| 意味 | 例文 |
Alignment markの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 1590件
To provide a ferroelectric memory cell capable of preventing the occurrence of a crack by heat-treating a part by thinning a ferroelectric thin film formed in a recess for an alignment mark, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加
アライメントマーク用凹部に形成される強誘電体薄膜を薄くし、この部分に熱処理でクラックが発生することを防止できる強誘電体メモリ素子およびその製造方法を提供すること。 - 特許庁
A step having a prescribed depth is arranged in the alignment mark by making the surface of the semiconductor substrate 21 in a region sandwiched by the grooves lower than the surface of the semiconductor substrate 21 in the other region.例文帳に追加
これらの溝によって挟まれた領域の半導体基板21の表面を他の領域の半導体基板21の表面よりも低くすることによって、アライメントマーク部に所定の深さを有する段差を設ける。 - 特許庁
Symmetry of the alignment mark formed in the second resist layer is improved by suitably adjusting thicknesses, coating process parameters, and baking process parameters of the first and the second resist layers.例文帳に追加
第2のレジスト内に形成されるアライメントマークの対称性は、第1および第2のレジスト層のそれぞれの厚さ、被覆プロセスパラメータ、およびベーキングプロセスパラメータを適切に調整することによって向上させることができる。 - 特許庁
When an alignment mark is formed on one main surface of the substrate where the piezoelectric element is formed, a window space matched positionally with the piezoelectric element can be obtained in the other main surface.例文帳に追加
また、基板の両主面のうち圧電素子を形成する一方主面にアライメントマークを形成しておくことによって、圧電素子と位置的に整合した窓空間を他方主面に精度よく得ることができる。 - 特許庁
To provide: a semiconductor device including a thin film transistor capable of being manufactured with high yield and high precision; and a manufacturing method thereof, by forming an alignment mark for producing the semiconductor device with high yield, without increasing the number of processes for producing the semiconductor device.例文帳に追加
薄膜トランジスタを含む半導体装置を歩留まりよく製造するためのアライメントマークを、工程増となることなく、歩留まりと精度のよい半導体装置、及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
In one alignment mark 200, line segments 201A and 201B in a parallel direction with a reference direction and line segments 202A and 202B which intersect the reference direction at right angles intersect one another approximately in a cross shape as a whole.例文帳に追加
一方のアライメントマーク200は、予め設定された基準方向に対して平行方向の線分201A、201Bと直交方向の線分202A、202Bとが、全体として略+字状に交差している。 - 特許庁
A substrate to be colored and a plotting head are highly accurately aligned with each other in each of the horizontal direction and the vertical direction by discharging ink to a dummy substrate to be colored and detecting the landing position and the alignment mark.例文帳に追加
ダミーの被着色基板にインクを吐出し、その着弾位置とアライメントマークを検出して被着色基板と描画ヘッドとの水平方向及び垂直方向の各方向において高精度に位置合わせする。 - 特許庁
In a process of forming a photosensitive resin pattern on a substrate, a portion except for a pattern forming portion is first exposed and developed to obtain an alignment mark, and then the pattern portion is exposed and developed.例文帳に追加
基板上に感光性樹脂のパターンを形成する工程において、パターン形成部以外の部分を露光し、現像したアライメントマークが存在た後で、パターン部に対し露光、現像を行なうことにより解決した。 - 特許庁
After the exposure of a first zone on the substrate W is started until the exposure of a final zone is started, a main controller 20 detects the positional information on at least one alignment mark formed on the substrate based on the detection results of a mark detection system ALG and a position detection system 74.例文帳に追加
基板W上の最初の区画領域の露光を開始した後、最後の区画領域の露光開始までの間に、主制御装置20は、その基板上に形成されている少なくとも1つのアライメントマークの位置情報を、マーク検出系ALGと位置検出系74との検出結果に基づいて検出する。 - 特許庁
In this method, a reference line mark 31 almost in parallel to a ground surface 4 is indicated on a tile mounting wall 3 on which the tile mounting panels 1, etc. are to be installed almost up to 100 to 150 cm above the ground surface 4; and then the tile mounting panels 1 are installed in alignment with a reference line 11 of the tile mounting panel located on the reference line mark 31.例文帳に追加
この方法では、地盤面4より100〜150cm上方のタイル取付用パネル1,・・・を設置する側の下地壁3の面に、地盤面4に対して略平行する基準目線31を設け、その基準目線31にタイル取付用パネル1の基準線部11を合わせて設置する。 - 特許庁
In the objective exposure system in which a substrate 4, e.g. for producing a working reticle is exposed through a master reticle with a formed pattern, the substrate 4 is provided with three first supporting members 52 which support the substrate 4 in a nearly horizontal state in three places except the illumination areas (pattern area 25, alignment mark areas MA1 and information mark areas MA2) of the substrate 4.例文帳に追加
パターンが形成されたマスターレチクルを介して、例えばワーキングレチクル製造用の基板4を露光する露光装置において、基板4を該基板4の照明エリア(パターンエリア25,アライメントマークエリアMA1,情報マークエリアMA2)以外の3箇所でほぼ水平に支持する3本の第1支持部材52を備えて構成される。 - 特許庁
A laminated exposure can be executed without using a mask by overlaying each layer by introducing a concept of a virtual mask which performs the same role as a mask used for an existing mask exposure as well as a concept of a virtual target mark which performs the same role as an alignment mark used for an existing mask exposure.例文帳に追加
マスクレス露光で既存のマスク露光のマスクと同一の役割をする仮想のマスクという概念を導入し、既存のマスク露光の整列マークと同一の役割をする仮想のターゲットマークという概念を導入してレイヤ別にオーバーレイを行うことによって、マスクレス露光でも積層露光を行うことができる。 - 特許庁
The member to be recognized for alignment provided on an object to be aligned and having a mark 26 for image recognition is provided with a member body 25 with a mirror finished top surface 29a formed in a column shape, and a recessed mark 26 formed nearly at a center of the top surface 29a of the member body 25.例文帳に追加
位置決め対象物に設けられ、画像認識用のマーク26を形成したアライメント用の被認識部材12であって、柱状に形成され先端面29aを鏡面加工した部材本体25と、部材本体25の先端面29aの略中央部に形成した凹状のマーク26とを備えたものである。 - 特許庁
By calculating a "shot arrangement component of a mark feature quantity" by statistically calculating the mark feature quantities of respective shots, and using "conversion coefficients of the respective shot arrangement components" updated by the result of the superposition inspection, a "WIS predictive quantity of the shot arrangement correction value" is calculated, and a shot arrangement correction value in alignment is corrected.例文帳に追加
また、各ショットのマーク特徴量を統計計算して「マーク特徴量のショット配列成分」を算出し、重ね合わせ検査の結果より更新した「各ショット配列成分の変換係数」を用いて、「ショット配列補正値のWIS予測量」を算出し、アライメント時のショット配列補正値を補正する。 - 特許庁
When forming these element separating part and oxidized part, a silicon-nitride film 22 that has been used as an oxidization blocking mask, is then used as an anti-etching mask in the mark forming area to perform etching upon the oxidized part 26b and a silicon-oxide film 14 to depth such that a first silicon layer 12 is exposed, thereby forming an alignment mark.例文帳に追加
その後、これら素子分離部及び酸化部の形成時に酸化阻止用マスクとして用いたシリコン窒化膜22をマーク形成領域において耐エッチング用マスクとして用いて、第1のシリコン層12が露出される深さまで酸化部26b及びシリコン酸化膜14のエッチングを行って、位置合わせ用マークを形成する。 - 特許庁
A center positioning wafer with an alignment mark drawn thereon is prepared, the center positioning wafer is placed on a wafer mount base in an exposure optical system by using an aligner to align the center position between the center positioning wafer and a glass mask.例文帳に追加
アライメントマークを入れたセンター位置決定用ウエハを用意し、アライナーを用いて、露光用光学系におけるウエハ載置台にセンター位置決定用ウエハを載置するとともに、センター位置決定用ウエハとガラスマスクのセンター位置を合わせる。 - 特許庁
The wiring board 1 includes a light transmissive substrate 10, an alignment mark 14 and a first wiring pattern 21 which are formed on a first surface 11 of the substrate 10, and a second wiring pattern 22 formed on a second surface 12 of the substrate 10.例文帳に追加
配線基板1は、光透過性の基板10と、基板10の第1の面11に形成されたアライメントマーク14及び第1の配線パターン21と、基板10の第2の面12に形成された第2の配線パターン22と、を含む。 - 特許庁
Illumination light is applied to the objective lens 19 to observe an image forming spot, and the position of the image forming spot and the mark 17a for alignment of the diffraction optical element 17 are made to coincide with each other while observing them by an optical microscope, etc.例文帳に追加
対物レンズ19に対して照明光を当ててその結像スポットを観察し、結像スポットの位置と回折光学素子17の芯合わせ用マーク17aとを光学顕微鏡などで観察しつつ一致させる。 - 特許庁
When a metal film is utilized as an alignment mark in the middle of a manufacturing process, the width of the metal film is widened twice the amount of side etching, so that the metal film an be removed by the side etching contained in the process to be performed later such as photolithography, etc.例文帳に追加
製造工程の途中で、金属膜をアライメントマークとして利用する際には、ホトリソグラフ等の後工程に含まれるエッチング処理で、サイドエッチで除去可能なように、幅をサイドエッチ量の2倍未満にしておく。 - 特許庁
The semiconductor device has a semiconductor substrate (1), a p-type impurities diffusion layer (2) formed on the semiconductor substrate, and Ni silicide (3) formed on the diffusion layer, wherein it has an alignment mark (6) for lithography on its Ni silicide.例文帳に追加
半導体基板(1)と、前記半導体基板に形成されたp型不純物拡散層(2)と、前記拡散層上に形成されたNiシリサイド(3)と、を備え、前記Niシリサイド上にリソグラフィー用の合わせマーク(6)を有する。 - 特許庁
Meanwhile, when the parameters corresponding to the obtained input conditions and output conditions are not stored, or when the alignment mark cannot be detected even after correcting the contrast, processing for finding optimal parameters is performed (S19).例文帳に追加
一方、取得した入力条件や出力条件に対応するパラメータが記憶されていない場合や、コントラストを補正してもアライメントマークが検出できない場合には、最適なパラメータを探索する処理を行う(S19)。 - 特許庁
The wiring board 1 includes a substrate 10 with light transparency; an alignment mark 14 and a first wiring pattern 21 formed on a first face 11 of the substrate 10, and a second wiring pattern 22 formed on a second face 12 of the substrate 10.例文帳に追加
配線基板1は、光透過性の基板10と、基板10の第1の面11に形成されたアライメントマーク14及び第1の配線パターン21と、基板10の第2の面12に形成された第2の配線パターン22と、を含む。 - 特許庁
A thickness of the first index matching layer 70 in an area corresponding to the first alignment mark 81 provided in the inactive area Aa2 is different from a thickness of the first index matching layer 70 in the active area Aa1.例文帳に追加
ここで、非アクティブエリアAa2内に設けられた第1アライメントマーク81に対応する領域における第1インデックスマッチング層70の厚みは、アクティブエリアAa1における第1インデックスマッチング層70の厚みと異なっている。 - 特許庁
To provide a projection exposure apparatus that can form adjoining conductor patterns in an equidistant layout on a film even when an alignment mark formed on the film is displaced from an originally assumed position.例文帳に追加
フィルム上に形成されたアライメントマークが、本来想定している位置と異なる位置に変位しているような場合であっても、隣接する導体パターンを等間隔にフィルムに形成することができる投影露光装置を提供する。 - 特許庁
The image signal as the measuring signal is obtained by irradiating the area where the alignment mark AM1 of a wafer W is formed with the light flux of detection illumination light, the reflected light of which is focused on the imaging surface of the CCD camera 26.例文帳に追加
ウエハWのアライメントマークAM1が形成された領域に検出用照明光の光束を照射し、その反射光をCCDカメラ26の画像面に結像させて、計測信号としての画像信号を得る。 - 特許庁
To form support pillars on a support silicon substrate using one alignment mark and to enable the formation of patterns with good accuracy at the prescribed position in small regions constituted of the support pillars on the substrate.例文帳に追加
1つのアライメントマークを用いて支柱を形成し、支柱により形成される小領域内の所定の位置に精度良くパターンを形成することが可能な転写マスクブランクスの製造方法及び転写マスクの製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a wiring board having an alignment mark capable of easy recognition, a method for manufacturing the board, and a semiconductor package wherein various electronic components such as a semiconductor chip and a chip capacitor are mounted on the wiring board.例文帳に追加
容易に認識することが可能な位置合わせマークを有する配線基板及びその製造方法、並びに前記配線基板に半導体チップやチップキャパシタ等の各種電子部品を搭載した半導体パッケージを提供すること。 - 特許庁
Subsequently, a single crystal semiconductor layer 21 is completely buried in the trench 14 of the PN column region 13, while a part of the semiconductor layer 21 is formed so that a gap is formed in the trench 16 of the alignment mark region 15.例文帳に追加
続いて、PNコラム領域13のトレンチ14に単結晶半導体層21を完全に埋め込みつつアライメントマーク領域15のトレンチ16に隙間が残るように単結晶半導体層21の一部を形成する。 - 特許庁
To provide an adhesive composition for a semiconductor, the composition showing excellent dispersibility of inorganic particles and enabling an alignment mark on a circuit board or a semiconductor chip coated with the composition to be recognizable.例文帳に追加
無機粒子の分散性に優れた半導体用接着組成物であって、これが塗布された半導体チップ上あるいは回路基板上のアライメントマークを認識することができる半導体用接着組成物を提供すること。 - 特許庁
To prepare a second template from a first template by an imprinting method and to accurately form an alignment mark without degrading an error in relative positional accuracy between a main pattern and a peripheral pattern of the second template.例文帳に追加
第1のテンプレートからインプリント法により第2のテンプレートを作製することができ、且つ第2のテンプレートにおけるメインパターンと周辺パターンとの間の相対的な位置精度誤差を劣化させることなく、アライメントマークを精度良く形成する。 - 特許庁
To provide an interposer substrate reduced in deformation of the substrate for fixing a measuring terminal, allowing the measuring terminal to accurately measure electric characteristics of a part serving as a semiconductor chip, and facilitating recognition of an alignment mark.例文帳に追加
測定端子を固定するための基板の変形が少なく、測定端子が半導体チップとなる部分の電気特性を正確に測定することができ、かつアライメントマークを認識しやすくするためのインターポーザ基板を提供する。 - 特許庁
Subsequently, a capacitor insulating film is formed on the whole surface of the substrate 201, a second conducting film 206 is formed on the capacitor insulating film, the layer 206 is made to remain on the alignment mark formation region and a plate electrode 206 is formed on the memory cell region.例文帳に追加
続いて、全面に容量絶縁膜を形成し、その上に第2の導電層206を形成し、位置合わせマーク形成領域に第2の導電層206を残存させ、メモリセル領域にプレート電極206を形成する。 - 特許庁
The second alignment stage 6 is equipped with a measuring device 67 to optically image a mark of the mounted reticle to measure the position of the reticle, and drives a stage 60 to correct the position of the reticle R based on the measurement result.例文帳に追加
第2アライメントステージ6は、載置されたレチクルのマークを光学的に撮像してレチクルの位置計測を行う計測装置67を備えており、この計測結果に基づいてステージ60を駆動してレチクルRの位置補正を行う。 - 特許庁
To provide a photomask having an alignment mark for a photomask where a scanning track by an electron beam does not remain as a defect in a phase shift mask comprising a multilayer film which requires a plurality of times of exposure steps, and to provide a method for manufacturing the photomask.例文帳に追加
複数回の露光工程を必要とする多層膜からなる位相シフトマスクにおいて電子ビームのスキャン跡が欠陥として残らないフォトマスク用アライメントマークを有するフォトマスクおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a semiconductor apparatus being position detecting channels by which an alignment mark can more easily and precisely recognized, and a manufacturing method for the semiconductor apparatus for overlaying patterns, using the position detecting channels.例文帳に追加
アライメントマークとしての認識をより容易かつ高精度ならしめる位置検出溝を備える半導体装置、およびその位置検出溝を利用してパターンの重ね合わせを行う半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
A square surface exposing pattern 9 is formed on a dielectric separation wafer 100 and a cross-shaped mask-side alignment mark 14 is formed at a position corresponding to the pattern 9.例文帳に追加
誘電体分離ウェハ100上に四角形状の表面露出パターン9を形成すると共に、この表面露出パターン9の位置に対応するマスク200上の位置に十字形状のマスク側位置合わせマーク14を形成する。 - 特許庁
The alignment mark 40 is opened on a inter-layer insulation film in a single etching process of opening the via hole for forming a metal contact for connecting lower layer wiring to upper layer wiring.例文帳に追加
本アライメントマーク40は、下層配線に上層配線を接続するメタルコンタクトを形成するビアホールを層間絶縁膜に開口する際に、ビアホールを開口する同じエッチング工程で層間絶縁膜に開口するアライメントマークである。 - 特許庁
A mutual magnetic attracttion between a magnetic alignment mark 12 provided to each base material 10 for a multilayer board and a magnetic means 51 provided to a press plate 50 aligns the base material for the multilayer boards one another.例文帳に追加
多層基板用基材10の各々に設けられている磁気的なアライメントマーク12とプレス板50に設けられている磁気手段51との相互の磁気的吸引によって多層基板用基材相互の位置合わせを行う。 - 特許庁
A reference position of the mask is computed by adjusting the focus of an imaging device 16 in such a manner that the number of pixels of an alignment mark M2 on the mask observed in the image is equal to a preset reference threshold or larger than the threshold.例文帳に追加
画像でのマスク側のアライメントマークM2の画素数が、予め設定した基準閾値と一致若しくは当該基準閾値以上となるように撮像装置16の焦点を調整してマスク側の基準位置を演算する。 - 特許庁
To install solar cells on a wiring board such that the solar cells are aligned without providing an alignment mark on the wiring board, and wiring of the wiring board is surely connected to the electrode of the solar cell.例文帳に追加
配線基板にアライメントマークを設けることなく、太陽電池セルをアライメントして、確実に配線基板の配線と太陽電池セルの電極が接続されるように配線基板上に太陽電池セルを設置することを可能にする。 - 特許庁
In order to accurately match positions of a black matrix 15 and a photo-mask 4a for color filter layers, alignment is performed to match the center of a window 55-1 and the center of a mark 53-1 which is formed when forming the black matrix 15.例文帳に追加
ブラックマトリクス15とカラーフィルタ層用のフォトマスク4aの位置を正確にあわせるために、窓55−1の中心とブラックマトリクス15を形成する時に形成されたマーク53−1の中心が一致するように位置合わせを行う。 - 特許庁
In the scribe line region 2 on a substrate 3, an alignment mark 5 having a clear initial difference in level t1 is formed by forming a LOCOS oxide film 4 on the surface of a substrate 3, and then by removing the LOCOS oxide film 4.例文帳に追加
本発明では、基板3のスクライブライン領域2では、基板3表面にLOCOS酸化膜4を形成し、その後、LOCOS酸化膜4を除去することで、初期段差t1の深いアライメントマーク5を形成する。 - 特許庁
To obtain a semiconductor laser comprising a semiconductor laser element secured to a heat dissipation block in which an alignment mark for aligning the semiconductor laser element can be formed in the heat dissipation block with high precision and the cost of the heat dissipation block can be reduced.例文帳に追加
半導体レーザー素子を放熱ブロックに固定してなる半導体レーザー装置において、半導体レーザー素子位置合わせのためのアライメントマークを放熱ブロックに高精度に形成可能とし、また放熱ブロックのコストも低く抑える。 - 特許庁
An electronic device has a trench on the element formation substrate and a dummy trench near the trench, and has the alignment mark in which the element formation substrate and an identifiable material are buried into at least the trench.例文帳に追加
本発明の電子デバイスは、素子形成基板にトレンチと該トレンチの近傍にダミートレンチを有し、少なくとも上記トレンチに前記素子形成基板と識別可能材料が埋め込まれてなるアライメントマークを有することを特徴とする。 - 特許庁
Main body circuit patterns 1a, reticle alignment marks 1c, a bar code 1d, and an identification mark 1e formed on a glass substrate GP of the photomask A are constituted of an extinctive material, having a photosensitive composition containing a fine particulate material and a binder.例文帳に追加
フォトマスクAのガラス基板GP上に形成された本体回路パターン1a、レチクル合わせマーク1c、バーコード1d、識別マーク1eを、微粒子状物質とバインダーとを有する感光性組成物減光体で構成した。 - 特許庁
A surface of a mold in an alignment mark region is rendered to exhibit higher liquid repellency to a transferred resin for imprint before hardening than to a surface of a mold at least in a transfer region.例文帳に追加
前記モールドのアライメントマーク領域の表面が、硬化前のインプリント用被転写樹脂に対して、少なくとも、前記モールドの転写領域の表面よりも高い撥液性を生じるようにすることにより、上記課題を解決する。 - 特許庁
The transmitting portion is composed of such a material as transmitting observation light reflected from an alignment pattern formed on the substrate and from a mark region including peripheral substrates to enter observation equipment, and intercepting ions.例文帳に追加
透過部は、基板上に形成された位置合わせ用パターンおよびその周囲の基板を含むマーク領域により反射されて観測装置に入射する観測光を透過させ且つイオンを遮断する材質から構成される。 - 特許庁
The color-filter manufacturing apparatus 1 uses the film material 2, having an alignment mark 15 positioned beside two adjacent filter forming areas 11 and is extended longitudinally over the two filter forming areas 11.例文帳に追加
カラーフィルタの製造装置1は、互いに隣接する二つのフィルタ形成領域11の側方に位置し、これら二つのフィルタ形成領域11を跨ぐようにして長手方向に延びるアライメントマーク15が設けられたフィルム材2を使用する。 - 特許庁
To reduce the number of alignment mark processing step during the formation of an active layer of a silicon film in a crystalline state, which is necessary for various circuits, on an insulating substrate that constitutes a flat display device, and thereby to achieve a high throughput and a low cost.例文帳に追加
平面表示装置を構成する絶縁基板上に、各種の回路に必要な性能の結晶状態のシリコン膜を能動層形成時のアライメントマーク加工工程を削減して、高スループット、低コスト化を実現する。 - 特許庁
While recessed sections are left on the upper surface of the n-type epitaxial layer in an alignment mark forming region 3, the recessed sections formed on the upper surface of the n-type epitaxial layer in a photodiode forming region 2 are removed by reducing the thickness of the n-type epitaxial layer by polishing.例文帳に追加
次に、フォトダイオード形成領域2におけるp型シリコン基板5の上面内にp型埋め込み分離領域8a〜8cを形成した後、p型シリコン基板5の上面上にn型エピタキシャル層6を形成する。 - 特許庁
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