「ぼろかぷていと」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

低濃度にボロンがドープされたシリコンウエハに対しても、ウエハ表層におけるウエハ深さ方向のボロン濃度の十分な均一化を図るということを達成することができる方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for keeping boron concentration along the depth direction in the surface layer of a wafer satisfactorily uniform, even in a silicon wafer doped with boron at a low concentration. - 特許庁

それでユリシーズはまた乞食の身なりをして、杖をもち、エジプト人の薬のはいった金の薬壷をぼろの中に隠し、ヘレネーのくれた新しい服と剣をずだ袋にいれて、いとまごいをして、例文帳に追加

So he clothed himself again as a beggar, and took his staff, and hid the phial of gold with the Egyptian drug in his rags, and in his wallet also he put the new clothes that Helen had given him, and a sword, and he took farewell, saying,  - Andrew Lang『トロイア物語：都市の略奪者ユリシーズ』

製造プロセスを簡単にしながら、ボロメータの放射感知表面がボロメータ全表面に対して高い比率となる検出器及びその製造プロセスを提供する。例文帳に追加

To provide a detector which keeps radiation sensing surface of a bolometer at a high ratio to the entire bolometer surface while simplifying manufacturing process, and its manufacturing process. - 特許庁

メタボローム網羅的解析におけるメタボロームの効率的な同定方法ならびに特異的バイオマーカーのハイスループットスクリーニング方法を提供すること。例文帳に追加

To provide an efficient identification method of a metabolome in metabolome inclusive analysis and a high throughput screening method of a specific biomarker. - 特許庁

ボローニャ以外にも、カルピ（ニット製品）、プラート（毛織物）等、第三のイタリアには多くの産地が存在している。例文帳に追加

Besides Bologna, many other production regions exist within the Third Italy, including Carpi (knitwear) and Prato (woolen textiles). - 経済産業省

低温プロセスで製造可能であり、誘電ボロメータを実用化するのに充分な大きさのＴＣＤを示す誘電ボロメータ用有機薄膜とこれを用いた赤外線検出装置、および該誘電ボロメータ用有機薄膜の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide an organic thin film for a dielectric bolometer manufacturable in a low-temperature process, for showing TCD having a sufficient size for putting the dielectric bolometer to practical use; an infrared detection device using it; and a manufacturing method of the organic thin film for the dielectric bolometer. - 特許庁

ボロンドープｐ型シリコンウェーハの鉄濃度を、Ｆｅ−Ｂペア乖離現象を利用して高精度に測定するための手段を提供すること。例文帳に追加

To provide means to highly accurately measure iron concentration of a boron doped p-type silicon wafer by using an Fe-B pair dissociation phenomenon. - 特許庁

ボロンドープｐ型シリコン中の鉄濃度を、高い信頼性をもって測定するための手段を提供すること。例文帳に追加

To provide means for measuring iron concentration contained in boron-doped p-type silicon with high reliability. - 特許庁

写真プリンタの漂白定着槽内に配置された搬送ローラ対５８を、フラットローラ５６とイボローラ５７とから構成する。例文帳に追加

A pair of carrying rollers 58 disposed in a bleaching and fixing tank of a photo printer is formed of a flat roller 56 and a knurl roller 57. - 特許庁

生成物との分離が容易な固体触媒を用いた、芳香族ボロン酸エステルと該芳香族ボロン酸エステル以外の芳香族化合物との鈴木−宮浦カップリングによる炭素−炭素結合の生成方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of forming a carbon-carbon bond by the Suzuki-Miyaura coupling of an aromatic boric acid ester with an aromatic compound other than the aromatic boric acid ester with the use of a solid catalyst easily separable from a product. - 特許庁

ここで、低輝度発光することが判別されると、ストボロ光に適したホワイトバランス制御を行う（ステップＳ１４）。例文帳に追加

In this case, when the low luminance emission is discriminated, white balance control suitable for stroboscopic light is performed (step S14). - 特許庁

大豆から得た豆乳に凝固剤を加えておぼろ豆腐を作り、このおぼろ豆腐に洋酒や砂糖などの添加剤２を混入した中間材を適宜の撹拌工程を経てホイップすることによりデザート食品１を製造するようにしたヨーグルト状デザート食品の製造方法とそのデザート食品である。例文帳に追加

In this process for producing a yoghurt-like dessert food 1, a fish floss-like soybean curd is prepared by adding a coagulating agent to soybean milk from soybeans, then additives 2, for example, Western liquors, sugar and the like are admixed to the fish floss-like soybean curd and the resultant intermediate mixture is properly stirred, and whipped. - 特許庁

ボロン化合物からパラジウム触媒を用いたカップリング反応における、ケトン化合物の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for producing a ketone compound by a coupling reaction using a palladium catalyst from a boron compound. - 特許庁

線維芽細胞活性タンパクαを効果的かつ選択的に阻害する、ボロン酸またはシアノ基を含むペプチド系化合物の提供。例文帳に追加

To provide a peptide-based compound including boronic acid or cyano group which effectively and selectively inhibits fibroblast activation protein α. - 特許庁

中性子はボロカプテイトナトリウム中のホウ素と反応して、正常細胞を傷めずに腫瘍細胞を死滅させる放射性粒子を産生する。例文帳に追加

the neutrons react with the boron in sodium borocaptate and make radioactive particles that kill the tumor cells without harming normal cells.  - PDQ®がん用語辞書 英語版

ボロンがドープされたシリコンウエハに対しても、ウエハ表層におけるウエハ深さ方向のボロン濃度の十分な均一化を図ることができる方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method in which boron concentration in the direction of a boron depth in a wafer surface layer can be equalized sufficiently even to a boron-doped silicon wafer. - 特許庁

クラッチ板２１の外周部側に固定されたホールドプレート２３を、円周方向のほぼ６０度の角度位置から６つに分割形成した。例文帳に追加

The hold plate 23 fixed to an outer peripheral part side of the clutch plate 21 is formed by being divided into 6 from an angular position of about 60° of a circumferential direction. - 特許庁

続いて領域は例えばリンやボロンのような適当なドーパントでドープされ、熱処理工程によりアモルファス領域が再結晶化される。例文帳に追加

The region is then doped with suitable dopants, e.g. phosphorus or boron and the amorphous layer recrystallized by a thermal processing step. - 特許庁

水洗後３００時間程経過したＴＦＴでは、チャネルポリシリコンのボロン濃度の、同一チップ内での濃度差（面内のチャネルボロン濃度差）が３×１０^18／ｃｍ^2程度であったが、水洗後１時間程経過したＴＦＴではそれが１×１０^18／ｃｍ^2程度に減少している。例文帳に追加

In the TFT 300 hours later after water rinsing, a difference in concentration in the same chip concerning a boron concentration of the channel polysilicon (difference in concentration of in-plane channel boron) is about 3×10^18/cm^2, however, that of the TFT one hour later after water rinsing decreases to 1×10^18/cm^2. - 特許庁

上ろくろ１側から第１〜第３の中棒２０〜２２に分割された中棒２の内側に、一端が第３の中棒２２に取付けられ、他端が上ろくろ１に取付けられたスプリング３が配置され、そのスプリング３が、常時中棒２を伸延する方向に付勢する付勢機構を設けている。例文帳に追加

Inside a shank 2 divided into first, second and third shanks 20-22 from an upper ring 1, a spring 3 attached to the third shank 22 at one end and to the upper ring 1 at the other is positioned, and an energizing mechanism is provided for energizing the spring 3 at all times in the direction for extending the shank 2. - 特許庁

高濃度ボロンドープシリコン単結晶ウェーハであって、該ウェーハ表面及びその近傍にゲルマニウムがドープされたウェーハを、該ウェーハの表面に低濃度ボロンドープのエピタキシャル層が形成されたエピタキシャルウェーハとすることにより解決できる。例文帳に追加

The high concentration boron-doped silicon single crystal wafer, where germanium is doped to the wafer surface or to the area near the surface, is converted to an epitaxial wafer where a low concentration boron-doped epitaxial layer is formed on the surface thereof. - 特許庁

ロープに傘ヘッドを通過させ上ろくろと連接する従来の技術中の、ロープが損壊し易く、美観に影響を及ぼすという問題を解決可能な自動開閉傘防護装置のロープ収容構造を提供する。例文帳に追加

To provide a rope housing structure of an automatically opening/closing umbrella protection device, solving the following problem: a rope is easily damaged and a beautiful appearance is affected in a conventional art for passing the rope through an umbrella head and connecting it with an upper runner. - 特許庁

また別の話では、神々がヘレネー自身をエジプトへ連れ去り、神々は花と夕焼け雲からヘレネーそっくりの幻をつくり、パリスはこの幻をトロイアに連れって行ったのであり、神々がこんなことをしたのはギリシアとトロイアの間に戦争を引き起こすためだったというんだ。例文帳に追加

And others say that the Gods carried Helen herself off to Egypt, and that they made in her likeness a beautiful ghost, out of flowers and sunset clouds, whom Paris bore to Troy, and this they did to cause war between Greeks and Trojans.  - Andrew Lang『トロイア物語：都市の略奪者ユリシーズ』

ボロンドープウェーハの酸化膜耐圧特性を測定するだけで、そのウェーハの評価を行うことができ、特に製造プロセスにおけるＦｅ汚染の有無を判断することができる評価方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for evaluating a boron doped silicon wafer by simply measuring the breakdown voltage characteristics of its oxide film in which a decision can be made whether Fe contamination is present or not in the production process. - 特許庁

芳香族ボロン酸エステルと該芳香族ボロン酸エステル以外の芳香族化合物とを、比表面積1000m^2/g以上の炭素粒子にパラジウムを固定したパラジウム炭素触媒の存在下にて湿式で鈴木−宮浦カップリングさせることを特徴とする炭素−炭素結合の生成方法。例文帳に追加

The method of generating carbon-carbon bond is characterised in that the aromatic boronate and the aromatic compound other than the aromatic boronate are coupled in wet state by Suzuki-Miyaura coupling in the presence of a palladium-carbon catalyst which is formed by immobilizing palladium on carbon particles having a specific surface area of 1,000 m^2/g or larger. - 特許庁

芳香族ボロン酸エステルと該芳香族ボロン酸エステル以外の芳香族化合物とを、比表面積1000m^2/g以上の炭素粒子にパラジウムを固定したパラジウム炭素触媒の存在下にて湿式で鈴木−宮浦カップリングさせることを特徴とする炭素−炭素結合の生成方法。例文帳に追加

The method of forming a carbon-carbon bond comprises subjecting an aromatic boric acid ester and an aromatic compound other than the aromatic boric acid ester to the Suzuki-Miyaura coupling in the presence of a wet type palladium carbon catalyst obtained by fixing palladium on carbon particles having a specific surface area of 1,000 m^2/g or more. - 特許庁

プレアモルファス工程の後に、前記アモルファス領域にボロンのイオン注入を行なう工程，又は前記アモルファス領域をシリサイド化する工程のうち少なくともいずれか一方の工程を行なう。例文帳に追加

After the pre-amorphous step, at least one of the steps of performing an ion implantation of boron into the amorphous region or of converting the amorphous region to a silicide region is performed. - 特許庁

プレアモルファス工程の後に、上記アモルファス領域にボロンのイオン注入を行なう工程，又は上記アモルファス領域をシリサイド化する工程のうち少なくともいずれか一方の工程を行なう。例文帳に追加

After the pre-amorphous step, at least any one of steps of implanting ions of boron in the amorphous region and converting the amorphous region to a silicide region is carried out. - 特許庁

車両が坂路で停車した際に、該車両が坂路からずり落ちることを抑制する坂路保持制御を実行している際又はその後に、該車両が坂路を登ろうとする発進意志があるかを検出すると共に、車両と坂路との間に加速スリップが生じているか否かを検出する。例文帳に追加

During the on-sloped-road holding control which restrains the vehicle from slipping down out of the sloped road or subsequent control when the vehicle stops on the sloped road, it is detected whether or not the vehicle has a starting intention of climbing on the sloped road and whether or not acceleration slipping generates between the vehicle and the sloped road. - 特許庁

ボロンドープシリコンウェーハにＭＯＳキャパシタを形成し、該ＭＯＳキャパシタを用いて酸化膜耐圧特性を測定することにより前記ボロンドープシリコンウェーハを評価する方法であって、前記ＭＯＳキャパシタの少なくとも測定電極部に光を照射しない状態と光を照射した状態とをそれぞれ形成し、光照射の有無のそれぞれの状態において前記酸化膜耐圧特性の測定を行い、光照射の有無のそれぞれの状態の測定結果を比較することにより前記ボロンドープシリコンウェーハを評価するようにした。例文帳に追加

In the method for evaluating a boron doped silicon wafer by measuring the breakdown voltage characteristics of an oxide film using an MOS capacitor formed therein, a state not irradiated with light and a state irradiated with light are formed at least the measuring electrode part, the breakdown voltage characteristics of the oxide film are measured under respective states and the measurements are compared thus evaluating a boron doped wafer. - 特許庁

ヒータ１６は壺ローラ１の中空部１ａと端軸２の中空部２ａ内を遊挿され、一端がメタル７に固定された支持プレート１４に固定されている。例文帳に追加

A heater 16 is loosely inserted into a hollow part 2a of the roller 1 and a hollow part 2a of the shaft 2, and fixed at its one end to a support plate 14 fixed to a metal 7. - 特許庁

減圧ＣＶＤ装置におけるボロンドープポリシリコンゲルマニウムまたはボロンドープアモルファスシリコンゲルマニウムを成膜する半導体装置の製造方法および基板処理装置において、良好なボロン濃度均一性の実現をを可能とする半導体装置の製造方法および基板処理装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a semiconductor device for achieving superior boron concentration uniformity, and to provide a substrate treatment apparatus in the manufacturing method of the semiconductor device for film-forming boron-doped polysilicon germanium or boron-doped amorphous silicon germanium in a reduced pressure CVD apparatus, and to provide a substrate treatment apparatus. - 特許庁

シリコン粒、シリコン酸化物、ボロンを含む薄膜化ストップ層がウェーハ表層に存在するので、酸素イオンの注入欠陥をボロンが捕獲し、この注入欠陥を原因としたエピタキシャル膜の成膜欠陥の発生頻度を低減できる。例文帳に追加

Since a thinning stop layer containing silicon grains, silicon oxide and boron is present on a wafer surface layer, an implantation defect of oxygen ions is captured by boron, and the occurrence frequency of film formation defects of an epitaxial film caused due to the implantation defect can be reduced. - 特許庁

メタボローム解析等において、代謝物濃度の基準値からの乖離度合として異常度を取得するにあたり、ハイスループットな取得方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a high-throughput acquiring method in acquiring a degree of disorder as the degree of separation from the reference value of the concentration of a metabolite in metabolome analysis or the like. - 特許庁

基板（１６）と、支持アームによって基板の上方に懸架された、前記放射線を検出するボロメータマイクロプレートのアレイと、を備えた、所定の赤外線またはテラヘルツ波長範囲内の電磁放射線を検出するボロメータアレイ検出器である。例文帳に追加

A bolometric array detector for detecting electromagnetic radiation in a predetermined range of infrared or terahertz wavelengths comprises a substrate (16) and an array of bolometric micro-plates for detecting the radiation suspended above the substrate by support arms. - 特許庁

上記定量分析限界を、ボロンドープｐ型シリコン中のＦｅ−Ｂペア乖離中に、上記分析方法により該シリコン中の鉄濃度を求めることによって得られた定量値に基づき決定する。例文帳に追加

The quantitative analysis limit is determined based on a quantitative value provided by obtaining iron concentration in the silicon by the analysis method during Fe-B pair separation in the boron-doped p-type silicon. - 特許庁

偏心軸受４０には、呼び出しローラ２７に設けられたカムフォロア５６に対接し、壷ローラ２６と呼び出しローラ２７との間のニップ圧を一定に保つカム面４１ｃが設けられている。例文帳に追加

The eccentric bearing 40 is positioned adjacently to a cam follower 56 fitted to the duct roller 27, and has a cam surface 41c for keeping a nip pressure at a specified level between the fountain roller 26 and the duct roller 27. - 特許庁

前垂れ部１ｂがリング装着面１ｃと成す角度θはほぼ６０°に設定され、前垂れ部１ｂの長さは従来のリングプレート１の前垂れ部と同じに形成されている。例文帳に追加

The angle θ of the apron that 1b with a ring mounted plane 1c is set to almost 60°, the length of the apron part 1b is formed to be same as that of the apron part of a conventional ring plate 1. - 特許庁

断面がほぼ六角形状の角形部を確実にクランプすることが可能であり且つ耐久性に優れ長期の寿命を有するクランプ装置を提供する。例文帳に追加

To provide a clamping device capable of reliably clamping a polygonal part of a substantially hexagonal section, and having excellent durability and long lifetime. - 特許庁

クリープボイド表面には硫黄が偏析されることなく窒化ボロンが析出されているオーステナイトステンレス系耐熱鋼であって、化学組成として、硫黄含有量が０．００３重量％以下であって、かつ、硫化物形成元素が含有されているオーステナイトステンレス系耐熱鋼とする。例文帳に追加

The heat resistant austenitic stainless steel includes boron nitride precipitated without segregating sulfur on the surface of creep void, and includes sulfur of 0.003 wt.% or less and sulfide-forming elements, as a chemical composition. - 特許庁

ＰＭＯＳトランジスタのゲート電極中にＧｅを導入してＢの活性化率を高めた半導体装置において、ゲート電極の縦方向にボロンを均一に分布させることのできる技術が要求されている。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a semiconductor device in which the activating rate of B is improved by introducing Ge into the gate electrode of a PMOS transistor and the B can be distributed uniformly in the gate electrode in a vertical direction. - 特許庁

ボロンドープｐ型シリコン中の鉄濃度の分析方法における定量分析限界を、高い信頼性をもって決定するための手段を提供すること。例文帳に追加

To provide a means for determining a quantitative analysis limit in an analysis method of iron concentration in boron-doped p-type silicon with high reliability. - 特許庁

追込みプレート６０は、バネ部材７０により回動付勢された回動力によってポール５０を第２軸支部材３５の特定の径方向へ移動させるように押圧する押圧ダボ６５を設けている。例文帳に追加

A drive plate 60 includes a pressing dowel 65 which presses a pole 50 to move the pole in the specified direction of a second journal member 35 with a rotating force generated when the drive plate is rotatably biased by a spring member 70. - 特許庁

Ｆｅ−Ｂペア乖離前後の測定値の変化を利用してボロンドープｐ型シリコン中の鉄濃度を求める分析方法の定量分析限界決定方法。例文帳に追加

This quantitative analysis determination method of an analysis method is used for obtaining iron concentration in boron-doped p-type silicon using the change of measurement values before and after Fe-B pair separation. - 特許庁

ボロン酸化物等の異物を生じさせることなくプラズマ処理装置の処理室表面におけるＴｉ系堆積物の除去が可能なプラズマ処理方法を提供する。例文帳に追加

To provide a plasma processing method capable of removing Ti-based sediment on the surface of a processing chamber of a plasma processing apparatus without generating a foreign body such as an boronic oxide. - 特許庁