「半導体物性」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

半導体などの被測定物の局所的な物性を測定することができるようにする。例文帳に追加

To allow the local measurement of physical property of a measuring matter such as semiconductor. - 特許庁

半導体装置テストエレメントの製造方法及びその薄膜物性値測定方法例文帳に追加

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE TEST ELEMENT AND METHOD OF MEASURING PHYSICAL CHARACTERISTICS OF THIN FILM - 特許庁

被測定薄膜の物性値を半導体装置の薄膜の物性値に近いものとし、信頼性に優れた半導体装置の熱的設計を可能にする。例文帳に追加

To enable thermal design of a semiconductor device having superior reliability by approximately physical values of a thin film to be measured to that of the thin film of a semiconductor device. - 特許庁

レジストが形成されている半導体にイオンの導入すると、イオンとレジストの成分とが反応してガス（解離ガス）が発生し、解離ガスの成分が半導体に導入され、該半導体の物性を低下させる要因となっている。例文帳に追加

To solve a problem of ion introduction onto a semiconductor formed with a resist that causes a factor to deteriorate the properties of the semiconductor because a reaction between ions and a component of the resist generates a gas (dissociated gas) resulting in that the component of the dissociated gas is introduced into the semiconductor. - 特許庁

ハロゲン系化合物やリン系難燃剤を添加せずに、他の物性に悪影響を及ぼすことなく、ＵＬ９４試験において幅広い厚みでの高度な難燃性効果を有する半導体封止用エポキシ樹脂組成物及びこれを用いて半導体素子を封止してなる半導体装置を提供すること。例文帳に追加

To provide an epoxy resin composition for sealing a semiconductor, which has a high flame-retarding effect at a thickness in a wide range in the UL94 test by adding neither a halogen compound nor a phosphorus-containing flame retardant without adversely influencing other physical properties, and a semiconductor device made by using it for sealing a semiconductor element. - 特許庁

結晶性シリコン層を用いた半導体装置の製造方法において、安価なガラス基板を使用すること、良好な半導体物性を有する結晶性シリコン層を形成すること、さらにスループットを改善することを目的とする。例文帳に追加

To use an inexpensive glass substrate, form a crystalline silicon layer having proper semiconductor physical properties and further improve the throughput, in a method of manufacturing a semiconductor device which uses crystalline silicon layers. - 特許庁

機械的物性、熱安定性、亀裂に対する抵抗性及び低誘電性に優れたシロキサン系樹脂を提供し、これを半導体層間絶縁膜の形成に適用して低誘電性半導体層間絶縁膜を提供する。例文帳に追加

To provide a siloxane-based resin excellent in mechanical properties, heat stability, crack resistance and low permittivity, and to provide a semiconductor interlayer insulating film having low permittivity by applying the resin for forming the semiconductor interlayer insulating film. - 特許庁

優れた機械的物性及び低い誘電率を有するシロキサン系樹脂を提供し、これを半導体層間絶縁膜の形成に適用することにより低誘電率半導体層間絶縁膜を提供する。例文帳に追加

To provide a siloxane-based resin having a low dielectric constant in addition to excellent mechanical properties and to provide an interlayer insulating film with low dielectric constant for semiconductor by using the same in formation of the interlayer insulating film for the semiconductor. - 特許庁

前記加熱処理により基板が収縮するため、半導体膜に形成された歪みが緩和され、該半導体膜の物性を向上することを可能とする。例文帳に追加

As a substrate is shrunk by the heat treatment, the distortion formed in the semiconductor film is relaxed and it is enabled to raise the physical properties of the semiconductor film. - 特許庁

異なる物性を持った液体を配管内で混合可能な半導体ウェハの研磨装置、継手、および撹拌コマを提供すること。例文帳に追加

To provide a semiconductor wafer polishing apparatus capable of mixing liquids having respectively different physical properties in piping, and to provide a joint and a stirring top included in the polishing apparatus. - 特許庁

そして、原料膜１１を半導体基板４の表面側から加熱することにより前記金属酸化物の物性を変化させる。例文帳に追加

By heating the material film 11 from the surface side of the semiconductor substrate 4, physical properties of the metal oxide is varied. - 特許庁

温和な条件で成型、硬化が可能であり、安定した物性が得られる光半導体装置リフレクター用シリコーン樹脂組成物を提供する。例文帳に追加

To provide a silicone resin composition for a reflector of an optical semiconductor device, enabling molding and curing under a mild condition, and providing stable properties. - 特許庁

光励起を利用したワイドギャップ半導体のバンドギャップ電子物性の計測方法を実現する。例文帳に追加

To attain a method for measuring the band gap electronic physicality of a wide-gap semiconductor using optical excitation. - 特許庁

本発明は、プリント基板、半導体パッケージ基板、または、半導体基板など半導体製品に設けられたビアホールやトレンチ内に、電気銅めっきで銅金属を埋めこむときの埋め込み性の判断、又は、均一電着性（皮膜物性及び膜厚均一性）の判断に好適な電気銅めっき液の分析装置を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide an analysis device for a copper-electroplating solution, which is suitable for determining embedding properties to be shown when a copper metal is embedded into a via hole or a trench provided in a printed board, a semiconductor-packaged substrate or a semiconductor product such as a semiconductor substrate through copper electroplating, or for determining a macrothrowing power (uniformity of physical properties and thickness of plated film). - 特許庁

半導体製造プロセスにおいてドライエッチング耐性が優れている等、優れた物性があり、半導体レジスト材料として有用な化合物である２−アルキル−２−アダマンチル（メタ）アクリレートを高純度、高収率で製造する方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method for producing a 2-alkyl-2-adamantyl (meth)acrylate having excellent physical properties such as excellent dry etching resistance in a semiconductor production process and useful as a semiconductor resist material in high pyrity and yield. - 特許庁

簡易な工程で安定した物性を有する層間絶縁膜用の低比誘電率高分子複合膜を形成するための半導体製造装置および半導体素子内の低比誘電率ポリイミド膜を蒸着重合により容易に形成する方法の開発。例文帳に追加

To provide with a simple process a semiconductor manufacturing apparatus for forming a low specific dielectric const. polymer composite film for an layer insulation film, having stable physical properties, and a method of easily forming the low specific dielectric const. polyimide film in a semiconductor element through evaporation-polymerization. - 特許庁

有機半導体を用いた有機薄膜トランジスタ等の移動度が電界強度に強く依存するために物性が等方的でない電子デバイスを対象とする、正確で高精度な半導体デバイスシミュレーション方法を提供する。例文帳に追加

To provide an accurate and high-accuracy method of simulating a semiconductor device which is applied to an electronic device the physical properties of which is made to be nonisotropic, because the mobility of an organic thin film transistor etc., using an organic semiconductor largely relies on electric field intensity. - 特許庁

供給用容器内における成分の滞留を、供給用容器の形状や容量に影響されることなく防ぐことができるといった特殊な製造方法により得られる、物性が安定した半導体素子封止用樹脂組成物およびそれを用いた半導体封止体を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor element sealing resin composition, which is obtained by a special manufacturing method in which the stay of a component in a container for feeding can be prevented without being affected by the shape or capacity of the container for feeding, and in which the physical properties are stable, and to provide a semiconductor sealing body using the same. - 特許庁

被着体の汚染や粘着物性の経時変化が少なくかつ帯電防止性能が高く、半導体部品のダイシングやバックグラインド処理においても被着体面への影響が少ない半導体固定用粘着テープを提供する。例文帳に追加

To provide a pressure-sensitive adhesive tape for fixing a semiconductor that causes slight stains on the adherend, has a small change in a physical property of a pressure-sensitive adhesive with the time and high antistatic performance and has little effect on the circuit surface even in the dicing or the back grinding treatment of a semiconductor part. - 特許庁

ＭＢＥ法による化合物半導体の結晶成長において、成長膜の物性定数を元に、セル温度と分子線量の相関を決め、該相関を用いてフラックス測定の補正を行い、該補正を用いてセル温度を設定することを特徴とする化合物半導体の結晶成長方法。例文帳に追加

This is an MBE-assisted compound semiconductor crystal growing method wherein correlation between the cell temperature and molecular beam rate is determined on the basis of the physical properties of a grown film, the correlation is used for correcting the flux gage measurement, and the corrected measurement is used for setting the cell temperature. - 特許庁

光半導体を搭載する基板において光半導体素子近傍に設ける光反射部として形成する樹脂層に白色顔料として酸化チタンを含有させると、（１）遮光性による加工性の低下、（２）光触媒反応による樹脂硬化物性の低下、（３）熱励起バンドギャップ型分解反応による樹脂硬化物性の低下が発生する。例文帳に追加

To solve such problems that when a resin layer formed as a light reflecting part provided near an optical semiconductor element contains titanium oxide as white pigment in a substrate for mounting an optical semiconductor, (1) the processability decreases due to light shielding effect, (2) the resin curing property decreases due to photocatalyst reaction, and (3) the resin curing property decreases due to heat excited band gap type decomposition reaction. - 特許庁

成膜工程、活性化アニール工程の不均一性を克服して、半導体等の基板の物性の均一性を向上し、抵抗率分布等の物性値を所望の物性値にすることができるイオン注入方法及びイオン注入機を提供する。例文帳に追加

To provide an ion implantation method and ion implantation apparatus in which uniformity of physical property of a substrate such as a semiconductor is improved and the physical property value such as distribution of resistivity or the like can be set to the desired physical property value by overcoming ununiformity of the film forming process and the activating annealing process. - 特許庁

溶解度、流動性、機械的物性及び低い誘電率を有する優れたシロキサン系樹脂及びこれを用いた半導体層間絶縁膜を提供する。例文帳に追加

To provide an excellent siloxane-based resin having solubility, fluidity, mechanical properties and a low dielectric constant, and to provide a semiconductor interlayer insulating film using the resin. - 特許庁

他の物性に影響を与えることなくアンダーフィルの応力を緩和させることができ、パッケージの信頼性を高めることが可能な封止用液状エポキシ樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a liquid epoxy resin composition for sealing relaxing underfill stress without affecting other properties, and enhancing reliability of a package, and a semiconductor device using the same. - 特許庁

所望の物性を有しながら、半導体製造等の苛酷な使用環境下においても放出成分（アウトガスおよびブリード）の発生が低減化されたパーフルオロエラストマー成型品を得ることを目的とする。例文帳に追加

To provide a perfluoroelastomer molded product reducing generation of released components (outgassing and bleeding) even under the severe use environment for producing semiconductors, etc., though the molded product has desired physical properties. - 特許庁

この際、塗布膜が形成される半導体膜のサイズを、塗布液の物性，塗布条件及び必要となる塗布膜の膜厚に応じて最適に設定する。例文帳に追加

Size of a semiconductor film where a coating film is formed is set optimally depending on the physical properties of coating liquid, coating conditions and the thickness of a required coating film. - 特許庁

強誘電体等の高誘電率で高損失な誘電体材料や半導体材料のマイクロ波における電気的物性値測定法を提供する。例文帳に追加

To provide an electric physical property value measurement method in microwaves in dielectric materials and semiconductor materials having high dielectric constants and high loss, such as a ferroelectric body. - 特許庁

本発明は、互いに異なる物性を有する窒化膜同士の接触時に発生する浮き上がりや割れを防止する半導体素子の配線形成方法を提供することを可能にすることを目的としている。例文帳に追加

To provide a wiring forming method for a semiconductor device for preventing rising and cracks that occur in the contact of nitriding films having mutually different physical properties. - 特許庁

酸化亜鉛系酸化物半導体とゲート絶縁膜の界面に発生する酸素欠陥を物性値変化のほとんど起こらない酸素族元素である硫黄やセレンおよびこれらの化合物を用いた表面処理により終端する。例文帳に追加

Missing oxygen generated at the interface between the zinc oxide system oxide semiconductor and the gate insulating film is completed with a surface process using sulfur and celenium as the oxygen group elements rarely generating change in physical property values and compound of these elements. - 特許庁

低い誘電率を得ることができ、機械的物性、熱安定性、亀裂に対する抵抗性などを誘導することが可能な半導体層間絶縁膜の形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for forming a semiconductor interlayer insulating film capable of obtaining low permittivity and introducing mechanical properties, heat stability, resistance to cracks, and the like. - 特許庁

メタステーブル材料系と熱力学的に安定な高品質結晶を組み合わせて用いて、熱力学的に安定な材料系のみでは実現できない幅広い物性を示す化合物半導体基板を提供する。例文帳に追加

To provide a compound semiconductor substrate exhibiting broader physical properties that cannot be obtained by only a thermodynamically stable material system using a combination of a metastable material system and the thermodynamically stable high quality-crystal. - 特許庁

立体形半導体素子、インクタンク、該インクタンクを備えたインクジェット記録装置、液体の情報入手方法および液体の物性変化の判断方法例文帳に追加

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE, INK TANK, INK JET RECORDING DEVICE HAVING INK TANK, METHOD FOR OBTAINING INFORMATION ON LIQUID, AND METHOD FOR DETERMINING CHANGE IN PHYSICAL PROPERTY OF LIQUID - 特許庁

本発明の目的は、基板上に成膜されたフルオロカーボン膜の物性を変化させたり、該フルオロカーボン膜を劣化させない洗浄剤、および、該洗浄剤を用いた半導体装置の製造方法を提供することにある。例文帳に追加

To provide a cleaning agent which does not change a physicality of a fluorocarbon film formed on the substrate, or does not deteriorate the fluorocarbon film, and to provide a method for manufacturing a semiconductor apparatus using the cleaning agent. - 特許庁

低温での粘度が低く、即ち充填剤の充填率を高くすることが可能であり、貯蔵安定性に優れており、その硬化物も良好な物性を有する半導体封止用エポキシ樹脂組成物を提供する。例文帳に追加

To provide an epoxy resin composition for sealing a semiconductor having a low viscosity at low temperatures, i.e., increasing the filling ratio of a filler, having excellent storage stability and affording a cured product thereof having good physical properties. - 特許庁

作業性、加工性、及び物性の面から優れ、接着剤、積層体材料としての用途に加え、半導体チップ等の封止にも好適で、新規な硬化性組成物を提供する。例文帳に追加

To provide a novel hardening composition that has excellent workability, processability and physical properties and can be suitably used for sealing semiconductor chips in addition to the uses as an adhesive and a laminating material. - 特許庁

小型化された超音波ひずみ発振技術を、金属とか半導体に限らず、絶縁体さらに磁性体又は非磁性体といったあらゆる機能性材料に適用して、該機能性材料の物性状態をリアルタイムに制御する。例文帳に追加

To control the state of physical properties of a functional material by applying a compact ultrasonic strain oscillation technology not only to metal or semiconductor but also to any functional material including insulator, magnetic body, or nonmagnetic body. - 特許庁

ゾル−ゲル法又はスプレー熱分解法により形成された前駆体から、簡単な手段で、しかも元素の添加を行うことなく、光学的、電気的物性が制御された半導体薄膜を製造することを目的とする。例文帳に追加

To manufacture a semiconductor thin film having the controlled optical and electrical physical properties using a precursor formed by a sol-gel method or a spray thermal decomposition method by a simple means and moreover, without adding an element to the thin film. - 特許庁

はんだパンプ５には酸化膜還元能力の高い第１の封止樹脂６を被覆し、半導体素子３と基板１との間は所定の物性値を備えた第２の封止樹脂７を充填させる。例文帳に追加

A solder pump 5 is covered with a first sealing resin 6 having excellent oxide film reduction capability, and the portion between a semiconductor device 3 and a substrate 1 is filled with a second sealing resin 7 having specific physical property value. - 特許庁

ｐ型伝導や紫外線発光など半導体としての物性を発揮できる結晶性の良い高品質な酸化亜鉛超微粒子を提供すること。例文帳に追加

To provide a high quality ultrafine zinc oxide particle having the physical properties as semiconductor such as p-type conduction, ultraviolet light emitting and the like and having an excellent crystallinity. - 特許庁

含有水分の極めて少ない有機半導体材料を提供し、有機トランジスタの移動度及び電流オン・オフ比等の電気物性を向上させることを可能にする。例文帳に追加

To provide an organic semiconductor material containing extremely less moisture to improve organic transistor's electrical characteristics, such as mobility and current on/off ratio. - 特許庁

複数の膜を有する電子素子において、膨張又は収縮を起こす膜に対する応力緩和を、半導体等の製造プロセスにおける高温熱処理時の物性変化においても対応可能とすること。例文帳に追加

To obtain an electronic element having a plurality of films, wherein the electronic element can cope with stress relaxation to a film which causes expansion or contraction even a change in material during high-temperature heat treatment in a manufacture process of a semiconductor or the like. - 特許庁

少ない活性エネルギー線照射量もしくは、短時間の加熱処理で硬化する諸物性に優れた半導体や液晶パネルの封止に好適な樹脂のための組成物を提供すること。例文帳に追加

To provide a composition for resin suitable for use in sealing a semiconductor device and a liquid crystal panel that can be cured with a small irradiation amount of an active energy ray or by heat treatment within a short period of time and is excellent in various physical properties. - 特許庁

インゴットの支持台に要求される強度、剛性、耐熱性、寸法安定性、耐油性、硬度などの諸物性を全て備えた半導体結晶インゴットの支持台を提供する。例文帳に追加

To provide a support base for a semiconductor crystal ingot, having all various physical properties such as strength, rigidity, heat resistance, dimensional stability, oil resistance, hardness and the like which are required for the base of the ingot. - 特許庁

被着体の汚染や粘着物性の経時変化が少なくかつ半導体部品のダイシングやバックグラインド処理においても被着体面への影響が少なく、粘着剤層が厚くても紫外線硬化後の帯電防止性能を発現できる帯電防止性半導体加工用粘着テープを提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide an antistatic adhesive tape for semiconductor processing, which causes little contamination on an adherend and little aging of an adhesive property as well as little influence to a surface of the adherend during dicing or back grinding treatment of a semiconductor component, and which can exhibit antistatic properties after ultraviolet curing even if an adhesive layer is thick. - 特許庁

半導体の電極とプリント配線基板の電極との間に介在し、加圧または加圧加熱することにより半導体をプリント配線基板に固定させる実装部材１２を、バインダ３を主体として構成し、物性調整の若干の添加剤を除けば、他に大きな粒子成分は存在しない絶縁性接着層１０と導電粒子５を含有した異方性導電性接着層１１の二層から構成する。例文帳に追加

A mounting member 12 located between the electrode of a semiconductor and the electrode of a wiring board in order to secure the semiconductor onto the printed wiring board by applying heat and/or pressure has two layers, i.e., an insulating adhesive layer 10 principally comprising a binder 3 containing no large particle component except some additives for adjusting physical properties, and an anisotropic conductive adhesive layer 11 containing conductive particles 5. - 特許庁