「すえじゅん」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

中継サーバＲは、自機の登録端末ＴからＳＭＴＰ手順でのメール送信要求を受けると、そのＳＭＴＰ手順の宛先コマンドからアカウント情報を検出し、その宛先の端末Ｔが登録されている中継サーバＲに接続して、前記ＳＭＴＰ手順によって受信したメールデータを中継転送する。例文帳に追加

When the relay server R receives a request for mail transmission by an SMTP procedure from its registered terminal T, the relay server R detects account information from a destination command of the SMTP procedure, and connects with a relay server R where a terminal T of the destination is registered to relay and transfer mail data received by the SMTP procedure. - 特許庁

少なくとも端子部が形成されるＣｕ平角導体上には、パラジウムの含有率が３〜２５質量％のＳｎＰｄ合金めっき層、その上に純Ｓｎめっき層或いはＳｎ系合金めっき層が形成され、前記めっき層の合計厚さが０．５〜２．０μｍで且つ純Ｓｎめっき層或いはＳｎ系合金めっき層の厚さが０．３〜１．０μｍであるめっきＣｕ平角導体とすることによって、解決される。例文帳に追加

The purpose is achieved by forming the plated Cu rectangular conductive body having 0.5-2.0 μm thickness of the total plated layer and 0.3-1.0 μm thickness of the pure Sn plated layer or the Sn based alloy plated layer. - 特許庁

排気再循環方式を具備したガスエンジンにおいて、排気再循環系と給気系との合流部にベンチュリーミキサー１１を配設するとともに、該排気再循環系における該合流部上流側にＥＧＲレギュレーター８を介設した。例文帳に追加

The gas engine of the exhaust recirculation type comprises a Venturi mixer 11 arranged in a combined portion between an exhaust recirculation system and an air supply system and an EGR regulator 8 interposed in the exhaust recirculation system on the upstream side of the combined portion. - 特許庁

純水供給源２００から基板処理装置１００に供給される純水は、基板処理装置１００側において、窒素溶解ユニット５８、７８によって純水に窒素が過飽和に添加されることで窒素が溶解限度を超えて含まれるリンス液が生成される。例文帳に追加

On the substrate processing system 100 side, pure water supplied from a pure water supply source 200 to a substrate processing system 100 contains nitrogen supersaturated by nitrogen dissolution units 58 and 78, thus producing rinse liquid containing nitrogen over solubility limit. - 特許庁

本発明は、高純度水素ガスの連続的な製造を停止した後、次回再起動させた際にも製造された水素ガス中の不純物（特に、ＣＯ）を低減可能で、かつ、製品水素ガスのロスを少なくすることが可能な高純度水素ガス製造用ＰＳＡ装置の運転方法を目的とする。例文帳に追加

To provide an operation method of a PSA device for producing high purity hydrogen gas capable of reducing impurities (especially CO) in produced hydrogen gas even when being restarted next time after stopping continuous production of the high purity hydrogen gas, and reducing loss of product hydrogen gas. - 特許庁

過熱保護回路５aには、この基準電圧信号Ｖ_refに準じた安定度の高い分圧基準電圧信号Ｖ_drを供給すると同時に、トランジスタＱ５のベース、エミッタ間電圧Ｖ_BE5より得られる、所定の温度特性を有する電圧信号Ｖ_Ｊを供給する。例文帳に追加

A highly stable voltage dividing reference voltage signal Vdr conforming to the reference voltage signal Vref is supplied to an overheating protection circuit 5a, and a voltage signal VJ obtained from a voltage VBE5 between the base and emitter of the transistor Q5 and having a predetermined temperature characteristic is supplied thereto simultaneously. - 特許庁

溝３ｄに収容・保持されたグリースＬは、ハブフランジ３ｂの取付基準面３ｐに徐々に滲み出して、ハブフランジ３ｂとブレーキディスクロータとの接触部分である取付基準面３ｐの全面を潤滑することができる。例文帳に追加

The grease L stored and held in the groove 3d is gradually exuded to the mounting level face 3p of the hub flange 3b and lubricates the whole surface of the mounting level face 3p which is a contact part of the hub flange 3b and the brake disc rotor. - 特許庁

ドット記録領域ＤＴにおけるＭｘＮ個のドットのドット記録順序を、ドット記録領域ＤＴにおいてドット記録順序が副走査方向の一列に亘って連続しないように、ドット記録領域ＤＴでの主走査パスの最先のパス番号からパス番号順に設定する。例文帳に追加

The dot recording order of MxN dots in the dot recording regions DT is set to the order of path numbers from the first path number of the main scanning path in the dot recording regions DT so that the dot recording order in the dot recording regions DT is not continuous over one column in an auxiliary scanning direction. - 特許庁

本発明の縦型パワーＭＯＳＦＥＴ１は、トレンチ内部に形成された所定の不純物濃度を有するゲート電極層３ａ，３ｂと、ゲート電極層３ａ，３ｂを絶縁被覆し、ゲート電極層３ａ，３ｂの不純物濃度よりも低い不純物濃度であるキャップ酸化層２ａ，２ｂとを有する。例文帳に追加

The vertical power MOSFET 1 is provided with gate electrode layers 3a and 3b, that are formed inside a trench and have specified concentration and cap oxidized layers 2a and 2b that cover the gate electrode layers 3a and 3b, and of which the impurity concentrations are lower than those of the gate electrode layers 3a and 3b. - 特許庁

遅延部１８は、基準信号生成部１７から基準信号を入力し、基準遅延量の自然数倍の遅延量で入力信号であるＡＣＴコマンドを遅延させ、出力信号であるセンスアンプ活性化（ＳＡＥ）信号を出力する。例文帳に追加

A delay part 18 inputs the reference signal from a reference signal generating part 17, delays an ACT command being the input signal with delay quantity of natural number times of the reference delay quantity, and outputs a sense amplifier activation (SAE) signal being an output signal. - 特許庁

高速モードでは、撮像素子２から各グループの各画素信号をタイミングをシフトさせながら順に読み出し、メモリ６ａ〜６ｄに順に書き込み、メモリ６ａ〜６ｄの画素信号Ｓａ〜Ｓｄをタイミングをシフトさせながら順に読み出し、各グループ毎の画素信号で１フレームを形成する。例文帳に追加

In a high-speed mode, the pixel signals of each group are sequentially read from the imaging element 2 while shifting timing and sequentially written into the memories 6a-6d, and the pixel signals Sa-Sd are sequentially read while shifting timing to form one frame with the pixel signals of each group. - 特許庁

コンパクト化した二塔式ＰＳＡ装置により、設備費や設備設置面積の低減を図ると共に、少ない吸着塔による問題点である高純度水素などの高純度ガスの回収率低下を解決することができる高純度ガスの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing high-purity gas which reduces an installation cost and equipment installationa area and is capable of solving the degradation in the recovery rate of the high-purity gas, such as high-purity hydrogen, which is a problem on the adsorption by fewer adsorption columns by using a two-column type PSA apparatus which is made compact. - 特許庁

ノズル検査時は、先頭アドレスＡＤ１〜ＡＤ４を、同図における▲印で示すように「４５ノズル」分ずつ順次シフトさせつつ、複数回（四回）のデータ転送を繰り返すだけで、ノズル♯１〜♯１８０から検査用の吐出順序でインク滴を順次吐出させることが可能となっている。例文帳に追加

Ink droplets are ejected sequentially according to an ejection order for the inspection, from the nozzles #1-#180, by only repeating data transfer a plurality of times (four times), while shifting sequentially, by "45 nozzle", starting addresses AD1-AD4 as shown by a triangle mark in Fig., when inspecting the nozzles. - 特許庁

Ｈ-ＳＬＰは、目標端末が支援する複数の測位計算方法の優先順位を予め設定された優先順位設定条件に基づいて設定し、測位計算方法の各々に対応する優先順位情報を目標端末へ転送する。例文帳に追加

An H-SLP sets a priority order of a plurality of positioning methods which a target terminal supports according to a preset priority order set condition and transmits priority order information according to respective positioning methods to the target terminal. - 特許庁

ボリューム指令値ＳＸに対応する出力電圧特性として，中間基準特性α１の他に，刺激感のもっとも強い治療環境用となる下限基準特性α２と，刺激感のもっとも弱い治療環境用となる上限基準特性α３とが設定される。例文帳に追加

Besides an intermediate standard characteristic α1, a lower limit standard characteristic α2 for a therapy environment providing strongest stimulus feeling and an upper limit standard characteristic α3 for therapy environment providing weakest stimulus feeling are set as output voltage characteristics corresponding to the volume command value SX. - 特許庁

熱媒循環回路として、ガスエンジンの冷却水排熱を主熱源とする熱媒を主熱源部３から循環供給し、貯湯／給湯用熱交換器に循環供給される前の上流側位置においてその熱媒を補助熱源部４によって補助加熱し得るようにする。例文帳に追加

The heat medium circulating circuit circulates and supplies a heat medium using the cooling water exhaust heat of a gas engine as a main heat source, from the main heat source part 3, and the heat medium is supplementarily heated by the auxiliary heat source part 4 in an upstream position before circulated and supplied to the heat exchanger for hot water storage/hot water supply. - 特許庁

次に、第２点と基準線が重なっていれば（ｓ１６：ＹＥＳ）、ｓ１４の処理に戻り、第２点と基準線が重なっていなければ（ｓ１６：ＮＯ）、直前の単位領域の配置を取り消し（ｓ１７）、基準線に対する単位領域の配置が終了する。例文帳に追加

Then, when the second point stays on the reference line (s16: YES), processing goes back to s14 or otherwise (s16: NO), the layout of the unit area immediately before the point is cancelled (s17) to end the layout of the unit areas with respect to the reference line. - 特許庁

同様に、ＶＳＳ配線１０６に接続されるＰ型ウエル電位給電領域１１０を、例えばそれを構成する高濃度Ｐ型不純物拡散層の不純物濃度を、高濃度Ｐ型不純物拡散層で形成されたソース・ドレイン領域１０３よりも高くし、抵抗値を小さくする。例文帳に追加

Similarly, a p-type well potential power supply region 110 connected with a VSS wiring 106, for example, impurity concentration of a high concentration p-type impurity diffusion layer which constitutes the region 110 is made higher than that of a source/drain region 103 formed of the high concentration p-type impurity diffusion layer, and resistance value is made small. - 特許庁

少なくとも冷媒接触面が純銅からなる冷却体に純水又は淡水からなる冷媒を循環させる方式の冷却構造物の前記冷媒接触面にＳｎ、Ｎｉ、Ｐｂ又はそれらを主体とした合金からなる被膜を施す。例文帳に追加

In a cooling structure in which a coolant constituted of pure water, or plain water is circulated in a cooling body having at least a coolant- contact surface consisting of pure copper, a coating formed of Sn, Ni, Pb, or an alloy formed mainly thereof is applied to the coolant-contact surface of the cooling structure. - 特許庁

入力音声と標準パターンとのマッチング度を評価値に基づいて判定することにより、最適な標準パターンを選択する音声認識方法において、ＳＮＲ値の小さい入力音声については各標準パターンに対する評価値の差が小さくなるように、評価値を補正する。例文帳に追加

In a speech recognition method wherein an optimal standard pattern is selected by judging the degree of matching between input speech and a standard pattern on the basis of an evaluation value, the evaluation value is corrected so that the differences between the evaluation values and each standard pattern become small concerning input speech of a small SNR value. - 特許庁

基準電流を流すと当該基準電流に対応する電圧が得られる基準ＭＯＳＦＥＴＭｒに、ＦＥＴＭ０１、Ｍ０２、Ｍ０３、及びＭ０４からなる差動増幅部に流されるバイアス電流Ｉｒｅｆを流してレベルシフト電圧Ｖｌｓを得る。例文帳に追加

A bias current Iref made to flow through a differential amplifier part comprising an FET M01, M02, M03, and M04 is made to flow through a reference MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) Mr from which a voltage corresponding to a reference current can be obtained when making the reference current flow to obtain a level shift voltage Vls. - 特許庁

ドライブトランジスタＴｒ２は、ゲートＧが保持容量Ｃ１に保持された信号電位によってソースＳ基準で正極性となる順バイアスを受け、且つ順バイアスに応じてソース／ドレイン間に流れる電流Ｉｄｓで負荷素子ＥＬに通電する。例文帳に追加

In a drive transistor Tr2, a gate G receives forward bias that is a positive polarity, with reference to the source S by a signal potential held in the holding capacitance C1, and current Ids, flowing between the source and the drain according to the forward bias, is caused to flow to a load device EL. - 特許庁

ＭＯＳＦＥＴ用基板の製造方法は、基板が準備される基板準備工程と、当該基板上に、導電型がｐ型である不純物としてのＭｇを含むとともに、遷移金属としてのＴｉを含有する半導体からなるｐ型ウェルが形成されるｐ型ウェル形成工程とを備えている。例文帳に追加

The manufacturing method of a substrate for MOSFET comprises: a substrate preparation process for preparing substrates; and a p-type well formation process for forming a p-type well made of a semiconductor containing Mg, namely a p-type-conductivity impurity, and a transition metal Ti on the substrate. - 特許庁

複数のタイトルの一つを選んでユーザが基準サムネイル画像Ｓｉを設定すると（Ｓａ）、この選定されたサムネイル画像Ｓｉが基準断片情報（基準フレーム）として抽出され、そのフレーム番号がメモリＳ［ｉ］（ｉ＝０）に保存される（Ｓ１〜Ｓ２）。例文帳に追加

When a user selects one of a plurality of titles and sets a reference thumbnail picture Si (Sa), the selected thumbnail picture Si is extracted as reference fragmental information (reference frame), and its frame number is stored in a memory S[i] (i=0) (S1, S2). - 特許庁

到達順位判定部３は、（ｎ＋１）個のラッチ出力の到達順位を、各ラッチ出力の変化点が検出されるタイミングを相互に比較することにより判定して、判定結果を示す（ｎ＋１）個の到達順位判定信号を出力する。例文帳に追加

A reaching sequence judging part 3 judges the reaching sequence of (n+1) pieces of latch outputs by comparing timings, in which the changing point of each latch output is detected, and outputs (n+1) pieces of reaching sequence judgment signals indicating the judged result. - 特許庁

手順計算／確認装置１２は炉心形状及び燃料個別情報に応じて予め規定された最適化手法（例えば、ＳＡ法）に応じて燃料集合体の炉心への装荷手順を燃料集合体装荷手順として生成して、表示装置１３に表示する。例文帳に追加

A procedure calculating/checking apparatus 12 creates the procedure of loading the fuel assembly in the reactor core as a fuel assembly loading procedure according to an optimizing method (e.g., an SA method) specified on the basis of the shape of the reactor core and the individual fuel information, and displays the procedure on a display 13. - 特許庁

半導体基板層と、半導体基板層の上方に設けられて半導体基板層の不純物濃度よりも低い不純物濃度を有するドリフト層と、を有する縦型ＭＯＳＦＥＴにおいて半導体基板層とドリフト層との間に半導体基板層の不純物濃度よりも低く且つドリフト層の不純物濃度よりも高い不純物濃度範囲において、その深さ位置に応じて不純物濃度が順次変化しているバッファー層を設ける。例文帳に追加

The vertical MOSFET which has a semiconductor substrate layer and a drift layer, provided above the semiconductor substrate layer and having a lower impurity concentration than the semiconductor substrate layer is provided with a buffer layer which continuously varies in impurity concentration, with the depth position within an impurity range being lower than the impurity concentration of the semiconductor layer and higher than the impurity concentration of the drift layer between the semiconductor substrate layer and drift layer. - 特許庁

０．００５≦Ｃ＜０．１０ｍａｓｓ％、１．０＜Ｓｉ≦３．０ｍａｓｓ％、０．０５≦Ｍｎ≦１．０ｍａｓｓ％、２０．０≦Ｃｒ≦３２．０ｍａｓｓ％、６．０≦Ｆｅ≦１６．０ｍａｓｓ％、０．００１≦Ｙ≦０．５ｍａｓｓ％を含み、残部がＮｉ及び不可避的不純物からなるＮｉ基合金。例文帳に追加

The Ni-based alloy contains, by mass, 0.005%≤C<0.10%, 1.0%<Si≤3.0%, 0.05%≤Mn≤1.0%, 20.0%≤Cr≤32.0%, 6.0%≤Fe≤16.0%, 0.001%≤Y≤0.5%, and the balance Ni with inevitable impurities. - 特許庁

女子ダブルス種目で，小(お)椋(ぐら)久(く)美(み)子(こ)選手と潮(しお)田(た)玲(れい)子(こ)選手が末(すえ)綱(つな)聡(さと)子(こ)選手と前田美(み)順(ゆき)選手を破って全国制覇した。例文帳に追加

In the women’s doubles event, Ogura Kumiko and Shiota Reiko defeated Suetsuna Satoko and Maeda Miyuki and won the national title.  - 浜島書店 Catch a Wave

偏光板用フィルム積層体から高収率で、しかも高純度でセルロースエステルを回収する方法を提供することにあり、また回収したセルロースエステルを再利用し、再生セルロースエステルフィルムを提供する。例文帳に追加

To provide a recycled cellulose ester film by recycling a recovered cellulose ester to provide a method for covering the cellulose ester in a high yield and high purity from a film laminate for polarizing plate. - 特許庁

また、ＡＲＶＳＳレギュレータ６は、基準電圧ＶＳＳよりも高いセルソース電源電圧ＡＲＶＳＳ１を領域２のＳＲＡＭモジュール１２に供給する。例文帳に追加

An ARVSS regulator 6 supplies a cell source power supply voltage ARVSS1, which is higher than a reference voltage VSS, to the SRAM module 12 of a region 2. - 特許庁

そして、特に、ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴの場合、ＭＩＳＦＥＴのボディ領域から隣接するＭＩＳＦＥＴのソース領域あるいはドレイン領域へ向う向きが順方向となるようにダイオードを接続する。例文帳に追加

In particular, as for n channel MISFETs, the diode is connected such that the direction from the body region of one MISFET to the source region or drain region of an adjacent MISFET is a forward direction. - 特許庁

制御システム用のアプリケーションデータ（ＸＭＬ文書）が正しいことをコンピュータで検証するための検証手順データ（ＸＳＬＴスクリプト）を容易に生成できる検証データ生成装置を提供する。例文帳に追加

To provide a verification data creation device, capable of easily creating verification procedure data (XSLT script) for computationally verifying that application data for control system (XML document) is correct. - 特許庁

ディジタル化されたＲＳＳＩ信号を遅延して時間的に先行するＲＳＳＩ信号のサンプル値を、ＲＳＳＩ信号の増加量を求める為の基準値とする。例文帳に追加

A digitized RSSI (received signal strength indication) signal is delayed, and a sample value of an RSSI signal that temporally precedes is defined as a reference value to calculate an increasing amount of the RSSI signal. - 特許庁

ステムおよびリードのめっきを、Ｃｕめっき層１３、Ｓｎめっき層１４、Ｓｎとの金属間化合物形成及びＳｎとＡｕの反応抑制及びワイヤボンディングのための金属層１５の順に形成する。例文帳に追加

The plating of stem and lead is formed in order of a Cu plating layer 13, an Sn plating layer 14, and a metal layer 15 for formation of intermetallics with Sn, suppression of reaction between Sn and Au, and wire bonding. - 特許庁

ログ整理装置は、ログファイルを読み出し（Ｓａ１）、ログに設定されている最大件数を超えるログが記憶されている場合には、古いログから順に削除する（Ｓａ２、Ｓａ３）。例文帳に追加

A log arrangement device reads a log file (Sa1), and performs deletion in order from the older log when the logs are stored by a number exceeding the maximum number set in the logs (Sa2, Sa3). - 特許庁

パッシブセンサ１０の共振周波数ｆｓｃは、ＳＡＷ共振子１２の共振周波数ｆｓａｗがアンテナ１１とＳＡＷ共振子１２とのインピーダンスの差に準じたシフト量だけ周波数シフトした値となる。例文帳に追加

A resonance frequency fsc of the passive sensor 10 is a frequency-shifted value of a resonance frequency fsaw of the SAW resonator 12 by an amount according to a difference in impedance between the antenna 11 and the SAW resonator 12. - 特許庁

銅又は銅合金板上に、Ｎｉ被覆層（必要に応じて）、Ｃｕ−Ｓｎ合金被覆層及びＳｎ被覆層からなる表面めっき層がこの順に形成され、Ｓｎ被覆層の上に黒鉛粒子が分散して付着している。例文帳に追加

An optional Ni covering layer, a Cu-Sn alloy covering layer and a surface plating layer comprising an Sn covering layer are formed in this order on a copper or copper alloy sheet and graphite particles are dispersedly attached onto the Sn covering layer. - 特許庁

銅又は銅合金板条からなる母材Ａの表面に、リフロー処理により形成されたＣｕ−Ｓｎ合金層ＹとＳｎ層Ｘがこの順に形成されたＳｎめっき付き銅又は銅合金材料。例文帳に追加

In the tin plated copper or the copper alloy material, a Cu-Sn alloy layer Y and an Sn layer X which are formed according to reflow processing are formed in this order on the surface of a base material A made of copper or copper alloy strip. - 特許庁

第（Ｍ＋１）〜第（Ｍ＋Ｎ）の階調データは、第（Ｍ＋１）〜第（Ｍ＋Ｎ）のデータマスク回路５２_Ｍ＋１〜５２_Ｍ＋Ｎの順にマスクを解除状態に設定される。例文帳に追加

The (M+1)th-(M+N)th gradation data are set to a mask released state in the order of (M+1)th-(M+N)th data masking circuits 52_M+1-52_M+N. - 特許庁

Ｃｕ合金板条からなる母材の表面に、Ｃｕ_６Ｓｎ_５相を主体とするＣｕ−Ｓｎ合金被覆層と、Ｓｎ被覆層がこの順に形成された導電材料。例文帳に追加

The conducting material has a Cu-Sn alloy covering layer consisting mainly of a Cu_6Sn_5 phase, and an Sn covering layer, which are formed in this order on the surface of a base material composed of a Cu alloy plate strip. - 特許庁

原料からのＩｎ又はＳｎの損失を抑制でき、且つＩｎとＳｎの合金を高純度で回収可能なＩｎとＳｎとを含む合金の回収方法及びＩＴＯリサイクル材の処理方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for recovering an alloy containing In and Sn, which can recover an In-Sn alloy in high purity while suppressing a loss of In or Sn recoverable from raw materials, and to provide a method for treating an ITO recycled material. - 特許庁

ＳＳＬ／ＴＬＳプロトコルに準拠して相互認証を行う場合に、サーバにおいて、鍵取得処理（ClientKeyExchange受信後のＲＳＡ復号化、ＤＨ離散対数演算など）を署名検証処理（CertificateVerify）が成功した後に行う。例文帳に追加

In performing mutual authentication in conformity with the SSL/TLS protocol, a server executes key acquiring processing (RSA deciphering after receiving Client Key Exchange, DH discrete logarithm operation or the like) after successfully executing signature verification processing (Certificate Verify). - 特許庁

スタートパルス（ＳＰ）が立ち上がると、クロック信号（ＣＫ、ＣＫＢ）の立ち上がりに同期し、サンプリングパルス（ｓａｍ）は、１段ごとにクロック信号（ＣＫ、ＣＫＢ）の半周期ずつ遅れて順次立ち下がる。例文帳に追加

When the start pulse (SP) is raised, the sampling pulse (sam) falls successively while being lagged from a clock signal (CK, CKB) by a half period per stage, synchronously with the rise of the clock signal (CK, CKB). - 特許庁

続いて、抽出した最小ＳＡＤ値を基準にして、減ビット画素値でのＳＡＤ値を評価することで、真のＳＡＤ値の算出対象となる画像ブロックであるのか否かを判定する。例文帳に追加

Then the SAD values of the images comprising a reduced number of bits are evaluated on the basis of the extracted minimum SAD value to discriminate whether or not an image block is to be a calculation object of a true SAD value. - 特許庁