「共晶はんだ」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

そして、尿素結晶の堆積量が所定値以上になると（Ｓ６）、排気系に堆積されている尿素結晶を強制的に離脱させる時期が到来したと判断し、警告灯を点灯させると共に（Ｓ７）、排気温度を尿素結晶の離脱温度よりも昇温させる強制離脱処理を実行する（Ｓ８）。例文帳に追加

If the cumulative amount of the urea crystals is equal to or exceeds a specified amount (S6), it is determined that a period for forcibly desorbing the urea crystals accumulated in the exhaust system has begun, thus a warning light is illuminated (S7) and a forcible desorption processing is implemented wherein the exhaust temperature is increased so as to be hotter than the desorption temperature of the urea crystals (S8). - 特許庁

バーコードリーダ１は、液晶パネル１０を備えた液晶表示器４６と、バックライト光源２５とを備えると共に、バックライト光源２５から発せられる出射光を液晶パネル１０側に導く第一状態と、出射光を読取対象側に導く第二状態と、で切り替わる反射率可変手段５０を有している。例文帳に追加

The bar code reader 1 comprises a liquid crystal display 46 having a liquid crystal panel 10, a back light light source 25 and a reflectance variable means 50 to be switched between a first state for guiding an outgoing light emitted from the back light light source 25 toward the liquid panel 10 and a second state for the outgoing light toward a reading object. - 特許庁

少量のＧａを添加することで、ＡｕおよびＳｎ双方の液相線温度を相当に下げ、したがって融点を下げる（共晶Ａｕ—Ｓｎはんだよりも少なくとも１０℃、通常約２７℃下がる）とともに、はんだの耐クリープ性の温度敏感性も強化する。例文帳に追加

The addition of low-quantity Ga allows the liquidus temperatures of both Au and Sn to be fairly lowered for the purpose of lowering a melting point (lowering it by 10°C or more, by approximately 27°C under normal conditions, in comparison with Au-Sn eutectic solder) and reinforcing the temperature sensitivity of the creep resistance of the solder. - 特許庁

化合物半導体とその原料であるＶ族金属が共存する雰囲気中でアニールが行われるため、化合物半導体結晶からのＶ族金属の脱離が防止される。例文帳に追加

Since the annealing is performed in the atmosphere in which the compound semiconductor and the group V metal of its raw material coexist, desorption of the group V metal from the compound semiconductor crystal is prevented. - 特許庁

これにより、共晶体を形成している珪素、未反応の炭化珪素及び反応副生成物の珪素酸化物等は、硝酸に不溶解となるため硝酸プルトニウムを単独で効率よく回収できる。例文帳に追加

The plutonium nitrate is separately recovered thereby efficiently because the silicon, the unreacted silicon carbide, silicon oxides of reaction by-products and the like forming the eutectic crystal are insoluble in the nitric acid. - 特許庁

基板１とＡｌＧａＩｎＮ化合物半導体３との間の結晶格子の差により誘起する転位密度が著しく低下すると共に、ＡｌＧａＩｎＮ化合物半導体３の成長が向上する。例文帳に追加

The transition density induced due to a difference of crystal lattice between the board 1 and the semiconductor 3 is remarkably reduced, and a growth of the semiconductor 3 is improved. - 特許庁

このとき、原理的に反射層５１と反射層５２との間における定在波の波長光が共振し、強い光となって液晶層４０側に射出される。例文帳に追加

At this point, the wavelength light of stationary waves between the reflective layer 51 and the reflective layer 52 resonates theoretically, becomes strong light and is emitted to the side of a liquid crystal layer 40. - 特許庁

出射側偏光素子として反射型偏光板を用いながら、反射型偏光板から透過型液晶パネルに戻る戻り光を抑えると共に、非点収差を無くし、かつバックフォーカスの増大を抑制する。例文帳に追加

To reduce return light returned from a reflective polarizer to a transmissive liquid crystal panel, eliminate astigmatism and reduce a back focus increase while using the reflective polarizer as an exit polarization element. - 特許庁

出射側偏光板として反射型偏光板を用いながら、反射型偏光板から透過型液晶パネルに戻る戻り光を抑えると共に、非点収差を無くし、かつバックフォーカスの増大を抑制する。例文帳に追加

To restrain a return light returning from a reflection type polarizing plate to a transmission type liquid crystal panel, while using the reflection type polarizing plate as an emission side polarizing plate, capable of eliminating an astigmatism, and capable of restraining backfocusing from increasing. - 特許庁

出射側偏光板として反射型偏光板を用いながら、反射型偏光板から透過型液晶パネルに戻る戻り光を抑えると共に、非点収差を無くし、かつバックフォーカスの増大を抑制する。例文帳に追加

To suppress returning light which returns from a reflection type polarizing plate to a transmission type liquid crystal panel, to eliminate astigmatism, and to suppress increase of back focus while using the reflection type polarizing plate as an emitting side polarizing plate. - 特許庁

本発明は、レーザー結晶化のためのチャンバ内でレーザー結晶化と共に水素化処理を行うことにより、ＴＦＴの製造工程を簡略化でき、ＴＦＴの製造に使用する装置を削減することができる半導体装置の製造方法を提供することを課題とする。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a semiconductor device which can facilitate the manufacturing process of TFTs and decrease the number of apparatuses used to manufacture the TFTs by performing hydrization treatment in a chamber for laser crystallization as well as laser crystallization. - 特許庁

絶縁性基板上に、接着剤を用いないで単結晶シリコン集積回路を作製すると共に、単結晶シリコン集積回路の活性領域が水素イオン注入等のダメージを受けず、素子本来の特性を十分に発揮することのできる半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device where a single crystal silicon integrated circuit is made on an insulating substrate without an adhesive, an active area does not receive damage due to a hydrogen ion implantation etc., and the proper characteristic of the device can be sufficiently shown. - 特許庁

液晶表示装置は、共通電極、画素電極、走査信号線、映像信号線及び半導体スイッチング素子を形成したアレイ基板と、対向基板と、前記アレイ基板と前記対向基板との間に挟持された液晶層とを備える。例文帳に追加

This liquid crystal display device is provided with an array substrate on which common electrodes, pixel electrodes, scanning signal lines, video signal lines and semiconductor switching elements are formed, a counter substrate and a liquid crystal layer which is held between the array substrate and the counter electrode. - 特許庁

非晶性熱可塑性樹脂を含有し、２３℃の温度条件下で、片端固定定常加振法において、半値幅法により測定した２次共振ピークの損失係数（η）が、０．０４〜０．１２である非晶性熱可塑性樹脂組成物により構成されているダクト用樹脂成形体を提供する。例文帳に追加

The resin molded product for ducts composed of an amorphous thermoplastic resin composition is provided, wherein the amorphous thermoplastic resin composition contains an amorphous thermoplastic resin and has a loss factor (η) of a secondary resonance peak ranging from 0.04 to 0.12 as measured by a half-width method under temperature conditions of 23°C in an one-end fixed stationary vibration method. - 特許庁

回路基板の上面四隅に設けた電極と水晶振動子の下面四隅に設けた電極とを半田によって接合させると共に、回路基板上面に塗布した接着剤によって回路基板と水晶振動子とを機械的に結合させる。例文帳に追加

Electrodes, provided to four corners of an upper side of the printed circuit board, are jointed by solder with electrodes provided to four corners of a lower side of the crystal vibrator (package), and adhesive coated on the upper side of the printed circuit board the printed circuit board to couple mechanically with the crystal vibrator (package). - 特許庁

ＧａＰ結晶を励起する光源レーザの共振器にグレーティング及びビームエキスパンダーを配置して損傷なく線幅を狭くし、測定サンプルの透過及び反射を同時に測定する光路を有し、ＧａＰ結晶を回転することにより、偏光特性を得る。例文帳に追加

In the apparatus, a grating and a beam expander are disposed in a resonator of a laser light source for exciting a GaP crystal, thereby making a linewidth narrow without any damage, and an optical path for simultaneously measuring transmission and reflection of a measured sample is made up, and the GaP crystal is rotated in order to obtain the polarization property. - 特許庁

液晶表示装置は、共通電極３、画素電極４、走査信号線６、映像信号線５及び半導体スイッチング素子７を形成したアレイ基板１Ａと、対向基板１Ｂと、前記アレイ基板と前記対向基板との間に挟持された液晶層２とを備える。例文帳に追加

This liquid crystal display device is provided with an array substrate 1A on which a common electrode 3, pixel electrodes 4, scanning signal lines 6, video signal lines 5, and semiconductor switching elements 7 are formed, a counter substrate 1B, and a liquid crystal layer 2 held between the array substrate and the counter substrate. - 特許庁

開状態維持プレート４０１が所定温度以上になった場合には、共晶ハンダ４０３が俊敏に反応して液状となり、第１プレート４０２と第２プレート４０３とがただちに分離し、開状態維持プレート４０１による羽根部材１３０への係合がただちに解除される。例文帳に追加

In the case that the open state maintaining plat 401 becomes a prescribed temperature or higher, eutectic solder 403 quickly reacts and is turned to a liquid state, a first plate 402 and a second plate 403 are immediately separated and engagement to the blade member 130 by the open state maintaining plate 401 is immediately released. - 特許庁

６００℃以下で共晶反応を生ずる第１の電極材料とアルミニウム（Ａｌ）からなる第２の電極材料とを含有させてｐ型電極を構成する。例文帳に追加

First electrode material wherein eutectic reaction is generated at a temperature of at most 600°C and second electrode material composed of aluminum (Al) are contained, and a p-type electrode is constituted. - 特許庁

ウエハ内において選択的にかつ結晶にダメージを与えることなく半導体レーザ共振器端面にも使い得る面を出すエッチング方法を提供する。例文帳に追加

To provide an etching method which can make a surface applicable as an end surface of a semiconductor laser resonator in a wafer selectively and without giving a damage to a crystal. - 特許庁

アンテナ１１で受信している搬送波を、第１及び第２の水晶振動子１７，１８の減衰振動を利用して、それぞれの共振周波数で振幅変調して別々のタイミングで送り返す。例文帳に追加

Carrier waves received by an antenna 11 is amplitude-modulated at respective resonance frequency and are sent back at different timing. - 特許庁

アルミナ質焼結体およびその製法ならびに半導体製造装置用部材、液晶パネル製造装置用部材および誘電体共振器用部材例文帳に追加

ALUMINA SINTERED COMPACT, METHOD FOR PRODUCING THE SAME, MEMBER FOR SEMICONDUCTOR PRODUCTION APPARATUS, MEMBER FOR LIQUID-CRYSTAL PANEL PRODUCTION APPARATUS, AND MEMBER FOR DIELECTRIC RESONATOR - 特許庁

共振器端面が（１＿１００）面になっているので、端面をへき開したときに、ZnO単結晶基板１２だけでなく、その上に成長させて形成した半導体層の端面も（１＿１００）面で綺麗に割れる。例文帳に追加

Since the end surface of the resonator is (1_100) plane, not only the ZnO single crystal substrate 12 but also the end surface of the semiconductor layer grown on the ZnO single crystal substrate can beautifully be split when the end surface is cleaved. - 特許庁

半導体、水晶発振子などの切断用のソーワイヤについて、その砥粒が高い固着強度を有すると共に、その製造コストを低減することができ、かつ切断面の面精度が高められるようにすること。例文帳に追加

To increase the bonding strength of abrasive grains, reduce manufacturing cost and increase the surface accuracy of a cutting surface, in a saw wire for cutting a semiconductor, a quartz oscillator and the like. - 特許庁

半導体基板１０上に第１（２層目）のポリＳｉ膜３２を形成し、受光部上にＳｉ酸化膜２５を形成すると共に、第１の多結晶Ｓｉ膜上に酸化膜を形成する。例文帳に追加

A first (second layer) poly-Si film 32 is formed on the semiconductor substrate 10, an Si oxide film 25 is formed on the light receiving part and an oxide film is formed on the first poly-Si film. - 特許庁

前記リードフレームの一端は、導電性熱硬化性接着剤等または融点が１２０℃から２３０℃である第２の共晶ハンダを介して前記サブマウントに形成された配線に接続される。例文帳に追加

One end of the lead frame is connected with the wiring formed on the sub-mount by means of a conductive thermosetting adhesive agent or a second eutectic solder with a melting point of 120-230°C. - 特許庁

画素回路ＰIXは、画素電極５２および共通電極５４を含む液晶素子５０と、画素電極５２と反転用電位線２４との間に介在する第１制御スイッチＴC1とを含む。例文帳に追加

A pixel circuit PIX includes a liquid crystal element 50 including a pixel electrode 52 and a common electrode 54, and a first control switch TC1 interposed between the pixel electrode 52 and the reversal potential line 24. - 特許庁

ＭＨｚ〜ＧＨｚ帯における誘電正接を小さくできるアルミナ質焼結体ならびに半導体製造装置用部材、液晶パネル製造装置用部材および誘電体共振器用部材を提供する。例文帳に追加

To provide an aluminous sintered compact lowering dielectric dissipation factor in the megahertz to gigahertz bands, a member for a semiconductor production apparatus, a member for liquid-crystal-panel production apparatus, and a member for a dielectric resonator. - 特許庁

冷却速度をこの範囲内とするためには、例えば、溶湯の温度が下降して共晶点よりも低くなった時点で、成形されたシリンダスリーブＳＶを円筒状金型１６から取り出すようにすればよい。例文帳に追加

For making the cooling rate into this range, e.g. at the point of time when the molten metal temperature is lowered and reached to the lower temperature than an eutectic point, the molded cylindrical sleeve SV is preferably taken out from the cylindrical metallic mold 16. - 特許庁

前記少なくとも３つからなるリードの一端は、導電性熱硬化性接着剤等または融点が１２０℃から２３０℃である第２の共晶ハンダを介して前記サブマウントに施された配線に接続される。例文帳に追加

One ends of the at least three leads is connected with the wiring formed on the sub-mount by means of a conductive thermosetting adhesive agent or the like or a second eutectic solder with a melting point of 120-230°C. - 特許庁

図２に示す高さＨや高さｈの段差は十分に大きく確保されているので、この凸部の上に結晶成長される半導体層に付いては何れも、共振器の中央部（２つの凸部間の凹部）よりも薄く積層される。例文帳に追加

Since height H and stepped portion of height h illustrated in the figure are sufficiently acquired, any part of the semiconductor layer crystal-grown on this convex part is laminated thinner than the center (concave part between a couple of convex parts) of a resonator. - 特許庁

第１〜第３反応容器９〜１１を多段に配置すると共に、第２、第３反応容器１０、１１の底面にガス流動孔１０ｂ、１１ｂを設けることにより、多段にわたって原料ガス３が供給されるようにし、多段それぞれに配置された複数の種結晶５の表面にＳｉＣ単結晶６を成長させられるようにする。例文帳に追加

A source gas 3 is supplied in multiple stages by disposing first to third reaction vessels 9 to 11 in multiple stages and providing gas flow holes 10b, 11b in the bottoms of the second and third reaction vessels 10, 11, respectively, and an SiC single crystal 6 is grown on the surfaces of a plurality of seed crystals 5 disposed respectively in the multiple stages. - 特許庁

共晶相と、分断して塊状に成長させたα−Ａｌ相を有する組織としたＡｌ−Ｓｉ系アルミニウム合金ビレットを、セラミックス赤外線加熱源により当該Ａｌ−Ｓｉ系アルミニウム合金の共晶温度から液相線の間の温度に再加熱して前記Ａｌ−Ｓｉ系アルミニウム合金ビレットを半溶融状態した後に、所定の加圧成形を施す。例文帳に追加

The Al-Si aluminum alloy billet having a structure including an eutectic phase and an α-Al phase, which has been grown to be lumps after dividing the billet, is reheated up to a temperature between the eutectic temperature and the liquidus line of the Al-Si aluminum alloy by means of a ceramic infra-red heating source. - 特許庁

液晶の共通電位の正転及び反転を行う共通電位反転回路１において、所定の電位レベルを供給する基準電位供給手段２と、基準電位供給手段とコンデンサー７を介して接続されると共に、ハイレベル電位及びローレベル電位を供給する振幅電位供給手段とを備える。例文帳に追加

In the common potential inverting circuit 1 which performs normal rotation and inversion of common potential of liquid crystal, a standard potential supply means 2 for supplying a prescribed potential level and a vibrational potential supply means which is connected with the standard potential supply means via a capacitor 7 and which supplies high level potential and low level potential. - 特許庁

エステル交換反応によるポリエステル共重合体のランダム共重合化を起こすことなく、交互共重合ポリエステルの一次構造を維持しつつ成型材料として十分な重合度を有する結晶性で耐熱性の新規な交互共重合ポリエステルおよび該ポリエステルを製造する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a new type crystalline and heat resistance alternating copolymerization polyester having a sufficient degree of polymerization as a molding material while keeping the prime structure of alternating copolymerization without the random copolymerization of polyester copolymer by ester interchange reaction, and to provide a method of manufacturing the polyester. - 特許庁

外部共振器型レーザ装置は、第１の反射素子１０３、第１の波長の第１の光を発生する発光素子１０１、第２の波長の第２の光を発生するレーザ１３１、周期分極反転領域１１５と光導波路１１７を持つ非線形光学結晶１１３を有する。例文帳に追加

The external resonator type laser apparatus has a first reflection element 103, a light emitting element 101 for emitting a first light beam having a first wavelength, a laser 131 for emitting a second light beam having a second wavelength and the non-linear optical crystal 113 having a periodic polarization inversion region 115 and an optical waveguide 117. - 特許庁

蛍光体材料は、母体材料である第２族元素と第６族元素からなる半導体や第３族元素と第５族元素からなる半導体、アルカリ土類金属と３族と６族からなる三元系蛍光体と、遷移金属を有する固溶物質との共晶構造をなす。例文帳に追加

This phosphor material has a eutectic structure formed of: a base material that is a semiconductor composed of a Group 2 element and a Group 6 element, a semiconductor composed of a Group 3 element and a Group 5 element, or a ternary phosphor composed of an alkaline earth metal, a Group 3 element and a Group 6 element; and a solid solution material including a transition metal. - 特許庁

銀品位の分析では試金石は役に立たないが、銀座の銀見役、両替商など熟練者は、表面の錆色、割れ目などに見られる共晶組織から品位を判断したという。例文帳に追加

The quartz was not useful in the analysis of karat of silver, but those who were well versed in it such as appraiser of silver and money changer determined the karat by eutectic composition that was seen in rust on the surface and crack.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

レーザー光発生装置において、窒化ガリウムを含む半導体レーザー１によって得られる第一の波長をもった出力光が、非線形光学結晶１５を用いた外部共振器１０に導入されるように構成する。例文帳に追加

The laser light generating device is so constituted that output light having 1st wavelength obtained by a semiconductor laser 1 containing gallium nitride is introduced into an external resonator 10 using nonlinear optical crystal 15. - 特許庁

回折格子としてフォトニック結晶構造を含む窒化物半導体レーザで、好適なΓ_ｗｅｌｌ、Γ_ｐｃを提供すると共にＡｌＧａＮ内の内部応力を低減する。例文帳に追加

To provide a nitride semiconductor laser having a photonic crystal structure as a diffraction grating, which presents suitable Γ_well and Γ_pc and reduces internal stress within AlGaN. - 特許庁

表面に中性欠陥または負に荷電した欠陥を有すると共に、励起状態の電子の波動関数の密度が表面で増大する大きさを有する半導体ナノ結晶を記録材料として用いる。例文帳に追加

A semiconductor nanocrystal having neutral defects or negatively-charged defects on a surface, and such a size that wave function density of excited electrons is increased at the surface is used as a recording material. - 特許庁

この方法によりレーザ結晶部にダメージを与えることなく極めて平坦性が高く反射ロスのほとんど無い共振器面が実現でき、かつ再現性が高く高歩留まりな作製が可能となる。例文帳に追加

In this manner, the surface of the resonator where flatness is extremely high and a reflection loss rarely exists is achieved, thus achieving manufacture with high reproducibility and yields. - 特許庁

画素電極１９０と共通電極１３０，１７０との間の電圧差により、液晶層２００に形成される電界を、透過領域ＴＡよりも反射領域ＲＡで小さくする。例文帳に追加

An electric field formed in the liquid crystal layer 200 is made smaller in the reflective region RA than in the transmissive region TA by a voltage difference between the pixel electrode 190 and the common electrodes 130, 170. - 特許庁

「スーパーエレメント」を用いて共振する結晶板の電気インピーダンスおよび動キャパシタンスを計算するまたは予測するための技術は、この特性の実質的により正確な判定を可能にする。例文帳に追加

A technology for calculating or estimating electrical impedance and motional capacitance of the crystal plate which resonates with the "super element" enables substantially more precise determination of this property. - 特許庁

本発明は、六方晶から成る窒化物半導体を用いたレーザチップ１の光を出射する側である第１共振器端面Ａに、−ｃ面を用いる。例文帳に追加

A -c surface is used as a first resonator end surface A on a side where light of a laser chip 1 is emitted using a nitride semiconductor made of hexagonal crystal. - 特許庁