「BREAKDOWN VOLTAGE」に関連した英語例文の一覧と使い方(44ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a class D amplifying device capable of making compact an amplitude modulation type transmitter including a plurality of class D amplifying devices and employing digital modulation control by eliminating the need for a large-sized FET with a high breakdown voltage.例文帳に追加

Ｄ級増幅装置を複数用いる、デジタル変調制御による振幅変調方式の送信機において、高耐圧、大型のＦＥＴを不要とし、送信機の小型化を図ることができるＤ級増幅装置を提供する。 - 特許庁

In this case, the potential to be applied to the common electrode 3a is made larger and the potential to be applied to the pixel electrode 3b is made to be within the tolerance range of the breakdown voltage of a TFT(thin film transistor) 4.例文帳に追加

この場合、共通電極３ａに印加する方の電位を大きくして、画素電極３ｂに印加する電位はＴＦＴ４の耐圧許容範囲とする。 - 特許庁

The biaxially oriented polyarylene film is characterized in that when a dielectric breakdown voltage at 23°C is defined as V(23) (V/μm) and that at 150°C is defined as V(150) (V/μm), the relations: V(150)/V(23)≥0.85 and V(150)≥300 are satisfied.例文帳に追加

２３℃での絶縁破壊電圧Ｖ（２３）（Ｖ／μｍ）と１５０℃での絶縁破壊電圧Ｖ（１５０）（Ｖ／μｍ）がＶ（１５０）／Ｖ（２３）≧０．８５かつＶ（１５０）≧３００であることを特徴とする二軸配向ポリアリーレンスルフィドフィルムである。 - 特許庁

To provide a fluorescent screen with the metal back of an image display device such as an FED of which, film-forming property, adhesiveness of a metal back layer, and breakdown voltage property are improved.例文帳に追加

ＦＥＤのような画像表示装置のメタルバック付き蛍光面において、メタルバック層の成膜性および密着性を向上させ、耐圧特性を改善する。 - 特許庁

To provide a solid-state imaging element which has charge transfer electrodes of a single-layer structure with a narrow gap and good accuracy while avoiding reduction of a breakdown voltage between the charge transfer electrodes, and which has a flat surface and a high sensitivity while avoiding deterioration of an optical characteristic.例文帳に追加

電荷転送電極間の耐圧を劣化させることなく精度よく狭ギャップの単層構造の電荷転送電極を有する固体撮像素子を提供する。 - 特許庁

To provide a high breakdown voltage MOS transistor including a field relaxing layer which is composed of a lightly doped diffusion layer overlapped with a gate electrode, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

ゲート電極にオーバーラップした低濃度拡散層からなる電界緩和層を有する高耐圧ＭＯＳトランジスタ及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a storage module and a storage system capable of preventing the voltage breakdown of a semiconductor switch for protecting storage cells subject to multiple series connection with a low-cost structure without a large amount of heating and power loss.例文帳に追加

大きな発熱や電力損失をともなうことなく、低コスト化が可能な構成でもって、多直列接続された蓄電セルを保護するための半導体スイッチの電圧破壊を防止できるモジュールおよび蓄電システムを提供する。 - 特許庁

To resolve the problem of a plasma display device wherein if there is a defect such as a crack or a bubble in a dielectric film composing a PDP, dielectric breakdown and a material defect occur when a discharge voltage is applied to a display electrode.例文帳に追加

ＰＤＰを構成する誘電体膜にクラックや気泡などの欠陥が含まれていると、表示電極に放電電圧を印加したときに絶縁破壊が発生し、品質不良になる。 - 特許庁

To obtain a superior performance by making mutually exclusive characteristics of improvement of breakdown voltage characteristic and downsizing and weight reduction compatible in a connection structure between cable connection part and an electrical apparatus.例文帳に追加

電力機器と電力ケーブルの接続部に用いられるケーブル終端接続構造において、耐電圧特性の向上と小型軽量化という相反する特性を両立させ、優れた性能を得ることを課題とする。 - 特許庁

Similarly, the electric field of the horizontal direction is pinched off at the second depth by the second embedding region before an electric field strength at the first depth reaches a critical electric field, and thus, the breakdown voltage can be increased.例文帳に追加

同様に、第１の深さにおける電界強度が臨界電界に達する以前に第２埋め込み領域によって第２の深さにおいて水平方向の電界がピンチオフし、耐圧を増加させることができる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of obtaining high breakdown resistance by shortening the time in which the reverse recovery currents of a body diffusion area are allowed to flow at the time of applying a surge voltage, and a method for manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

サージ電圧印加時にボディー拡散領域の逆回復電流が流れる時間を短縮して、高い破壊耐量が得られる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a multilayer structure dielectric thin film, a thin film capacitive element and a thin film multilayer capacitor exhibiting excellent leak characteristics, breakdown voltage characteristics and surface planarity in which a variation in dielectric constant is extremely low.例文帳に追加

リーク特性、耐圧特性および表面平滑性に優れ、比誘電率の変化が極端に小さい積層構造誘電体薄膜、薄膜容量素子および薄膜積層コンデンサを提供すること。 - 特許庁

Also, since a process for forming a field nitride can be removed, a simplified manufacturing method for a high breakdown voltage semiconductor device can be provided.例文帳に追加

フィールド窒化膜形成工程も省略できるので、高耐圧化と製造工程の簡略化を兼ね備えた半導体装置の製造方法を提供できる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which an MESFET of a developing BP-LDD structure can be formed, while avoiding a substantially increased number of manufacturing steps and suppressing reduction of a breakdown voltage in a Schottky junction, and also provide a method for manufacturing the device.例文帳に追加

製造工程を大幅に増加することなく、ショットキー接合部の耐圧低下を抑止しつつ、発展型ＢＰ−ＬＤＤ構造のＭＥＳＦＥＴを形成しうる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To reduce adverse effect caused by the deterioration of an LED and protect the LED from breakdown due to reverse voltage application while keeping the effects of the reduction of a mounting area, the miniaturization of a casing size, and the reduction of costs as they are.例文帳に追加

実装面積の低減、筐体サイズの小型化、コストの削減の効果を維持しつつ、ＬＥＤの劣化による弊害を少なくし、逆方向電圧印加による破壊からＬＥＤを保護する。 - 特許庁

The CMOS device is therefore enabled to operate normally without using the CMOS device having high breakdown voltage, and while an increase in chip size is suppressed, the CMOS device can operate normally.例文帳に追加

したがって高耐圧のＣＭＯＳデバイスを用いることなく、ＣＭＯＳデバイスの正常動作を可能にし、チップサイズの増大を抑制しながらも、ＣＭＯＳデバイスを正常に動作させられる。 - 特許庁

To provide an insulated-gate semiconductor device in which high breakdown voltage and low on-state resistance are realized and which can easily be manufactured, and to provide a manufacturing method of the device.例文帳に追加

高耐圧化と低オン抵抗化とを両立させ，簡便に作製することができる絶縁ゲート型半導体装置およびその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a biaxially oriented polypropylene film for a capacitor, while holding dimensional stability, heat resistance and rigidity as similar to conventional articles, improving insulation breakdown strength and excellent in both handling property and electric voltage-withstanding characteristic, and also a metallized film and capacitor by using the polypropylene film.例文帳に追加

寸法安定性、耐熱性、剛性は従来品同等に保持し、絶縁破壊強度を高めた、ハンドリング性と耐電圧特性両方に優れるコンデンサー用二軸配向ポリプロピレンフィルムを提供すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor device for communication equipment where a hole accumulation in a channel layer of HFET is controlled to stabilize characteristics, improve a breakdown voltage and enables high-speed drive.例文帳に追加

ＨＦＥＴのチャネル層内でのホールの蓄積を抑制することで、特性が安定な、高耐圧で高速動作が可能な通信機器用半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a liquid crystal device equipped with an optical writing type liquid crystal device having high optical writing sensitivity in which switching control for both directions of the liquid crystal is possible even in a panel structure having an insulating film having enough breakdown voltage.例文帳に追加

十分な絶縁耐圧を持つ絶縁膜を配したパネル構成でも液晶の両方向のスイッチング制御を可能とすると共に、光書き込み感度の高い光書込み型液晶素子を備えた液晶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a resin-filled carrier for electrophotographic developer which has a high breakdown voltage and also has a high particle breaking strength while maintaining advantages of the resin-filled carrier.例文帳に追加

樹脂充填型キャリアの利点を保持しつつ、絶縁破壊電圧が高く、また粒子の破壊強度も高い電子写真現像剤用樹脂充填型キャリア及び該キャリアを用いた電子写真現像剤を提供すること。 - 特許庁

To provide a circuit device for preventing the degradation in breakdown voltage due to the occurrence of cracks in an insulating layer coating the circuit board, even in the condition in which the thrust of screw fitting acts on the circuit board.例文帳に追加

ビス止めの押圧力が回路基板に作用する状況でも、回路基板を被覆する絶縁層にクラックが発生することによる耐圧の劣化が防止された回路装置を提供する。 - 特許庁

To provide a high breakdown voltage and high output power field- effect transistor in which the carrier concentration in a channel layer can be increased without increasing the n-type impurity concentration in the channel layer, and to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加

チャネル層のｎ型不純物濃度を高くすることなく、チャネル層内のキャリア濃度を高めることができる高耐圧・高出力電界効果トランジスタおよびその製造方法の提供。 - 特許庁

To form a semiconductor device having a superjunction structure by a simple process, and to properly secure a breakdown voltage, even for the outer-peripheral section of an element section.例文帳に追加

簡略なプロセスでスーパージャンクション構造の半導体装置を形成するとともに、素子部の周辺部においても良好に耐圧を確保できるようにする。 - 特許庁

To form easily a memory transistor and a high breakdown voltage MOS transistor in the same transistor substrate without changing the operating characteristics of the memory transistor.例文帳に追加

メモリトランジスタの動作特性を変動させることなく、容易にメモリトランジスタと高耐圧ＭＯＳトランジスタとを同一半導体基板上に形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device for electric power wherein the lowering of breakdown voltage due to variations on a manufacturing process is suppressed and that is provided with a super-junction structure to realize low on-resistance.例文帳に追加

製造プロセス上のばらつきに対する耐圧の低下が小さく、低オン抵抗化も可能なスーパージャンクション構造を有する電力用半導体素子を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which can reduce an influence on a breakdown voltage property by a crystal defect resulting from a high concentration oxygen introduced into a semiconductor substrate in connection with the isolation diffusion of an elevated temperature long time.例文帳に追加

高温長時間の分離拡散に伴って半導体基板に導入される高濃度酸素に起因する結晶欠陥による耐圧特性への影響を低減できる半導体装置の製造方法の提供。 - 特許庁

To provide a semiconductor device provided with a capacitor, where the capacitor is ensured of high capacity, similar to conventional cases, even if a dielectric film is made large in thickness, to improve the capacitor in breakdown voltage.例文帳に追加

コンデンサを搭載する半導体装置であって、耐圧を増加するために誘電体の膜厚を厚くしても、電極面積を広げることなく、従来と同様の容量値を確保できる構造とする。 - 特許庁

To form a fluorescent surface with a metal back in a superior yield which has an excellent adhesiveness between the fluorescent material layer and the metal back layer, and which is superior in breakdown voltage characteristics without defects in the metal back layer.例文帳に追加

蛍光体層とメタルバック層との密着性が良く、かつメタルバック層の欠陥がなく耐圧特性に優れたメタルバック付き蛍光面を歩留り良く形成する。 - 特許庁

To provide a fabrication process of an MIM capacitor excellent in dielectric breakdown voltage and reliability and applicable to a microprocess in which focus margin or processing margin such as the thickness of resist film is ensured while reducing level difference at the time of processing.例文帳に追加

絶縁破壊耐圧および信頼性に優れ、加工時に段差が少なくフォーカスマージンやレジスト膜厚等の加工マージンを確保した微細プロセスに搭載可能なＭＩＭ容量の製造方法を提供する。 - 特許庁

To further improve off-breakdown voltage without sacrificing high-frequency characteristics in an InP-based HBT having a base layer composed of a GaAsSb-based compound semiconductor.例文帳に追加

ＧａＡｓＳｂ系の化合物半導体のベース層を有するＩｎＰ系ＨＢＴにおいて、高周波特性を犠牲にすることなく、さらにオフ耐圧を向上させる。 - 特許庁

An n-type hole block region 400 is provided between the L-IGBT 390 and the low breakdown-voltage integrated circuit 410 on a p-type semiconductor substrate 10.例文帳に追加

ｐ型半導体基板１０におけるＬ−ＩＧＢＴ３９０と低耐圧集積回路４１０との間に、ｎ型ホールブロック領域４００が設けられている。 - 特許庁

A crystal defect can be suppressed and the breakdown voltage can be increased by selecting the Al composition of the AlGaN layer 406 to be larger than the Al composition of the AlGaN buffer layer 404.例文帳に追加

ＡｌＧａＮ層４０６のＡｌ組成をＡｌＧａＮバッファ層４０４のＡｌ組成以上とすることで、結晶欠陥を抑え、降伏電圧を高くすることができる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device in which the breakdown voltage of a gate oxide film does not deteriorate even after long time heat treatment for impurity diffusion.例文帳に追加

不純物拡散のための長時間の熱処理を行っても、ゲート酸化膜の耐圧劣化が生じない半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

Thus, a high breakdown voltage can be secured for the TFTs 30 and the storage capacitors 70 formed on the same substrate, and the capacitance of the storage capacitors 70 can be improved.例文帳に追加

よって、同一基板上に形成されたＴＦＴ３０と蓄積容量７０に対して、高い耐電圧を確保するとともに、蓄積容量７０の静電容量を向上することができる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device where breakdown voltage is improved on the side of a pn junction between a punch-through preventing region and a drain offset region just below a gate electrode, and to provide a manufacturing method of the device.例文帳に追加

本発明の課題は、ゲート電極直下のパンチスルー防止領域とドレインオフセット領域とのＰＮ接合面の耐圧を向上させた半導体装置およびその製造方法を提供することである。 - 特許庁

High breakdown voltage is obtained without hampering minitualization by forming a floating layer of an opposite conductivity type to that of the drain region at the surface of the drain region.例文帳に追加

ドレイン領域の表面に反対導電型のフローティング層を設けた構造とすることで微細化に悪影響を与えず、高耐圧化が実現できる。 - 特許庁

To reduce the installation space of a semiconductor element in a semiconductor device for sandwiching a heat-conducting electrical insulating sheet with a semiconductor element, such as a semiconductor module, inbetween for mounting to a cooling body, and to improve insulation breakdown voltage performance.例文帳に追加

半導体モジュール等の半導体素子を間に熱伝導性電気絶縁シートを挟んで冷却体に取り付けた半導体装置における半導体素子の設置スペースを小さくし、かつ絶縁耐圧性能を向上させる。 - 特許庁

To enhance the breakdown voltage of an MOS transistor, configured to increase the thickness of a gate insulating film on the drain end side, by reducing the on resistance.例文帳に追加

ドレイン端側においてゲート絶縁膜の膜厚を増大させる構成のＭＯＳトランジスタにおいて、オン抵抗を低減し、耐圧を向上させる。 - 特許庁

To provide a bipolar transistor for high power and a method of manufacturing the same whereby both of a current amplification factor and breakdown voltage can be improved and the maximum current permitting switching can be increased.例文帳に追加

電流増幅率と耐圧の両者を高めることができると共に、スイッチ可能な最大電流を増加させることができる大電力用バイポーラトランジスタ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a piezoelectric element, having high breakdown voltage and long lifetime durability and its manufacturing method, and to provide a liquid ejection head and its manufacturing process, and a liquid ejector.例文帳に追加

耐電圧が高く耐久寿命の長い圧電素子及びその製造方法、液体噴射ヘッド及びその製造方法並びに液体噴射装置を提供する。 - 特許庁

To effectively prevent the occurrence of the problem, wherein the ON-state resistance is increased and the withstand voltage and/or the breakdown resistance are/is reduced, etc. due to the void within a gate electrode in a trench-gate semiconductor device.例文帳に追加

トレンチゲート型の半導体装置において、ゲート電極内に発生するボイドによるオン抵抗の増加、耐圧や破壊耐量の低下等の問題を生じさせることを効果的に防止する。 - 特許庁

To provide a plasma display device that can prevent probability of dielectric breakdown in a driving element due to voltage variation at the other end of a load capacitance.例文帳に追加

本発明は、負荷容量の他端の電圧変動による駆動素子の耐圧破壊のおそれを防止することができるプラズマディスプレイ装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

Suppression means 8 for suppressing occurrence of bubbles generated when a current larger than a predetermined amount flows in the conductive liquid 5 due to insulation breakdown is provided in a part in the liquid optical element 10 of an electric circuit for applying a voltage.例文帳に追加

絶縁の破壊で導電性液体５に一定以上の電流が流れることにより生じる気泡の発生を抑止する抑止手段８が、電圧を印加するための電気回路の液体光学素子１０中の部分に設けられている。 - 特許庁

To provide a method of storing a silicon wafer which can remarkably increase the number of the wafers to be stored by maintaining the preventing effect of metal contamination which causes the defective oxide film breakdown voltage of the wafer for a long period of time.例文帳に追加

ウェーハの酸化膜耐圧不良を引き起こすような金属汚染の防止効果を長く維持して、ウェーハを保管できる枚数を飛躍的に増加させることができるシリコンウェーハ保管方法を提供する。 - 特許庁