「BREAKDOWN VOLTAGE」に関連した英語例文の一覧と使い方(45ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide an integrated circuit bipolar junction transistor(BJT) which is improved so as to maximize both of a breakdown voltage (Bvceo) and a cut-off frequency/maximum frequency ratio (Ft/Fmax).例文帳に追加

降伏電圧（Ｂｖｃｅｏ）及び遮断周波数／最大周波数比（Ｆｔ／Ｆｍａｘ）の両方を最大にする改良された、集積回路二極接合トランジスタ（ＢＪＴ）を提供する。 - 特許庁

To provide a vertical bipolar transistor having been subjected to salicide processing through which a base-side depletion layer sufficiently spreads by forming a salicide offset region to prevent problems such as a leakage current and a decrease in junction breakdown voltage.例文帳に追加

サリサイドオフセット領域の形成により、ベース側の空乏層が十分に広がり、リーク電流や接合耐圧低下の問題を防ぐサリサイド処理を行った縦型バイポーラトランジスタを提供する。 - 特許庁

The electrophotographic photoreceptor having a photoreceptive layer on a supporting body is provided with a layer whose dielectric breakdown voltage in a non-image forming area is larger than that in an image forming area between the supporting body and the photoreceptive layer.例文帳に追加

支持体上に感光層を有する電子写真感光体において、支持体と感光層の間に、非画像形成領域の絶縁破壊電圧が画像形成領域の絶縁破壊電圧よりも大きい層を有する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, where a p-channel MOS transistor having high performance and a high breakdown voltage with a surface channel structure is formed on the same substrate as a memory cell, and to provide a manufacturing method of the semiconductor device.例文帳に追加

メモリセルと同一の基板上に、表面チャネル構造を有する高性能な高耐圧のｐチャネル型ＭＯＳトランジスタが形成された半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

This electrostatic breakdown test device has a main body device 3 having both a dc power source V generating a predetermined dc voltage and having its negative electrode connected to ground and a resistance R1 connected to the positive electrode of the dc power source V.例文帳に追加

所定の直流電圧を発生しかつ負極がグランドと接続された直流電源Ｖと、この直流電源Ｖの正極に接続された抵抗Ｒ１とを有した本体装置３を備える。 - 特許庁

To provide a high breakdown voltage semiconductor device for preventing deterioration or breakage of a gate oxide film of an IGBT when a negative voltage is applied to the output terminal of a scan driver IC used for a plasma display panel (PDP).例文帳に追加

プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）に使用されるスキャンドライバＩＣにおいて、出力端子に負電圧が印加された場合にＩＧＢＴのゲート酸化膜の劣化及び破壊を防止するための、高耐圧半導体装置を提供する。 - 特許庁

To prevent a discharge breakdown without causing crystallization of a semiconductor layer or deterioration in characteristic in a radiation image detector where a voltage application electrode applied with a voltage and the semiconductor layer irradiated with radiation to generate electric charges are stacked.例文帳に追加

電圧が印加される電圧印加電極と、放射線の照射を受けて電荷を発生する半導体層とが積層された放射線画像検出器において、半導体層の結晶化や特性の劣化を招くことなく放電破壊を防止する。 - 特許庁

To provide the power converter of a high voltage and high safety which avoids breakdown of power semiconductors while preventing beforehand sending of an error signal to the power semiconductors from driving circuits by detecting failures of the driving circuits in such a state as no voltage is applied to the power semiconductors.例文帳に追加

駆動回路部の故障をパワー半導体に電圧を印加しない状態で検知することで、駆動回路部からパワー半導体に対する誤信号の送出を事前に防止し、パワー半導体の破壊を回避することが可能である安全性の高い高電圧の電力変換装置を提供する。 - 特許庁

To supply power to a driving means necessary for driving it while using low voltage as a power source to a control means for making it meet low current consumption and lowering of the breakdown voltage accompanying micro fabrication of semiconductor manufacturing processes.例文帳に追加

制御手段を低消費電流および半導体製造プロセスの微細化に伴う耐圧の低下に対応させるために該制御手段に対しては電源として低い電圧を用いながらも、駆動手段に対してはその駆動に必要な電源を供給する。 - 特許庁

Because the electrode 22 discharges in the discharge space 19 via the interior glass tube 15, dielectric breakdown voltage of the interior glass tube 15 is high and a voltage to be applied between the electrodes 22 can be made high because distance between the electrodes 22 can be made longer.例文帳に追加

内側のガラス管１５を介して電極２２は放電空間１９内で放電するため、内側のガラス管１５の絶縁耐圧が高いとともに電極２２間の距離も長くできるため電極２２間に印加する電圧を高くできる。 - 特許庁

Thus, when the negative voltage applied to the trench gate is equal, the breakdown voltage of the element region when a defect is present in the trench gate electrode is measured to be lower than that when a defect is absent in the trench gate electrode.例文帳に追加

このため、トレンチゲート電極に印加する負の電圧が等しければ、トレンチゲート電極に不良がある場合の素子領域の耐圧は、トレンチゲート電極に不良がない場合の素子領域の耐圧に比べて低い耐圧が測定される。 - 特許庁

Since the drain offset length DL2 is maintained at the same level as the drain offset length DL1 of the prior art, an OFF breakdown voltage almost the same as that of the prior art is provided in the OFF state where the voltage is not applied to the gate electrode 4A.例文帳に追加

したがって、ドレインオフセット長ＤＬ２を前提技術のドレインオフセット長ＤＬ１と同程度に維持することができるので、ゲート電極４Ａに電圧が印加されないＯＦＦ状態では、前提技術とほぼ同じＯＦＦ耐圧を得ることができる。 - 特許庁

Since a Zener diode 28 is nonconductive when a voltage applied to the Zener diode 28 is a breakdown voltage of the Zener diode 28 or below, an amplification factor A1 (first amplification factor) of the amplifier circuit 20 is decided depending on a resistance R1 of a first feedback resistor 24.例文帳に追加

ツェナーダイオード２８に印加される電圧が該ツェナーダイオード２８のブレークダウン電圧以下である場合には、該ツェナーダイオード２８がオフ状態となるので、増幅回路２０の増幅率Ａ１（第１の増幅率）は第１の帰還抵抗２４の抵抗値Ｒ１によって決定される。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a MPS structure or a JBS structure, capable of maintaining both of low forward drop voltage VF and high reverse breakdown voltage VR, and having short reverse recovery time trr and low reverse leakage current IR.例文帳に追加

ＭＰＳ構造又はＪＢＳ構造を有し、低い順方向降下電圧ＶＦ及び高い逆方向耐圧ＶＲを両立させることが可能で、さらには、逆回復時間ｔｒｒが短く、かつ、逆方向リーク電流ＩＲが低い半導体装置を提供する。 - 特許庁

LDD regions 114 and 124 are formed by forming a gate electrode 112 of a high-breakdown voltage MOS transistor 112 and a gate electrode 122 of a low-voltage drive MOS transistor and implanting impurities by using the gate electrodes 112 and 122 as masks.例文帳に追加

半導体基板のウェル１０１上に、高耐圧ＭＯＳ型トランジスタのゲート電極１１２と低電圧駆動ＭＯＳ型トランジスタのゲート電極１２２とを形成し、ゲート電極１１２および１２３をマスクとして不純物を注入することによって、ＬＤＤ領域１１４および１２４を形成する。 - 特許庁

The power supply generates a magnetic alternating current, a donor alternating current, and an asymmetrical waveform for a conductive wire electrode voltage signal, and avoids air insulation breakdown in an interface of the conductive wire electrode and the donor while making the voltage space available to a maximum extent.例文帳に追加

当該電源はまた、磁気交流、ドナー交流、および導線電極電圧信号用に非対称の波形を生成して、電圧スペースを最大限利用可能にしながら、導線電極とドナーのインタフェースにおける空気絶縁破壊を回避する。 - 特許庁

To provide a wide band gap semiconductor device which prevents breakdown of a gate insulating film on a bottom of a gate trench, provides long-term reliability, is easy to embed a Schottky diode, and has a high voltage-proof peripheral voltage withstanding structure.例文帳に追加

ゲートトレンチ底部のゲート絶縁膜の絶縁破壊を防止し、長期信頼性が高く、かつ、ショットキーダイオードを内蔵させることが容易であって、さらに、高耐圧な周辺耐圧構造を有するワイドバンドギャップ半導体装置の提供。 - 特許庁

Since a troublesome surge noise occurring on the analog circuit 2 side is made to escape to the digital power supply voltage through a power supply line or to the ground voltage through a ground line by the diode type protective circuit 20, the digital circuit 3 can be protected against electrostatic breakdown.例文帳に追加

アナログ回路２側で生じた不都合なサージノイズはダイオード型保護回路２０により電源配線を介してデジタル電源電圧に、あるいは接地配線を介して接地電圧に逃げるためデジタル回路３が静電破壊されるのを防止できる。 - 特許庁

To manufacture each element by processes simplified while improving each element characteristic in a semiconductor device including a MISFET requiring a relatively large current driving force at a low voltage for a high-speed operation and a MISFET requiring a high breakdown voltage.例文帳に追加

高速動作のために低電圧で相対的に大きな電流駆動力を必要とするＭＩＳＦＥＴと高耐圧を必要とするＭＩＳＦＥＴを有する半導体装置において、各素子を、それぞれの素子特性の向上を図りつつ簡素化した工程で製造する。 - 特許庁

To provide a dielectric ceramic which can assure a breakdown voltage of ≥120 kV/mm while achieving a dielectric constant ε of ≥500, and is suitable for constituting dielectric ceramic layers of a laminated ceramic capacitor for medium to high voltage applications.例文帳に追加

５００以上の誘電率εを得ながら、１２０ｋＶ／ｍｍ以上の絶縁破壊電圧を保証することができる、中高圧用途の積層セラミックコンデンサの誘電体セラミック層を構成するのに適した誘電体セラミックを提供する。 - 特許庁

To provide a long-life and compact switching power unit that reduces a loss of standby electric power, allows a drive circuit to properly change a rectification system of a rectifying circuit in response to an input voltage without using any high breakdown-voltage electrolytic capacitors.例文帳に追加

待機電力の損失低減を図り、且つ高耐圧の電解コンデンサを用いずに、入力電圧に対応して駆動回路が整流回路の整流方式を適正に切り換えできるようにし、長寿命化および小型化が可能なスイッチング電源装置を提供する。 - 特許庁

A reverse breakdown voltage for the reverse blocking IGBT can be secured while an optimal value in a trade-off of an ON-state voltage and a switching loss can be selected by performing an ion implantation for forming the diffusion layer 21 within the trench and an ion implantation for forming a collector layer 22, separately.例文帳に追加

また、溝内拡散層２１を形成するイオン注入とコレクタ層２２を形成するイオン注入を分けて行うことで、逆阻止ＩＧＢＴの逆耐圧を確保しながらオン電圧とスイッチング損失のトレードオフ上の最適値を選択することができる。 - 特許庁

In the defect simulation method using the discharge tester, a test voltage 32 is applied from a high voltage generator 30 to a continuous cable via an electrode, a detector 44 recognizes and displays dielectric breakdown, and a defect counter 48 sums them.例文帳に追加

放電試験器を用いた欠陥シミュレーション方法において、高電圧発生器３０から電極を介して試験電圧３２を連続ケーブルに印加し、検出器４４により絶縁破壊を認識して表示し、欠陥カウンタ４８により合算する。 - 特許庁

To provide a non-lead resin composition which is essentially free of antimony, uses a vinyl chloride resin alone as a base resin and is excellent in flame retardancy as well as in voltage resistance (retention of dielectric breakdown voltage) and retention of tensile elongation after aging, and an insulated wire using the composition.例文帳に追加

実質的にアンチモンフリーであって、基材樹脂として塩化ビニル樹脂を単独で使用し、難燃性及び老化後の耐電圧特性（絶縁破壊値残率）と引張伸び残率に優れた非鉛系の樹脂組成物およびそれを用いた絶縁電線を提供する。 - 特許庁

To secure a breakdown voltage at a periphery (peripheral region, junction terminal region), the voltage being equal to or greater than that of a cell, by the conventional periphery termination structure or Resurf (Reduced Surface Field) structure since the concentration of the body cell (active region) in a super junction structure becomes comparatively high.例文帳に追加

スーパ・ジャンクション構造では、本体セル部（活性領域）の濃度が比較的高濃度となるため、従来型の周辺ターミネーション構造またはリサーフ構造によってセル部と同等以上の耐圧を周辺部（周辺領域、接合終端領域）で確保することは困難となることである。 - 特許庁

To provide a lateral semiconductor device which has a layer with impurity density increased in a lateral direction of a drift region, and a layer with impurity density adjusted to a low value, both layers coexisting, and operates in a bipolar mode, the lateral semiconductor device having the reduced ON voltage while securing a breakdown voltage, thereby achieving reduced switching loss.例文帳に追加

ドリフト領域の横方向に不純物濃度が増加する層と、不純物濃度が薄く調整された層とを並存させたバイポーラで動作する横型の半導体装置において、耐圧を確保しつつ、オン電圧を低減し、スイッチングロスを低減する。 - 特許庁

Therefore, when the apparatus is connected with the external power supply having a high voltage, the external power supply and the power supply line 17 of the main circuit 16 are brought into an open state, so as to prevent the breakdown of the main circuit, caused by applying the high voltage to the main circuit 16.例文帳に追加

従って、高電圧の外部電源に接続された場合、外部電源と主回路１６の電源ライン１７とは開放状態となって、外部電源の高電圧が主回路１６に印加されることによる主回路の破壊が防止される。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of preventing malfunction of a switching device, even if a high breakdown voltage electric power integrated circuit is exposed to a transitional voltage noise at transition from a conducting state to a non-conducting state or transition from the non-conducting state to the conducting state of the switching device.例文帳に追加

高耐圧電力用集積回路が、スイッチングデバイスの導通状態から非導通状態への遷移、または非導通状態から導通状態への遷移に伴い発生する過渡的な電圧ノイズに曝された場合においても、スイッチングデバイスの誤動作を防止できる半導体装置を提供する。 - 特許庁

To inhibit a short circuit damage beforehand by preventing a breakdown voltage drop from being caused owing to a field concentration, by forming a distance between a photodiode p-layer and a p anode region into a predetermined structure in order to derive a desired zero cross voltage in a semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置において、所望のゼロクロス電圧を得るために、フォトダイオードＰ層とＰアノード領域の間の距離を所定の構造にすることによって、電界集中による耐圧低下を招かないようにして、短絡破壊を未然に防止する。 - 特許庁

The silicon nitride film whose refractive index is 2.1 or higher, is sufficiently high in conductivity to cancel the effects of movable ions and electric charge which gathers in a molding resin near the high-breakdown voltage device 3, to which a high voltage of 700 to 800 V is applied.例文帳に追加

屈折率が２．１以上の窒化シリコン膜は、７００〜８００Ｖの高電圧が印加された高耐圧デバイス３の近傍に集まるモールド樹脂中の可動イオンや電荷による影響をシールドするのに十分な導電性を有する。 - 特許庁

The fixed potential of the element forming regions 6a, 6b differs from a fixed potential of the non element-forming region 7, and a prescribed voltage is respectively applied to the element-forming regions 6a, 6b and the non element-forming region 7 for a prescribed time, to apply the breakdown voltage screening test to the trench insulation isolation section 5U.例文帳に追加

素子形成領域６ａ、６ｂ内の固定電位と、素子形成外領域７の固定電位とは異なり、素子形成領域６ａ、６ｂ、および素子形成外領域７のそれぞれに所定の電圧を一定時間印加して、トレンチ絶縁分離部５Ｕの耐圧スクリーニング試験を行う。 - 特許庁

To provide a voltage conversion circuit and a battery device in which such a situation as a breakdown voltage required for drive input of a switch element pertaining the selection increases as the potential of a storage element of seledction object increases can be avoided effctively when one storage element is selected from a plurality of storage elements connected in series.例文帳に追加

複数直列に接続された蓄電素子から一の蓄電素子を選択する場合に、選択対象の蓄電素子の電位が高くなるほど、その選択に関わるスイッチ素子の駆動入力に要求される耐電圧が高くなることを有効に回避できる電圧変換回路とバッテリ装置を提供する。 - 特許庁

To solve the problem in which: in the conventional three level conversion circuit, when a fuse is connected, application of a module with high breakdown voltage and connection of a snubber circuit are required, so that a device becomes large and cost increases, since high surge voltage occurs on switching by an increase of inductance.例文帳に追加

３レベル変換回路でヒューズを接続すると、インダクタンスの増加によりスイッチング時に高いサージ電圧が発生するため、耐圧の高いモジュールの適用や、スナバ回路の接続などが必要となり、装置の大型化やコストアップの課題が発生する。 - 特許庁

Accordingly, when a plurality of IGBTs are connected in series in one inverter circuit, the voltage added to each IGBT is divided into partial pressure by matching their response speed, thereby it can enlarge the breakdown voltage of the inverter apparatus 1 itself.例文帳に追加

よって、１つのインバータ回路において複数のＩＧＢＴを直列に接続した場合、それらの応答速度を一致させることによって、各ＩＧＢＴに加わる電圧が分圧されて、インバータ装置１自体の耐圧を大きくすることができる。 - 特許庁

Since the metallic film 30 covers the P-N junction of the zap diode, the zap diode is short-circuited to the metallic film 39 provided on the P-N junction and becomes a resistor when a puncture or destruction occurs due to an impressed reverse bias voltage higher than a breakdown voltage.例文帳に追加

この金属膜３９でザップダイオードのＰＮ接合部を覆うことにより、降伏電圧以上の逆バイアス電圧の印加によって破裂破壊が起こっても、ザップダイオードがＰＮ接合部上の金属膜３９により短絡して抵抗となる構成とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which is equipped with a protective diode to protect a semiconductor element such as MOSFET from insulation breakdown, suppress a leakage current which may be caused on the protective diode at the time of low voltage, and can supply a greater amount of current when high voltage is applied, such as in the case of coming of surge.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴのような半導体素子を絶縁破壊から保護する保護ダイオードを備え、当該保護ダイオードにおける低電圧印加時のリーク電流を抑え、サージが入ってきたような高電圧印加時により多くの電流を流すことのできる半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a voltage supply circuit in which a gate oxide film of a transistor is not broken, even if a voltage which is not less than a breakdown- strength of the gate oxide film is applied to the transistor, in a state with an internal power supply which is not start up in an interface circuit.例文帳に追加

インターフェース回路において内部電源が立ち上がっていない状態でトランジスタにそのゲート酸化膜耐圧以上の電圧がかかった場合にも、そのゲート酸化膜が破壊しないような電圧供給回路を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which is highly reliable and effective for practical use and where fluctuation of a pressure resisting feature is small in a high breakdown voltage semiconductor device which is integrated on an SOI substrate and in which rated voltage is shared between an embedded oxide film and a drain of an element active layer.例文帳に追加

ＳＯＩ基板に集積され定格電圧を埋め込み酸化膜と素子活性層のドレインとで分担する高耐圧半導体素子において、耐圧特性の変動が少ない高信頼度でかつ実用化に有効な半導体装置を得ること。 - 特許庁

To provide a planar gate IGBT having a constitution which easily and effectively realizes the characteristics of low ON voltage and high-speed switching while avoiding deterioration of a breakdown voltage, increases of an input capacitance Cies as well as a feedback capacitance Cres and generation of oscillation upon short-circuiting a load.例文帳に追加

耐圧の低下、入力容量Ｃｉｅｓ及び帰還容量Ｃｒｅｓの増加、負荷短絡時における発振の発生を回避しながら、容易且つ効果的に低オン電圧及び高速スイッチング特性を実現できる構成のプレーナゲート型ＩＧＢＴを提供する。 - 特許庁

Consequently, the breakdown voltage of the device can be made high and a negative-voltage part of high-frequency noise entering from the input/output terminal SG is hardly clamped, so that deviation hardly occurs in a DC component of high-frequency noise having passed through a filter circuit.例文帳に追加

このため、装置の降伏電位を高めることができ、入出力端子ＳＧから侵入した高周波ノイズの負電圧部分がクランプされ難くなるので、フィルタ回路を通過した高周波ノイズの直流成分にズレが発生し難い。 - 特許庁

By providing the n-type diffusion layer 17, a depletion layer is well generated in the semiconductor device 10 when a reverse voltage is applied, and a leakage current can also be decreased, so that the semiconductor device 10 will have a high breakdown voltage.例文帳に追加

Ｎ型拡散層１７を設けることによって逆方向電圧が印加された際、半導体素子１０内に空乏層が良好に発生し、また漏れ電流を減少させることができるため半導体素子１０は良好な耐圧性を備える。 - 特許庁

Therefore since the withstand voltage on the output side of the DC-DC conversion circuit is improved, and high voltage on the secondary side of an isolation transformer will not be applied to the primary side, even if dielectric breakdown occurs in an isolation transformer, and safety is improved also.例文帳に追加

このため、直流直流変換回路の出力側の耐圧が向上でき、しかも、絶縁トランスに絶縁破壊が生じても絶縁トランスの２次側の高電圧が１次側に印加されることがないから安全性も向上できる。 - 特許庁

Since as a clamping circuit 121 is provided at a charge control signal input terminal and a discharge control signal input terminal in one battery protection IC, a voltage higher than the breakdown voltage is no longer applied to the output driver 112 of other battery protecting ICs connected to these terminals.例文帳に追加

一のバッテリ保護ＩＣにおける充電制御信号入力端子及び放電制御信号入力端子に、クランプ回路１２１が設けられるので、これらの端子に接続される他のバッテリ保護ＩＣの出力ドライバ１１２に、耐圧以上の電圧が印加されなくなる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of sufficiently securing breakdown voltage between a base region and a drain region of an SiC power device and having a depression region capable of preventing an increase of an electric field in a gate insulation film while keeping withstand voltage between a source and a drain.例文帳に追加

ＳｉＣパワーデバイスのベース領域・ドレイン領域間の降伏電圧を十分に確保可能でソース・ドレイン間耐圧を確保しつつゲート絶縁膜中の電界値上昇を抑制可能なデプレッション領域を有する半導体装置を実現する。 - 特許庁

To start the load for performing soft start, without hindrance by generating high output voltage at slowdown control, without using the high breakdown voltage capacitor for magnetization, in a generator driven by internal combustion engine, using a self-excited field rotation type of AC generator.例文帳に追加

自励式界磁回転形交流発電機を用いた内燃機関駆動発電装置において、高耐圧の増磁用コンデンサを用いることなく、スローダウン制御時に高い出力電圧を発生させて、ソフトスタートを行う負荷を支障なく始動することができるようにすること。 - 特許庁