＭＩＳＦＥＴ形成領域に形成されている低濃度ｎ型不純物拡散領域５０の不純物濃度よりも薄くする。例文帳に追加

Furthermore, the impurity concentration of the low-concentration n-type impurity diffusion region 44 formed in the memory cell forming region is set lower than that of a low-concentration n-type impurity diffusion region 50 formed in a high-dielectric strength MISFET forming region. - 特許庁

ＭＩＳＦＥＴのチャネル領域下の基板１の全面に、パンチスルーを防止する機能を有する不純物濃度分布に第１ピークを有するｐ型不純物層７と不純物濃度分布に第２ピークを有するｐ型不純物層８とを形成する。例文帳に追加

On the entire surface of a substrate 1 below the channel region of the MISFET, p-type impurity layers 7 and 8 are formed, thus inhibiting the variation in the threshold voltage as compared with a case where a punch- through-stopper layer with a pocket structure is formed. - 特許庁

高精度でＧＰＳ時刻に同期したＭＳＡＳ信号を放送するＭＴＳＡＴ３１のＭＳＡＳ信号をＭＳＡＳ受信部３２で受信し、ＧＰＳ時刻に同期した基準信号を得て、自動校正部３３により標準時計３４からの時刻情報を校正する。例文帳に追加

MSAS signal resonating with GPS time with high accuracy broadcast by MTSAT 31 is received with a receiver 32, a standard signal resonating with the GPS time and time information from the standard clock 34 is corrected with an automatic corrector 33. - 特許庁

スキャンクロック信号ＳＣＫ（ｋ）を供給する際にスキャンフリップフロップＳＦＦ＊から順にスキャンクロック信号ＳＣＫ（ｋ）を供給して、スキャンフリップフロップＳＦＦ，ＳＦＦ＊をスキャンフリップフロップＳＦＦ＊から順にシフト動作するｎビットのシフトレジスタとして機能させる。例文帳に追加

When the scan clock signal SCK (k) is supplied, the scan clock signal SCK (k) is supplied sequentially from the scan flip-flop SFF*, and thus the scan flip-flop SFF and SFF* can be properly acted as an n-bit shift register implementing sequentially the shift action from the scan flip-flop SFF*. - 特許庁

リンス液供給ノズル４０が順走査方向Ｌａに移動した後、リンス液の吐出を継続したままで、リンス液供給ノズル４０を順走査方向Ｌａとは逆方向に反転移動させ、基板Ｗのうち移動終了端側の領域に、再度リンス液を供給する。例文帳に追加

After the rinse liquid supply nozzle 40 moves to the forward scanning direction La, inversion movement of the rinse liquid supply nozzle 40 is performed backwardly to the forward scanning direction La while continuing spouting of the rinse liquid, and the rinse liquid is supplied again to a region of a move finished edge side in the substrate W. - 特許庁

電話セルサイトと同じ場所にあるＧＰＳ基準局を備え、ＧＰＳ基準局はそのローカルエリアから見えるＧＰＳ衛星を追跡し、各ＧＰＳ衛星のドップラー値を推定する。例文帳に追加

A GPS reference station positioned in the position same to a phone cell site, and the GPS reference station tracks GPS satellites observed from a local area thereof to estimate a Doppler value of the each GPS satellite. - 特許庁

特に、第２の窒化物半導体のｎ型不純物がＳｎであると共に第３の窒化物半導体がｎ型不純物無添加層若しくは第２の窒化物半導体よりもＳｎ含有量が少ないことの窒化物半導体素子である。例文帳に追加

Especially, the n-type impurity of the second nitride semiconductor 104 is Sn, while the third nitride semiconductor layer 015 has smaller Sn content than an n-type undoped layer or the second nitride semiconductor 104. - 特許庁

Ｂｉ品位が５から３０ｍａｓｓ％の高不純物アノードをアンチモン品位が１から３ｍａｓｓ％になるように調整した後、電解処理し、高純度の鉛を回収する鉛の電解方法。例文帳に追加

The electrolytic method of lead includes: adjusting the high impurity anode having 5-30 mass% Bi grade so that antimony grade becomes 1-3 mass% and then, carrying out electrolytic process; and recovering the high purity lead. - 特許庁

検出手段ＣＰが、基準電流の流れる基準ＭＯＳＦＥＴＱＢのドレインーソース間電圧と過電流によって電流の大きさが変化するパワーＭＯＳＦＥＴに流れる過電流を検出する。例文帳に追加

A detection means CP detects an overcurrent flowing to the power MOSFET, whose value varies with the presence of the over-current on the basis of a drain-source voltage of the reference MOSFET QB. - 特許庁

通常、モータ制御装置は基準開始位置としてのアドレスｎ＝５から、基準終了位置としてのアドレスｎ＝ｎ＋５まで目標速度Ｖを読み出す。例文帳に追加

Usually, the motor controller reads out the target velocity V from address n=5 as a reference initiating position to address n=n+5 as a reference terminating position. - 特許庁

ＰＬＬ回路を用いて、基準周波数クロックと所定比の関係にある、他の基準周波数クロックを、ノイズフロアのＳ／Ｎの制限に関わらず、十分なＳ／Ｎで得ること。例文帳に追加

To obtain other reference frequency clock having a relation of predetermined ratio to one reference frequency clock using a PLL circuit with a sufficient S/N ratio regardless of limitation on the S/N ratio of noise floor. - 特許庁

こうして算出されたパイロット信号を反映した位相に基づいて、基準信号生成部１３０Ａが、パイロット信号と所定関係にある基準信号ＢＳＡ_1，ＢＳＡ_2を生成する。例文帳に追加

On the basis of thus calculated phase reflected with the pilot signal, a reference signal generating section 130A generates reference signals BSA_1, BSA_2 in a predetermined relationship with the pilot signal. - 特許庁

基準値判定部１６は、Ｓ／Ｎ測定部１３で測定したＳ／Ｎ、及び事前確率部１５で求めた確率（事前確率）に基づいて、ＢＰＳＫ復調部１１で復調を行うのに用いる基準値を判定する。例文帳に追加

A reference value decision unit 16 determines a reference value used for demodulation by a BPSK demodulation unit 11, based on S/N measured by the S/N measurement unit 13 and a probability (prior probability) obtained by the prior probability unit 15. - 特許庁

比較器２４は、第２ＲＳＳＩ検出部２１のＲＳＳＩ検出出力を基準電圧変更部２３が出力する基準電圧と比較し、その比較結果からアッテネータ４，６をＯＮ／ＯＦＦ制御する制御信号を生成する。例文帳に追加

A comparator 24 compares the RSSI detecting output of the second RSSI detecting part 21 with a reference voltage outputted by a reference voltage change part 23 and generates a control signal for controlling the on/off of attenuators 4 and 6 from the compared result. - 特許庁

合流点２０において高純度酸素と低純度酸素が混合した酸素は、配管１０を経て３つの経路に分配され、３基の高炉設備Ｓ_1、Ｓ_2、Ｓ_3へ供給される。例文帳に追加

The oxygen obtained by mixing high purity oxygen with low purity oxygen in a combined point 20 is distributed into three courses through the piping 10 and supplied into three sets of blast furnace equipment S1, S2, S3. - 特許庁

第１のセミリセスＬＯＣＯＳ層４０の下に、第１のオフセット不純物層４２が形成され、第２のセミリセスＬＯＣＯＳ層５０の下に、第２のオフセット不純物層５２が形成されている。例文帳に追加

A first offset impurity layer 42 is formed under the first semi-recessed LOCOS layer 40, and a second offset impurity layer 52 is formed under the second semi- recessed LOCOS layer 50. - 特許庁