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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > 電極形成に関連した英語例文

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電極形成の部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 39582



例文

本発明は、耐酸化性を有する導電粉末を効率よく製造する方法、導電粉末、およびこのような導電粉末を用いた導電性ペーストを提供することで、有機物の分解ならびに除去に十分な温度の酸化雰囲気中での脱バインダー処理を可能とし、このような導電性ペーストを用いて内部電極形成する積層セラミック電子部品の歩留まりならびに生産性を向上させることにある。例文帳に追加

To realize debinder treatment in an oxidizing atmosphere at a temperature sufficient for decomposing and removing organic matters and to improve the yield and productivity of laminated ceramic electronic parts of which an internal electrode is formed by using a electrically conductive paste by providing a method for efficiently producing electrically conductive powder having oxidation resistance, electrically conductive powder and electrically conductive paste using the same electrically conductive powder. - 特許庁

半導体基板11と、この半導体基板11の表面上にゲート絶縁膜を介して形成されて半導体基板11中での電荷の移動を電気的に制御する少なくとも1つのゲート電極13とを備えた半導体装置であって、半導体基板11は、不純物が添加された半導体で構成され、不純物の濃度が表面の位置で最も低く表面から深い位置となるほど高くなるようにされている。例文帳に追加

The semiconductor device comprises a semiconductor substrate 11, and at least one gate electrode 13 formed on the surface of the semiconductor substrate 11 through a gate insulating film and controlling movement of charges in the semiconductor substrate 11 electrically wherein the semiconductor substrate 11 is composed of a semiconductor added with impurities and the concentration of impurities is set to become lowest at the surface position and increase toward the deeper position. - 特許庁

上記課題を解決するために、本発明は、超伝導単結晶の表面に絶縁層と電極を配置してなる固有ジョセフソントンネルデバイスの簡易作製法であって、前記表面の絶縁層を前記超伝導単結晶の結晶面を表面とし、当該表面を還元雰囲気に暴露しながら加熱して、当該表面を還元して絶縁化し、形成することを特徴とする固有ジョセフソントンネルデバイスの簡易作製法の構成とした。例文帳に追加

The method for easily producing the intrinsic Josephson tunnel device composed by arranging an insulating layer and an electrode in the surface of a superconducting single crystal is configured so that the insulating layer in the surface is formed by heating the surface while exposing the surface to a reducing atmosphere and reducing the surface so as to be insulative, where the surface is the crystal face of the superconducting single crystal. - 特許庁

イオン源ガスg3を高周波放電によりプラズマ化するイオン生成室91及びイオン引出し電極系92を備えたイオン源装置90であり、イオン生成室91に初期放電装置Aが付設されており、装置Aは永久磁石43、44により形成される磁場内にマイクロ波を導入して放電させる放電空間49を有しており、該放電空間49はシールド部材47を介してイオン生成室91内に連通しているイオン源装置90。例文帳に追加

The ion source device 90 is formed in such a constitution that the ion-forming chamber 91 is provided with an initial discharge device A, and the device A has a discharge space 49 for discharging a microwave after introducing it in a magnetic field formed by permanent magnets 43, 44, and the discharge space 49 communicates with the inside of the ion formation chamber 91 via a shield material 47. - 特許庁

例文

具体的に、本発明の一実施形態は、金属層を介してn型及びp型熱電半導体が互いに接合されて形成された複数のpn接合及び前記n型及びp型熱電半導体とそれぞれ電気的に連結された第1及び第2電極を含み、前記複数のpn接合は絶縁層を介して積層されるが、それぞれは互いに電気的に並列連結されたことを特徴とする熱電素子を提供する。例文帳に追加

This thermoelectric element includes: a plurality of pn junctions each formed by bonding n-type and p-type thermoelectric semiconductors to each other with a metallic layer interposed therebetween; and first and second electrodes electrically connected to the n-type and p-type thermoelectric semiconductors, respectively; wherein the plurality of pn junctions are laminated with insulating layers interposed therebetween, and are connected electrically in parallel to one another. - 特許庁


例文

分離領域13に囲まれたN型の島状領域14の中に、エピ層ELの上面から第2の埋め込み層12まで延びるコレクタ領域16と、第2の埋め込み層12とコレクタ領域16に囲まれて島状を呈するベース領域15、17と、内側の窓部分よりベース電極を取り出せるようにしたリング状で、その外周がコレクタ領域16とほぼ一定の距離だけ離れているエミッタ領域18と、を形成する。例文帳に追加

An N-type island shaped region 14 surrounded by a separation region 13 comprises a collector region 16 extending from the upper surface of the epitaxial layer EL to the second buried layer 12, island shaped base regions 15, 17 surrounded by the second buried layer 12 and the collector region 16, and an emitter region 18 whose periphery keeps an approximately constant distance away from the collector region 16. - 特許庁

誘電体材料と導電性材料で構成された減圧可能な反応容器内に円筒状基体を設置し、該反応容器の外部に設けた少なくとも1つの高周波電極に対し複数の高周波電力を同時に供給すると共に該高周波電力をパルス印加する事により、該反応容器内に供給した原料ガスを分解し該円筒状基体に珪素を母体とする非単結晶膜を堆積する事により電子写真感光体を形成する。例文帳に追加

The electrophotographic photoreceptors are formed by placing a cylindrical substrate in a pressure reducible reaction container made of dielectric materials and conductive materials, and supplying two or more RF power simultaneously at least to one RF electrode provided outside this reaction container and applying the power in pulses, then decomposing the material gas supplied to this reaction chamber, and depositing non-single crystal films having silicon as the parent on this cylindrical substrate. - 特許庁

マグネトロン130により発生したマイクロ波を伝達する導波管140と、マイクロ波の共振領域を形成する共振器150と、共振器150の内部に生成した電界によってプラズマを生成して光を発生するバルブ160と、マイクロ波を印加した時に速かに発光するように電界を集中させる点灯促進手段として導体部材300とを包含した無電極照明機器を構成する。例文帳に追加

The electrodeless lighting device comprises a wave guide 140 guiding microwave generated by a magnetron 130, a resonator 150 forming a resonating area of microwave, a bulb 160 generating plasma by the electric field generated at the inside of the resonator 150 and emitting light, and a conductor member 300 functioning as a lighting promotion means making electric field concentrate so as to quickly emit light when microwave is impressed. - 特許庁

内部に燃料流路を有する多孔質絶縁性基体の外面に固体酸化物形燃料電池セルの複数個を配置してなる横縞方式の固体酸化物形燃電池であって、該多孔質絶縁性基体の表面が凹凸に形成されたものを用いることで、該凹凸面と両電極材料との接合面にも凹凸面に対応する凹凸構造を自然に反映させ、発電に係わる実質セル面積を増大させてなることを特徴とする横縞方式の固体酸化物形燃料電池及びその作製方法。例文帳に追加

For the slid oxide fuel battery of banded type made by arranging a plurality of solid oxide fuel battery cells at an outside face of porous insulating base body having a fuel flow channel inside, the porous insulating base body with a rugged surface is used, and the jointing face of the rugged surface with both electrode materials is made to naturally reflect a corresponding rugged structure, whereby substantial cell areas concerning power generation are augmented. - 特許庁

例文

一方極の端子を兼ねる開口部を備えた外装容器と、前記開口部を密封する他方極の端子を兼ねる封口体と、前記外装容器内に収容される正極板および負極板を備えた電極体と、前記正極板または負極板の一方の前記封口体側に位置する端部と前記封口体とを集電体を介して接続する電池であって、前記安全弁装置は、前記封口体内に設けられた第1の安全弁3と、前記外装容器のカシメ領域7に形成された孔8とこの孔を塞ぐように配設されたシール部材9とを具えた第2の安全弁4とを具備してなることを特徴とする。例文帳に追加

The safety device comprises a first safety valve 3 provided in the sealing body and a second safety valve 4 that has a hole 8 formed in the caulking region 7 of the outer package container and a sealing member 9 arranged so as to cover this hole. - 特許庁

例文

マトリクス状に配列した走査線と信号線とで囲まれる各画素領域に画素電極16及び薄膜トランジスタTFTを配置したアレイAR基板と、ブラックマトリクスBM及びカラーフィルタ26を備えたカラーフィルタ基板CFとを有する液晶表示パネル10Aにおいて、前記薄膜トランジスタTFTの表面に絶縁膜20を介して光吸収層30を形成したことを特徴とする。例文帳に追加

The liquid crystal display panel 10A includes an array substrate AR having a pixel electrode 16 and a thin film transistor TFT in each pixel region enclosed by scanning lines and signal lines arranged in a matrix, and a color filter substrate CF having a black matrix BM and a color filter 26, wherein a light absorbing layer 30 is formed over the surface of the thin film transistor TFT with an insulating film 20 interposed therebetween. - 特許庁

ガラス基板上に対となる表示電極と誘電体層を形成してなる前面側パネル10を真空チャンバ31内の基板ホルダー32にセットし、真空チャンバ31の内部を排気し、ヒータ35にてパネル10を加熱し、るつぼ38内の膜材料(MgO)にフィラメント37より熱電子流36を照射させてMgOを蒸発させて前面側パネル10の誘電体層上にMgO膜を成膜する。例文帳に追加

A front panel 10 having a display electrode and a dielectric layer formed in pair on a glass substrate is set on a substrate holder 32 in a vacuum chamber 31, the vacuum chamber is evacuated, a panel 10 is heated by a heater 35, and a film material (MgO) in a crucible 38, irradiated with a thermionic current 36 via a filament 37, is evaporated to form a MgO film. - 特許庁

多孔質弁作用金属の誘電体皮膜上に気相重合によりフィブリル構造を有するチオフェン骨格を有する化合物、イソチアナフテン骨格を有する化合物、ピロール骨格を有する化合物、フラン骨格を有する化合物及びアニリン骨格を有する化合物からなる群の少なくとも1つの化合物からなる重合体の固体電解質層を形成した電極を有する固体電解コンデンサ。例文帳に追加

A solid electrolytic capacitor has an electrode in which a solid electrolyte layer of a polymer composed at least of one compound selected from among a compound having a thiophene skeleton having a fibril structure, a compound having a polycyclic sulfide skeleton, a compound having a pyrrole skeleton, a compound having a furan skeleton, and a compound having an aniline skeleton is formed on a dielectric coating film composed of a porous valve-action metal by vapor phase polymerization. - 特許庁

高分子電解質膜と、前記高分子電解質膜の一方の側に配置された、カソード触媒層と、前記高分子電解質膜の他方の側に配置された、アノード触媒層と、前記有効アノード触媒層の面積が前記有効カソード触媒層の面積よりも大きくなるように、前記カソード触媒層の端部の少なくとも一部に形成された、第一のガスケット層と、を有する、電解質膜−電極接合体。例文帳に追加

This is the electrolyte membrane-electrode assembly which is provided with a polyelectrolyte membrane, a cathode catalyst layer arranged on one side of the polyelectrolyte membrane, an anode catalyst layer arranged on the other side of the polyelectrolyte membrane, and a first gasket layer formed at least at one part of the end part of the cathode catalyst layer so that the area of the effective anode catalyst layer will become larger than that of the effective cathode catalyst layer. - 特許庁

炭素ナノチューブと伝導性ポリマーを脱イオン水に分散させ粘度が50〜100cpsの炭素ナノチューブ混合液を設ける段階と、基板上に上記炭素ナノチューブ混合液を塗布する段階と、上記塗布された炭素ナノチューブ混合液から炭素ナノチューブが含まれた伝導性ポリマー層が形成されるよう上記炭素ナノチューブ混合液を熱処理する段階とを含む電界放出エミッタ電極の製造方法を提供する。例文帳に追加

The manufacturing method of the field emission type emitter electrode comprises a step for providing a carbon nanotube mixture having a viscosity of 50 to 100 cps in which the carbon nanotubes and a conductive polymer are dispersed into deionized water; a step for applying the carbon nanotube mixture on a substrate; and a step for heat-treating a prescribed carbon nanotube mixture so that the conductive polymer layer containing the carbon nanotubes are formed of the applied carbon nanotube mixture. - 特許庁

相互対向する第1及び第2面とその間に位置した側面とを有し、非圧縮性高分子誘電体から成る少なくとも一つの高分子誘電体フィルムと、上記第1面及び第2面に各々接続された第1及び第2軟性電極とを具備した積層型駆動部と、上記高分子誘電体フィルムに作用する予ひずみがほぼゼロとなるよう上記高分子誘電体フィルムの側面に沿って形成された固定フレームとを含んだアクチュエータを提供する。例文帳に追加

The actuator includes at least one polymer dielectric film comprising a noncompressible polymer dielectric which has first and second surfaces opposed to each other and a side face positioned between them, a stacked drive part having first and second soft electrodes connected to the first and the second surfaces, respectively, a fixed frame formed along the side face of the polymer dielectric film such that pre-strain exerted on the polymer dielectric film is substantially zero. - 特許庁

2枚の基板111、112間のセル116に互いに帯電極性の異なる、且つ、互いに光学的反射濃度の異なる少なくとも2種類の、摩擦帯電性を有する乾式現像粒子WP、BPを含む現像剤DLを収容し、一方の基板111に静電潜像を形成することで該静電潜像に基づく電界にて現像粒子を駆動して画像表示できる可逆性画像表示媒体13である。例文帳に追加

In the reversible image display medium 13, a developer DL containing at least two kinds of dry developing particles WP, BP having triboelectrification property and having different electrification polarities and different optical reflection densities from each other is housed in cells 116 between two substrates 111, 112 and an image can be displayed by forming an electrostatic latent image on one substrate 111 and driving the developing particles by the electric field based on the electrostatic latent image. - 特許庁

イオン電導性を有するシリカベースのナトリウム系またはリチウム系ガラス組成の複数本のキャピラリー1,1…を集束し、集束されたキャピラリー1,1…の一端側を導電体2によって電気的に接続するとともに、基準電位取り出し用のリード線3を前記導電体2に連結してなる比較電極Dであって、前記導電体2表面に難溶性の塩を生成させ、不導体を形成してある。例文帳に追加

The comparison electrode D is formed in such a way that a plurality of capillaries 1, 1, etc., whose composition is a silica-based sodium- based or lithium-based glass with ion conductivity are bundled, that ends on one side of the bundled capillaries 1, 1, etc., are electrically connected by a conductor 2, and that a lead wire 3 for reference-potential derivation is connected to the conductor 2. - 特許庁

Si活性層上、及び絶縁SiO_2膜を介してゲート電極上にコンタクト孔を同時に形成する方法において、フッ素ガス系による反応性イオンエッチング及びバッファードフッ酸によるウェットエッチングの後に、引き続いてスパッタ装置によりArガスによるスパッタエッチング、及びスパッタ成膜を連続して行うことにより、Si活性層の凹凸部に残留する酸化膜を効果的に除去する。例文帳に追加

In the method for simultaneously forming the contact holes on a gate electrode on the Si active layer and via an insulating SiO_2 film, oxide films that are left in the irregularities of the Si active layer are removed effectively, by subsequently performing sputter etching by Ar gas with a sputtering device and continuously performing sputtering deposition after performing reactive ion etching by a fluorine gas system and wet etching by a buffered hydrofluoric acid. - 特許庁

本発明は、対向する電極層間に複数の発光ユニットを有し、隣接する上記発光ユニット間に電荷発生層が形成された有機EL素子であって、上記電荷発生層が、電子注入性を有する無機半導体材料からなる電子発生層と、正孔注入性を有する無機半導体材料からなる正孔発生層とを有することを特徴とする有機EL素子を提供することにより、上記目的を達成するものである。例文帳に追加

The present invention relates to an organic EL element which includes a plurality of light emitting units between electrode layers facing each other and in which a charge generating layer is formed between the adjacent light emitting units, wherein the charge generating layer includes an electron generating layer comprised of an inorganic semiconductor material with an electron injection property and a hole generating layer comprised of an inorganic semiconductor material with a hole injection property. - 特許庁

本発明は、従来のLDD構造を有するM0S型トランジスタでは不可能であったドレイン耐圧が大きく、ドレイン・ソース領域とゲート電極間の容量が小さく、フィールド酸化膜下に形成されたチャネルストップとソース・ドレイン領域の接合耐圧の高い、しかもそのドレイン耐圧を制御することのできる中耐圧構造を有するMOS型トランジスタを提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide an MOS transistor having a high drain breakdown voltage, small capacitance between a drain-source region and a gate electrode, and a high junction breakdown voltage of a channel stop and a source-drain region formed under a field oxide film, which are impossible in a conventional MOS transistor having an LDD structure and having an intermediate breakdown voltage structure capable of controlling the drain breakdown voltage. - 特許庁

Arプラズマによる硬化処理の有無により反応性イオンエッチングに対するベンゾシクロブテン膜のエッチング特性が異方的、等方的と変わる性質を利用し、BCB膜一種、エッチングガス一種で、一度の反応性イオンエッチングでT型の開口度の異なるパタンを簡易に形成でき、製造工程の大幅な短縮を図ることができるT型ゲート電極有する半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing semiconductor device which can easily form T-type patterns in different degrees of apertures to remarkably reduce the manufacturing processes with the single process of reactive ion etching with a kind of BCB film and a kind of the etching gas, by utilizing the property that the etching characteristic of benzocyclobutene film for reactive ion etching changes isotropically and anisotropically depending on execution of hardening process with the Ar plasma. - 特許庁

第1の主面にリッジが形成されたガリウムヒ素系または窒化ガリウム系の半導体基体と、前記リッジの側面及び前記リッジの周囲の前記第1の主面を覆うように設けられた絶縁膜と、前記絶縁膜の上に積層された窒化アルミニウム膜と、前記リッジの上面と前記窒化アルミニウム膜の上に設けられた第1の金属電極と、を備えたことを特徴とする半導体レーザ素子を提供する。例文帳に追加

The semiconductor laser element is provided with a gallium-arsenide-based or gallium-nitride-based semiconductor substrate having a ridge formed on a first principal plane, an insulation film provided to cover side faces of the ridge and the first principal plane around the ridge, an aluminum nitride film laminated on the insulation film, and a first metal electrode provided on the upper surface of the ridge and on the aluminum nitride film. - 特許庁

複数の電界放出型カソードKと、その複数のカソードKの表面に、その複数のカソードKからの電子放射を可能にし得るショットキーバリアを形成する強電界を固定的に与える高圧電極と、複数のカソードKに接続され、その複数のカソードKからの電子の放射の有無を制御する2次元MOSゲートアレイと、複数のカソードKから選択的に放出された電子の衝撃によって、光輝せしめられる蛍光体層Pとを有する。例文帳に追加

This flat display device has a plurality of electric field emission type cathodes K, a high voltage electrode which fixedly supplies an intense electric field forms a Schottky barrier which makes possible electrons being emitted from the cathodes K to the surfaces of the cathodes K, a two dimensional MOS gate array which controls electron emission from the cathodes K, and a phosphor layer which glows by impacts of electrons selectively emitted from the cathodes K. - 特許庁

ピーク電流Ip及びベース電流Ibからなるパルス電流Iwをアーク3に通電すると共に、ピーク電流Ipが通電するピーク期間Tp中はフィラワイヤ4を所定速度Ffsでアーク3の方向へ前進送給し、ベース電流Ibが通電するベース期間Tb中はフィラワイヤ4の送給を停止して溶接するパルス電流同期フィラワイヤ送給非消耗電極アーク溶接方法において、ベース期間Tb中にフィラワイヤ4の先端部がアーク3によって溶融して大きな溶滴が形成されるために、溶接品質が悪くなる。例文帳に追加

To provide a pulsed current synchronizing filler wire-feeding non-consumable electrode arc welding method which is capable of obtaining superior welding quality by preventing a large droplet from being formed during the base period Tb. - 特許庁

本発明のアルカリ蓄電池用カドミウム負極の製造方法は、電極基板にカドミウム活物質を充填して活物質充填極板とする活物質充填工程と、この活物質充填極板にポリエチレングリコールを塗布もしくは含浸して、カドミウム負極の表面あるいはカドミウム活物質の表面にポリエチレングリコールの被膜を形成するポリエチレングリコール添加工程とを備えるようにしている。例文帳に追加

This method has an active substance filling process wherein an active substance filling electrode plate is made by filling cadmium active substance into an electrode base plate, and with a polyethylene glycol addition process wherein polyethylene glycol is coated on or impregnated into this active substance filling electrode plate and the coating of polyethylene glycol is formed on the surface of the cadmium negative electrode or on the surface of cadmium active substance. - 特許庁

基材に銀フレーク等の導電性フィラーを含有する導電性ペーストで形成されたアンテナと、当該アンテナに接続されたRFIDチップとを備えたRFIDタグにおいて、本発明は、上記導電性ペーストで成形された上記アンテナのパターンを硬化した後、当該アンテナに上記RFIDチップのバンプ電極を接触させて加熱して、当該導電性ペーストに含有される熱可塑性樹脂で当該RFIDチップを当該アンテナに接続する。例文帳に追加

In this RFID tag having the antenna formed by electroconductive paste containing an electroconductive filler such as silver flake on a substrate, and the RFID chip connected to the antenna, after hardening a pattern of the antenna shaped by the electroconductive paste, the bump electrode of the RFID chip is brought into contact with the antenna, and they are heated to connect the RFID chip to the antenna by thermoplastic resin contained in the electroconductive paste. - 特許庁

液晶装置の画素電極等のデバイスパターン91aをパターニング形成する際、デバイスパターン91aの間で第1方向Yに延在する第1境界領域99gと重なる領域を選択的に露光する第1露光工程と、デバイスパターン91aの間で第2方向Xに延在する第2境界領域99hと重なる領域を選択的に露光する第2露光工程とを行う。例文帳に追加

When device patterns 91a such as pixel electrodes of a liquid crystal device are to be patterned, a first exposure step of selectively exposing a region overlapping a first boundary region 99b extending in a first direction Y between the device patterns 91a, and a second exposure step of selectively exposing a region overlapping a second boundary region 99h extending in a second direction X between the device patterns 91a are carried out. - 特許庁

光電変換素子とトランジスタと発光素子を作製する半導体装置の作製方法において、前記トランジスタのソース領域とドレイン領域は、ソース配線とドレイン配線にそれぞれ接続されており、前記ソース配線と前記ドレイン配線のどちらか一方と、前記光電変換素子が有するn型半導体層とp型半導体層のどちらか一方は、接続配線により接続されており、前記接続配線と、前記発光素子が有する画素電極は同一材料で形成されていることを特徴とする。例文帳に追加

The connecting interconnection and a pixel electrode, which is provided at the light emitting element, are formed of the same material. - 特許庁

一対の基板と、前記一対の基板にそれぞれ配置された偏光板と、前記一対の基板に挟持された液晶層と、前記一対の基板の少なくとも一方に形成され、前記液晶層に電界を印加するための電極群と、前記一対の基板の外側に配置する光源ユニットと、前記一対の基板のうち、光源ユニットに近い側の基板に配置された偏光板と、前記光源ユニットとの間に配置された色素層と、を有し、前記色素層は、色素層の面に対し20度以上の傾斜角をもって入射される光への偏光度が、色素層の面に対し垂直に入射される光への偏光度の0.8 倍以上である液晶表示装置の構成をとる。例文帳に追加

In the dyestuff layer, the degree of polarization to light made incident at an oblique angle of20° on the surface of the dyestuff layer is 0.8 times as high as the degree of polarization to light made incident vertically on the surface of the dyestuff layer or more. - 特許庁

本発明の電気化学キャパシタの製造方法は、セル容器内に電極構成体および有機電解液を収容して単位セルを形成する工程と、前記単位セルまたは前記単位セルが複数個電気的に接続されてなるセル集合体のいずれか一方を第1のコンデンサ容器内に収容して第1の電気化学キャパシタを構成する工程と、前記第1の電気化学キャパシタに対して、充電時に発生する応力の最高値がほぼ一定となるまで充放電サイクルを行う工程と、前記最高値がほぼ一定となった後に、前記単位セルまたは前記セル集合体のいずれか一方を第2のコンデンサ容器に移し替え、第2の電気化学キャパシタを構成する工程とを備える。例文帳に追加

Unit cells 10 are electrically connected in series to form a cell assembly, this assembly is housed in a first capacitor case 70 to assemble a first electrochemical capacitor 80, charging-discharging cycle is applied to this capacitor 80 until a max. and residual stress values in each charging- discharging cycle become approximately constant. - 特許庁

例文

電極パターンを覆う第一の誘電体層、該第一の誘電体層を覆う第二の誘電体層、および該第二の誘電体層を覆う第三の誘電体層を有するプラズマディスプレイ用部材の製造方法であって、軟化点がTs1(℃)である第一の誘電体前駆体層、該第一の誘電体前駆体層を覆い、軟化点がTs2(℃)であるガラス粉末を全無機成分中85体積%以上含む第二の誘電体前駆体層、および該第二の誘電体前駆体層を覆い、有機成分と無機成分からなり、軟化点がTs3(℃)であるガラス粉末を全無機成分中85体積%以上含む第三の誘電体前駆体層を形成した後、該三層の誘電体前駆体層を同時焼成する。例文帳に追加

The method is for manufacturing a plasma display member comprising a first dielectric layer to cover an electrode pattern, a second dielectric layer to cover the first dielectric layer, and a third dielectric layer to cover the second dielectric layer. - 特許庁

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