「AR to」に関連した英語例文の一覧と使い方(12ページ目) - Weblio英語例文検索

A position detecting device 70 for detecting a position of a leaf spring 41 (a measuring object) moving in a prescribed moving direction (an arrow AR) includes: a light receiving section 72A; and a light projecting section 71A facing the light receiving section 72A and projecting measuring light 80 to the light receiving section 72A.例文帳に追加

所定の移動方向（矢印ＡＲ）に移動する板ばね部４１（被測定物）の位置を検出する位置検出装置７０は、受光部７２Ａと、受光部７２Ａに対向し受光部７２Ａに向けて測定光８０を投光する投光部７１Ａとを備える。 - 特許庁

In the formula (III), Ar denotes substituted or non-substituted allyl group, or substituted or non-substituted heterocyclic group, T denotes single bonding or bivalent connection group, (p) denotes an integer of 1 to 10, J denotes -COOM or -SO_3M and M denotes H, Li, Na or K.例文帳に追加

式（III）中、Ａｒは置換もしくは無置換のアリール基又は置換もしくは無置換の複素環基を表し、Ｔは単結合又は２価の連結基を表わし、ｐは１〜１０の整数を表し、Ｊは−ＣＯＯＭ又は−ＳＯ_3Ｍを表し、ＭはＨ、Ｌｉ、Ｎａ又はＫを表す。 - 特許庁

By setting the reaction temperature to around 430°C, a seed layer about 100 nm thick is deposited by using WF_6: 50 sccm, SiH_4: 10 sccm and H_2: 1,000 sccm as the reaction gas in an atmosphere of Ar, N_2: 30 Torr.例文帳に追加

反応温度を４３０℃程度に設定し、Ａｒ，Ｎ_2：３０Ｔｏｒｒの雰囲気中で、まず、反応ガスとして、ＷＦ_6：５０ｓｃｃｍ、ＳｉＨ_4：１０ｓｃｃｍ、Ｈ_2：１０００ｓｃｃｍを用いて、１００ｎｍ程度の膜厚のｓｅｅｄ層を積層する。 - 特許庁

Subsequently, by using an Ar ion etching technology, in addition to normal lithographic technology, the Ni thin film 3 is formed into an Ni thin-film pattern 4 of a diffraction grating pattern by a two-dimensional photonic crystal, having a basic unit of a triangle of one piece of 230 nm with a column diameter of 100 nm (Fig.1(b)).例文帳に追加

続いて、通常のリソグラフィ技術にＡｒイオンエッチング技術を用いて、Ｎｉ薄膜３を、直径１００ｎｍの柱径で、一片が２３０ｎｍの三角形を基本単位とする２次元フォトニック結晶による回折格子パターン状のＮｉ薄膜パターン４に形成する（図１（ｂ））。 - 特許庁

When a plurality of partial electrocardiographic complexes including the abnormal parts of the whole electrocardiographic complex exist, they move in the direction of an arrow AL or AR, so that the electrocardiographic complex (abnormal electrocardiographic complex) of the part 30D displayed in the zoomed state in the area EB can sequentially switch to that of the part 30D positioned in a moving direction.例文帳に追加

全体波形において異常波形を含む部分波形が複数個存在するときは、矢印ＡＬまたはＡＲ方向に移動して、領域ＥＢに拡大表示される部分３０Ｄの波形（異常波形）を移動方向に位置する部分３０Ｄのそれに順次切替えることができる。 - 特許庁

The objective compound is expressed by formula I {Ar1 to Ar are each a (substituted)aryl [at least one of the groups is a (substituted) naphthyl]; R1 and R2 are each an alkyl or a (substituted)aralkyl}, e.g. 9,9- dimethyl-2,7-bis[N-(1'-naphthyl)-N-phenylamino]fluorene.例文帳に追加

〔式中、Ａr_1〜Ａr_4は置換または未置換のアリール基を表し（但し、Ａr_1〜Ａr_4の少なくとも１個は置換または未置換のナフチル基を表す）、Ｒ_1 およびＲ_2 は直鎖、分岐または環状のアルキル基、あるいは置換または未置換のアラルキル基を表す。 - 特許庁

In the continuous casting method, when a bloom is continuously cast while blowing gaseous Ar into an immersion nozzle, a first movement magnetic field generator 5 having a core 20 wound with a coil 7 and generating a first movement magnetic field applying a swirling flow to the molten steel in a mold 1 is provided.例文帳に追加

ブルームを、浸漬ノズル内にＡｒガスを吹き込みつつ連続鋳造するに際し、コイル７が巻回されたコア２０を有し、鋳型１内の溶鋼に対して旋回流を付与するための第１移動磁場を発生させる、第１移動磁場発生装置５を設ける。 - 特許庁

An Si semiconductor is stored in a crucible 208, the semiconductor in the crucible is heated and fused by induction heating means 215, 216, gas pressure of Ar and N_2, etc., in a space of the upper part than the fused semiconductor in the crucible is applied to the fused semiconductor and the fused semiconductor is dropped from a nozzle 209.例文帳に追加

Ｓｉ半導体を坩堝２０８に貯留し、誘導加熱の手法２１５，２１６によって、坩堝内の半導体を加熱して溶融し、この溶融半導体に、坩堝内の溶融半導体よりも上部の空間にＡｒ、Ｎ_2などのガス圧力を作用し、ノズル２０９から落下する。 - 特許庁

To efficiently prevent sticking of Al_2O_3, even when blown inert gas flowing rate is within the range of the upper limit value regulated from the experience, when an aluminum-killed steel is continuously cast by blowing the inert gas, such as Ar gas, into an immersion nozzle.例文帳に追加

浸漬ノズルにＡｒガスなどの不活性ガスを吹き込んでアルミキルド溶鋼を連続鋳造するに当たり、吹き込む不活性ガス流量が経験上から定められる上限値の範囲内であってもＡｌ_2 Ｏ_3 の付着を効率良く防止する。 - 特許庁

This method/instrument uses a metal ion having the convergency higher than Ar as a primary ion species, and an oxide 2 of an element reactive with a sample 1 is irradiated with a primary ion 3 under the condition where the oxide 2 is deposited on the surface of the sample 1, so as to generate a secondary ion 4.例文帳に追加

Ａｒより高い収束性を持つ金属元素のイオンを一次イオン種として用いるとともに、試料１と反応性に富む元素の酸化物２を試料１の表面に付着させた状態で一次イオン３を照射して二次イオン４を発生させる。 - 特許庁

Light sources arranged along the reflecting faces 4a, 7a with large inclined angles are arranged nearer to an outer edge of the irradiation area than the other light sources arranged along the reflecting faces 5a, 6a with small inclined angles, as seen from an irradiation area Ar side in plane view.例文帳に追加

そして、照射領域Ａｒ側から平面視すると、大きい傾斜角を有する反射面４ａ，７ａに沿って配置されている光源は、小さい傾斜角を有する反射面５ａ，６ａに沿って配置される他の光源よりも、照射領域の外縁近くに配置されている。 - 特許庁

Si etching is interrupted when about 1/3 of a desired depth is reached to form trenches 105a in a first stage, particles 123a lying in the bottoms of the trenches 105a and abnormal deposits 124a are removed using Ar with an applied bias power.例文帳に追加

所望の深さの１／３程度でＳｉエッチグの中断して第１段階のトレンチ１０５ａを形成し、バイアスパワーの印加のもとにＡｒによりトレンチ１０５ａ底部に乗っているパーティクル１２３ａ，付着した異状堆積物１２４ａを除去する。 - 特許庁

The method for manufacturing the Ag-alloy thin film comprises employing the above target, supplying an Ar gas for a sputtering gas and at least one gas selected from O_2, H_2O and H_2+O_2 for an additive gas, and sputtering the target, to manufacture the Ag alloy film containing oxygen.例文帳に追加

このターゲットを用い、スパッタリングガスとしてのＡｒガスと添加ガスのＯ_２、Ｈ_２ＯおよびＨ_２＋Ｏ_２から選ばれた少なくとも１つのガスとを供給してスパッタし、酸素を含有する上記Ａｇ合金膜を製造する。 - 特許庁

If it is determined, based on beacon information outputted from an access point 30, that the cellular phone 10 exists within a communicatable area AR of the wireless LAN, the cellular phone 10 switches the connection destination of the cellular phone 10 from the web server 20 to the access point 30.例文帳に追加

携帯電話機１０は、アクセスポイント３０から出力されるビーコン情報に基づいて、自機１０が無線ＬＡＮ通信可能エリアＡＲ内に在圏していると判断した場合に、自機１０の接続先をＷｅｂサーバ２０から当該アクセスポイント３０に切り替える。 - 特許庁

The fuel cell device 2 using liquid fuel M is provided with a moisture separation part 16 separating moisture from exhaust generated at the fuel cell 4 to which air Ar is supplied together with fuel m, by making the exhaust pass through, and by making the flow of the exhaust generate pressure variation.例文帳に追加

液体燃料（希釈燃料Ｍ）を使用する燃料電池装置２であって、燃料ｍとともに空気Ａｒが供給される燃料電池４に発生する排気を通過させ、その排気流に圧力変化を生じさせることにより、前記排気から水を分離させる水分離部１６とを備える構成である。 - 特許庁

A thin oxide film 8 having a thickness of ≤15 nm is formed by thermal oxidation and is annealed in gaseous N2, H2, NH3, Ar, or the like, and then an oxide film 9 thicker than the thin oxide film 8 is formed by deposition to obtain a prescribed oxide film thickness.例文帳に追加

熱酸化による１５ｎｍ以下の薄い酸化膜８の形成と、その後のＮ２、Ｈ２、ＮＨ３、Ａｒなどのガス中でのアニールとをおこなった後、堆積法にて前記薄い酸化膜８よりも厚い酸化膜９を更に形成し、所定の酸化膜厚とする。 - 特許庁

Then, a torque correction value Tc of the drive wheel is obtained, on the basis of the obtained generative drive-wheel acceleration a3 and actual drive-wheel acceleration ar which the drive wheel presently is generating (step S106), and a torque command value Ts to the drive wheel is corrected (step S107).例文帳に追加

そして、求めた発生可能駆動輪加速度ａ３と、現時点において駆動輪が発生している実駆動輪加速度ａｒとに基づいて駆動輪のトルク補正値Ｔｃを求めて（ステップＳ１０６）、駆動輪に対するトルク指令値Ｔｓを補正する（ステップＳ１０７）。 - 特許庁

Then, the key range dividing position S is dynamically controlled according to the hand positions detected with the keyboard performance of the player, for example, the key range dividing position S is automatically set between the two hands AR, BL in the central part of the keyboard or between the right and left hands (a2, b2).例文帳に追加

そして、演奏者の鍵盤演奏に伴い検出される手の位置に応じて鍵域分割位置Ｓが動的に制御され、例えば、鍵盤中央部の２つの手ＡＲ，ＢＬ或いは左右の手Ｌ，Ｒの中間に自動的に設定される（ａ２，ｂ２）。 - 特許庁

The titanium material can be obtained by ≤80 g/l the concentration of nitric acid in an aqueous solution of nitric-hydrofluoric acid dissolving titanium or performing heating treatment at 300 to 900°C in a vacuum or in the atmosphere of inert gas such as Ar and He after its dissolution with the aqueous solution of nitric-hydrofluoric acid.例文帳に追加

このようなチタン材は、チタンを溶解する硝フッ酸水溶液の硝酸濃度を８０ｇ／ｌ以下と低くするか、或いは硝フッ酸水溶液で溶解した後に真空或いはＡｒ，Ｈｅなど不活性ガス雰囲気中にて３００〜９００℃に加熱処理することにより得られる。 - 特許庁

The embodiments of this invention take advantages of both a multichannel-AR-based parametric adaptive matched filter (PAMF), and an underlying persymmetry constraint to provide a persymmetric PAMF (per-PAMF) 300.例文帳に追加

この発明の実施の形態は、マルチチャネルＡＲに基づくパラメトリック適応整合フィルター(ＰＡＭＦ)、及びパーシンメトリック(persymmetric)ＰＡＭＦ(ｐｅｒ−ＰＡＭＦ)３００を提供するための基礎を成すパーシンメトリ制約の双方を利用する。 - 特許庁

The reverse-surface reflector has a silver reflecting mirror (20), a gold protection film (30), and further a protection coating (40) upon occasion laminated in order on a transparent substrate (10), and the silver reflecting film contains Ar by 1015 to 1018 atom/cc.例文帳に追加

透明基板（１０）上に銀反射膜（２０）、金属保護膜（３０）、更に必要に応じて保護塗膜（４０）を順次積層した裏面反射鏡において、前記銀反射膜がＡｒを１０１５〜１０１８ａｔｏｍ／ｃｃ含有する裏面反射鏡とした。 - 特許庁

To provide a sticking device for a functional film such as a polarizing plate, an AR film, etc., that prevents the functional film from scratching a protection film and air from being present between the functional film and a flat panel substrate.例文帳に追加

機能性フィルムの保護フィルムへの擦り傷の発生や機能性フィルムとフラットパネル基板との間への空気の巻き込みの発生等を防止できるようにした偏光板やＡＲフィルム等の機能性フィルム貼付装置を提供する。 - 特許庁

The organic compound layer contains a dibenzothiophene dioxide compound represented by general formula [1] or [2] (wherein, Ar is a substituent such as phenyl, terphenyl and triphenyl, and may further have a 1-4C alkyl as a substituent; and R_1 to R_25 are each hydrogen or 1-4C alkyl).例文帳に追加

（上記式において、Ａｒは、フェニル基、ターフェニル基、及びトリフェニレニル基等の置換基を表し、前記Ａｒは、置換基として炭素数１乃至４のアルキル基をさらに有してもよい。Ｒ_1乃至Ｒ_2_5は、それぞれ水素原子又は炭素数１乃至４のアルキル基を表す。） - 特許庁

In the method wherein an electrode is formed on the piezoelectric component composed of piezoelectric ceramic by a sputtering method, a Ni-Cr alloy is made to be a target material, Ar gas is used as sputtering gas, a sputtering pressure is set in a range of 0.2-0.5 Pa, and sputtering is performed.例文帳に追加

圧電セラミックスよりなる圧電部品に電極をスパッタリング法により形成する方法において、Ｎｉ−Ｃｒ合金をターゲット材料とし、スパッタガスにＡｒガスを使用し、スパッタガス圧を０．２〜０．５Ｐａの範囲に設定してスパッタリングを行う。 - 特許庁

When a player moves and operates a main character A and brings it close to an opponent character B, the images of the almost similar contents indicating the state that the main character A fights with the opponent character B are displayed in both division areas AL and AR (Fig. 9(c)).例文帳に追加

遊技者がメインキャラクタＡを移動動作させ、敵キャラクタＢに近付けると、両分割領域ＡＬ，ＡＲにメインキャラクタＡが敵キャラクタＢと対戦する状態を示す略同様の内容の画像が表示されるようになる（図９（ｃ））。 - 特許庁

While supplying Ar gas into a melting chamber 13, the mass of metal M is melted by means of an arc-discharging electrode 19, then a shutter 15 is opened, allowing the molten metal to be poured into a cast mold 33 of a casting chamber 11 through a nozzle 41.例文帳に追加

溶融室１３にＡｒガスを供給しながら、アーク放電電極１９によって金属Ｍの塊を溶かし、次いで、シャッター１５を開いて、溶融金属を、ノズル部材４１を通じて、鋳込み室１１の鋳型３３に注湯する。 - 特許庁

In the control part 7, the facial position of the person's image is detected from the image data, and the reflecting mirror 6 is turned in the vertical direction of the object person 100, i.e., in the vertical height direction, so as to become an ideal state, where the facial position is arranged ar a predetermined position of a predetermined frame 107.例文帳に追加

制御部７において、画像データから人物像の顔位置を検出し、この顔位置が所定のフレーム１０７の所定位置に配置されるような理想状態となるように、反射鏡６が被写体人物１００の上下方向すなわち垂直な高さ方向に回動される。 - 特許庁

For this silicon oxide film electret, a silicon oxide film is formed on the surface of a base material 2, treated thermally at 200 to 400°C in the atmosphere of dry air, pure oxygen gas or oxygen containing Ar gas, without releasing the atmosphere from the filming atmosphere, and is charged later.例文帳に追加

基材１表面にシリコン酸化膜を成膜し、成膜雰囲気から大気開放すること無く乾燥空気、純酸素ガス、または、酸素含有Ａｒガス雰囲気の下、２００℃〜４００℃で熱処理し、その後に帯電処理してなるシリコン酸化膜エレクトレット。 - 特許庁

The radar system St is attached to a positioning jig 32 to detect targets 38, 38 in the first process, so as to measure the first deviations εv, εh of the body detecting axis Ar with respect to the center axis An of the casing 15 in the radar system St, and a bar code 39 recorded with the first deviations εv, εh is bonded to the casing 15.例文帳に追加

第１の工程で位置決め治具３２にレーダー装置Ｓｔを取り付けてターゲット３７，３８を検知することで、レーダー装置Ｓｔのケーシング１５の中心軸Ａｎに対する物体検知軸Ａｒの第１偏差εｖ，εｈを測定し、それら第１偏差εｖ，εｈを記載したバーコードシート３９をケーシング１５に貼り付ける。 - 特許庁

Moreover the armrest AR includes a first lock mechanism E1 linking with an action of a slide rod 70 provided on the resting member L to allow the resting member L to slidingly change its position to the body member B and an assisting release mechanism G so provided as to project to the housing portion 12 from the resting member L and for releasing the mechanism E1 by a touch with the housing portion 12.例文帳に追加

そしてアームレストＡＲは、載置部材Ｌに設けられたスライドロッド７０の操作に連動して該載置部材Ｌの本体部材Ｂに対するスライド変位を許容する第１ロック機構Ｅ１と、載置部材Ｌから収容部１２に向けて突出するよう設けられ、収容部１２に当接して第１ロック機構Ｅ１を解除する補助解除機構Ｇとを備える。 - 特許庁

This cemented carbide cutting tool insert comprises Co of 5 to 7 by Wt% and WC in the remaining portion for turning processing the titanium alloy, and is characterized that the surface is covered with the Co layer of 0.5 to 8 μm at least partially by carrying out heat treatment in the atmosphere of Ar and Co after a sintering process and grinding in order to finish to final forming dimensions.例文帳に追加

チタン合金施削加工用の５〜７Ｗｔ％のＣｏと残部ＷＣとからなる超硬合金切削工具インケートで、焼結する工程と、最終の形状寸法にするための研削の後にＡｒとＣｏの雰囲気中で熱処理を施し、表面を少なくとも部分的に０．５〜８μｍのＣｏ層で覆うことを特徴とする。 - 特許庁

A gain medium 11 is ground thin, and an anti-reflection(AR) coating layer 12 which is anti-reflective to excitation wavelength and laser oscillation wavelength is applied to one face, and a high reflection(HR) coating layer 13 which is high reflective to the both wavelength is applied to the other face, and this gain medium 11 is mounted on a heat sink 17 made of Cu for heat radiation.例文帳に追加

利得媒質１１は薄く研磨し、その片面に励起波長とレーザー発振波長に対し無反射（ＡＲ）のＡＲコーティング層１２を施し、もう片面には両波長に対し高反射（ＨＲ）のＨＲコーティング層１３を施し、これを放熱のために、Ｃｕ製のヒートシンク１７にマウントする。 - 特許庁

In the formula, R_1 and R_2 independently denote a substituent, Ar denotes a bivalent arylene group, n is an integer of 0 to 8, p is an integer of 1 to 4, q is an integer of 1 to 4, R3 to R6 denote a hydrogen atom or a substituent, and Ar1 and Ar2 independently denote an aryl group.例文帳に追加

<chemistry num="1"> </chemistry>式中、Ｒ_１及びＲ_２はそれぞれ独立に置換基を表し、Ａｒは２価のアリーレン基を表し、ｎは０〜８の整数を表し、ｐは１〜４の整数を表し、ｑは１〜４の整数を表し、Ｒ_３〜Ｒ_６は水素原子または置換基を表し、Ａｒ_１及びＡｒ_２はそれぞれ独立にアリール基を表す。 - 特許庁

When a mobile terminal unit (MN) 11 hands over from a communication system 21 to a communication system 22, the MN 11 estimates the number of packets to the MN 11 residing in a network as a resident packet amount corresponding to the moving average value of the throughput and the amount of reciprocating delay, and notifies an access router (AR) 32 of a resident packet amount.例文帳に追加

移動端末装置（ＭＮ）１１が通信システム２１から通信システム２２にハンドオーバする際、ＭＮ１１はネットワークに滞留するＭＮ１１宛てのパケット量をスループットの移動平均値及び往復遅延量に応じて滞留パケット量として見積もって、この滞留パケット量をアクセスルータ（ＡＲ）３２に通知する。 - 特許庁

The method includes: the step of separately supplying Zr(BH_4)_4 gas forced to go out by supplying Ar gas to a material tank TK from a massflow controller MFC1, and oxygen atom-containing gas activated by excitation in a microwave plasma source PL to a space on a surface of a substrate S through holes provided in a shower plate 36.例文帳に追加

マスフローコントローラＭＦＣ１から原料タンクＴＫにＡｒガスを供給することによって押し出されたＺｒ（ＢＨ_４）_４ガスと、マイクロ波プラズマ源ＰＬで励起することによって活性状態にされた酸素原子を含むガスとを、シャワープレート３６に設けられた複数の孔から別々に基板Ｓ表面の空間に供給する。 - 特許庁

Also, convex lenses 23a to 23p are arranged side by side in a width direction, and the rays of light passing through the convex lens 23p at one end side are emitted to the width direction boundary side in the irradiation area AR, and the rays of light passing through the side apart from one end (for example, the convex lens 23a) are emitted to the width direction central side.例文帳に追加

また、レンズ２３には、凸レンズ２３ａ〜２３ｐが幅方向に並んで配され、一端部側の凸レンズ２３ｐを通る光が、照射領域ＡＲにおいて幅方向境界側に照射され、一端部から離れた側（例えば、凸レンズ２３ａ）を通る光が、幅方向中央側に照射される構成をなしている。 - 特許庁

Almost of the film deposition particles produced by making Ar ion in the plasma incident to the sputtering target 52 are ionized by the plasma in the space over the sputtering target 52 to be made incident to the surface of a work W and then a highly oriented film free from damage is deposited on the work W by controlling the potential of the surface of the work W.例文帳に追加

このようなプラズマ中のＡｒイオンがスパッタ・ターゲット５２に入射することによって生じた成膜粒子は、スパッタ・ターゲット５２上空のプラズマによってそのほとんどがイオン化されてワークＷ表面に入射するので、ワークＷ表面の電位を調節することにより、ワークＷ上にダメージない高配向膜を形成することができる。 - 特許庁

A method for managing network information in Access Routers includes steps for: communicating with neighboring Access Routers (ARs) to obtain information of each of the ARs and Access Points (APs) belonging to a subnet of a relevant AR; storing the information of the ARs and the APs in a database; and performing a communication network service according to the information stored in the database.例文帳に追加

アクセスルータのネットワーク情報管理方法であって、各アクセスルータ及び該当アクセスルータのサブネットに属したアクセスポイントの情報を獲得するために周辺のアクセスルータと通信する段階と、ルータ及びアクセスポイントの情報をデータベースに保存する段階と、データベースに保存された情報に基づいて通信網サービスを実行する段階と、を含む。 - 特許庁

To provide a horizontal heat treatment furnace where surface roughness (haze) is not deteriorated even if a silicon mirror plane wafer is Ar-annealed at a high temperature, to provide a manufacturing method of an annealed wafer with which the annealed wafer of superior quality can be manufactured by performing annealing by using the new horizontal heat treatment furnace, and to provide the annealed wafer.例文帳に追加

シリコン鏡面ウェーハを高温でＡｒアニールしても表面粗さ（ヘイズ）を悪化させることのない横型熱処理炉を提供し、かつこの新規な横型熱処理炉を用いて熱処理を行うことによって優れた品質を有するアニールウェーハを製造することのできるアニールウェーハの製造方法、及びアニールウェーハを提供する。 - 特許庁

When the MN 12 becomes a subordinate of the ARs other than the AR#1, the AAA server 18 distributes the authentication information for authenticating the MN 12 to each of the ARs on the basis of the information regarding the ARs belonging to the area in order to authenticate the MN 12 in the other ARs without the authentication by an authentication server.例文帳に追加

ＡＡＡサーバ１８は、ＭＮ１２がエリア内でＡＲ＃１以外の他のＡＲの配下となった場合に、認証サーバによる認証を経ることなく、他のＡＲにおいて当該ＭＮ１２を認証させるために、エリアに属するＡＲに関する情報に基づき、ＡＲのそれぞれに、ＭＮ１２を認証するための認証情報を配布する。 - 特許庁

The copper wiring substrate manufacturing method is characterized in that a surface 2 of a glass or quartz substrate 1 is irradiated with plasmas 4 of an inert gas such as an Ar gas to reform the surface 2 to improve the adhesive property of the surface 2 itself of the substrate 1 to pure Cu and the copper thin film 3 is formed by sputtering directly on the surface 2 of the substrate 1.例文帳に追加

本発明の銅配線基板の製造方法は、ガラスまたは石英からなる基板１の表面２に、例えばＡｒガスのような不活性ガスのプラズマ４を照射することで、その表面２に改質を施して、その基板１の表面２自体における純Ｃｕに対する密着性を向上させ、その基板１の表面２の直上に、銅薄膜３をスパッタリングによって形成することを特徴としている。 - 特許庁

To provide a material having excellent crevice corrosion resistance in the weld zone even if Ar back gas seal is obviated when the shell plate and end plate of a hot water storage tank are joined by TIG welding or seam welding, relating to ferritic stainless steel used for a hot water storage tank used for a CO_2 refrigerant heat pump hot water heater and an electric water heater.例文帳に追加

ＣＯ_2冷媒ヒートポンプ給湯器や電気温水器に用いられる貯湯槽に用いられるフェライト系ステンレス鋼に関し、貯湯槽の胴板と鏡板をＴＩＧ溶接やシーム溶接で接合される際にＡｒバックガスシールを省略しても溶接部の耐隙間腐食性に優れた材料を提供する。 - 特許庁

The method of manufacturing the crystalline semiconductor film includes (a) a step of forming an amorphous semiconductor film 104 on a substrate 101, (b) a step of giving a catalyst element 106 for expediting to crystallize the amorphous semiconductor film 104, and (c) a step of crystallizing the amorphous semiconductor film 104 by heating in an atmosphere containing Ar gas to obtain a crystalline semiconductor film 104b.例文帳に追加

本発明の結晶質半導体膜の製造方法は、（ａ）基板１０１の上に非晶質半導体膜１０４を形成する工程と、（ｂ）非晶質半導体膜１０４に結晶化を促進する触媒元素１０６を付与する工程と、（ｃ）Ａｒガスを含む雰囲気下で加熱することによって非晶質半導体膜１０４を結晶化し、結晶質半導体膜１０４ｂを得る工程とを包含する。 - 特許庁

A steel sheet having a tensile strength of ≥800 MPa which has excellent brittle fracture propagation stop properties is subjected to cold working, so as to be formed into a pipe shape, and thereafter, the butted parts thereof are welded by a hybrid welding process in which laser welding using CO_2 gas shield and gas shielded arc welding using Ar-CO_2 gas shield are combined.例文帳に追加

脆性亀裂伝播停止特性に優れた引張強度８００ＭＰａ以上の鋼板を冷間加工で管状に成形した後，突合せ部を、ＣＯ_２ガスシールドを用いたレーザーとＡｒ−ＣＯ_２ガスシールドを用いたガスシールドアーク溶接を組合わせたハイブリッド溶接法によって溶接する。 - 特許庁

The wring pattern 45 formed surrounding a pixel part AR is characterized in that parts 50 and 51 for connection are formed in a nesting state between outer wiring patterns 46A and 46B of the wiring pattern 45 and can be led out to the sides of the outer wiring patterns 46A and 46B through electrodes 42A to 42D for external connection.例文帳に追加

本発明は、画素部ＡＲを囲むように形成された配線パターン４５について、この配線パターン４５の外側配線パターン４６Ａ、４６Ｂとの間で、接続用の部位５０、５１を入れ子に形成し、この外側配線パターン４６Ａ、４６Ｂ側にも外部接続用の電極４２Ａ〜４２Ｄにより引き出せるようにする。 - 特許庁