「近傍」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

そして、中空の円筒状のリング２２が、磁歪膜１４の近傍、例えば磁歪膜１４の右端の近傍に、圧入により一体的に固定される。例文帳に追加

A hollow cylindrical ring 22 is integrally fixed by press-fitting near the magnetostrictive film 14, e.g., near the right end of the magnetostrictive film 14. - 特許庁

バランス判定回路１４は、Ｖ_１がＶ_ｂ０近傍にあるときＬレベルを出力し、Ｖ_１が当該近傍からはずれたときＨレベルを出力する。例文帳に追加

A balance judgment circuit 14 outputs an L level when V_1 is near V_b0 and outputs an H level when V_1 goes out of the vicinity. - 特許庁

冷媒低圧圧力容器８の近傍に低圧側バルブ１２を、冷媒高圧圧力容器５の近傍に高圧側バルブ１１を設ける。例文帳に追加

A low pressure side valve 12 is provided near the refrigerant low pressure vessel 8 and a high pressure side valve 11 is provided near the refrigerant high pressure vessel 5. - 特許庁

この画像に、デバイスホール１３の周辺部近傍と該インナリード１２ａの終端部近傍とにプロファイルウィンドウを形成する。例文帳に追加

To the image, a profile window is formed near the peripheral part of a device hole 13 and near the end part of the inner lead 12a. - 特許庁

各端末装置１２は、基地局近傍情報を受信すると、受信した基地局近傍情報に基づいて端末側処理を行う。例文帳に追加

Each terminal device 12 once receiving the base station vicinity information performs terminal side processing based upon the received base station vicinity information. - 特許庁

冷却管８は、剥離ガイド５の先端部近傍に設けられており、間接的に剥離界面近傍の積層体２０を冷却する。例文帳に追加

The cooling pipe 8 is provided near the end of the separation guide 5 for indirectly cooling a laminate 20 near the separation interface. - 特許庁

ベルト２の一端部の近傍にベルト幅の狭い狭幅部３を形成し、ベルト２の他端部の近傍に長孔４を形成する。例文帳に追加

A narrow portion 3 narrower than a belt width is formed near one end of a belt 2, and an oblong hole 4 is formed near the other end of the belt 2. - 特許庁

バネ下共振周波数の近傍における乗り心地とバネ上共振周波数の近傍における乗り心地とを効果的に両立させる。例文帳に追加

To effectively make a riding sensation in the vicinity of a resonance frequency under a spring compatible with a riding sensation in the vicinity of a resonance frequency above a spring. - 特許庁

補強層４が、可とう部２の中央部近傍とフランジ近傍とに密なピッチとされた螺旋状の硬鋼線６を有する。例文帳に追加

The reinforcing layer 4 has a helical hard draw steel wire 6 with dense pitches in a center portion neighborhood and flange neighborhoods of the flexible part 2. - 特許庁

また、ひだ状部１４０を設けた部分の上流側近傍または下流側近傍に、排気抵抗を増やすための抵抗板１９０を取り付ける。例文帳に追加

A resistance plate 190 for increasing exhausting resistance is installed in the vicinity of an upstream side or a downstream side of the pleated part 140. - 特許庁

加熱は、薄膜の近傍に発振器を配置するか、薄膜近傍に配置され、高周波電源に接続された伝送線路により行う。例文帳に追加

The heating is conducted by disposing an oscillator near the thin film or a transmission line disposed near the film and connected to a high-frequency power source. - 特許庁

第2パイプ15の管フランジ44の近傍にフレキシブルパイプ45を設け、センタパイプ16の管フランジ46の近傍にサブマフラ52を設ける。例文帳に追加

A flexible pipe 45 is installed in the vicinity of the pipe flange 44 of the second pipe 15, and a sub-muffler 52 is installed in the vicinity of the pipe flange 46 of the center pipe 16. - 特許庁

給紙ローラ３２の下流側近傍から排紙ローラ３８の上流側近傍に亘って記録紙支持部５１を形成する。例文帳に追加

A recording paper supporting part 51 is formed from the downstream-side vicinity of a paper feeding roller 32 to the upstream-side vicinity of the paper ejection roller 38. - 特許庁

サスペンション基板１の一端部近傍および他端部近傍で絶縁層４０に孔部ＧＶが形成されている。例文帳に追加

A hole GV is formed in the insulating layer 40 in the vicinity of one end and the other end of the suspension board 1. - 特許庁

（ｂ）頂点Ｐ１及びＰ２の近傍は明るく描画され、頂点Ｐ３及びＰ４の近傍は暗く描画されている。例文帳に追加

The part in the vicinity of the vertexes P1 and P2 are plotted brightly and the part in the vicinity of the vertexes P3 and P4 are plotted darkly (b). - 特許庁

ケース体の前側を壁の近傍に近づけた際に、壁の近傍に位置した塵埃を前面側開口４１から確実に吸い込むことができる。例文帳に追加

When the front side of the case body is made to approach to the vicinity of the wall, this cleaner can surely suck the dust located near the wall from the front side opening 41. - 特許庁

また、点Ｐ１近傍におけるＩｎＧａＮ井戸層のインジウム組成は、点Ｐ３近傍におけるＩｎＧａＮ井戸層のインジウム組成よりも大きい。例文帳に追加

The indium composition of an InGaN well layer near point P1 is greater than the indium composition of the InGaN well layer near point P3. - 特許庁

リブ２０Ａ、２０Ｂは、「第１走査レンズ５近傍の温度Ｔ１＞第２走査レンズ６近傍の温度Ｔ２」の関係を満足させる。例文帳に追加

Ribs 20A and 20B satisfy the relation "the temperature T1 in the vicinity of the first scanning lens 5> the temperature T2 in the vicinity of the second scanning lens 6". - 特許庁

第１の電極１０は犠牲陽極２０の近傍にあり、第２の電極１１はプロペラ７１(腐食電流の流入箇所)の近傍にある。例文帳に追加

The first electrode 10 is arranged near a sacrificial anode 20, and the second electrode 11 is arranged near a propeller 71 (a flow-in part of corrosion current). - 特許庁

ただし、この外管バルブ２のうちで、結合部５ａの近傍２ｂ及びバルブ頂部２ｃの近傍には、上記突条７ａを形成していない。例文帳に追加

However, in the outer tube bulb 2, in the vicinity 2b of a connecting part 5a and the vicinity of a bulb top part 2c, the protruding ridges 7a are not formed. - 特許庁

導波路は、光源の近傍に狭い開口部を有するとともにテーパ部出口の近傍に広い開口部を有するテーパ部を含んでもよい。例文帳に追加

The waveguide may include a tapered portion having a narrow opening near the light source and a wider opening near a tapered portion exit. - 特許庁

可変バルブタイミング機構の最遅角位置近傍或いは最進角位置近傍における保持点の誤学習を防止する。例文帳に追加

To prevent the erroneous learning of a holding point near the maximum retard or advance angle position of a variable valve timing mechanism. - 特許庁

第３辺１ｃの近傍で第３辺１ｃに沿う溝及び第４辺１ｄの近傍で第４辺１ｄに沿う溝が無い。例文帳に追加

A groove in the vicinity of the third side 1c along the third side 1c, and a groove in the vicinity of the fourth side 1d and along the fourth side 1d do not exist. - 特許庁

酸化チタン層２１２は、表面近傍領域と導電体２１１との接合面近傍領域とで異なる結晶構造を有している。例文帳に追加

The titanium dioxide layer 212 comprises two different crystalline structures, in the vicinity of its surface and in the vicinity of its bonded face bonded to the conductor 211. - 特許庁

右側壁補助板１０ｆは、右側壁１０ｂの近傍に配置され、左側壁近傍には左側壁補助板が配置されている。例文帳に追加

The right sidewall auxiliary plate 10f is disposed in the vicinity of the right sidewall 10b, and the left side auxiliary plate is disposed in the vicinity of the left sidewall. - 特許庁

霧化部の近傍に新たな渇水検知装置を追加することなく、霧化部近傍の渇水を検知することが可能なミスト生成器を提供する。例文帳に追加

To provide a mist generator capable of detecting water shortage in the vicinity of an atomization part without adding a new water shortage detection device in the vicinity of the atomization part. - 特許庁

近傍解生成部２２は、制約に違反する一対の塩基配列の一部の塩基を変更して近傍解ＮＳを生成する。例文帳に追加

The neighborhood solution generation part 22 generates a neighborhood solution NS by changing a portion of the base sequence of a pair of base sequences violating constraint. - 特許庁

塩基配列集合算出装置１００は、初期演算部２１、テーブル記憶部３３、近傍解生成部２２、近傍解演算部２３を備える。例文帳に追加

A base sequence set calculation device 100 is provided with: an initial operation part 21; a table storage part 33; a neighborhood solution generation part 22; and a neighborhood solution operation part 23. - 特許庁

吹出部は、人検知センサ集合体６２に近いセンサ近傍部８１とセンサ近傍部８１に隣接するセンサ遠方部８２、８３とを有する。例文帳に追加

The supply section has a sensor neighborhood section 81 close to the human detecting sensor assembly 62, and sensor distant sections 82, 83 adjacent to the sensor neighborhood section 81. - 特許庁

外針１２は、先端部近傍に第１の側孔２２を有し、基端部近傍に第２の側孔２４を有する。例文帳に追加

The outer needle 12 has a first side hole 22 near the distal end part and has a second side hole 24 near the proximal end part. - 特許庁

光源部１４１は、左側面１２１の近傍に配置され、光源部１４２は、上側面の近傍に配置される。例文帳に追加

A light source part 141 is arranged in the vicinity of the left side face 121 and a light source part 142 is arranged in the vicinity of the upper side face. - 特許庁

第１接着剤層７は、フラップ４の先端部近傍に設けられており、第２接着剤層８は、開口部６の近傍に設けられている。例文帳に追加

The first adhesive layer 7 is provided in the vicinity of a tip of the flap 4, and the second adhesive layer 8 is provided in the vicinity of the opening 6. - 特許庁

集中不良分布が影響を及ぼすウエハ外周近傍チップを判定対象ウエハ外周近傍チップとして設定（Ｓ５）する。例文帳に追加

The chip nearby the outer circumference of the wafer that the concentrated defect distribution influences is set as a determination target chip nearby the outer circumference of the wafer (S5). - 特許庁

近傍抽出部１７１は計測画像点の近傍に位置し、計測対象の地物に重なっている点を点群から抽出する。例文帳に追加

A neighborhood extracting part 171 extracts, from the point group, the points located near the measurement object point and superimpose them on the measurement object features. - 特許庁

投入口近傍の内径が排出口近傍の内径に比べ大きいことを特徴とするロータリーキルンである。例文帳に追加

The inner diameter of the rotary kiln near a charging port is larger compared with the inner diameter of the same near the discharging port of the same. - 特許庁

第３辺１ｃの近傍で第３辺１ｃに沿う溝及び第４辺１ｄの近傍で第４辺１ｄに沿う溝が無い。例文帳に追加

There is no grooves that are near the third side 1c and are along the third side 1c, and there are no grooves that are near the fourth side 1d and are along the fourth side 1d. - 特許庁

前面部生地の左右両側縁部近傍で、かつ、背面部生地の下端部位の近傍から下端部に及んで切線３を形成する。例文帳に追加

A cut line 3 is formed from near the bottom end section of the back surface part fabric to the bottom end near both right and left side edges of the front surface part fabric. - 特許庁

第１のレンズアレイ１２の焦点位置の近傍、即ち第２のレンズアレイ１４の近傍には、カラーフィルタ１３が備えられている。例文帳に追加

A color filter 13 is disposed near a focus position of a first lens array 12, that is, near a second lens array 14. - 特許庁

近傍を通過する車両に地点情報を送信する地上子（タグ）２１０を軌道近傍に多数分散配置する。例文帳に追加

Multiple ground elements (tags) 210 transmitting point information to a rolling stock passing the vicinity are distributed in the vicinity of a track. - 特許庁

また、空冷熱交換器７若しくは排熱利用熱交換器８を、燃料電池本体１、２、３の近傍、または貯湯タンク５の近傍に設置する。例文帳に追加

In addition, the air-cooled heat exchanger 7 or the heat exchanger 8 using exhaust heat is provided near the fuel cell main bodies 1, 2, 3 or the hot water storage tank 5. - 特許庁

そして、連動板の表面３４ａ近傍に常開接点３８が配置され、裏面３４ｂ近傍に常閉接点４２が配置されている。例文帳に追加

Then, a normally open contact 38 is disposed near a front surface 34a of the interlock plate, and a normally close contact 42 is disposed near its rear surface 34b. - 特許庁

コア層１の、略円形中心近傍における屈折率が、円周近傍における屈折率よりも高いことが好ましい。例文帳に追加

The refractive index close to the near circular center of the core layer 1 is desirably higher than the refractive index nearby the circumference. - 特許庁

加圧部材２３の分離は、接合材の軟化温度近傍から硬化温度近傍までの温度範囲の高温雰囲気内で行う。例文帳に追加

The separation of the pressure member 23 is carried out in a high temperature atmosphere of a temperature range from the vicinity of softening temperature of a bonding agent up to the vicinity of the curing temperature. - 特許庁

溶接部近傍に配置するときの操作性を向上するとともに、溶接部近傍にシールドガスを均一に噴出する。例文帳に追加

To provide a back-shild device capable of improving its operability when being arranged near a weld part and jetting shield gas uniformly near the weld part. - 特許庁

小径部１２ｄは広大部１０ｃ近傍に位置し、大径部１２ｅは狭小部１０ｂ近傍に位置する。例文帳に追加

The small diameter part 12d is situated near the large expanded section 10c while the large diameter part 12e is situated near the narrow small section 10b. - 特許庁