「錫法」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

多大なエネルギーや煩雑なプロセスが不要であり、製造コストを低減することが可能な高導電性インジウム錫酸化物微粒子の製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method for producing a high conductivity indium tin oxide fine particle which does not need great energy and a complicated process and can reduce the production cost. - 特許庁

微細なＰｔ粒子をＳｎＯ_２中に高分散で多量に存在させることができる新規な錫・白金複酸化物およびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a new tin-platinum double oxide in which fine Pt particles exist in SnO_2 in large quantity with high dispersion, and to provide its production method. - 特許庁

室温条件下で十分な還元性能を発揮し、且つ錫イオンの還元を抑制する還元剤を使用することにより、金を高純度で回収する方法を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a method for recovering gold with high purity, by using a reducing agent which demonstrates sufficient reduction efficiency under the condition of room-temperature and restrains the reduction of tin-ion. - 特許庁

錫、鉛、水銀及びその化合物を使用しない、硬質ポリウレタンフォーム製造用触媒組成物、とフォームの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a catalyst composition for producing a rigid polyurethane foam without using tin, lead, mercury and compounds thereof, and to provide a method for producing the rigid polyurethane foam by using the catalyst composition. - 特許庁

従来の針状粉末より微細であって比表面積が大きく、熱線遮蔽性に優れた棒状ないし針状の酸化錫インジウム粉末とその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide cylindrical or acicular indium tin oxide powder which is finer than conventional acicular powder, has a larger specific surface area and shows excellent heat ray shielding property, and to provide a method for producing the same. - 特許庁

粒子中に過飽和固溶した銅を含む錫粒子の粉末を利用しつつ比較的に低い温度で接合を実現する導電体の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing an electric conductor achieving joining at relatively low temperature while utilizing a powder of a tin particle containing a supersaturated solid solution of copper in the particle. - 特許庁

クロメート処理を行わずに、耐黄変性に優れ、耐食性にも優れるとともに、安定して優れた塗料密着性の得られる錫めっき鋼板およびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a tinned steel sheet which has excellent yellowing resistance, has excellent corrosion resistance, and further can stably obtain coating material adhesion without performing chromate treatment, and a method for producing the same. - 特許庁

低いエネルギーのレーザ光の照射であってもアブレーション現象が起こり、問題なくパターニングできる酸化錫薄膜が付いた透明基板の製造方法の提供。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a transparent substrate having a tin oxide thin film which can be patterned without any problem with an ablation phenomenon caused even if the substrate is irradiated with a laser beam low energy. - 特許庁

トップロールと錫の付着性が小さく、かつ先端部の形状不均一性が小さい、トップロールを提供し、それを用いた板ガラスの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide top rolls in which adhesion with tin is reduced, and also, the ununiformity of the shape in each tip part is reduced, and to provide a method for producing a plate glass using the same. - 特許庁

最適なめっきの目付量をもってめっき処理することにより、要求された光沢度を達成した光沢性に優れた容器用錫めっき鋼板及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a tin-plated steel sheet having superior gloss for a vessel, which attains required glossiness by being plated into an optimal coating weight, and to provide a manufacturing method therefor. - 特許庁

「ＤＩ工法」を用いた電池缶６において、缶内周側面の最表面に錫ニッケル合金層２を０．０５μｍ〜０．３０μｍの厚みで形成させることにより、缶内面にマイクロクラックが発生する。例文帳に追加

In a battery can 6 using a DI method, a tin-nickel alloy layer 2 with a thickness of 0.05-0.30 μm is formed on the outermost surface of the can inner circumference side face, so that micro-cracks are generated on the can inside face. - 特許庁

これらの凹凸形成工程に加え、ガラスリボン１０のトップ面（錫非接触面）には、適宜、コータ６から供給される混合ガスを原料とするＣＶＤ法により、被膜が形成される。例文帳に追加

In addition to the above unevenness forming process, a coating film is properly formed on the top face (surface free from contact with tin) of the glass ribbon 10 by a CVD process using a mixed gas supplied from a coater 6 as a raw material. - 特許庁

本発明は、めっき液温度：３０〜９０℃、めっき液の攪拌速度：５〜３００ｍ／ｍｉｎ及び陰極電流密度：５〜２００Ａ／ｄｍ^2の条件下で錫−亜鉛合金電気めっきを行う方法を提供する。例文帳に追加

In the method, tin-zinc alloy electroplating is performed under the conditions where the temperature of a plating liquid is 30 to 90°C, the stirring rate of the plating liquid is 5 to 300 m/min, and cathode current density is 5 to 200 A/dm^2. - 特許庁

日射遮蔽体形成用アンチモン含有酸化錫微粒子の製造方法、日射遮蔽体形成用分散液、日射遮蔽体、および、日射遮蔽用基材例文帳に追加

MANUFACTURING METHOD FOR ANTIMONY-CONTAINING TIN OXIDE FINE PARTICLES FOR FORMING SOLAR RADIATION SHIELDING BODY, DISPERSION FOR FORMING SOLAR RADIATION SHIELDING BODY, SOLAR RADIATION SHIELDING BODY, AND SOLAR RADIATION SHIELDING BASE MATERIAL - 特許庁

ＩＴＯ薄膜形成に好適な高密度化と成分の均一性に優れた焼結体を得ることができるジェットミルを用いた酸化錫粉末の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a tin oxide powder using a jet mill capable of obtaining a sintered compact excellent in densification and in homogeneity of ingredients preferable for forming an ITO thin film. - 特許庁

鉄系圧粉体１，２同士を焼結と同時に接合する焼結製回転伝達部品の製造方法において、一方の鉄系圧粉体１が銅と錫とを含む。例文帳に追加

In the method for manufacturing the sintered rotation transmitting parts in which ferrous green compacts 1 and 2 are sintered and simultaneously joined together, one ferrous green compact 1 contains copper and tin. - 特許庁

先行材と後行材を接続してリフロー処理する際の加熱過不足の発生を最小限にする連続錫めっき設備のリフロー加熱電力制御方法を提供する。例文帳に追加

To provide a reflow heating powder control method of a continuous tin plating apparatus by which the occurrence of deficiency and excess of heating in the reflow treatment of the connection of a preceding sheet and a succeeding sheet is minimized. - 特許庁

チップサイズに関係なく、錫めっきのくっつきを一定量以下に抑制することが可能なチップ型セラミックス電子部品の電極形成法およびそれを用いてなるチップ型セラミックス電子部品を提供する。例文帳に追加

To provide a method for forming an electrode of chip type ceramic electronic parts by which the sticking of tinning can be suppressed to a fixed amount or lower without depending on the size of a chip, and to provide chip type ceramic electronic parts obtained by using the same. - 特許庁

鉄系圧粉体１，２同士を焼結と同時に接合する鉄系焼結部品の接合方法において、一方の鉄系圧粉体１が銅と錫とを含む。例文帳に追加

In the joining method for ferrous sintered parts in which ferrous green compacts 1 and 2 are sintered and simultaneously joined together, one ferrous green compact 1 contains copper and tin. - 特許庁

メッキ装置中を所定の帯速度で走行してメッキを施された帯状金属、特に、錫メッキまたはクロムメッキ帯鋼の表面の摩擦係数を低下させる方法およびメッキ装置を提供する。例文帳に追加

To provide a method and a device for lowering the coefficient of friction of the surface of metal bands with a coating, especially of tin-plated or chromium-plated steel bands, which are passed through a coating installation at a band speed. - 特許庁

下地層は、酸化インジウム焼結体をターゲットとして直流スパッタリング法で成膜し、ＩＴＯ層は４重量％の酸化錫を含む酸化インジウム焼結体にアーク放電プラズマを照射して蒸着により成膜する。例文帳に追加

For the ITO transparent conductive film 21 an indium oxide layer 22 as a substrate and the ITO film 23 are laminated on the color filter 24. - 特許庁

優れた電流伝導能力を有するＮｂ_３Ｓｎ超電導体物質を生成するためのドーパントを有し、より微細な複合介在物を含む、Ｎｂ_３Ｓｎ超電導線用の錫基合金およびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide an Sn based alloy for Nb_3Sn superconducting wire comprising a finer compound inclusion(s) with a dopant(s) in order to produce Nb_3Sn superconductor wire having a superior current carrying capacity, and to provide a method for producing the same. - 特許庁

鉛フリーの錫メッキを施したフラットケーブル等の電気導体部品において、外部応力を受ける部分でのホイスカの発生が防止された電気導体部品及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide an electrically conductive component such as a flat cable which is subjected to lead-free tinning and in which the generation of whiskers in the part subjected to external stress is prevented, and to provide its production method. - 特許庁

表面の粗さ曲面の算術平均面に対して、算術平均粗さ（Ｒａ）の２倍以上の高さの凸部分の、ナノインデンテーション法で測定した硬さが２ＧＰａ以上であることを特徴とする錫めっき鋼板。例文帳に追加

In the tin-plated steel sheet, a projecting part having height ≥2 times of arithmetic average roughness (Ra) on the arithmetic average surface of the rough curved surface has ≥2 GPa hardness measured by a nanoindentation method. - 特許庁

熱線遮蔽膜に適した６ホウ化物微粒子とインジウム錫酸化物微粒子とからなる混合粉末と、それを用いた塗布液の生産効率に優れた製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method with excellent production efficiency of a mixed powder consisting of a hexaboride fine particle and an indium tin oxide fine particle suitable for a heat ray shielding film, and to provide a manufacturing method with excellent production efficiency of a coating fluid using the mixed powder. - 特許庁

鉄鋼製品の表面にニッケル、銅、亜鉛、コバルト、インジウム、もしくは錫、もしくはそれらの合金を０．０５ｇ／ｍ^2 以上付着させ、その上に溶融亜鉛系めっき層を有する鉄鋼製品ならびにその製造方法。例文帳に追加

In the iron and steel products, nickel, copper, zinc, cobalt, indium or tin or an alloy thereof, in an amount of ≥0.05 g/m^2, is adhered to the surface of the iron and steel products, and a hot-dip zinc-based metal plating layer is further applied to the surface. - 特許庁

めっき層中のＳｎが溶けて地鉄の粒界に入り込んで割れが発生する、いわゆる低融点金属侵入割れを防止することができる錫系めっき鋼板のスポット溶接方法を提供する。例文帳に追加

To provide a spot welding method of a tinned steel sheet, a method that can prevent what is called crack by low-melting metal impregnation in which Sn in a plating layer melts and infiltrates into the grain boundary of base iron, causing crack. - 特許庁

錫−亜鉛系の鉛フリーはんだを用いて、大量生産を目的としたＶＰＳ方式のはんだ付け方法を確立し、長寿命の電子機器を実現すること。例文帳に追加

To provide a soldering method of a VPS(vapor phase soldering) system with the aim of mass production using tin - zinc based lead free solder thereby to realize electronic equipment having a long service life. - 特許庁

他の方法として、まず多結晶シリコンを成膜し、その後、得られた多結晶シリコン膜に錫（Ｓｎ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、鉛（Ｐｂ）の少なくとも一種をイオン注入法、イオンドープ法あるいは拡散法により添加して不純物添加多結晶シリコン膜２を形成する。例文帳に追加

As another method, first a polycrystalline silicon film is formed and thereafter at least one kind of tin (Sn), germanium (Ge) and lead (Pb) is added to the obtained polycrystalline silicon film by ion implantation method, ion doping method or diffusion method, and the impurity added polycrystalline silicon film 2 is formed. - 特許庁

ガラス板７上に直接または酸化錫膜２を介して、二酸化バナジウムを含み、酸化バナジウムを主成分とする薄膜１を熱分解法（例えばＣＶＤ法）により形成し、この薄膜１の上に、反射防止膜として、窒化膜４を熱分解法により形成する。例文帳に追加

A thin film 1 containing vanadium dioxide and consisting mainly of vanadium oxide is formed, directly or through a tin oxide film 2, on a glass plate 7 by a thermal decomposition process (for example, CVD method) and a nitride film 4 is formed as a reflection preventing film, on the thin film 1 by the thermal decomposition process. - 特許庁

生態系への影響が懸念される有機錫系触媒フリーであり、且つ、精密機器内でのブリード物の発生がないポリウレタン発泡体の製造方法、前記製造方法に用いられる金属酸化物微粒子、及びポリウレタン発泡体を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a polyurethane foam without organic tin catalysts possibly influencing the ecosystem and generation of bleeding products in precision machines, a fine particle of a metal oxide used in the method, and a polyurethane foam. - 特許庁

錫と銀を含有するはんだ合金の構成元素含有量を定量分析する方法において、はんだ試料を硝酸により分解する工程と、その分解溶液中の構成元素を定量分析する工程を具備することを特徴とするはんだ合金の構成元素の定量方法。例文帳に追加

This method for quantitatively analyzing the constituent elements of the solder alloy containing tin and silver includes a process for decomposing a solder sample by nitric acid and a process for quantitatively analyzing the constituent elements in the decomposed solution. - 特許庁

透明絶縁基板上に、スパッタリング法により酸化インジウム錫薄膜を形成する方法であって、チャンバ内に配置された前記基板の温度を、前記薄膜の膜厚が増大するにつれて、連続的又は段階的に低下させる。例文帳に追加

This indium tin oxide thin film is formed on a transparent insulating substrate by a sputtering method by continuously or step by step lowering the temperature of the substrate put inside a chamber with increase in the thickness of the thin film. - 特許庁

所定の帯速度でメッキ装置中を走行してメッキを施された帯状金属、特に、錫メッキまたはクロムメッキされた帯鋼の表面の摩擦係数を低下させる方法でおいて、メッキ工程後、上記帯速度で走行する帯状金属に界面活性剤の水溶液をスプレーすることを特徴とする方法。例文帳に追加

The invention provides a method for lowering the coefficient of friction of the surface of plated metal strips, especially of tin-plated or chromium-plated steel strip, which are passed through a plating apparatus at a prescribed strip speed. - 特許庁

めっき中に被めっき微粒子が凝集することなく、また傷発生のない、極めて均一な厚さのめっき層を有する導電性微粒子の製造方法、及び、樹脂微粒子の表面に錫／銀合金めっき層が形成された導電性微粒子の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for producing conductive fine particles having a plating layer of extremely uniform in thickness and free from scratches without being accompanied with agglomeration of the fine particles to be plated during the plating process and the method for producing the conductive fine particles comprising the resin fine particles and a tin/silver alloy plating layer formed thereon. - 特許庁

本発明の課題は、湿式エッチング法により、非導電性基板の大きさに係わりなく且つ室内の作業環境を汚染することなく、該基板面に耐摩耗性の優れた導電性酸化錫の高精度パタ−ンを形成させる工業的に望ましい方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of forming a high precise pattern of conductive tin oxide having excellent wear resistance on the surface of a substrate by a wet etching method regardless of the size of the non-conductive substrate and without polluting the working environment in a roam. - 特許庁

反応溶媒中で、塩基性化合物の存在下に、ジハロゲン化ジアルキル錫を反応させるヘキサアルキル−１，５−ジハロゲン化トリスタノキサンの製造法において、反応溶媒として水を使用するヘキサアルキル−１，５−ジハロゲン化トリスタノキサンの製造方法を提供。例文帳に追加

In the method for producing the hexaalkyl-1,5-dihalogenated tristannoxane by reacting a dihalogenated dialkyltin in the presence of a basic compound in a solvent, water is used as a reaction medium. - 特許庁

ＦＦＣ用のＳｎめっき平角導体を、ロールクロス圧延方法によって製造する場合に、特定の厚さを有すると共に均一な厚さの錫めっき層を形成できるＦＦＣ用の平角導体の製造方法を提供することにある。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a flat rectangular conductive body for an FFC, which method can form a tin plated layer having a specified and uniform thickness when manufacturing the Sn plated flat rectangular conductive body for the FFC by the roll cross rolling method. - 特許庁

酸化錫粉末、酸化アンチモン粉末、混合粉末中の含有量が５〜２０重量％である酸化亜鉛粉末とを混合し、得られた混合粉末をコールドプレス法又は泥漿鋳込み法により成形した後、焼成して焼結体を得る。例文帳に追加

The method for manufacturing the target comprises mixing tin oxide powder, antimony oxide powder, and zinc oxide powder the content of which in the mixed powder is 5-20 wt.%, molding the obtained mixed powder with a cold press method or a slurry molding method, and baking it into the sintered compact. - 特許庁

触媒として酸化ストロンチウム、酸化カルシウム、酸化バリウム、酸化ゲルマニウム、酸化錫、酸化インジウムのうち少なくとも一種を用い、ナフトールとアルコールとを該アルコールが超臨界状態になる条件下で反応させるアルキル化ナフトールの製造方法。例文帳に追加

This method for producing an alkylated naphthol comprises using at least one kind of strontium oxide, calcium oxide, barium oxide, germanium oxide, tin oxide and indium oxide as a catalyst and reacting naphthol with an alcohol under a condition to make the alcohol in a supercritical state. - 特許庁

有害性のあるアンチモン等のドーパントを含まず、ポリマー等に良好な導電性を付与すると共に、塗料に対する易分散性及び透明性にも極めて優れた導電性酸化錫粉末及びその製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a conductive tin oxide powder which contains no harmful dopant such as antimony, giving a good conductivity to polymers and the like, and which is excellent in easy dispersibility to paints and transparency, and its manufacturing method. - 特許庁

硫酸インジウム又は塩化インジウム水溶液を用いるインジウムの電解精製において、電解液を活性炭処理することにより、電解液中のメタスズ酸の懸濁物及び錫イオンを除去することを特徴とする電解精製によるインジウムの回収方法。例文帳に追加

As to this method for recovering indium by the electrolytic refining of indium in which an aqueous solution of indium sulfate or indium chloride is used, an electrolytic solution is subjected to activated carbon treatment, by which the suspended substance of metastannic acid and tin ions in the electrolytic solution are removed. - 特許庁

半導体装置に好適な多層膜構造体１０の形成方法として、シリコン基板１１の上方にゲルマニウム層１２を形成する工程と、その上方にゲルマニウム錫混晶層１３を形成する工程と、その上方に伸張歪ゲルマニウム層１４を形成する工程とを含む。例文帳に追加

The method of forming a suitable multilayer film structure 10 on a semiconductor device includes the step of forming a germanium layer 12 over a silicon substrate 11, forming a germanium tin mixed crystal layer 13 over the germanium layer, and forming a tensile-strained germanium layer 14 over the germanium tin mixed crystal layer. - 特許庁

ｍ−クレゾールとイソプロパノールとを混合し、酸化カルシウム、酸化ストロンチウム、酸化バリウムおよび酸化錫からなる触媒群のうち少なくとも１つの触媒の存在下、イソプロパノールが超臨界条件になる条件にて反応させることを特徴とするチモールの製造方法。例文帳に追加

This method of producing thymol is characterized by mixing m-cresol with i-propanol and allowing them to react with each other in the presence of at least one catalyst selected from the group consisting of calcium oxide, strontium oxide, barium oxide and tin oxide under the super-critical conditions of i-propanol. - 特許庁

この方法は、更に、第２半導体材料の前駆体、Ｃｌ化合物とは応性しないキャリアガス、および錫テトラクロライド（ＳｎＣｌ_４）を供給することにより、第１領域の第１半導体材料の上に第２半導体材料の膜を選択的に形成する工程を含む。例文帳に追加

The method further includes selectively providing a film of a second semiconductor material on the first semiconductor material of the first region by providing a precursor of the second semiconductor material, a carrier gas that is not reactive with chlorine compounds, and tin-tetrachloride (SnCl_4). - 特許庁