「共晶はんだ」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

第１はんだ付け工程では、共晶組成を有しない３元系以上の合金はんだを用いて、基板１２上に電子部品１６が実装される。例文帳に追加

In the first soldering step, an electronic component 16 is mounted on a substrate 12 by using ternary or higher alloy solder having no eutectic composition. - 特許庁

反射電極は、液晶層及び共通電極とともに第２のキャパシタ装置を構成する。例文帳に追加

The reflection electrode constructs a second capacitor unit along with the liquid crystal layer and the common electrode. - 特許庁

多結晶材料の試料の結晶方位を形成するデータから結晶組織を解析する方法は、各結晶の結晶構造に固定された共通の座標系に対して、各結晶について試料における第１の方向の方位を判断する段階を含む。例文帳に追加

The method for analyzing the crystal structure from data which forms the crystal orientation of a polycrystal material sample includes a stage for determining the orientation of a first direction in the sample in each crystal in a common coordinate system fixed to the crystal structure of each crystal. - 特許庁

はんだ接合は、接合すべき第１の部材６０の一面に、共晶混合物５０を付着し、および接合すべき第２の部材３０の一面に、同じ金属の非共晶混合物２０を付着することによって、形成される。例文帳に追加

The soldered joint is formed by sticking a eutectic mixture 50 to one surface of a first member 60 to be joined, and a non-eutectic mixture 20 of the same metal to one surface of a second member 30 to be joined. - 特許庁

二種の粉末の炭化珪素を焼結して結晶粒の大きさを０．０１０から０．０３０ｍｍの範囲の結晶組織に形成すると共に、この結晶粒界の間に沿って黒鉛結晶層を形成するものある。例文帳に追加

Two kinds of silicon carbide powder are sintered to form crystal organization having crystal grain size in a range of 0.010 to 0.030 mm and further a graphite crystal layer is formed along the crystal grain boundary. - 特許庁

このスペーサ層１５は、Ｎｉ（ニッケル）から構成されているとともに、半田層１４は、共晶系はんだ材であるＡｕＳｎから構成されている。例文帳に追加

The spacer layer 15 is constituted of Ni (nickel) and the solder layer 14 is constituted of AuSn which is a eutectic-based solder material. - 特許庁

Ｓｎ−３７Ｐｂ共晶はんだの実装温度（リフロー熱処理温度）よりも低温条件（ピーク温度１５０℃以上）で溶融接合でき、実装後は、Ｓｎ−３７Ｐｂ共晶はんだと同等の温度条件でリペア可能な鉛フリーはんだ材料を提供する。例文帳に追加

To provide a lead-free solder material which can be melted and joined at lower temperature conditions (peak temperature:≥150°C) than the mounting temperature (reflow heat treatment temperature)of Sn-37Pb eutectic solder, and can be repaired under the temperature conditions same as those of Sn-37Pb eutectic solder after the mounting. - 特許庁

反射型液晶表示素子５０は、透光性を有する共通電極２１６と、該共通電極を透過した光を反射する複数の反射電極２１４が形成された半導体基板２１１と、共通電極および半導体基板の間に配置された液晶層２１７とを有する。例文帳に追加

A reflection type liquid crystal display element 50 has: a common electrode 216 having translucency; a semiconductor substrate 211 on which a plurality of reflection electrodes 214 reflecting light transmitted through the common electrode are formed; and a liquid crystal layer 217 arranged between the common electrode and the semiconductor substrate. - 特許庁

ドットマトリクス液晶表示手段を設ける電気炊飯器において、ドットマトリクス液晶表示手段の取付構造を工夫し、セグメント液晶表示手段との共用化を図ることができるようにする。例文帳に追加

To contrive the attaching structure of a dot matrix liquid crystal display means and to use it together with a segment liquid crystal display means in an electric rice cooker provided with the dot matrix liquid crystal display means. - 特許庁

錫ベースの鉛フリー半田および錫鉛ベース半田に於ける鉄、ニッケル等の銅共晶体による除去精錬例文帳に追加

REFINING FOR REMOVING IRON, NICKEL, ETC., IN TIN-BASE LEAD-FREE SOLDER AND TIN-LEAD BASE SOLDER BY FORMING COPPER EUTECTIC BODY - 特許庁

ここで、「整合積層」とは、第１半導体と第２半導体が共にその結晶構造が乱れることなく積層していることを意味する。例文帳に追加

Here, "aligned lamination" means that the first semiconductor and the second semiconductor are laminated without disturbance in crystal structure of both first and second semiconductors. - 特許庁

Ｓｎ−Ｐｂ共晶はんだの代替Ｐｂフリー低融点ろう材層を具備する電子部品を提供する。例文帳に追加

To provide an electronic component having a Pb-free low melting point brazing metal layer used in place of Sn-Pb eutectic solder. - 特許庁

重縮合されたポリエステル共重合体共をペレットに切断し、水流により搬送した後、前記共重合体の表面を結晶化することを特徴とするポリエステル共重合体の製造方法。例文帳に追加

The method for producing the polyester copolymer comprises cutting a polycondensate polyester copolymer into pellets, carrying with water flow and then crystallizing the surface of the copolymer. - 特許庁

無鉛はんだ合金であるＳｎ−Ｂｉ共晶はんだと同等レベルのはんだ付け性および機械的強度を有しながら、安価でかつ延性を改善した高信頼性のＳｎ−Ｂｉ２元系無鉛はんだ合金を提供する。例文帳に追加

To provide a highly reliable binary Sn-Bi leadless solder alloy having soldability and mechnical strength on the same level as a Sn-Bi eutectic solder being a leadless solder alloy and yet of low price and improved ductility. - 特許庁

共晶温度が１８３℃近傍であって、濡れ性や化学的な安定性に優れ、然も高い接合強度を得ることが出来る無鉛はんだを提供する。例文帳に追加

To provide lead-free solder in which eutectic temperature is about 183°C, wettability and chemical stability are excellent, and further, high joining strength can be obtained. - 特許庁

金属とポリマとからなり、Sn−Pb系の共晶はんだに比べて融点が低い鉛フリー型コンポジット組成物を提供する。例文帳に追加

To provide a lead-free composite composition which comprises metal and a polymer and has a melting point lower than that of an Sn-Pb based eutectic solder. - 特許庁

これにより、例えば従来のＳｎ−Ｐｂ共晶系はんだと同様の接合処理温度が採用できるようになる。例文帳に追加

In this way, the joining treatment temperature similar to that in the conventional Sn-Pb eutectic solder can be adopted. - 特許庁

高い結晶性を有する結晶性半導体薄膜の指標を明確化すると共に、このような結晶性半導体薄膜を均一性良く再現するため、的確なレーザー光の照射エネルギー強度を決定することが可能な、結晶性半導体薄膜の製造方法を提供することを課題とする。例文帳に追加

To provide a method of forming a crystalline semiconductor thin film with which irradiating energy intensity of a laser beam that is appropriate for reproducibly forming such a crystalline semiconductor thin film with good uniformity can be determined by clarifying the criteria for a crystalline semiconductor thin film of high crystallinity. - 特許庁

前記支持リード線は、フリップチップ型発光ダイオードの電極との間に共晶ハンダが付けられ、加熱されて接続される。例文帳に追加

The pair of support lead wires is connected by soldering eutectic solder between the electrodes of the flip-chip type light-emitting diode for heating. - 特許庁

基板１に半導体チップ２がフリップチップ実装され、その近傍にチップ状電気部品７が共晶ハンダ６で固定されている。例文帳に追加

A semiconductor chip 2 is mounted on a board 1 in a flip chip mounting manner, and a chip-like electric part 7 is fixed near the chip 2 with eutectic solder 6. - 特許庁

取り出された型枠４内の棒状半導体結晶１をその周囲の氷11と共にその長手方向と直交する方向に切断する。例文帳に追加

The rod- shaped semiconductor crystal 1 in the frame 4 taken out is cut in the direction perpendicular to the longitudinal direction with its periphery ice 11. - 特許庁

本発明の液晶ディスプレイパネル２は、第一基板、第二基板、共通電極ドライバー回路２５及び反転増幅回路２６を有する。例文帳に追加

The liquid crystal display panel 2 includes a first substrate, a second substrate, a common electrode driving circuit 25 and a reverse gain circuit 26. - 特許庁

アルミナ質焼結体ならびに半導体製造装置用部材、液晶パネル製造装置用部材および誘電体共振器用部材例文帳に追加

ALUMINA SINTERED COMPACT, MEMBER FOR SEMICONDUCTOR PRODUCTION APPARATUS, MEMBER FOR LIQUID-CRYSTAL-PANEL PRODUCTION APPARATUS, AND MEMBER FOR DIELECTRIC RESONATOR - 特許庁

多段の最終段以外において、炭素数１〜３のアルコールを共存させて反応晶析を行う。例文帳に追加

The reactive crystallization at the steps except the final step in the multistep crystallization is carried out in the coexistence of a 1-3C alcohol. - 特許庁

前記フリップチップ型発光ダイオードの一対の電極と、前記サブマウントの一対の配線とは、共晶ハンダを介して接続される。例文帳に追加

A pair of electrodes in the flip-chip type light-emitting diode and a pair of wires in the submount are connected via eutectic solder. - 特許庁

錫−鉛系共晶はんだ及び無鉛はんだに対して、良好な耐熱性及びはんだ付け性を示す水溶性の銅及び銅合金の表面処理剤及び表面処理方法を提供する。例文帳に追加

To provide a water soluble surface treating agent and a surface treating method for copper and copper alloys exhibiting good heat resistance and solderability to tin-lead based eutectic solder and lead-free solder. - 特許庁

はんだ層１２ａを形成するはんだ層形成工程では、はんだ層１２ａとして、共晶温度の組成比とは異なり且つＬＥＤチップ１の耐熱温度以下で溶融する組成比のＡｕＳｎ層を形成する。例文帳に追加

In the solder layer forming step of forming the solder layer 12a, an AuSn layer having a composition ratio which is different from the composition ratio of the eutectic temperature and allowing fusion, at a temperature which is not higher than the heat resistance temperature of the LED chip 1 is formed as the solder layer 12a. - 特許庁

これらＧｅの共晶組成付近において、不純物含有量を上記範囲に抑制することによって、合金球の真球度が向上し、Ａｕ初晶及びデンドライトの発達が抑制され、均一一様で微細な共晶組織からなるＡｕＧｅ合金球が得られる。例文帳に追加

In the vicinity of the eutectic composition of Ge, by suppressing the content of the impurities to the above range, the sphericity of the alloy ball is improved, and the development of Au primary crystals and dendrite is suppressed, thus the Au-Ge alloy ball composed of a uniform and even fine eutectic structure can be obtained. - 特許庁

プリント配線板１を搬送するワーク搬送部２００と、ハンダ槽部１００を上下するエレベータ部３００と、共晶ハンダ槽や鉛フリーハンダ槽等を交換可能に構成したハンダ槽搬送部４００とを設ける。例文帳に追加

It is also provided with a work conveyor 200 to convey a printed wiring board 1, an elevator 300 to elevate a solder tank 100, and a solder tank conveyor 400 wherein an eutectic solder tank or a lead-free solder or the like can be changed. - 特許庁

反射部における第２の基板３０と共通電極３４との間には、反射部と透過部の液晶４の層厚を調整する液晶層厚調整層３３が形成されている。例文帳に追加

In the reflective portion, a liquid crystal layer thickness adjusting layer 33 to adjust layer thickness of the liquid crystal 4 of the reflective portion and the transmissive portion is formed between the second substrate 30 and the common electrode 34. - 特許庁

［１］（Ａ）５量体以下の成分の重量基準の含有率が、液晶ポリマーに対して５００ｐｐｍ以下である液晶ポリマーと、（Ｂ）該液晶ポリマーに対し反応性を有する官能基を有する共重合体とを含有してなることを特徴とする液晶ポリマー樹脂組成物。例文帳に追加

This liquid crystalline polymer resin composition is characterized by containing (A) a liquid crystalline polymer having ≤500 ppm content of a component having ≤5-mers based on the liquid crystalline polymer in weight basis, and (B) a copolymer having a functional group having a reactivity with the liquid crystalline polymer. - 特許庁

本発明に係る液晶表示装置は、第１の基板１と、第１の基板１と共に液晶層を挟持する第２の基板２と、第２の基板２の一方の主面に実装された半導体回路３とを備える。例文帳に追加

The liquid crystal display device is equipped with a first substrate 1, a second substrate 2 for holding a liquid crystal layer together with the first substrate 1, and a semiconductor circuit 3 mounted on one of the principal surfaces of the second substrate 2. - 特許庁

液晶パネルの切断線の分断にともない、分断縁に欠損が発生しないようにすると共に、液晶パネルの搬送路に耳落しや、端子部形成による分断材、ガラスの小塊が残らないようにする。例文帳に追加

To avoid the occurrence of a defect at a divided edge and to prevent divided material and a small piece of glass due to edge removal and terminal part formation from being left behind in a conveying path for a liquid crystal panel involved in dividing a a liquid crystal panel along its cutting-plane line. - 特許庁

本発明は、実質的な質量比でＡｕを８０％含有する高価なＡｕＳｎ共晶合金を代替する接合方法として、実装工程内に急冷プロセスを導入することにより、ＡｕＳｎ共晶合金からＡｕ量を４０〜６０％削減したＡｕＳｎ合金を高温はんだに適用可能とした。例文帳に追加

Instead of an expensive Au-Sn eutectic alloy substantially containing 80 mass% of Au, an Au-Sn alloy containing Au less than that of the Au-Sn eutectic alloy by 40 to 60% can be applied for high temperature soldering by introducing a quenching process in a mounting process. - 特許庁

金スズ層１１３，１２３としては、金の含有量が概ね８０重量パーセントの金スズ共晶組成ハンダが用いられる。例文帳に追加

As the gold-tin layers 113, 123, gold-tin eutectic composition solder having a gold content of about 80% by weight is used. - 特許庁

また、コンタクト層１５とシリコン基板１３との間は金−シリコン共晶反応により接合されているので、十分な接合強度を有する。例文帳に追加

The sufficient junction strength is also provided between the contact layer 15 and the silicon substrate 13, because connected by the gold-silicon eutectic reaction. - 特許庁

Ｓｎ−Ｐｂ共晶合金に近いぬれ性と優れた機械特性値とを有し、しかも耐酸化特性に優れたＳｎ基Ｐｂフリー半田を提供する。例文帳に追加

To provide an Sn base Pb-free solder having wettability close to that of an Sn-Pb eutectic alloy and also excellent mechanical property and oxidation resistance. - 特許庁

鉛３０と、錫の一部分２０とが相互に作用して、鉛と錫の共晶点に近い、比較的低い融点の半田を形成する。例文帳に追加

Lead 30 and a part of tin 20 interact with each other to form a solder of comparatively low-melting point close to the eutectic point of lead and tin. - 特許庁

液晶表示装置において、消費電力を増大させることなく、共通電極の反転駆動に起因する音鳴りを防止する。例文帳に追加

To provide a liquid crystal display for preventing sounding due to inversion drive of a common electrode without increasing power consumption. - 特許庁

リン含有排水を流動床式の反応晶析槽に供給するときに、上向流の流速分布にムラがなく、かつ、リン酸カルシウムを含んだ結晶種を流動化させる流速を与えることができると共に、開口部から前記結晶種が反応晶析槽の底部に落下することのないディストリビュータを有する晶析脱リン装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a crystallization dephsphorizing apparatus having a distributor with which the flow rate distribution of an upward flow is uniformized, a flow rate necessary for fluidizing a crystal seed containing calcium phosphate is obtained when supplying phosphorous-containing waste water to a fluidized bad type reaction crystallizer and the falling down of the crystal seed from an opening part to the bottom of a crystallizer is prevented. - 特許庁

本発明は、幅広い温度範囲で結晶性を示し、結晶化度が高く、耐熱性に優れ、透明性にも優れた新規な４−メチル−１−ペンテン系ランダム共重合体およびその製造方法を提供することを課題としている。例文帳に追加

To provide a novel 4-methyl-1-pentene-based random copolymer which is crystalline in a wide temperature range, has high crystallinity, and is excellent in heat resistance and transparency and to provide a method for manufacturing it. - 特許庁

また金属系膜３５及び３５ｂを介して共振器部３にレーザ結晶８及び波長変換結晶９をハンダ付けし、さらに共振器部３と放熱部材３６をハンダ３７で接合することで高い伝熱効率が得られる。例文帳に追加

Also, the laser crystal 8 and the wavelength conversion crystal 9 are soldered to a resonator part 3 through the metal-based films 35 and 35b, the resonator part 3 and a heat radiation member 36 are joined by solder 37 further, and thus high heat transfer efficiency is obtained. - 特許庁

座標系に対して第２の方向と類似の方位を共有するいくつかの結晶が選択され、選択された結晶の試料内の第１及び第２方向に対する方位に対応する結晶組織が判断される及び／又は表現される。例文帳に追加

Some crystals commonly having an orientation similar to the second direction in the coordinate system are selected, and the crystal structure of the selected crystals corresponding to the orientations to the first and second directions in the sample is determined and/or expressed. - 特許庁

第２の反射素子１２１は、第１の光には低反射、第２の光には高反射の反射率を有し、非線形光学結晶１１３と第２の反射素子１２１で外部共振器の一方のミラーが構成される。例文帳に追加

The second reflective element 121 exhibits low reflectivity to the first light and high reflectivity to the second light, and one mirror of the external cavity laser is constituted of the nonlinear optical crystal 113 and the second reflective element 121. - 特許庁

第１および第２コレステリック液晶層２０および３０に共通の反射領域を、最も照射光量が少ないＢ反射領域Ｂｒとしたので、フォトマスクを共用できる。例文帳に追加

Since the common reflection region in the first and second cholesteric liquid crystal layers 20, 30 consists of the reflection region Br for the B color having the smallest quantity of irradiation light, the photomask can be shared. - 特許庁