「共晶はんだ」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

結晶種の流動床１ａが形成された反応晶析槽１内にリン含有水を導入して、リン含有水中のリンと前記結晶種とを接触させて、リン含有水中のリンをリン酸カルシウム化合物として分離する晶析脱リン方法であって、前記反応晶析槽１内で循環流を形成することにより、前記結晶種と共にリン含有水を前記反応晶析槽１内で循環させることを特徴とする晶析脱リン方法。例文帳に追加

In a crystallization dephosphorization method in which phosphorus-containing water is introduced into a reaction crystallization tank 1 with a fluidized bed 1a of crystal seeds and phosphorus in the phosphorus- containing water is brought into contact with the crystal seeds and separated as a calcium phosphate compound, circulating flows are formed in the crystallization tank 1 to circulate the phosphorus-containing water together with the crystal seeds in the crystallization tank 1. - 特許庁

光散乱型液晶を用いた反射型液晶表示装置において、白表示時における前方散乱光の利用効率を上げて明度の向上を図ると共に、視差の問題による画質劣化や、コントラストの低下を防止できる反射型液晶表示装置を提供する。例文帳に追加

To provide a reflective liquid crystal display device which promotes the use efficiency of front scattered light in white display and improves brightness, and prevents the degradation of the quality of an image and lowering in contrast due to a problem of an azimuth difference in the reflective liquid crystal display device by utilizing a light scattering type liquid crystal. - 特許庁

基板のはんだ面に電子部品を搭載する場合に、電子部品を搭載するに適したＡｕ−Ｓｎ共晶合金からなる平滑化されたはんだ面を安価に提供する。例文帳に追加

To inexpensively provide a smoothed solder face constituted of Au-Sn eutectic alloy, suitable for packaging an electronic component when packaging the electronic component on the solder face of a substrate. - 特許庁

Sn−1Ag−57Bi共晶の低融点はんだは融点が低いため特に高温での接合部界面の強度、組織の安定性に欠け大気中でのフローでははんだ浴中のドロス量が多い。例文帳に追加

To provide solder which is hardly changed in its structure in spite of long- time use at a high temperature and is capable of assuring joint boundary strength and is hardly oxidizable in spite of long-time use in flow soldering in the atmosphere. - 特許庁

ピン４６及びチップ部品５６を、ＩＣ接合用端子１１に形成された錫鉛共晶ハンダからなるハンダバンプ１２より高融点のハンダ４３でハンダ付けした。例文帳に追加

The resin wiring board is adapted such that a pin 46 and a chip component 56 are soldered using a solder 43 having a melting point higher than a solder bump 12 composed of a tin-lead eutectic solder formed on an IC connection terminal 11. - 特許庁

バンプと同じ共晶はんだからなるクリームはんだによる接合では、特に修理等による個別接合では、接合の信頼性が充分でなく、かつ熱によりＩＣ部品の性能を損うこともある。例文帳に追加

To solve a problem that the reliability of joining is insufficient and the performance of an IC parts can be impaired due to heat when the joining is performed, for individual joining like repairing work or the like in particular, with cream solder which is made of eutectic solder whose material is the same as that of a bump. - 特許庁

液晶封止領域の封止が確実であると共に液晶と反応することがない封止構造を有する電気光学装置を提供することを課題とする。例文帳に追加

To provide an electrooptical device with an end-sealing structure which securely end-seals a liquid crystal end-sealing region and which does not react with a liquid crystal. - 特許庁

映像信号及び液晶の共通電極を正転、反転することにより、液晶の駆動を行う場合に映像信号が印加される増幅器のダイナミックレンジを広く確保する。例文帳に追加

To widely secure dynamic ranges of amplifiers to which a video signal is to be impressed in the case of driving liquid crystal by forward turning and reversing the video signal and the common electrode of the liquid crystal. - 特許庁

単結晶シリコンのような結晶半導体を用いる場合であっても、薄型化と軽量化を図ると共に可撓性を有する光電変換装置を提供することを課題とする。例文帳に追加

To provide a photoelectric conversion device which is reduced in thickness and weight and has flexibility even when using a crystalline semiconductor such as single-crystal silicon. - 特許庁

エステル交換反応によるポリエステル共重合体のランダム共重合化を起こすことなく、交互共重合ポリエステルの一次構造を維持しつつ成型材料として十分な重合度を有する結晶性で耐熱性の交互共重合ポリエステルを製造する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for producing a crystalline heat-resistant alternating copolyester retaining the primary structure of an alternating copolyester because of the freedom from its random copolymerization otherwise caused by transesterification and having a degree of polymerization high enough to serve as a molding material. - 特許庁

半導体結晶基板１５の一面をフッ化物を含有する電解液１２に接触させ、該フッ化物を含有する電解液内に電極２５を配置し、該電極と結晶基板との間に通電すると共に結晶基板に光源３１より光１８を照射してホールと電子の対を発生する。例文帳に追加

The surface of a semiconductor crystal substrate 15 is brought into contact with a fluoride-containing electrolytic solution, an electrode 25 is arranged in the electrolytic solution, a voltage is applied between the electrode 25 and the crystal substrate 15, and the crystal substrate 15 is irradiated with light 18 radiating from a light source 31 to generate electron-hole pairs. - 特許庁

はんだ階層は、第１レベルのＣ４はんだ相互接続のために、高い液相線温度を有するＳｎ／ＡｇおよびＳｎ／Ｃｕの非共晶はんだ合金を使用し、第２レベルの相互接続のために、低い液相線温度を有する合金を使用する。例文帳に追加

The solder hierarchy is used to Sn/Ag and Sn/Cu non-eutectic solder alloy having high liquidus temperature for mutually joining of the solder with the C4 technique at the first level and used to an alloy having low liquidus temperature for mutually joining the second level. - 特許庁

半導体素子が搭載されるサブマウント１において、サブマウント基板２の表面に形成され、半導体素子を接合する半田層４を含み、半田層４は、その構成元素の共晶組成ではない組成である。例文帳に追加

The sub-mount 1 on which a semiconductor element is mounted includes a solder layer 4 formed on the surface of a sub-mount substrate 2 and joining the semiconductor element, and the solder layer 4 has a composition which is not an eutectic composition of the constituent element. - 特許庁

リベット状半田棒２は、融点のより高い共晶半田２ａでより形状の小さい心材２ｃを形成し、この心材２ｃの外側に融点のより低い通常半田２ｅを付け最終形状とされる。例文帳に追加

This BGA package is equipped with a rivet-type solder bar 2 which is composed of a smaller core 2c formed of eutectic solder 2a of higher melting point and a normal solder 2e which has a lower melting point and is attached to the outer side of the core 2c. - 特許庁

第１反射鏡５と第２反射鏡１４によるレーザ共振器内に利得媒質としてＮｄ：ＹＡＰ結晶６、Ｙｂ：ＹＡＧ結晶７とを配置し半導体レーザ１で励起して波長９３０ｎｍ、及び波長１０３０ｎｍのレーザ発振を得る。例文帳に追加

An Nd:YAP crystal 6 and Yb:YAG crystal 7 are arranged in a laser resonator as a gain medium by using a first reflecting mirror 5 and a second reflecting mirror 14, which are excited by a semiconductor laser 1 to obtain laser oscillation with wavelengths of 930 nm and 1,030 nm. - 特許庁

Ｐｂの含有量を１．０重量％以下に留めながら、液相線温度がＳｎ−Ｐｂ共晶系はんだ合金に近い１７０〜２０５℃程度とでき、さらに従来の無鉛はんだよりも強度あるいは耐酸化性が改善されたはんだ合金を提供する。例文帳に追加

To provide solder in which liquidus temperature can be controlled to about 70 to 205°C as the content of Pb is suppressed to ≤1.0 wt.%, and further, strength or oxidation resistance is improved more than that of the conventional lead-free solder. - 特許庁

共通の取付カバー２に取付仕様が異なる第１，第２又は第３の液晶表示パネル１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃを固定でき、異なる液晶表示パネルの何れにおいても取付カバー２に固定できるので、汎用性に優れると共に、部品点数を少なくすることができるので、部品管理を容易に行うことができると共にコスト的にも優れる。例文帳に追加

The 1st, 2nd, and 3rd liquid crystal display panels 10A, 10B, or 10C which has different fitting specifications can be fixed to the common fitting cover 2 and any of the different liquid crystal display panel can be fixed to the fitting cover 2, so that superior versatility is obtained and the number of components can be reduced, thereby facilitating component management and obtaining superior cost performance. - 特許庁

熱電半導体結晶の略中央部を基板により保持すると共に、熱電半導体結晶の両端面に電極を接続した構造を有する熱電モジュールにおいて、電極のハンダ付け不良による機械的強度の低下を防止する。例文帳に追加

To prevent a reduction of a mechanical strength caused from a soldering defect of an electrode in a thermoelectric module having a structure that a nearly center portion of a thermoelectric semiconductor crystal is held by a substrate and electrodes are connected on both sides of the thermoelectric semiconductor crystal. - 特許庁

半導体レーザダイオード１０は、ZnO単結晶基板１２を用いており、Inを含む窒化物半導体で構成された活性層１５を有し、ZnO単結晶基板１２の基板面上にレーザ素子構造に積層して形成された半導体層を備え、共振器端面が（１＿１００）になっている。例文帳に追加

The semiconductor laser diode 10 employing a ZnO single crystal substrate 12 has an active layer 15 constituted of a nitride semiconductor containing In, and a semiconductor layer formed by being laminated in a laser element structure on the substrate surface of the ZnO single crystal substrate 12, and the end surface of a resonator is (1_100). - 特許庁

第１の反射鏡５と第３の反射鏡７の間が、Ｎｄ：ＹＡＧ結晶８の波長９４６ｎｍの誘導放出遷移を利用したレーザ共振器となっている。例文帳に追加

A portion between a first reflection mirror 5 and a third reflection mirror 7 serves as a laser resonator using the induced emission transition of a wavelength of 946 nm of the Nd:YAG crystal 8. - 特許庁

また、第２の反射鏡６と第３の反射鏡７の間が、Ｎｄ：ＹＶＯ_４結晶９の波長１０６４ｎｍの誘導放出遷移を利用したレーザ共振器となっている。例文帳に追加

A portion between a second reflection mirror 6 and the third reflection mirror 7 serves as a laser resonator using induced the emission transition of a wavelength of 1,064 nm of the Nd:YVO_4 crystal 9. - 特許庁

この鉛フリーはんだは、約９９．０ｗｔのＳｎと、０．３〜０．４ｗｔ％のＡｇと、０．６〜０．７ｗｔ％のＣｕとで基本的に構成された四元の組成物を含み、約２１７〜２２７℃の非共晶溶解温度を有する。例文帳に追加

The lead-free solder includes basically four elements and is composed of approximately 99.0 wt.% Sn, 0.3-0.4 wt.% Ag, 0.6-0.7 wt.% Cu, and has a non-eutectic melting temperature of about 217-227°C. - 特許庁

Ｐｂ等の有害物質を含まず、Ｐｂ−Ｓｎ共晶半田の融解温度と近い融解温度を有する無鉛半田合金およびこの無鉛半田合金を用いて電子部品が実装された回路基板、この無鉛半田合金を用いて半田付けされた管球を提供する。例文帳に追加

To provide a leadless solder alloy having a melting temperature close to the melting temperature of Pb-Sn eutectic solder without containing a hazardous substance such as Pb, etc., a circuit board mounted with an electronic component by means of the leadless solder alloy, and a tubular bulb soldered thereby. - 特許庁

また、例えば指定されたクリーム半田が半田容器５４の色が白色の鉛入り共晶半田で、判別された半田容器の色が緑色である場合には、不一致であるので、判定結果表示部６６Ｄに「エラー」の旨を表示させる。例文帳に追加

In the case where the specified solder paste is lead-containing eutectic solder for which the color of the solder vessel 54 is white and the discriminated color of the solder vessel is green, for instance, this shows disagreement and therefore a discrimination result display part 66D is made to display an "error". - 特許庁

駆動回路は、液晶素子５０に対する電圧ＶAの印加後に共通電位LCCOMが変動する反転期間Ｗにて第１制御スイッチＴC1をオン状態に制御し、液晶素子５０に対する電圧ＶB（ＶB＜ＶA）の印加後に共通電位LCCOMが変動する反転期間Ｗにて第１制御スイッチＴC1をオフ状態に制御する。例文帳に追加

A driving circuit controls the first control switch TC1 to an ON state during a reversal period W where the common potential LCCOM is varied after application of a voltage VA to the liquid crystal element 50, and the first control switch TC1 to an OFF state during a reversal period W where the common potential LCCOM is varied after application of a voltage VB (VB<VA) to the liquid crystal element 50. - 特許庁

さらに、片方の電極２にリード線３を９０Ｐｂ−１０Ｓｎはんだではんだ付けし、次にもう片方のリード線３のはんだ付けされる部分の一部にアルミナチューブ５を被せもう片方の電極２にリード線３がアルミナチューブ５の厚さ分だけ浮いた状態でＰｂ−Ｓｎ共晶はんだ６にてはんだ付けを行った。例文帳に追加

Then a lead wire 3 is soldered to one electrode 2 with 90Pb-10Sn solder and another lead wire 3 is soldered to the other electrode 2 with Pb-Sn eutectic solder 6, in a state where the lead wire 3 is caused to float by the thickness of an alumina tube 5 by putting the tube 5 on part of the soldered portion of the wire 3. - 特許庁

酸中に、酸で脱保護されうるＮ−保護アミノ化合物を添加し脱保護反応を行うと共に、生成する脱保護されたアミノ化合物と酸との塩を晶析することを特徴とする、アミノ化合物と酸との塩の結晶の製造方法。例文帳に追加

This method for producing the crystal of salt of the amino compound with the acid is characterized by performing de-blocking reaction of the N-blocked amino compound capable of being de-blocked with the acid by adding the amino compound into the acid, and also crystallizing the salt of the de-blocked amino compound with the acid. - 特許庁

主面の法線方向が、結晶方位［１ ０ ０］方向に対して、結晶方位［１ １ １］Ａ方向に向かって１５度傾斜している基板上に、活性層を含む共振器構造体及び該共振器構造体を挟んで設けられた下部半導体ＤＢＲ及び上部半導体ＤＢＲを含む複数の半導体層が積層されている。例文帳に追加

On a substrate whose normal direction of a principal surface is inclined by 15° toward a crystal orientation [111]A direction with respect to a crystal orientation [100] direction, a plurality of semiconductor layers including a resonator structural body including an active layer, and a lower semiconductor DBR and an upper semiconductor DBR sandwiching the resonator structural body are stacked. - 特許庁

半導体レーザー素子の構造を、基板主面に対して傾斜した結晶面に沿って延長される活性層を第１導電型半導体層と第２導電型半導体層で挟む構造とさせ、前記結晶面に略垂直な端面を共振面とさせると共に発光する領域が前記活性層の傾斜した面内における一部領域とさせる。例文帳に追加

In the structure of the semiconductor laser element, an active layer extending along a crystal surface tilted against a principal surface of a substrate is supported between a first conductive semiconductor layer and a second conductive semiconductor layer, and an end surface almost vertical to the crystal surface is made a resonant surface and an emitting area is made a part of an area in a tilted surface of the active layer. - 特許庁

活性層及びその一方の側に設けた２次元フォトニック結晶を有する面発光レーザにおいて、２次元フォトニック結晶の周囲の少なくとも一部に、２次元フォトニック結晶内に形成される内部共振光の基本モードの振幅の包絡線が極大値を持つ位置において反射率が極大値を持つ反射率分布を有する反射部４５又は４６を設ける。例文帳に追加

The face emitting laser includes an active layer and a two-dimensional photonic crystal formed on its one side. - 特許庁

反射領域では、反射画素電極１１５と反射共通電極１１９との間の電位差により、液晶を縦方向電界モードで駆動する。例文帳に追加

In the reflective area, liquid crystal is driven in a longitudinal electric field mode with the potential difference between a reflective pixel electrode 115 and a reflective common electrode 119. - 特許庁

このため、半導体素子を搭載する接合工程において、従来の共晶組成の半田よりも幅の広い温度範囲で接合でき、かつ、より低い温度での接合ができる。例文帳に追加

Therefore, in a joining process for mounting a semiconductor element, junction can be performed within a temperature range wider than that of a solder having conventional eutectic composition and at a lower temperature. - 特許庁

本発明は、第１または第２の２ドット反転方式の極性配列を有する多数の画素を含み、水平方向に延長されて、共通電圧の供給を受ける多数の共通配線を有する液晶パネルと；前記液晶パネルの共通電圧が一定なレベルを脱した場合、前記第１及び第２の２ドット反転方式のうちから一つを他の一つに転換する駆動回路部を含むことを特徴とする液晶表示装置を提供する。例文帳に追加

There is provided the liquid crystal display device including a liquid crystal panel which includes a number of pixels having polarity array of first and second two-dot inversion system and has a number of common wiring lines which are horizontally extended to receive the supply of a common voltage, and includes a driving circuit section for converting one of first and second dot inversion systems to another one. - 特許庁

ガラス基板31とＡプレート層32との間のフレネル反射、および、Ａプレート層32と共通電極34との間のフレネル反射を低減して液晶層６の視角特性を補償し、コントラスト特性の低下を防止できる。例文帳に追加

Fresnel reflection between the glass substrate 31 and the A plate layer 32 and Fresnel reflection between the A plate layer 32 and the common electrode 34 are reduced to compensate visual angle characteristics of a liquid crystal layer 6 and thus reduction of the contrast characteristics can be prevented. - 特許庁

従来のＳｎ−３７Ｐｂ共晶はんだのリフロー熱処理条件よりも低温条件（ピーク温度１４０℃以上）で溶融接合できる高耐熱性の導電性フィラーを提供する。例文帳に追加

To provide a highly heat-resistant conductive filler to be melted and soldered under the low-temperature condition (the peak temperature being ≥140°C) lower than the reflow heat treatment condition of a conventional Sn-37Pb eutectic solder. - 特許庁

Ｓｎ−３７Ｐｂ共晶はんだのリフロー熱処理条件よりも低い温度で溶融接合でき、接合後は耐熱性に優れ、かつ室温で良好な接合強度を与える金属フィラーの提供。例文帳に追加

To provide a filler metal which can be melt-joined at a temperature lower than that in the reflow heat treatment conditions of Sn-37Pb eutectic solder, has excellent heat resistance after joining, and also imparts satisfactory joining strength at room temperature. - 特許庁

Ｓｎ−３７Ｐｂ共晶はんだのリフロー熱処理条件よりも低温条件（ピーク温度１４９℃以上）で溶融接合できる高耐熱性の導電性フィラーを提供する。例文帳に追加

To provide a highly heat resistant, electrically conductive filler which can be melted and joined under a temperature condition (peak temperature of ≥149°C) lower than the reflow heat treatment condition of Sn-37Pb eutectic solder. - 特許庁

また、このサブマウント２に対して半導体発光素子１を、両者の接着面内でＡｕＳｎ共晶点半田７を複数に分割して、ジャンクションダウン構造で分割接着する。例文帳に追加

The semiconductor light emitting element 1 is bonded to the subsmount 2 with the junction down by dividing an AuSn eutectic point solder 7 into a plurality of parts in the bonding face. - 特許庁

Sn−Ag−Bi共晶系はんだにNiを微量添加し、高温で長時間使用した場合の接合界面の強度を確保し、組織の高温での安定性を確保する。例文帳に追加

The strength at the joint boundary is assured in the case of the long- time use at the high temperature and the stability of the structure at the high temperature is assured by slightly adding Ni to Sn-Ag-Bi eutectic system solder. - 特許庁

（１）一方の配線基板の接続端子上に、プラスチック粒子の表面に導電金属層と共晶はんだメッキ層とを形成してなる接続粒子を吸着転写方式のボ−ルマウンタを用いて搭載する。例文帳に追加

In the process (1), a connection particle where conductive metal and eutectic solder-plated layers are formed on the surface of a plastic particle is mounted on the connection terminal of one wiring board by a suction-transfer-system ball mounter. - 特許庁

パッケージ基板３０４とモジュール基板３０１の電極間の接続方法は半田による共晶接続とし、簡単には他の面実装部品と同時に半田リフロー工程での実装である。例文帳に追加

The inter-electrode connecting method of the package board 304 and the module board 301 is an eutectic connection method by soldering, that is, the package substrate is mounted by a solder reflow process simultaneously with the other face mounted components. - 特許庁

従来のＳｎ—３７Ｐｂ共晶はんだのリフロー熱処理条件よりも低温条件（ピーク温度１４０℃以上）で溶融接合できる高耐熱性の導電性フィラーを提供する。例文帳に追加

To provide a highly heat resistant conductive filler by which fusion joining under lower temperature conditions (peak temperature ≥140°C) than reflow heat treatment conditions of the conventional Sn-37Pb eutectic solder is possible. - 特許庁

Ｓｎ−Ｚｎ系はんだ合金粉末中のＺｎが入率が、共晶組成より少ないＺｎ含有率とし、具体的には９２−９９ｗｔ％のＳｎ含有率、１−８ｗｔ％のＺｎ含有率とする。例文帳に追加

The ratio of Zn in the Sn-Zn based solder alloy powder to be incorporated is controlled to the content lower than that in an eutectic composition, and, concretely, the content of Sn is controlled to 92 to 99 wt.%, and the content of Zn is controlled to 1 to 8 wt.%. - 特許庁

透明電極２と別の電極２との間に、透明電極２と別の電極２間に与えた電界に反応した選択反射の変化を示すと共にメモリ性を有する液晶が封入されたマイクロカプセルの複数個を含んで構成される液晶層１０を形成する。例文帳に追加

A liquid crystal layer 10 constituted by including a plurality of microcapsules which indicate the change in the selective reflection reacting with the electric field applied between transparent electrodes 2 and another electrodes 2 and is sealed with the liquid crystal having the memory characteristic is formed between the transparent electrodes 2 and another electrodes 2. - 特許庁

共晶反応を起こす少なくとも３つの元素に、この少なくとも３つの元素からなる合金においてナノメートル・オーダのスケールでのナノ結晶化を誘発する元素を、その組成比率が０．０１〜２０原子％となる範囲で添加する。例文帳に追加

To at least three elements which are brought into eutectic reaction, an element inducing nanocrystallization on a scale of a nanometer order in the alloy composed of at least three elements is added in a range where the compositional percentage thereof reaches 0.01 to 20 atomic%. - 特許庁