「Array data type」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

To realize a non-volatile semiconductor memory and its data write-in method in which erroneous write-in of data can be prevented at the time of write-in operation though memory cell array constitution of a shared bit line type is adopted, while operation margin can be enlarged.例文帳に追加

シェアードビット線型のメモリセルアレイ構成を採用しつつも、書き込み動作時にデータの誤書き込みを防止することができると共に、動作マージンを大きくすることができる不揮発性半導体記憶装置およびそのデータ書き込み方法を提供する。 - 特許庁

Fixed data can be stored previously in a non-volatile region by constituting arbitrarily the number of transistors of a floating gate type for one bit by the number of contacts, the memory array can be also used for a mask ROM storing the loader program or the like, then the non-volatile memory array in which the chip area is reduced can be realized.例文帳に追加

１ビットに対するフローティングゲート型トランジスタ数をコンタクト数により任意に構成することによって、あらかじめ不揮発性領域内に固定データを格納することができ、ローダプログラム等を格納したマスクＲＯＭに兼用することができてチップ面積を削減した不揮発性メモリアレイを実現することができる。 - 特許庁

A data processing computer receives the measurement result file F21, classifies it into a TEG folder F35, an element type folder F36 or the like, according to the name of the matrix array TEG and the measurement target address indicated in the file, and generates a measurement data file F38.例文帳に追加

データ処理用コンピュータは、この測定結果ファイルＦ２１を受けて、その中に記載されている行列型配置ＴＥＧの名称や測定対象アドレスなどに応じて、ＴＥＧフォルダＦ３５や素子種類フォルダＦ３６といった分類を行い、測定データファイルＦ３８を生成する。 - 特許庁

The dot dispersion type mask is for converting gradation values of respective pixels of image data with continuous gradations into binary or multi-valued values and has such an array of thresholds that a dot pattern obtained by the conversion has regularity or irregularity.例文帳に追加

連続階調の画像データにおける各画素の階調値を２値または多値に変換するためのドット分散型マスクであって、変換により得られるドットパターンに規則性および不規則性が現れるような閾値の配列を有する。 - 特許庁

To improve performance such as scalability and data transfer performance between different type I/Fs, maintainability, and reliability for boards/PK (packages thereof) constituting a DKC (memory controller) and a DKC configuration based on mutual connection between the boards/PK in a disk array device.例文帳に追加

ディスクアレイ装置で、ＤＫＣを構成するボード／ＰＫ、それらの相互接続によるＤＫＣ構成に関し、スケーラビリティ、異種Ｉ/Ｆ間のデータ転送などの性能向上、及び保守性や信頼性の向上などを実現する。 - 特許庁

Since (i<N and and found == 0) is true (S304; Y), the i (i=0)th value of the element data of the array type of columns is assigned to a variable X to be true (S305 and S306; Y) and 1 is assigned to the variable found (S307).例文帳に追加

「ｉ＜Ｎ ＆＆ ｆｏｕｎｄ＝＝０」が真となるので（Ｓ３０４；Ｙ）、配列型の列の要素データ第ｉ（ｉ＝０）番目の値が変数Ｘに代入され、真となるので（Ｓ３０５、Ｓ３０６；Ｙ）、変数ｆｏｕｎｄに１が代入される（Ｓ３０７）。 - 特許庁

A memory cell in the memory cell array is provided with a floating gate type cell transistor CT for storing charges in a floating gate to store data, and a selection gate transistor having a drain connected to the source of the cell transistor and a source connected to a source line SL.例文帳に追加

上記メモリセルアレイ中のメモリセルは、フローティングゲートに電荷を蓄積してデータを記憶するフローティングゲート型のセルトランジスタＣＴと、ドレインが上記セルトランジスタのソースに接続され、ソースがソース線ＳＬに接続された選択ゲートトランジスタとを有する。 - 特許庁

To provide a horizontal array type (IPS) liquid crystal display element and its manufacturing method that can improve an aperture rate by removing a shield line arranged outside a data line by arranging a pixel electrode the farthest away from a pixel electrode and then widening a pixel area up to an area adjacent to the data line.例文帳に追加

画素電極をデータラインから最大限遠くに配置することにより、データラインの外郭に配置されるシールドラインを除去し、データラインと隣接する領域まで画素領域を広げることにより、開口率を向上させることができる水平配列型（ＩＰＳ）の液晶表示素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The emission intensity of each inspection array element is detected by an array type detector to obtain a vector composed of fluorescent molecule number z_n of a label M present in an inspection array element n with the detector element number or data number of N, the kind number of object materials of L.例文帳に追加

特異的反応物質（抗体）が保持された検査アレイ要素が平面方向に各々分散して配列されている検査アレイを用い、アレイの表面に標識抗原の溶液を供給して反応させた後、各検査アレイ要素ごとに発光強度をアレイ型検出器で検出して検出器要素数又はデータ数N、対象物質の種類数Ｌ、検査アレイ要素ｎに存在する標識Ｍの蛍光分子数ｚ＿ｎで構成されるベクトルを得る。 - 特許庁

The array substrate for the lateral type liquid crystal display device is manufactured through four-mask steps: in a structure wherein a semiconductor layer is exposed at both sides of a data line, a first blocking pattern which blocks light is formed under the semiconductor layer, and second blocking pattern which blocks influence of the semiconductor layer is formed over the data line, while being brought into contact with the data line.例文帳に追加

横電界方式の液晶表示装置用アレイ基板は、４マスク工程によって製作されデータ配線の両側に半導体層が露出する構造において、半導体層の下部に光を遮断する第１遮断パターンを構成して、データ配線の上部に、これと接触しながら半導体層による影響を遮断する第２遮断パターンを構成する。 - 特許庁

In the interface unit body 20, a control CPU 40 that is a control means reads the ID data 15 at the time of initialization such as power input to determine the type of the module unit 10 installed, reads transmitting or receiving configuration data from a memory 30 according to the type, and downloads it, for example, to FPGA (field programmable gate array), thereby configuring the FPGA (control processing).例文帳に追加

そして、インタフェースユニット本体２０では、制御手段である制御用ＣＰＵ４０が、このＩＤデータ１５を電源投入等の初期化時に読み込んで、装着されているモジュールユニット１０の種別を判断し、この種別に応じて送信用又は受信用の前記コンフィグレーションデータをメモリ３０から読み出して、例えばＦＰＧＡにダウンロードすることによりＦＰＧＡを構成する（制御処理）。 - 特許庁

In order to reduce the deterioration of an image obtained from the detector element connected, the image of the patient is reconstructed by using the collected projection data and an adjusting type iso-channel (82) different from an iso-channel (56) provided for a scanning performed without using the connection group of the detector element by a multi-slice type detector array.例文帳に追加

実施の一形態では、連結させた検出器素子より得られる画像の劣化を軽減させるために、収集した投影データ、並びにマルチスライス型検出器アレイで検出器素子の連結グループを使用せずに実行したスキャンに対して規定されたアイソチャンネル（５６）と異なる調整式アイソチャンネル（８２）を利用して、被検体の画像を再構成している。 - 特許庁

To provide a data rewriting method improving deterioration in write and erasing speed when continuously rewriting data of a cross point type memory cell array of a variable resistance element of which the electric resistance is varied by applying electric stress, control of a resistance value of the variable resistance element after write and erasure is facilitated, and high reliability can be attained.例文帳に追加

電気的ストレスの印加により電気抵抗が変化する可変抵抗素子のクロスポイント型メモリセルアレイのデータを連続的に書き換える場合の書き込み及び消去速度の劣化を改善し、書き込み及び消去後の可変抵抗素子の抵抗値の制御を容易化し、高い信頼性を実現可能なデータ書き換え方法を提供する。 - 特許庁

A movement environment recognition device is provided which enables sure acquisition of information on a movement environment for the leg operating type moving object to perform walking operation, where a subject for recognition can walk, by extracting feature points in the vertical direction and the horizontal direction of the subject for recognition from a data array of distance data inside a vertical scanning plane.例文帳に追加

本発明によれば、垂直走査面内の距離データのデータ配列から認識対象の垂直方向及び水平方向の特徴点を抽出するようにしたことにより、脚動作型移動物体が歩行動作すべき認識対象を歩行できるような移動環境情報を確実に得ることができる移動環境認識装置を実現できる。 - 特許庁

The reflection type liquid crystal display device is provided with a plurality of scan lines, a plurality of data lines, TFTs provided for each pixel area sectioned by the scan lines and the data lines, common electrodes 9, pixel electrodes 8 which generate a horizontal electrical field between the common electrodes 9 and a reflection electrode 14 on a TFT array substrate.例文帳に追加

本発明の反射型液晶表示装置は、ＴＦＴアレイ基板上に、複数の走査線と、複数のデータ線と、これら走査線およびデータ線により区画された各画素領域毎に設けられたＴＦＴ、共通電極９、共通電極９との間で横電界を発生させる画素電極８と、反射電極１４とが設けられている。 - 特許庁

In this reflection type liquid crystal display device, plural scanning lines, plural data lines, TFTs and common electrodes 9 provided for every pixel area zoned by these scanning lines and data lines, pixel electrodes 8 generating traverse electric fields between the common electrodes and a reflection electrode 14 are provided on a TFT array substrate.例文帳に追加

本発明の反射型液晶表示装置は、ＴＦＴアレイ基板上に、複数の走査線と、複数のデータ線と、これら走査線およびデータ線により区画された各画素領域毎に設けられたＴＦＴ、共通電極９、共通電極９との間で横電界を発生させる画素電極８と、反射電極１４とが設けられている。 - 特許庁

Generation of a through current path can be blocked at the time of reading or writing data by dividing an NROM type memory array for each memory block and providing a part for isolating each memory block electrically in the boundary region thereof thereby limiting the number of data being read out or written in simultaneously to only one.例文帳に追加

ＮＲＯＭ型メモリアレイをメモリブロック毎に分割し、各メモリブロックの境界領域に電気的に各メモリブロックを絶縁するための分離部を設けることにより、同時に読み出すあるいは書込むデータ数を各メモリブロック内では１つに限れば、データ読出あるいは書込みした場合に貫通電流パスの生成を阻止することができる。 - 特許庁

The memory cell array is provided with a first memory cell area where data are written according to whether or not electrons 90 are injected into a floating gate 29 of a memory transistor 23 and a second memory cell area where data are written according to whether or not a p-type impurity area 55 functioning as a channel area is formed in a memory transistor 43.例文帳に追加

メモリセルアレイは、メモリトランジスタ２３のフローティングゲート２９に電子９０が注入されるか否かでデータの書き込みが行われる第１のメモリセル領域と、メモリトランジスタ４３にチャネル領域として機能するｐ型の不純物領域５５が形成されるか否かでデータが書き込まれる第２のメモリセル領域とを有している。 - 特許庁

This array type processor independently has a data bus part 102 which has an array of processors connected by a programmable switch and mainly performs operation and a state transition management part 101 which facilitates the actualization of a state transition means and performs control and then they are actualized by constitution specified corresponding to the purposes of the processes, so that both operation and control are efficiently mounted and processed.例文帳に追加

プロセッサをアレイ状に並べたものをプログラマブルなスイッチで接続した構成をとり演算を主体として行うデータパス部１０２と、状態遷移手段の実現を容易とした構成をとり制御を行う状態遷移管理部１０１と、の二つを独立して持つことで、それぞれを処理目的に応じて特化した構成で実現し、演算と制御との両者を効率良く実装及び処理する。 - 特許庁

By using a flaw detection refraction angle and beam width inputted by a flaw detection conditions inputting means 11 and the data indicating a relationship between the refraction angle and the acoustic velocity, an incidence angle/beam width calculating part 12 calculates an incidence angle and a beam width inside a linear array type probe 1 necessary for achieving these flaw detection refraction angle and beam width.例文帳に追加

入射角・ビーム幅算出部１２は、探傷条件入力手段１１で入力された探傷屈折角、ビーム幅と、前述の屈折角と音速の関係を示すデータとを用いて、これら探傷屈折角、ビーム幅を得るための、リニアアレイ型探触子１内での、入射角とビーム幅を算出する。 - 特許庁

To obtain an NROM type memory array of such a structure as adjacent memory units MU share a diffusion bit line interposed between in which generation of a through current path is blocked at the time of reading or writing data simultaneously from or into two memory transistor cells.例文帳に追加

隣接するメモリユニットＭＵがその間にある拡散ビット線を共有する構成であるＮＲＯＭ型メモリアレイにおいて、２個のメモリトランジスタセルを同時に読み出すあるいは書込む場合に貫通電流パスが生じるため本発明は、かかる貫通電流パスの生成を阻止するＮＲＯＭ型メモリアレイを提供することを目的とする。 - 特許庁

From among transducers 41 of two-dimensional array type constituting an ultrasonic search unit 22, a transducer for irradiation to irradiate a strong ultrasonic wave on a tumor 2 of a subject 1, a transducer for transmission to collect an ultrasonic image data of a section including the tumor 2, or a transducer for receiving is selected and used.例文帳に追加

超音波プローブ２２を構成する２次元アレイ型の変換素子４１の中から、被検体１の腫瘍２に強力超音波を照射するための照射用変換素子と、この腫瘍２を含む断面の超音波画像データを収集するための送信用変換素子、あるいは受信用変換素子を選択して用いる。 - 特許庁

The charge trap type 3-level nonvolatile semiconductor memory and its driving method are provided with a memory array including a plurality of memory elements capable of storing data in at least two charge trap areas in a current moving direction, and a page buffer driven to map a set of first to third bit data in the threshold voltage groups of the two charge trap areas constituting a set.例文帳に追加

本発明の電荷トラップ型の３−レベル不揮発性半導体メモリ装置及びその駆動方法は、それぞれが電流の移動方向に沿って少なくとも二つの電荷トラップ領域にデータを記憶することができる複数のメモリ素子を持つメモリアレイと、一組の第１〜第３ビットのデータを、一組をなす二つの前記電荷トラップ領域のスレショルド電圧グループにマッピングするように駆動されるページバッファーとを備える。 - 特許庁

Data read through a main bit line MBL from a memory block 2 having a memory cell array constituted of a dynamic type storage element are amplified by a sense amplifier circuit and latched by a latch circuit 12, and only one of outputs from a plurality of tristate buffers 13 to receive the output of the latch circuit is set so as to become a state to be outputted.例文帳に追加

ダイナミック型記憶素子からなるメモリセルアレイを有するメモリブロック２からメインビット線ＭＢＬを通して読み出されるデータを、センスアンプ回路１１で増幅してラッチ回路１２でラッチし、ラッチ回路の出力を入力とする複数のトライステートバッファ１３からの出力のうち、一つのみを出力可能状態に設定する。 - 特許庁

To provide a magnetoresistance RAM (MRAM) of a simple structure by forming a cell array by forming a cell having a simple structure and a small cell size by storing two or more data, by coupling an MTJ (Magnetic Tunnel Junction) between a word line and a P-N diode and further coupling a plurality of cells in a NAND type between a bit line and a cell plate.例文帳に追加

ワードラインとＰ−Ｎダイオードとの間にＭＴＪ（ＭａｇｎｅｔｉｃＴｕｎｎｅｌ Ｊｕｎｃｔｉｏｎ）を結合して２つ以上のデータを記憶させ、構造が簡単でセルサイズが小さいセルを具現し、さらに、ビットラインとセルプレートとの間に複数個のセルをＮＡＮＤ型に連結してセルアレイを具現することにより、簡単な構造の磁気抵抗ラム（ＭＲＡＭ）を具現する。 - 特許庁

On a TFT array substrate 10 of the reflection type electrooptic device 100, an unevenness formation layer 6g in the same layer the a data line 6a is formed in a specified pattern below a light reflecting film 8a and a photosensitive resin layer 7a is formed of photosensitive resin 7 above it by half-exposure through an exposure mask 200, development, and heating.例文帳に追加

反射型電気光学装置１００のＴＦＴアレイ基板１０において、光反射膜８ａの下層側には、データ線６ａと同層の凹凸形成層６ｇが所定のパターンで形成され、その上層には、感光性樹脂７に対して、露光マスク２００を介してのハーフ露光、現像、および加熱を行って感光性樹脂層７ａを形成してある。 - 特許庁

The current fusing type metal fuse can be formed utilizing constitution such as one part of metal wiring, or the like which exists in a semiconductor device originally, since pads and wiring required in current-fusing of a metal fuse can be shared by arraying metal fuses in an array state, storing data of multi-bits can be performed with less pads and smaller pattern occupied area.例文帳に追加

金属配線の一部などの半導体装置が本来有する構成を利用して電流溶断型のメタルヒューズを形成でき、且つメタルヒューズをアレイ状に配置することで、メタルヒューズの電流溶断時に必要となるパッドや配線を共用できるため、少ないパッド数且つ小さいパターン占有面積で多ビットのデータ記憶が可能となる。 - 特許庁

This is a facsimile machine which reads the image in the array order through a contact type image sensor(CIS) 21a constituted having many photodetectors divided into blocks while light receiving colors are switched by turns; when the image is read through the CIS21a, a CPU 10 obtains dot data by the colors from photodetecting elements through the switching of light receiving colors.例文帳に追加

多数の受光素子をブロックごとに区割りして構成された密着型のイメージセンサ（ＣＩＳ）２１ａを介して、受光色を交互に切り替えながら列順に画像を読み取るファクシミリ装置であって、ＣＩＳ２１ａを介して画像を読み取る際、ＣＰＵ１０は、各ブロックの受光素子より受光色の切り替えに応じて色別にドットデータを得る。 - 特許庁

To display an image with uniform brightness irrespective of the surface shape of the display surface in an array type display device of this invention wherein a plurality of arc tubes having phosphor layers inside are arranged, discharge is generated in the plurality of arc tubes for making the phosphor layers in the arc tubes emit light to display an image when image data showing a uniform image is inputted.例文帳に追加

本発明は、内部に蛍光体層を有する複数の発光管を並べておき、それら複数の発光管内部で放電を生じさせて発光管内部の蛍光体層を発光させることにより画像を表示するアレイ型表示装置に関し、一様画像を表わす画像データを入力したとき、表示面の面形状にかかわらず一様な輝度の画像を表示する。 - 特許庁