「ぼろかぷていと」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

プログラムは、画像のにじみに関連する機能的限界に基づいてステージ速度，ストロボ光パワー，ストロボ露光時間のような各種の画像取得パラメータを決定する。例文帳に追加

The program determines various image acquisition parameters, such as stage rate, strobe optical power, or strobe exposure time based on functional limitation associated with image bleeding. - 特許庁

試験用刷版による印刷サンプルの各色の測定濃度値と基準濃度値とが一致するように各色のインキツボキーの開き量の補正量と各色のインキツボローラの送り量の補正値の調整を行う。例文帳に追加

Adjustment of each color ink fountain key opening amount to a correction amount of the ink fountain roller of each color is carried out. - 特許庁

乾燥装置で乾燥処理されたジャンボロールのテープを弛みのない低張力で走行させることによって、テープの伸びが発生せず歪みや皺の生じない磁気テープを製造することのできるテープ搬送装置及び方法を得る。例文帳に追加

To obtain a tape carrying device and method for manufacturing a magnetic tape for causing no elongation, distortion, or creases of a tape, by running the tape of a jumbo roll, dried by a drying device, by low tensile force causing no slackness. - 特許庁

水酸基含有アミノ酸を含む標識ペプチド配列を分子に付着させて標識分子を形成する工程と、フェニルボロン酸基を有する分子を前記標識分子と接触させることによって前記標識分子をフェニルボロン酸基を有する分子に捕捉する工程とを含む、分子の固定化方法。例文帳に追加

The method for immobilizing the molecules includes the steps of: attaching a labeled peptide sequence including a hydroxyl group-containing amino acid onto molecules to form labeled molecules; and capturing the labeled molecules in molecules having a phenylboronic acid group by bringing the molecules having the phenylboronic acid group into contact with the labeled molecules. - 特許庁

２周波数帯よりも多い周波数帯に共用することができ、しかも、ビーム角度がほぼ６０度の水平面指向性を低廉かつ小型、シンプルな構成によって実現する。例文帳に追加

To provide a dipole antenna which can be used in common for two or more frequency bands and realize horizontal plane directivity having a beam angle of about 60 degrees with an inexpensive, downsized and simple configuration. - 特許庁

ダイヤモンド電界効果トランジスタ１はソース・ドレインとして、ボロンドープのダイヤモンド層３ａ、３ｂを使用し、チャネルとしてアンドープダイヤモンド層５を使用し、更に、ダイヤモンド層５上のゲート絶縁膜９上にゲート電極１０が設けられている。例文帳に追加

The diamond field-effect transistor 1 uses boron-doped diamond layers 3a, 3b as a source and a drain, and an underdoped-diamond layer 5 as a channel, and further, a gate electrode 10 is provided on a gate insulating film 9 on the diamond layer 5. - 特許庁

シリコンエピタキシャルウェーハ１００は、ＣＺ法により製造され、かつ、抵抗率が０．０１８Ω・ｃｍ以下となるようにボロンがドープされたシリコン単結晶基板１上に、シリコンエピタキシャル層２を形成してなる。例文帳に追加

The silicon epitaxial wafer 100 is manufactured by a CZ method, and a silicon epitaxial layer 2 is formed on a silicon single crystal substrate 1 wherein boron has been doped so that resistivity reaches not more than 0.018 Ωcm. - 特許庁

自動車のシャーシにおけるベアリングガイドおよびジョイントなどのスチールおよびプラスチックからなるトライボロジーシステムにおける使用に特に好適な潤滑グリース組成物を提供する。例文帳に追加

To obtain a lubricating grease composition particularly suitable for use in a tribology system composed of steel and a plastic such as a bearing guide, and a joint in a chassis of an automobile. - 特許庁

異種のプラスチックを混合し溶融して成形するプラスチック混合材の製造方法であって、混合したポリプロピレンおよびポリエチレンをほぼ６０％、ポリスチレンをほぼ２５％、ポリエチレンテレフタレートをほぼ１５％の割合で配合する工程と、配合したプラスチックを１５０〜２５０℃で溶融する工程と、溶融した筒状の成形管に充填する工程とを含むプラスチック混合材の製造方法。例文帳に追加

The manufacturing method of the plastic mixed material includes a process for compounding about 60% of a polypropylene and polyethylene mixture, about 25% of polystyrene and about 15% of polyethylene terephthalate, a process for melting the compounded plastics at 150-250°C and a process for filling a cylindrical molding pipe with the molten plastics. - 特許庁

ＩＶ族半導体にボロンを浅くイオン注入する方法に関し、ＩＶ族半導体基板に浅いｐ型不純物ドープ領域を容易に作成することができる半導体装置の製造方法を提供することである。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a semiconductor device capable of easily preparing a shallow p-type impurity doped area on a IV group semiconductor substrate with regard to a method of shallow ion implantion of boron into a IV group semiconductor. - 特許庁

電気特性の劣化を抑制すると共に、一様なボロン（Ｂ）濃度分布を持つＰ型の領域を形成できる半導体装置の製造方法の提供。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which can form a P type region having a uniform boron (B) concentration distribution, while suppressing the deterioration of electrical performance. - 特許庁

生成物との分離が容易な固体触媒を用いた、芳香族ボロン酸化合物と芳香族トリフラートエステルとの鈴木−宮浦カップリングによる炭素−炭素結合生成によりカップリング生成物を製造する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for producing a coupling product by a carbon-carbon bond-producing reaction by the Suzuki-Miyaura coupling of an aromatic boric acid compound and an aromatic triflate ester in the presence of a solid catalyst easily separated from a reaction product. - 特許庁

通気性と導電性を有する炭素繊維から基板の一方の表面にボロンドープダイヤモンドを添着した作用極11を、一方の表面をガス取り入れ口21側となるように対極22とともに電解液24の中に配置して構成されている。例文帳に追加

This electrochemical hydrobromic gas sensor is formed by disposing a working electrode 11, which includes a boron-doped diamond attached to one surface of a substrate made of carbon fiber having air permeability and conductivity, together with a counter electrode 22, in an electrolytic solution 24 so that the one surface is positioned on the gas intake 21 side. - 特許庁

2005年11月3日、大峰山の女人禁制に反対する人々が結成した「大峰山に登ろうプロジェクト」（以下、プロジェクト）のメンバーが、大峯山登山のために現地を訪れ、寺院側に質問書を提出し、解禁を求めたが不調に終わった。例文帳に追加

On November 3, 2005, the members of 'a project to climb Mt. Omine-san,' which was set up by dissenters against the nyonin kinsei of Mt. Omine-san, visited the spot in order to climb Mt. Omine-san, and requested the release to the temple's side by submitting a questionnaire, but it ended in failure.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

大規模論理回路とメモリを搭載した所謂システムＬＳＩにおいて、オンチップの第１メモリは誤り訂正コードによる誤り訂正が可能にされるから、その記憶情報に対しするソフトエラー耐性を向上させることができる。例文帳に追加

In the system LSI carrying the large-scale logic circuit and the memory, the on-chip first memory allows error correction according to the error correction code, so that soft error resistance to the stored information can be improved. - 特許庁

ソース／ドレイン領域とゲート電極へのドーピングにおける、チャネル中へのボロン浸透の低減と、埋め込み酸化物層まで完全にドープされたソース／ドレイン領域の形成と、併せてチャネルへの圧縮応力を印加する半導体装置の形成方法の提供。例文帳に追加

To provide a forming method of a semiconductor device that decreases the penetration of boron into a channel, and that forms a source/drain region with up to an embedded oxide layer completely doped, and simultaneously applies compressive stress to the channel in doping the source/drain region and a gate electrode. - 特許庁

ボロン汚染を測定すべき位置に、表面にＳｉＯ_2 膜１２が形成されているＳｉウェハ１１を保持し、Ｓｉウェハ１１とｐ型のＳｉウェハ１６とを互いに隣接させた状態でＳｉウェハ１６中にＳｂを拡散させ、Ｓｉウェハ１６における不純物濃度プロファイルを求める。例文帳に追加

At a position where a boron contamination is measured, an Si wafer 11 where an SiO2 film 12 is formed on the surface is held, an Sb is diffused in an Si wafer 16, while the Si wafer 11 and the p-type Si wafer 16 are adjoining each other, for obtaining an impurities concentration profile in the Si wafer 16. - 特許庁

また前記スプリング３による前記中棒２に対する伸延力を利用して、下ろくろ４を中棒２に沿って引上げて傘を開かせるために、前記第３の中棒２２と前記下ろくろ４間で、前記上ろくろ１を介して、紐５を挿通させる連結機構を設けている。例文帳に追加

In order to open the umbrella by raising a lower ring 4 along the shank 2 by use of the force of the spring 3 to extend the shank 2, a connecting mechanism is provided through which a cord 5 is passed via the upper ring 1 between the third shank 22 and the lower ring 4. - 特許庁

窒素濃度が１×１０^１２ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上、又は、ボロンドープによって比抵抗が２０ｍΩ・ｃｍ以下に設定されたウェーハ本体１１と、ウェーハ本体１１の表面に設けられたエピタキシャル層１２とを備える。例文帳に追加

The epitaxial wafer includes a wafer body 11 where nitrogen concentration is set ≥1×10^12 atoms/cm^3 or specific resistance is set ≤20 mΩ cm by boron doping, and an epitaxial layer 12 formed on a surface of the wafer body 11. - 特許庁

また、添加されるジボランの濃度を調整することによって、ウエハ表層におけるボロン濃度の分布の調整を行なうことができ、ウエハの深さ方向に向かって濃度変化がフラットになるようにしたり、或いは、徐々に濃度が低下或いは上昇させたりするというような調整が自由にできるようになる。例文帳に追加

The distribution of the boron concentration in the wafer surface layer can be adjusted by controlling the concentration of added diborane, and adjustment is enabled freely in which a concentration change is flattened towards the depthwise direction of the wafer or concentration is lowered or increased gradually. - 特許庁

ボロンドープドシリコン層７２を堆積させ、その上面にシリコン窒化層７８を形成し、ノンドープドシリコン層７３を堆積させ、その上面にシリコン窒化層７９を形成する工程を繰り返すことにより、シリコン基板１１上に積層体２０を形成する。例文帳に追加

A laminate 20 is formed on a silicon substrate 11 by repeating a step of depositing a boron-doped silicon layer 72, forming a silicon nitride layer 78 on the top surface thereof, depositing a non-doped silicon layer 73, and forming a silicon nitride layer 79 on the top surface of the non-doped silicon layer. - 特許庁

スライディングノズル用上部ノズルれんが、下部ノズルれんが及びプレートれんがにおいて、特に２００〜７００℃の中間温度域における耐酸化性の向上を図り、従来使用中のれんが外周部に生じていたボロツキ現象を軽減し、その結果れんが自体の耐用性を向上させる。例文帳に追加

To improve texture compactness and spalling resistance and improve resistance to oxidation by adding a specific amount of carbon black having a specified specific surface area to a compound comprising refractory aggregate and a metal and further adding an organic binder thereto and kneading and forming the mixture and subjecting the formed product to heat treatment. - 特許庁

ゲート電極からのボロン漏れを抑制することができ、ゲート絶縁膜を薄膜化した場合でも、界面順位密度の増加及び膜中のプラスチャージの生成を抑制することが可能な半導体装置及びその製造方法を提供。例文帳に追加

To provide a semiconductor device and its manufacturing method, in which boron leakage from a gate electrode can be inhibited, even when a gate insulating film is thinned, increase in interface rank density and generation of plus charge in the film can be restrained. - 特許庁

フッ素イオンによりボロンイオンのチャネル領域への横方向拡散を抑制して短チャネル効果の発生を防止するｐチャネル型ＭＯＳトランジスタには、フッ素イオン注入時の欠陥による影響起因のるリーク電流を減らすプロセスが必要となっている。例文帳に追加

To solve the problem that a process for decreasing a leak current caused by an influence of defect in an implantation of a fluorine ion is required for a p-channel MOS transistor which suppresses diffusion of a boron ion to channel regions in a lateral direction by the fluorine ion to prevent an occurrence of a short channel effect. - 特許庁

ハロゲン置換アリール化合物とアリールボロン酸、その誘導体又はジアルキル−アリールボランとのカップリング反応によってビアリール化合物を製造する方法において、従来よりも高収率で簡便に製造できる工業的に有利な方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method for simply producing biaryl compounds industrially advantageously in a yield higher than a conventional method, in a method using a coupling reaction of a halogen-substituted aryl compound with arylboronic acid, its derivative or dialkyl-arylborane. - 特許庁

相変化層と、この相変化層に一端が接触する電極と、この電極の他端に接続するコンタクトプラグと、このコンタクトプラグにソースまたはドレインが電気的に接続された電界効果型トランジスタとを備えた相変化メモリ装置であって、前記電極がジルコニウムボロンナイトライドにより形成されている。例文帳に追加

The phase change memory device includes a phase change layer, an electrode whose one end contacts the phase change layer, a contact plug connected to the other end of the electrode, and a field-effect transistor in which a source or drain is electrically connected to the contact plug, wherein the electrode is formed of zirconium boron nitride. - 特許庁

試験用刷版による印刷サンプルの各色の測定濃度値と基準濃度値とが一致するように各色のインキツボキーの開き量の補正量と各色のインキツボローラの送り量の補正値の調整を行う。例文帳に追加

The adjusting of the correction amount of the opening amount of the ink fountain key of each color and the correction value of the feeding rate of the ink fountain roller of each color is performed so that the measured consistency value and the criteria consistency value of each color of a printing sample by a testing machine plate are in agreement with together. - 特許庁

カーボンナノチューブの優れた特性を引き出すことが可能なＳｉＣ被覆カーボンナノチューブ、ボロンドープＳｉＣ被覆カーボンナノチューブ、その製造方法およびＳｉＣ被覆カーボンナノチューブ強化複合材料を提供する。例文帳に追加

To provide an SiC-coated carbon nanotube which can exploit excellent characteristics of a carbon nanotube, a boron-doped, SiC-coated carbon nanotube, manufacturing methods for the same and a composite material reinforced with the SiC-coated carbon nanotube. - 特許庁

ボロンドープシリコンゲルマニウム膜を成膜する場合、ゲルマニウム原料の使用量を抑制すると共に金属膜との結合力を強くし、生産性を向上することが可能となる半導体装置の製造方法及び基板処理装置を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a semiconductor device of improved productivity by suppressing the amount of use of germanium material and enhancing bonding strength to a metal film in the case of forming a boron doped silicon germanium film along with a substrate processing apparatus. - 特許庁

この半導体装置の製造方法は、シリコン基板１に素子を分離するためのトレンチ５を形成する工程と、トレンチ５を途中まで埋め込むように、高密度プラズマＣＶＤ法を用いて酸化膜７ａを形成する工程と、その後、トレンチ５の側壁上部に位置する素子形成領域にボロンを注入する工程とを備えている。例文帳に追加

This method for manufacturing this semiconductor element comprises a process for forming a trench 5 for separating an element on a silicon substrate 1, a process for forming an oxide film 7a by using a high density plasma DVD method in order to bury the trench 5 to the middle, and a process for injecting boron to an element forming region positioned at the upper part of the side wall of the trench 5. - 特許庁

パラジウム触媒及び塩基の存在下において、芳香族ハロゲン化物と芳香族ボロン酸とを反応させてビアリール系化合物を製造するに際し、パラジウム触媒として、［１−ブチル−３−メチルイミダゾリウム］ＰＦ_６に溶解した酢酸パラジウムをジエチルアミノプロピル残基で表面修飾した無定形アルミナの空孔内に固定化させてなるパラジウム触媒を用いた。例文帳に追加

The palladium catalyst to be used in producing the biaryl-based compound by reacting an aromatic halide and an aromatic boronic acid in the presence of a palladium catalyst and a base is prepared by fixing palladium acetate dissolved in [1-butyl-3-methylimidazolium]PF_6 in a vacancy of amorphous alumina subjected to surface modification with a diethylaminopropyl residue. - 特許庁

ゲート電極７Ｐの下層にＧｅを含む膜７２を有し、Ｇｅを含む膜７２の上に粒径の小さい（平均粒径１００ｎｍ以下の）ポリシリコン膜７３を有しているので、ゲート電極７Ｐ中にドープされるボロンが、ソース／ドレイン電極の活性化熱処理によりゲート電極中に厚さ方向にほぼ均一に分布する。例文帳に追加

Since the semiconductor device has a Ge-containing layer 72 under the gate electrode 7P and a polysilicon film 73 having small particle diameters (a mean particle diameter of ≤100 nm) on the Ge-containing layer 72, the B doped into the gate electrode 7P is roughly uniformly distributed in the gate electrode 7P in the thickness direction when source and drain electrodes are subjected to an activating heat treatment. - 特許庁

ネオジゥム系ボンド磁石は、４０〜９５重量％のネオジゥム・鉄・ボロン系合金の粉末と、４〜３０重量％の熱可塑性樹脂と、０.２〜０.８重量％のカップリング剤との混合物の射出成形体であって硬質性を有し、その外表面に所要パターンで多数の貫通孔および／または未貫通孔が形成されている。例文帳に追加

The neodymium-based bond magnet is a body molded by injecting a mixture of 40 to 95 wt.% neodymium-iron-boron-based alloy powder, 4 to 30 wt.% thermoplastic resin, and 0.2 to 0.8 wt.% coupling agent; and has hardness and many through holes and/or non-through holes formed in a predetermined pattern in its outer surface. - 特許庁

シリコン単結晶基板上にシリコンエピタキシャル層が形成されたシリコンエピタキシャルウェーハであって、前記シリコン単結晶基板はドープ剤として少なくともボロンとガリウムの両方が添加されたものであり、かつ抵抗率が２０［ｍΩ・ｃｍ］以下であることを特徴とするシリコンエピタキシャルウェーハ。例文帳に追加

The silicon epitaxial wafer has a silicon epitaxial layer formed on a silicon monocrystalline substrate, wherein the silicon monocrystalline substrate is one to which at least both boron and gallium are added as a doping agent, and its resistivity is ≤20 [mΩ cm]. - 特許庁

チョクラルスキー法によりシリコン単結晶を製造する方法において、単結晶を育成する際に、ボロン及び炭素を、単結晶中の濃度が合せて１×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｃ以上の範囲となるようにドープして、結晶全面がＮ領域及び／又はＩ領域の単結晶を育成することを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。例文帳に追加

In the method for manufacturing the silicon single crystal by a Czochralski method, the single crystal in which the whole surface of the crystal is the N region and/or I region is grown by doping boron and carbon so that the total concentration of the dopants in the crystal becomes within a range of ≥1×10^17 atoms/cc when the single crystal is grown. - 特許庁