「単板かじ」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

また、前記補強円板又は補強ドーナツ状板を、単管内に予め溶接により設置することを特徴とする。例文帳に追加

The reinforcing disks or the reinforcing doughnut-shaped plates are installed previously in the single pipes by a welding. - 特許庁

基板の局部的過剰研摩を低減し、単一研摩パッドで多数の基板を同時に研摩することができる装置と方法を提供する。例文帳に追加

To provide a device and a method capable of simultaneously polishing a large number of base boards by a single polishing pad, while reducing local excessive polishing of the base boards. - 特許庁

制御基板上に新たな部品を追加実装することなく、制御基板の内部情報を簡単に収集できるようにする。例文帳に追加

To easily gather internal information of a control substrate without additionally mounting a new component on the control substrate. - 特許庁

基板をあらかじめ何らかの方法で洗浄した後、該表面を親水化させて、フッ化アルキルシランの単分子膜を該基板上に化学気相蒸着法で形成することで有機単分子膜を形成する。例文帳に追加

A substrate is previously cleaned by any method, and thereafter, its surface is made into the hydrophilic one to form a monomolecular film of an alkylsilane fluoride on the substrate by a chemical vapor deposition method, by which the organic monomolecular film is formed. - 特許庁

このステップは、誘電体単板をキュリー温度以上の温度に設定された高温板と、キュリー温度未満の温度に設定された低温板との間に、あらかじめ分極された誘電体単板を挟持することにより行うことができる。例文帳に追加

The step can be carried out by sandwiching the dielectric veneer that has been polarized in advance between a high-temperature plate where the dielectric veneer has been set to a temperature at least the Curie temperature and a low-temperature plate that has been set to a temperature lower than the Curie temperature. - 特許庁

本発明は、発光素子が配置された単位表示パネルを互いに密接するように基板に配置し、予め基板に配線を形成しておくことにより単位表示パネルを接続することができる。例文帳に追加

The unit display panels where the light emitting elements are arranged can be connected by arranging the unit display panels closely to one another and forming wires on the substrate in advance. - 特許庁

流路形成基板１０としてシリコン単結晶基板を使用する場合と比較して、酸化ジルコニウムを含有する混合液を塗布、焼成して振動板１３を備えた流路形成基板１０を形成する。例文帳に追加

A mixed liquid containing zirconium oxide is applied and baked to form a flow path forming substrate 10 including a vibration plate 13, as compared with the case in which a silicon single crystal substrate is used as the flow path forming substrate 10. - 特許庁

本発明に係る半導体基板の製造方法においては、シリコン単結晶基板１０の少なくとも面取り部１３に予めシリコン多結晶膜１４を形成した上で、基板１０の表面１１にエピタキシャル成長によりシリコン単結晶の薄膜１１を形成する。例文帳に追加

The method of manufacturing the semiconductor substrate includes a step of forming a silicon polycrystalline film 14 in advance on at least the chamfer 13 of a silicon single crystal substrate 10, and a step of then forming a thin film 11 of a silicon single crystal by epitaxial growth on a surface 11 of the substrate 10. - 特許庁

局部的過剰研摩を低減しまた単一研摩パッド上で多数基板を研摩することによってダイの生産効率を上げる。例文帳に追加

To increase productivity of a die by reducing partially excessive polishing and by polishing a large number of substrates on a single polishing pad. - 特許庁

天板７を左横開き、右横開きのように予め設けられていた連結受け部１２，１３を利用して簡単に組み立てることができる。例文帳に追加

The top plate 7 is easily assembled so as to be opened on the left side or opened on the right side by utilizing the connection receiving parts 12 and 13 provided beforehand. - 特許庁

大気酸化時のスケール構造を、基板との界面にFeO、FeCr_2O_4、Fe_2SiO_4の混合相、その上が実質上FeOの単相となるようにする。例文帳に追加

In the structure of scale at the time of atmospheric oxidation, a mixed phase of FeO, FeCr_2O_4 and Fe_2SiO_4 is allowed to form on the boundary with a base sheet, and a single phase substantially composed of FeO is allowed to form thereon. - 特許庁

予め製作した単位印刷配線基板を枠体中に所定の関係位置で配置し、各印刷配線基板どうし、各印刷配線基板と枠体とを固定する。例文帳に追加

An in-advance manufactured unit printed wiring board is arranged in a frame body at a predetermined relational position, and the respective wiring boards and the frame bodies are integrally fixed with each other. - 特許庁

マイカ上ヒーターと、断熱材と、上ヒーター保持板とを備え、上ヒーター保持板に切り欠き部を設けることにより、上ヒーター保持板が取り外すことができるのでサービス交換が簡単にできるようになる。例文帳に追加

In the heater, there are provided an upper heater, an insulating material, and an upper-heater holding sheet; and in the holding sheet, notches are formed for replacement of the sheet, so that, service replacement of the heater can be made simply. - 特許庁

予め製作した単位印刷配線基板を枠体中に所定の関係位置で配置し、各印刷配線基板どうし、各印刷配線基板と枠体とを固定する。例文帳に追加

A pre-fabricated unit printed wiring board is arranged in a frame for specified positional relationship, and the printed wiring boards are fixed to each other while the printed wiring boards and the frame are fixed together. - 特許庁

スクロール圧縮機において、鏡板面の潤滑を簡単な構造で確実に行なうことができるようにすると共に、摺動面圧を低くして鏡板面のかじりや焼付きを防止することができるようにする。例文帳に追加

To make it possible to ensure smooth lubrication of end plate surfaces in a scroll compressor through adoption of a simple structure and to prevent the cut-off or baking on end plate surfaces by lowering sliding surface pressure. - 特許庁

より速い結晶育成速度で、高品質かつ高純度の結晶を作成することができる窒化物単結晶の製造方法、窒化物単結晶、基板およびデバイスを提供する。例文帳に追加

To provide a method for producing a nitride single crystal by which a crystal of high quality and high purity is prepared at a more rapid crystal growth rate, and to provide the nitride single crystal, a substrate and a device. - 特許庁

原料となる単結晶のＺ軸方向を予め測定し、このＺ軸と直交するＸ−Ｙ平面を有する板状の単結晶母材２を切り出す。例文帳に追加

A direction of the Z-axis of single crystal becoming a material is previously measured, and a plate single crystal base metal 2 having an X-Y plane which is orthogonal with the Z-axis is cut. - 特許庁

また、アナログ式時間表示装置１は、時刻の経過と共に相対回転する少なくとも２つの表示板である分表示板４と秒表示板６を有し、２つの表示板４，６の回転比によって秒の単位の残り時間または経過時間を表示する。例文帳に追加

Furthermore, the analog time display device 1 has at least two display panels of the minute display panel 4 and a second display panel 6 which are relatively rotated together with the passage of time, and the remaining time or the passage of time is displayed on a second unit basis by a rotation ratio of the two display panels 4 and 6. - 特許庁

支持基板と、５００ｎｍよりも薄い厚さを有する単結晶シリコン層とを有し、前記のシリコン層の全体積中で格子間ケイ素原子の過剰が優勢であるＳＯＩ基板例文帳に追加

The SOI wafer is composed of a carrier wafer and a monocrystalline silicon layer having a thickness of less than 500 nm, excess of interstitial silicon atoms prevailing in the entire volume of the silicon layer. - 特許庁

強誘電体薄膜を予め別の単結晶基板上にその表面構造を利用して配向制御しながら成膜し、これを回路基板上に転写する。例文帳に追加

A ferroelectric thin film is formed previously on a single crystal substrate while controlling the orientation utilizing the surface structure thereof and then it is transferred onto the circuit substrate. - 特許庁

基盤処理装置の基板処理系の少なくとも一部を構成する部材に対して、予め規定された部材（純正部材）か、それ以外の部材かを比較的簡単に判別することが可能な基板処理装置を提供することにある。例文帳に追加

To provide a substrate processing apparatus capable of relatively and easily determining whether the member constituting at least a portion of a substrate processing system of a substrate processing apparatus is a predefined member (genuine part) or a member other than the predefined member. - 特許庁

前面基板および背面基板を真空加熱処理する前に、金属被覆された枠体単体を、予め真空加熱処理温度よりも高い温度で加熱処理し脱ガスする。例文帳に追加

Before the vacuum heat treatment is applied to the front substrate and the back substrate, the metal-coated frame unit is heat-treated in advance at a temperature higher than a vacuum heat treatment temperature to degas it. - 特許庁

基板１の主面１ａ上にＺｒ_１−ｘＴｉ_ｘＢ_２（ただし、０＜ｘ≦１）から成る層である硼化ジルコニウム・チタン層２をエピタキシャル成長して新たな表面２ａを（０００１）面とした単結晶基板である。例文帳に追加

This single crystal substrate is configured by forming a new surface 2a as a (0001) face by carrying out the epitaxial growth of a zirconium boride titanium layer 2 constituted of Zr_1-xTi_xB_2(0<x≤1) on the main surface 1a of a substrate 1. - 特許庁

予め定められた配列にて一体化された基板製造単位において、個々のワーク基板の良・不良を非破壊検査により判定し、判定識別マークを付与する。例文帳に追加

In a substrate manufacturing unit in which substrates are integrated in a preset array, whether individual work substrates are nondefective or defective are discriminated through nondestructive inspections and discriminated-result identification marks are put on the substrates. - 特許庁

したがって、あらかじめ製造されたナノ構造体をフォトレジスト層に形成した後、ＳＰＲを適用することによって既存の工程に簡単に適用でき高効率の工程で短時間に大面積の基板にナノ構造を簡単に形成できる。例文帳に追加

Using this method, the nanostructure can be easily formed on the large-area substrate in a short period of time in a highly efficient process, which can be easily applicable to existing processes by applying SPR after forming the photoresist layer out of the nanostructure that has been manufactured in advance. - 特許庁

予めセット底板３０に下部側単位ユニット２１，２２，２３を組付けて一体とした下部側キッチンユニットセット２０と、予め所要壁材５０に、上部側単位ユニット４１，４２，４３を組付けて一体化した上部側キッチンユニットセット４０とから、システムキッチンを構成した。例文帳に追加

The system kitchen is constituted of a lower side kitchen unit set 20 for which lower side units 21, 22 and 23 are assembled and integrated with a set bottom plate 30 beforehand and an upper side kitchen unit set 40 for which upper side units 41, 42 and 43 are assembled and integrated with a required wall material 50 beforehand. - 特許庁

また、遮光層４は基板表面からの光反射によるトランジスタの光リークを防止するため、予め凹面あるいは凸面に湾曲させた構造とし、同時に貼り合わせ法ＳＯＩ作製プロセスにおいて単結晶シリコン層を支持基板と貼り合わせる前に支持基板側に形成しておく。例文帳に追加

To prevent optical leak of a transistor caused by reflection of the light on a substrate surface, the light-shielding layer 4 is bent into a recessed surface or a protruding surface in advance while the single-crystal silicon layer is formed on the support substrate side before laminated to the support substrate in a lamination-method SOI manufacturing process. - 特許庁

冷凍機構１３は、冷凍機構収納室２４の底部に配設した底部台板３３上に取付固定し得る形状,サイズに成形されたベース板３５の上面に予め組付けられて、該ベース板３５単位のユニット機構体として構成される。例文帳に追加

The refrigerating mechanism is previously set on the upper surface of a base board 35 shaped and sized to be fixed onto a base board 33 arranged on the bottom of a refrigerating mechanism containing chamber 24 and constituted as a unit mechanism body of base board 35 unit. - 特許庁

基板上に記録層、及び保護層がこの順に設けられた単板型光記録媒体に於て、記録層が色素を含有する層と反射層とからなり、保護層がフッソ化アルキル基を有する硬化性化合物を０．５〜２０重量％含有する活性エネルギー線硬化樹脂である単板型光記録媒体。例文帳に追加

The recording layer of the single plate optical recording medium provided with the recording layer and the protective layer in this order on a substrate consists of a layer containing dyestuffs and a reflection layer and the protective layer is an active energy line curing resin containing 0.5 to 20 wt.% curable compound having an alkyl fluoride group. - 特許庁

半導体基板上のキャパシタ設計において、単位面積当たりの容量を増加させるとともに、あらかじめ決められた面積の中での容量調整を可能にする。例文帳に追加

To increase capacitance per unit area and adjust capacitance within a predetermined area when designing capacitor on a semiconductor substrate. - 特許庁

基板１１の上に軸配向多結晶薄膜７１をあらかじめ形成した後に、複数方向からビームを照射することによって薄膜７１を単結晶薄膜へ転換する。例文帳に追加

An axis-oriented polycrystalline thin film 71 is previously formed on a board 11 and irradiated with a beam from various directions to turn to a single crystal thin film. - 特許庁

基板の上に薄層を形成してなる耐擦傷性物品の製造方法であって、前記薄層は単層膜または多層膜からなり、前記単層膜および多層膜は、少なくとも酸化ジルコニウムからなる層を含み、前記酸化ジルコニウムからなる層を、窒素ガス、アルゴンガス、またはこれらの混合ガスを導入しながらイオンアシスト蒸着により前記基板上に形成する。例文帳に追加

The monolayer film and the multilayer film include a layer made of at least zirconium oxide, and the layer made of zirconium oxide is formed on the substrate according to an ion-assist deposition while introducing nitrogen gas, argon gas or a mixed gas thereof. - 特許庁

接触部材を単に被加工板に接触させるだけであるので、被加工板のような平らな面を加工する場合は工具の加工深さを予め決められた値に設定することができるが、湾曲した被加工部材では、加工深さを予め決められた値に設定することができない。例文帳に追加

To solve such a problem that working depth cannot be set at a previously decided value with a curved working member even though working depth of a tool can be set at a previously decided value in the case of working a flat surface like a working plates as it is required only to simply make a contact member contact with the working plate. - 特許庁

製造方法としては複数の単位区画を有する大面積基板を用い、予め各単位区画に回路を形成し、樹脂のモールドと導電性ペーストの印刷工程を経た後切り分けるので、高周波モジュールを安価に製造できる。例文帳に追加

The manufacturing method uses a large-area substrate having a plurality of unit divisions, whereby a circuit is formed previously in each unit division, and cutting-off is conducted after molding of resin and a printing process of electric conductive paste, which allows manufacturing this high-frequency module at low cost. - 特許庁

窒化アルミニウム単結晶基板やサファイア等の母材基板２３表面に窒化アルミニウム結晶層２１を表面に有するテンプレート基板の表面を予め塩素ガスなどのハロゲンガスでエッチング処理して表面酸化層２３を除去し、次いで該基板上に窒化アルミニウム膜２４などのIII族窒化物をエピタキシャル成長させてIII族窒化物並びに積層基板を製造する。例文帳に追加

This method removes in advance a surface oxide layer 22 on a template substrate having a nitride aluminum crystal layer 21 on the surface of a nitride aluminum single crystal substrate or a substrate 23 employing sapphire as a base material through etching by halogen like chlorine gas and then epitaxially grows a group III nitride like a nitride aluminum film 24 on the corresponding substrate to form a group III nitride and a laminated substrate. - 特許庁

イットリア安定化ジルコニア（YSZ）基板の少なくとも一方の面の少なくとも一部に高単結晶性酸化亜鉛薄膜を有するか、またはYSZ薄膜を少なくとも一方の面の少なくとも一部に有する基板の前記YSZ薄膜の少なくとも一部の上に高単結晶性酸化亜鉛薄膜を有する物品。例文帳に追加

This article has a highly crystalline zinc oxide thin film in at least a part of at least either one of surfaces of a yttria stabilized zirconia(YSZ) substrate or has the highly crystalline zinc oxide thin film on at least a part of a YSZ thin film of a substrate having the YSZ thin film in at least a part of at least either one of the surfaces thereof. - 特許庁

基板上に、非単結晶ゲルマニウム膜からなる活性層と、酸化ジルコニウム又は酸化ハフニウムからなるゲート酸化膜とを有することを特徴とする薄膜トランジスタ。例文帳に追加

In the thin film transistor, the active layer formed of a non-single crystal germanium film and a gate oxide film formed of a zirconium oxide or a hafnium oxide are formed on a substrate. - 特許庁

簡単な構成で紫外線の透過特性に優れ、紫外線硬化樹脂と基体薄板との接着性に優れ、光学的にも欠陥の無いブラウン管露光用補正レンズの成形方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method for molding a correction lens for the exposure of a cathode ray tube excellent in ultraviolet permeable characteristics, the adhesion of an ultraviolet cured resin and a substrate thin plate, and optically having no defect by simple constitution. - 特許庁

プリント基板あるいは半導体集積回路の製造時に予め搭載パターンや構造等による対策を施すこと無く、予期せぬＥＭＩに対しても、簡単に安価に対策を施すことができるＥＭＩ吸収部品を提供する。例文帳に追加

To provide an EMI absorbing component with which measures can be easily taken inexpensively against unexpected EMI without previously taking measures by a mounted pattern, structure, etc., when a printed circuit board or semiconductor integrated circuit is manufactured. - 特許庁

種結晶１を用いた昇華再結晶法により単結晶炭化珪素を成長させる際に、予めＣＭＰ処理を施した炭化珪素基板を種結晶１として使用する。例文帳に追加

When the single crystal silicon carbide is grown by a sublimation recrystallization method using a seed crystal 1, a silicon carbide substrate preliminarily subjected to a CMP process is used as the seed crystal 1. - 特許庁

乳化重合会合製法による特定の粒径のトナー粒子を、未完成の単分子層としての基板に塗布し、その後、溶融させて、画像を形成する。例文帳に追加

Toner particles having a specific particle size which are subjected to an emulsion polymerization and association method are applied to a substrate as an incomplete monomolecular layer, and then the toner particles are fused to the substrate so as to form an image. - 特許庁

ローラや基板の移動の移動精度が悪い場合であっても、簡単に補償でき、紫外線硬化樹脂の膜厚変動を抑制することが可能な転写方法を提供する。例文帳に追加

To provide a transfer method which even when moving accuracy of movement of a roller or a substrate is inferior, compensates the inferior accuracy in a simple manner, thereby suppressing a variance in film thickness of ultraviolet-curable resins. - 特許庁

熱処理を予め施すことなく実施可能な評価方法により半導体ウェーハ（例えば、シリコン単結晶基板１）の金属汚染評価を行う前に、該評価対象の半導体ウェーハに熱処理を施す。例文帳に追加

Before the metal contamination evaluation of a semiconductor wafer (e.g. silicon single crystal substrate 1) is performed by an evaluation method which can be applied without performing heat treatment in advance, heat treatment is applied to a semiconductor wafer as an object to be evaluated. - 特許庁

リードスイッチのリード片封着部近傍にリード片を予め磁化させる板状磁石を取り付け、接点を互いに吸着して一方向磁界の判別ができる単極リードセンサとした。例文帳に追加

A sheet-like magnet for preliminarily magnetizing a reed piece is attached to the vicinity of a reed piece sealing part of a reed switch to constitute the single-pole reed sensor capable of determining one-way magnetic field by mutual attraction of contacts. - 特許庁

パーティクルや金属の付着を抑制しつつ、シリコン単結晶基板の表面に形成された自然酸化膜を予め除去しておくことのできるシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法及び洗浄装置を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a silicon epitaxial wafer for preliminarily removing a natural oxide film formed on the surface of a silicon single crystal substrate while suppressing the bonding of particles or metal, and to provide a washing device. - 特許庁