「AR to」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

A gas purification device 320 circulates Ar gas containing ≤10 ppm oxygen and/or ≤10 ppm moisture from/to an internal space 301 of a glove box 300 through pipes 330, 340.例文帳に追加

ガス純化装置３２０は、１０ｐｐｍ以下の酸素および／または１０ｐｐｍ以下の水分を含むＡｒガスをグローブボックス３００の内部空間３０１との間でパイプ３３０，３４０を介して循環する。 - 特許庁

Since the imaging lenses 1 and 1' are arranged for respective monitoring directions, the central part of the imaging lenses 1 and 1' whose aberration is corrected satisfactorily is utilized to acquire each of the monitoring videos AL and AR.例文帳に追加

監視方向毎に撮像レンズ１、１’を配置したので、収差が良好に補正された撮像レンズ１、１’の中心部分を活用して各監視映像ＡＬ、ＡＲを取り込むことができる。 - 特許庁

A discharge gas such as SnH_4 and a gas (such as Ar) which neither generates debris nor releases any EUV light are supplied from main discharge electrodes 12 and 11 so as to collide with each other at a discharge part 1.例文帳に追加

ＳｎＨ_4 等の放電ガスおよびデブリを発生せずまたＥＵＶ光の発生もしないガス（例えばＡｒ）を放電部１で衝突するように、主放電電極１２および主放電電極１１側から供給する。 - 特許庁

In the dry etching method using mixed gas of only CF_4 and Ar as process gas, O_2 gas is added to reduce the in-plane variance in etching rate.例文帳に追加

プロセスガスとしてＣＦ_4とＡｒのみの混合ガスを用いるドライエッチング方法において、Ｏ_2ガスを添加するようにしたことにより、エッチングレートの面内バラツキを低減させることができるようになる。 - 特許庁

Address information is recorded in this address area AR not as a pit but in the same recording method as the main information is to be recorded in the magneto-optical disk 100.例文帳に追加

このアドレス領域に、アドレス情報は、ピットとしてではなく、光磁気ディスク１００に記録されるべき主情報と同じ記録方法によって記録する。 - 特許庁

In this case, the area to the set phase on the outer side is larger than that of the inner side so that the probability of synchronization in phase unit is larger on the outer side of the cell AR.例文帳に追加

ここで設定位相に対する面積がセルＡＲ内の外側の方が内側よりも大きいので、単位位相あたりで同期がとれる確率はセルＡＲの外側の方が高くなる。 - 特許庁

That is, the frame length detector segments data of a detection object, calculates coefficients {ai} in the AR model and thereafter calculates a summed average AVsi (=si/N) (steps S2 to S5).例文帳に追加

すなわち、フレーム長検出器は、検出対象のデータを切り出して、ＡＲモデルにおける係数｛ａｉ｝を計算した後、加算平均ＡＶｓｉ（＝ｓｉ／Ｎ）を算出する（ステップＳ２〜Ｓ５）。 - 特許庁

In the gas charging step (C), high pressure Ar gas is encapsulated from one end E1 of the quartz glass tube 6 to form a reflection part 61 in the quartz glass tube 6.例文帳に追加

ガス封入工程（Ｃ）では、石英ガラス管６の一端Ｅ１から高圧のＡｒガスが封入されることにより、石英ガラス管６に反射部６１が形成される。 - 特許庁

The display regions Ar are provided in the inside with a plurality of anode wiring commonly connected to the plurality of the anode electrodes 20 extended and arrayed in the vertical direction.例文帳に追加

そして、表示領域Ａｒ内には、縦方向に延伸し、当該縦方向に配列した複数のアノード電極２０に共通接続された複数のアノード配線が設けられている。 - 特許庁

An expression-imparting algorithm and a timbre that names Ar and Tn indicate are determined according to the detected timbre and sequentially changed through altering operation.例文帳に追加

各名称Ａｒ，Ｔｎが表わす表情付けアルゴリズム及び音色は、検出された音色に基づいて決定され、変更操作に応じて順次変更される。 - 特許庁

The window sections 120 and 130 are formed by radiating a laser to thereby remove the laser reaction layer 170, the gradation foil 180 and the silver hologram foil 190 in an area AR where the laser is radiated.例文帳に追加

そして、窓部１２０，１３０は、レーザを照射することにより、当該レーザが照射された領域ＡＲのレーザ反応層１７０およびグラデーション箔１８０、シルバーホログラム箔１９０を除去して形成される。 - 特許庁

To prevent the hardening of a pipe caused by a chemical change in titanium by using Ar and He as a shielding gas on plasma welding.例文帳に追加

本発明は、プラズマ溶接時のシールドガスとしてＡｒとＨｅを用い、チタンの化学変化による硬化を生じさせないようにすることを目的とする。 - 特許庁

The respective output terminals (109r, 109g, and 109b) extending approximately in parallel with each other are disposed connectable to the pixel electrodes of any among the respective monochromatic pixels (Ar, Ag, and Ab).例文帳に追加

略平行に延在している各出力端子（１０９ｒ、１０９ｇ、１０９ｂ）は、各単色画素（Ａｒ、Ａｇ、Ａｂ）のいずれの画素電極に対しても接続可能に設けられている。 - 特許庁

The drain current value is read at the gate voltage which is not higher than the threshold voltage in the initial state, prior to the semiconductor layer 17 receiving light and is not higher than the voltage ar light reception.例文帳に追加

ドレイン電流値の読み出しは、半導体層１７が受光する前の初期状態におけるしきい値電圧以下でかつ受光時の電圧以上のゲート電圧で行う。 - 特許庁

The bimetal 22 causing this attitude change pushes the valve element 14 down to change over the communicated condition of a flow path from AR-port communication into AP-port communication.例文帳に追加

こうして姿勢変化を起こすバイメタル２２は、弁体１４を押し下げ、流路の連通状態をＡＲポート連通からＡＰポート連通に切り換える。 - 特許庁

The O_2 gas, the Ar gas for purge and that for concentration adjustment are made to flow by respectively prescribed flow rates in advance of raising temperature.例文帳に追加

昇温前にはＯ_２ガスとパージ用および濃度調整用のＡｒガスをそれぞれ所定の流量で流しておき、パージ用のＡｒガスのみストップして昇温を開始し熱処理を行う。 - 特許庁

When interconnect line holes and trenches are provided to the low-permittivity interlayer insulating film by etching through micro processing, a mixed gas of fluorocarbon gas, Ar, and NF_3 is introduced into a vacuum chamber for carrying out an etching operation.例文帳に追加

低誘電率層間絶縁膜をエッチングし、配線用のホール、トレンチを微細加工する際に、フッ化炭素系ガス＋ＡｒにＮＦ_３を添加した混合ガスを真空チャンバ内に導入してエッチングする。 - 特許庁

The pattern of an R fluorescent layer FR emitting fluorescence of R color is formed in a R (red) pixel region AR and the illuminating light LB is converted to display light PR of R color.例文帳に追加

Ｒ（赤色）画素領域ＡＲにはＲ色の蛍光を発するＲ蛍光層ＦＲのパターンが形成されており、照明光ＬＢをＲ色の表示光ＰＲに変換する。 - 特許庁

An Ar gas bomb 14 and a mixture gas bomb 15 are connected to the chamber through a reducing valve 16, 17, a flow regulation valve 18 and an on/off valve 19.例文帳に追加

チャンバーに、減圧バルブ１６，１７，流量調整用バルブ１８，オンオフバルブ１９を介してＡｒガスボンベ１４及び混合ガスボンベ１５が繋がれる。 - 特許庁

The ultraviolet rays irradiated from the side of the second substrate SUB2 to harden a sealing agent SL are shielded by the cathode membrane CD and a characteristics deterioration of the display area AR as well as the driving circuit area DR is prevented.例文帳に追加

第２基板ＳＵＢ２側からシール剤ＳＬを硬化させるために照射される紫外線ＵＶは陰極膜ＣＤで遮蔽され、表示領域ＡＲと共に駆動回路領域ＤＲの当該紫外線による特性劣化を防止する。 - 特許庁

The optical amplifier 403 has an AR coating 4015 on the output and an outputted light is connected to an array waveguide lattice 4016 by way of a top-ball fiber 409.例文帳に追加

半導体光増幅器４０３の出力側はＡＲコーティング４０１５が施されており、出力された光は先球ファイバ４０９によりアレイ導波路格子４０１６に接続されている。 - 特許庁

Meanwhile, a feedforward (FF) operation amount calculation section 314 determines an FF operation amount Uff from the acceleration command value Ar and jerk command value Jr, and inputs it to an adder 318.例文帳に追加

一方、フィードフォワード（ＦＦ）操作量算出部３１４は、加速度指令値Ａｒと躍度指令値Ｊｒとから、ＦＦ操作量Ｕｆｆを求めて、これを加算器３１８に入力する。 - 特許庁

Noise generating sources 41, 42 among the electronic components are mounted to the preset mounting position AR most isolated from the connectors 28, 29 on the substrate.例文帳に追加

そして、前記電子部品のうちのノイズ発生源４１，４２が、前記基板上の前記コネクタ２８，２９から最も離れた位置に設定された取付位置ＡＲに搭載される。 - 特許庁

With the SiOC layer 101 as a mask, the SiC layer 102 is selectively plasma-etched using an NF_3/He/Ar mixed as as an etching gas to form an opening 112 continuous with the opening 111.例文帳に追加

このＳｉＯＣ層１０１をマスクとし、ＮＦ_3 ／Ｈｅ／Ａｒの混合ガスをエッチングガスとして、選択的にＳｉＣ層１０２のプラズマエッチングを行い、開口部１１１に連続した開口部１１２を形成する。 - 特許庁

To connect optical waveguides respectively formed on a PLC substrate and a multidimensional oxide substrate including LN with lower intensity of reflected return light without Ar coating films.例文帳に追加

ＰＬＣ基板とＬＮを初めとする多元系酸化物基板上に各々形成した光導波路を、Ａｒコート膜なしで、少ない反射戻り光強度で接続すること。 - 特許庁

Ar gas is introduced into a vacuum vessel 6, a high voltage is impressed between a cathode 2 and a hearth 7 (anode) from a DC power source 5 to cause a discharge, and a discharge plasma current 13 is generated.例文帳に追加

真空容器６内にＡｒガスを導入し、直流電源５によりカソード２とハース（アノード）７間に高電圧を与えて放電させ、放電プラズマ流１３を発生させる。 - 特許庁

Other menu pictures Wb and Wc are displayed through moving operations and algorithm names Ar or timbre information Tn is displayed by the parts Pt1 to Pt5.例文帳に追加

移行操作に応じて別のメニュー画面Ｗｂ，Ｗｃに移行し、各パートＰｔ１〜Ｐｔ５毎にアルゴリズム名Ａｒ又は音色情報名Ｔｎが表示される。 - 特許庁

In the general formula (I), Ar^1 represents an aromatic hydrocarbon ring, Het^1 and Het^2 each represent an aromatic heterocycle, R^1 and R^2 each represent a substituent having 1 to 30 carbon atoms, and n represents 0 or 1.例文帳に追加

（一般式（Ｉ）中、Ａｒ^１は芳香族炭化水素環を、Ｈｅｔ^１およびＨｅｔ^２は芳香族へテロ環を表し、Ｒ^１およびＲ^２は炭素数１〜３０の置換基を、ｎは０または１を表す。） - 特許庁

In a receiver for receiving a periodic signal whose frame period is unknown, a frame length detector employs the AR model estimate method to detect the frame length.例文帳に追加

フレーム周期が未知の周期性信号を受信する受信装置において、フレーム長検出器はＡＲモデル推定法によって、フレーム長の検出を行う。 - 特許庁

After removing the mask material, Ar is ion-implanted into the reactive product 19 formed at least on the side wall of the aluminum wire to generate breaches in the reactive product.例文帳に追加

マスク材を除去した後、アルミニウム配線の少なくとも側壁に形成された反応生成物１９にＡｒをイオン注入し、反応生成物に欠陥を発生させる。 - 特許庁

For such as oxygen precipitate concentration profile, the wafer is exposed to rapid heat annealing in a gas mixture atmosphere comprising NH_3 and Ar at about 1200°C or below.例文帳に追加

このような酸素析出物濃度プロファイルのために、ウェーハはＮＨ_3及びＡｒを含むガス混合物雰囲気で約１２００℃以下の温度で急速熱的アニーリング工程に提供される。 - 特許庁

A tunnel isolation layer 12 for forming the electron source and an electron-emitting element DPX having the same isolation layer and not contributing to displaying is arranged in the vicinity of the display range AR.例文帳に追加

表示領域ＡＲの周囲に、電子源を構成するトンネル絶縁層１２と同層の絶縁層をもつ表示に寄与しない電子放出素子ＤＰＸを設けた。 - 特許庁

The primary MA type spectrum tilt correcting filter 304 corrects a decoded speech signal processed by the three-tap AR type pitch filter 303 to flatten a spectrum envelope characteristic.例文帳に追加

１次ＭＡ型スペクトル傾斜補正フィルタ３０４は、３タップＡＲ型ピッチフィルタ３０３でピッチフィルタ処理された復号音声信号に対してスペクトル包絡特性を平坦化する補正を行う。 - 特許庁

To reduce the surface roughness of a TiN film as a lower electrode without steps such as chemical mechanical polishing, sputtering by Ar, deposition of Ta film, etc.例文帳に追加

下部電極となるＴｉＮ膜の表面のラフネスを低減させるために、化学機械研磨、Ａｒによるスパッタリング、Ｔａ膜の堆積等の工程が必要になる。 - 特許庁

The thermosetting resin composition includes an imide oligomer represented by formula (1) (wherein Ar represents a quadrivalent organic group; R represents a divalent organic group; and n is 1 to 5) and an ethynyl phthalic acid derivative.例文帳に追加

一般式（１）：（式中Ａｒは４価の有機基、Ｒは２価の有機基を表し、ｎは１〜５である）で示されるイミドオリゴマーとエチニルフタル酸誘導体とを含むことを特徴とする熱硬化性樹脂組成物。 - 特許庁

By an ion implantation method using the patterned resist film FR2 as a mask, argon (Ar^+)is introduced to the polysilicon film PF1 in an exposed n-channel type MISFET formation region NTR.例文帳に追加

その後、パターニングしたレジスト膜ＦＲ２をマスクにしたイオン注入法により、露出しているｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴ形成領域ＮＴＲのポリシリコン膜ＰＦ１にアルゴン（Ａｒ^＋）を導入する。 - 特許庁

A microcrystal silicon film 62 is formed in contact with the Ar-containing layer 52, and an i-type amorphous silicon film 63 and an N-type amorphous silicon film 61 are further formed to form an active layer 37.例文帳に追加

Ａｒ含有層５２に接するように、微結晶シリコン膜６２を形成し、さらにｉ型非晶質シリコン膜６３およびＮ型非晶質シリコン膜６１を形成して、活性層３７を形成する。 - 特許庁

Further, in the formulae (1) to (3), Ar^1 represents one or more kinds of groups selected from a set composed of 2,6-naphthalenediyl group, 1,4-phenylene group and 4,4'-biphenylene group.例文帳に追加

Ａｒ^2 、Ａｒ^3 は、それぞれ独立に、２，６−ナフタレンジイル基、１，４−フェニレン基、１，３−フェニレン基および４，４’−ビフェニレン基からなる群から選ばれる１種以上の基を表す。 - 特許庁

With such an oxygen precipitate concentration profile, the wafer is provided to a rapid thermal annealing step of about 1200°C or below in a gas mixture atmosphere containing NH_3 and Ar.例文帳に追加

このような酸素析出物濃度プロファイルのために、ウェーハはＮＨ_３及びＡｒを含むガス混合物雰囲気で約１２００℃以下の温度で急速熱的アニーリング工程に提供される。 - 特許庁

The twist beam 110 contains a rocking axis AR and consists of a first twist beam 111 that extends from the mirror 100 and a second twist beam 112 that extends from the mirror 100 symmetrically to the first twist beam 111.例文帳に追加

捩れ梁部１１０は、揺動軸線ＡＲを含み、ミラー部１００から延出する第１捩れ梁１１１と、第１捩れ梁１１１と対称にミラー部１００から延出する第２捩れ梁１１２とを有する。 - 特許庁

To suppress complication of a screen in an AR technology, even if a large amount of information is displayed on an image in a real space in a superimposed manner.例文帳に追加

ＡＲ技術において、実空間の映像に重畳表示する情報の量が多い場合であっても、画面の煩雑化を抑制することを可能とする。 - 特許庁

To properly control display in AR technology so that virtual objects are not superimposed on objects which should be displayed preferentially in an image of reality space.例文帳に追加

ＡＲ技術において、現実空間の画像において優先表示させるべきオブジェクトに仮想オブジェクトが重畳されないように適切に表示制御することを可能とする。 - 特許庁

An Ar partial pressure in the discharge gas is set at 0.1 to 10%, and moreover a full pressure of the discharge gas is set at 20 kPa or higher and 50 kPa or lower.例文帳に追加

放電ガスにおけるＡｒ分圧を０．１％以上１０％以下になるように設定し、且つ、前記放電ガスの全圧を２０ｋＰａ以上５０ｋＰａ以下に設定する。 - 特許庁

A display substrate is subjected to plasma treatment by generating the plasma using raw materials, such as O_2, CF_4 and Ar, by which a desired distribution of liquid repellency and lyophilicity can be formed.例文帳に追加

そして、この目的を達成するために、Ｏ_２、ＣＦ_４、及びＡｒなどの原料を用いてプラズマを発生させ、表示基板にプラズマ処理を施すことにより、所望の撥液性・親液性の分布を形成することができる。 - 特許庁

The control unit enlarges and reduces the trimming frame TF corresponding to the calculated trimming frame display size for displaying at a center position C100 in the image display area AR.例文帳に追加

制御部は算出したトリミング枠表示サイズに合わせてトリミング枠ＴＦを拡大又は縮小して、画像表示領域ＡＲの中心位置Ｃ１００に表示する。 - 特許庁