「BREAKDOWN VOLTAGE」に関連した英語例文の一覧と使い方(48ページ目) - Weblio英語例文検索

A p-partition region of the transition part 22 is made different in shape of a p-partition region from the active part 21 and terminal part 23, and charge balance is made between p-partition regions 4a, 4b and 4c of the active part 21, transition part 22 and termination part 23, and n-drift region 3, in order to prevent a decrease in breakdown voltage.例文帳に追加

活性部２１および終端部２３に対して遷移部２２のｐ仕切り領域の形状を変え、活性部２１、遷移部２２および終端部２３の各ｐ仕切り領域４ａ、４ｂ、４ｃとｎドリフト領域３とでチャージバランスをとることで、耐圧低下の防止を図る。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which the magnitude of ON current is assured, while assuring a high breakdown voltage at the junction of a first conductivity-type well region and a second conductivity type softening electric field region without increasing the chip size, and to provide its fabrication method.例文帳に追加

チップサイズを大きくすることなく、第１導電型ウェル領域と第２導電型電界緩和領域との接合での高耐圧を確保しつつ、ＯＮ電流の大きさを確保した半導体装置およびその製法を提供する。 - 特許庁

The high breakdown voltage transistor 300 comprises a first gate insulating layer 222 consisting of the first insulating layer 22a, the charge capturing layer 22b and the second insulating layer 22c provided on the semiconductor layer 10, and a first gate electrode 14c provided on the first gate insulating layer 222.例文帳に追加

高耐圧トランジスタ３００は、半導体層１０上に設けられ、第１絶縁層２２ａ、電荷捕捉層２２ｂ、および第２絶縁層２２ｃからなる第１ゲート絶縁層２２２と、第１ゲート絶縁層２２２上に設けられた第１ゲート電極１４ｃとを含む。 - 特許庁

To drive a transistor by a driving voltage similar to a conventional case or above it without dielectric breakdown even if film thickness of a gate insulating film is reduced since an element shape is reduced in a pixel driving circuit and a periphery driving circuit of a liquid crystal element.例文帳に追加

液晶素子などの画素駆動回路や周辺駆動回路において、素子形状の縮小によりゲート絶縁膜の膜厚が減少しても、絶縁破壊を生じることなく従来と同様又はそれ以上の駆動電圧による駆動を可能とする。 - 特許庁

To improve gate breakdown voltage and reliability by relaxing concentration of electric field at a step part formed near a boundary between an active region and a field region trench, and suppressing production of a parasitic MOS in manufacture of a trench element isolation.例文帳に追加

トレンチ素子分離の製造において、アクティブ領域とフィールド領域トレンチの境界付近に生じる段差部への電界集中を緩和し、寄生ＭＯＳの生成を抑制して、ゲート耐圧の向上、信頼性の向上を図る。 - 特許庁

To provide a semiconductor device with use of a carbon silicate substrate having a (000-1) face which is high-quality as compared to (0001) and (11-20) faces, and particularly to provide an SiC semiconductor device having a high-breakdown voltage and a high channel mobility provided by optimizing a heat-treatment process after gate-oxidation.例文帳に追加

（０００１）面や（１１−２０）面よりも優れた（０００−１）面の炭化珪素基板を用いた半導体装置において、ゲート酸化後の熱処理方法を最適化することにより、高耐圧で高チャネル移動度を有するＳｉＣ半導体装置を提供する。 - 特許庁

When it is assumed that the charge amounts are made to coincide with each other, design of each part can be easily carried out, and a JBS (junction barrier Schottky diode) capable of balancing provision of a high breakdown voltage with reduction of resistance of the p-type layers 8a-8e for forming a PN diode can be easily designed.例文帳に追加

このようにチャージ量を一致させることを前提とすれば、各部の設計を容易に行うことが可能となると共に、高耐圧を得ることとＰＮダイオードを構成するためのｐ型層８ａ〜８ｅを低抵抗にすることの両立を図ることができるＪＢＳを容易に設計することが可能となる。 - 特許庁

To provide a washing method of an annealed wafer having no degradation of an oxide film breakdown voltage based on surface roughness even when a thin oxide film is formed on the annealed wafer by preventing the deterioration of the surface roughness due to washing after heat treatment of the annealed wafer.例文帳に追加

アニールウェーハの熱処理後の洗浄による表面粗さの悪化を防止することで、該アニールウェーハに薄い酸化膜を形成した場合であっても、表面粗さに基づく酸化膜耐圧の劣化のないアニールウェーハの洗浄方法を提供する。 - 特許庁

Furthermore, with a low voltage detection circuit for securing an access time of the management region, and a flag value is confirmed before the write-in of the management area, so that power source interruption can be prevented from occurring during data management region write-in, and so that data structure breakdown in the external recording medium can be prevented.例文帳に追加

さらに、管理領域のアクセス時間を保証する低電圧検出回路を設け、管理領域の書込み前にはフラグ値を確認することで、データ管理領域書込み中に電源遮断が発生しない仕組みとし、外部記録メディア内のデータ構造破壊を防止する。 - 特許庁

To provide a low cost small sized light weight ignition device for an internal combustion engine by inhibiting the induction of a high voltage at an iron core caused by storing the iron core in an outer case and inhibiting noise radiation from the iron core and the occurrence of electric breakdown around the iron core.例文帳に追加

この発明は、鉄心を外装ケース内に収納することに起因する鉄心での高電圧の誘起を抑え、鉄心からのノイズ放射および鉄心の周囲での絶縁破壊の発生を抑制し、安価、小型、かつ軽量の内燃機関用点火装置を得る。 - 特許庁

Since the overcurrent threshold value Vth is set at a value below an element breakdown voltage of the inverter, the battery converter or the like, concurrent failures of load groups such as a motor inverter can be prevented, even in case the FC converter suffers an open failure.例文帳に追加

過電圧閾値Ｖｔｈは、インバータやバッテリコンバータなどの素子破壊電圧を下回る値に設定されているため、ＦＣコンバータがオープン故障した場合であっても、モータインバータなどの負荷群の共連れ故障を未然に防止することが可能となる。 - 特許庁

By using the LCD driver IC 14 in this configuration, an insulation breakdown voltage can be secured since the resistive element 34 is formed on the diffusion region 43 without being affected by defects even if the defects are generated in the STI separation layer 32 in a manufacturing process.例文帳に追加

このような構成のＬＣＤドライバＩＣ１４を用いることにより、製造過程においてＳＴＩ分離層３２に欠陥が生じた場合であっても、欠陥の影響を受けない拡散領域４３上に抵抗素子３４が形成されているので、絶縁耐圧を確保することができる。 - 特許庁

While an element isolation film for electrically isolating regions where respective transistors are formed is formed, a region isolation film 12 for separating the source region, channel region, and drain region of an MOS transistor for a high breakdown voltage from one another is formed.例文帳に追加

各トランジスタが形成される領域を、それぞれ電気的に分離するための素子分離膜が形成されると同時に高耐圧用ＭＯＳトランジスタのソース領域とチャネル領域とドレイン領域とを互いに分離するための領域分離膜１２が形成される。 - 特許庁

A carrier composition having magnetite with a diameter of from about 80 μm to about 150 μm is provided, and wherein the carrier has a carrier conductivity of from about 10^-8 to about 10^-11 (Ω-cm)^-1 and a carrier breakdown voltage from about 20 to about 200 volts.例文帳に追加

約８０ミクロンから約１５０ミクロンまでの直径を有する磁鉄鉱を含むキャリア組成物であって、前記キャリアが、約１０^-8から約１０^-11（ｏｈｍｓ−ｃｍ）^-1までのキャリア伝導性を有し、約２０から約２００ボルトまでのキャリア破壊電圧を有するキャリア組成物。 - 特許庁

To provide a low-cost electrophotographic belt member excellent in creep and bending resistances and uniformity of electric resistance, having resistance to dielectric breakdown at high voltage and less liable to a change in the peripheral length of the belt due to service environment and to provide a method for producing the electrophotographic belt member and an electrophotographic device with the electrophotographic belt member.例文帳に追加

耐クリープ特性、耐屈曲性、電気抵抗の均一性に優れており、耐絶縁破壊電圧が高く、使用環境によるベルト周長の変化が小さく、低コストである電子写真ベルト部材、該電子写真ベルト部材および該電子写真ベルト部材を有する電子写真装置を提供する。 - 特許庁

Not only the breakdown voltage is enhanced but also static electricity surge resistance can be ensured by further forming a heavily doped P type region 8 having a depth of 0.5 μm and an impurity concentration of 1×10^20/cm^3-6×10^21/cm^3 on the surface of the guard ring region 5.例文帳に追加

さらにガードリング領域５の表面に、深さ０．５μｍ、不純物濃度１×１０^20／ｃｍ^3〜６×１０^21／ｃｍ^3程度の高濃度Ｐ型領域８を形成することにより、耐圧を高くするのみでなく静電気サージ耐量も確保できることとなる。 - 特許庁

To provide a dielectric ceramic which has a good moisture resistant load characteristic, a desired high dielectric constant, a desired temperature characteristic of capacitance, high breakdown electric field strength and excellent reliability, and to provide a ceramic capacitor for medium/high voltage applications, which is produced by using the dielectric ceramic.例文帳に追加

耐湿負荷特性が良好であり、しかも所望の高比誘電率と静電容量の温度特性を有し、破壊電界強度も高く、信頼性の優れた誘電体セラミック、及び該誘電体セラミックを使用して製造された中高圧用途向けのセラミックコンデンサを実現する。 - 特許庁

To provide a ceramic substrate of which breakdown voltage can be kept sufficiently high even if the diameter of the largest pore is 50 μm or less and larger than that of a conventional substrate, whose fracture toughness value can be increased since it has pores, which can resist thermal shock and further whose warpage at high temperature can be reduced.例文帳に追加

最大気孔の気孔径が５０μｍ以下と従来よりも大きくても、耐電圧を充分に大きく保つことができ、また、気孔を有するため破壊靱性値を大きくすることができ、熱衝撃に耐えられ、さらに、高温での反り量も小さくすることができるセラミック基板を提供すること。 - 特許庁

To provide a dielectric ceramic composition which ensures improvement in characteristics of the maximum value of a dielectric constant, IR, the longevity of IR, breakdown voltage or the like even in the case impurity elements are contained in the raw material, in a production process of the dielectric ceramic composition.例文帳に追加

誘電体磁器組成物の製造工程において、原料中に不純物元素を含有している場合であっても、比誘電率の最大値、ＩＲ、ＩＲ寿命、破壊電圧等の特性を向上させることができる誘電体磁器組成物を提供すること。 - 特許庁

To provide a high-reliability composite insulation-type gas-insulated switchgear whose dielectric breakdown is prevented, and whose insulation performance will not deteriorate, even if foreign metallic substances adhere, by increasing creeping distances of insulators between a high-voltage conductor and a metallic container, without increase in the size.例文帳に追加

大型化させることなく高電圧導体及び金属容器間の絶縁物の沿面距離を大きく取ることにより絶縁破壊を防止でき、金属異物が付着しても絶縁性能が低下することがなく信頼性の高い複合絶縁方式ガス絶縁開閉装置を提供する。 - 特許庁

Thickness of a gate insulating film is differentiated between a circuit attaching importance to the operating speed and a circuit attaching importance to the gate insulation breakdown voltage, or an LDD region forming position is differentiated between a circuit attaching importance to the hot carrier countermeasure and a circuit attaching importance to the off current countermeasure.例文帳に追加

動作速度を重視する回路とゲート絶縁耐圧を重視する回路とでゲート絶縁膜の厚さを異ならせたり、ホットキャリア対策を重視する薄膜トランジスタとオフ電流対策を重視する薄膜トランジスタとでＬＤＤ領域の形成位置を異ならせる。 - 特許庁

The insulating material 2 for a spark plug controls the occurrence of dielectric breakdown affected by residual pores existing at an alumina crystal grain boundary and a low-melting glass phase and has excellent voltage endurance characteristics at a high temperature of about 700°C by the constitution.例文帳に追加

かかる構成により、スパークプラグ用絶縁体２は、アルミナ結晶粒界に存在する残留気孔や低融点ガラス相の影響による絶縁破壊の発生を抑制し、７００℃程度の高温下における耐電圧特性に優れた絶縁体を有するものとなる。 - 特許庁

A semiconductor device which is kept high in dielectric strength shortening a distance between elements can be designed, a trench isolation film can be reduced in space factor itself, and as a result, a semiconductor device high in the breakdown voltage and enhanced in degree of integration can be manufactured.例文帳に追加

所要の絶縁耐圧を確保しながらも素子間の寸法を縮小した半導体装置の設計が可能となり、かつトレンチ分離膜の占有面積自体の縮小が可能となり、結果として高耐圧でかつ高集積化を実現した半導体装置を製造することが可能となる。 - 特許庁

In the example shown on Fig. 1, the depletion layer 15 intrudes into the auto-doping layer 13b but does not reach an N+ type silicon substrate 2 under avalanche breakdown voltage and a part of an epitaxial layer 13 exists between the depletion layer 15 and the N+ type silicon substrate 2.例文帳に追加

また、図１に示す例の場合、空乏層１５は、オートドーピング層１３ｂ内に侵入しているが、アバランシェ降伏電圧下において空乏層１５はＮ^+型シリコン基板２には到達せず、空乏層１５とＮ^+型シリコン基板２との間にエピタキシャル層１３の一部が介在する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which can secure a breakdown voltage between first and second wiring layers in an SAC part, can reduce the contact resistance, and can improve the flatness of an interlayer insulating film.例文帳に追加

本発明は、ＳＡＣ部分における第１配線層と第２配線層間の絶縁耐圧を確保するとともにコンタクト抵抗を低下させ、さらに層間絶縁膜の平坦性が向上されている半導体装置を提供することを目的としている。 - 特許庁

To provide a technique for improving the breakdown voltage of a semiconductor device having a structure where a buried insulator is formed at a bottom section of a trench, and insulating films are formed on both side surfaces of a shallow section of the trench not filled with the buried insulator.例文帳に追加

トレンチの底部が埋込絶縁体で充填されているとともに、埋込絶縁体で充填されていないトレンチ浅部領域の両側面に、絶縁膜が形成されている構成を有する半導体装置の耐圧を向上する技術を提供する。 - 特許庁

By this setup, the surface of the RESURF layer 14 is enhanced in impurity concentration so as to become equal to those of the other parts of the RESURF layer 14, and a semiconductor device of high breakdown voltage independent of the number of pulses can be obtained.例文帳に追加

これにより、ＲＥＳＵＲＦ層１４表面側の不純物濃度を、ＲＥＳＵＲＦ層１４表面側以外の部分の不純物濃度と同等になるように高めることができ、パルス数に依存しない耐圧特性を有する半導体装置を得ることができる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which a low-potential reference circuit and a high-potential reference circuit are mixedly loaded and the level shift between the low-potential reference circuit and the high-potential reference circuit can be preformed, and which is compact and is superior in breakdown voltage.例文帳に追加

低電位基準回路と高電位基準回路とを混載させた半導体装置であって，低電位基準回路と高電位基準回路との間でレベルシフトを行うことができ，コンパクトであるとともに耐圧に優れた半導体装置を提供すること。 - 特許庁

The voltage feeding part is for preventing generation of discharge leading to dielectric breakdown inside a cable, along an insulation gap, especially, in a space between cable cores and a shielding layer as well as in a transition area from the cable to an electric apparatus.例文帳に追加

この電圧供給部は、ケーブルの中、絶縁間隙に沿って、特に、ケーブルのコアとシールド層との間の空間と、ケーブルから電気装置への遷移領域とにおいて、絶縁破壊につながる放電の発生を防止することを目的としている。 - 特許庁

Thus, since a valence band energy difference ΔEv between the emitter layer 14 and the base layer 13, and a valence band energy difference ΔEv between the collector layer 12 and the base layer 13 are increased, both the breakdown voltage and the current gain are increased.例文帳に追加

これにより、エミッタ層１４とベース層１３との間のバレンスバンドのエネルギー差ΔＥ_V 、及びコレクタ層１２とベース層１３との間のバレンスバンドのエネルギー差ΔＥ_V が大きくなるため、耐圧及び電流利得が共に増大する。 - 特許庁

That is, a detection circuit 1 will operate normally, even when the supply voltage VDD of a BTL amplifier circuit are relatively high, since the breakdown voltages of transistors 64 and 65 to which relatively high potentials are applied as being amply higher than that of the operational amplifier 30.例文帳に追加

つまり、比較的大きな電位が印加されるトランジスタ６４，６５の耐電圧はオペアンプ３０に対して十分に高いから、ＢＴＬ増幅回路Ａの電源電圧ＶＤＤが比較的高い場合であっても、検出回路１は正常に動作する。 - 特許庁

To provide a highly efficient nitride compound semiconductor element and its manufacturing method, which prevents impairment of breakdown voltage caused by thinning of oxide film or insulating film, and a deterioration of DC gain gm caused by excess of thickness.例文帳に追加

酸化膜或いは絶縁膜が部分的に薄くなることによる耐圧の劣化や、その厚さが過剰になることによる直流利得gmの低下を防ぐことができる高性能な窒化物化合物半導体素子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

Alternatively, the parallel pn layers 23, arranged at a pitch smaller than that of the parallel pn layers 20 of an active region 50 are provided to a region at the outside of the active region 50, or a lifetime control region 24 with a reduced carrier lifetime is provided to the parallel pn layers 23 of breakdown voltage structural part 60.例文帳に追加

或いは、活性領域５０の外側の領域に活性部５０の並列ｐｎ層２０よりピッチの小さい並列ｐｎ層２３を設け、若しくは、耐圧構造部６０の並列ｐｎ層２３にキャリアライフタイムを短くしたライフタイム制御領域２４を設ける。 - 特許庁

To scarcely generate a walkout phenomenon, improve the breakdown voltage, and maintain the power applying efficiency to be high in a transistor wherein the length of the recess of a region between a gate electrode and a contact layer is at most 1 μm, in a field-effect transistor having high electron mobility.例文帳に追加

高電子移動度電界効果トランジスタに関し、ウォークアウト現象が発生しにくく、耐圧を向上するとともに、ゲート電極からコンタクト層の間の領域のリセス長が１μｍ以下のトランジスタであっても電力付加効率を高く維持する。 - 特許庁

To provide a laminated ceramic capacitor wherein infiltration of a plating liquid to inner electrodes 3, 4 is prevented, crack generation can be also prevented in both a breakdown voltage test in wet condition and a thermal shock test, a connection status of internal and external electrodes is assured and a peeling of dielectric layers 1a to 1f is prevented.例文帳に追加

内部電極３，４へのメッキ液浸入を防止し、また、湿中耐圧試験においても、熱衝撃試験においても、クラック発生を防止でき、しかも内部−外部電極の接続状態を確実にし、誘電体層１ａ〜１ｆの剥離を防止した積層セラミックコンデンサを提供する。 - 特許庁

While the concentrations and depths of the source- and drain-side offset diffusion layers 4d and 4s of a high-breakdown voltage MOS transistor are made equal to each other, the size of the source-side offset diffusion layer 4s is made larger than that of the drain-side offset diffusion layer 4d.例文帳に追加

オフセット拡散層４ｄ、４ｓの濃度及び深さはソース側とドレイン側では同じであるが、そのサイズは、ソース側のオフセット拡散層４ｓではドレイン側のオフセット拡散層４ｄに比べて大きく設定される。 - 特許庁

Moreover, the film thickness of an insulator film 7 under a control electrode 8 is formed in such a manner that parts on a source layer 5 and a base layer 4 are thin and the film thickness increases continuously from the active layer 3 onto the drain layer 6, so that both of securing a necessary breakdown voltage and superior property are realized.例文帳に追加

また、制御電極８下の絶縁膜７の膜厚が、ソース層５、ベース層４上は薄い膜厚で、活性層３からドレイン層６上にかけて膜厚が連続的に厚くなるように形成されており、必要な耐圧の確保と良好な特性とが共に実現される。 - 特許庁

This control circuit is arranged, which is provided with: a monitor for detecting voltage of the reproduction element of the magnetic head; a comparator for discriminating a threshold of breakdown strength to the reproduction element; and a counter for counting a signal (the number of times of generating ESD and EOS) passing through the comparator.例文帳に追加

磁気ヘッドの再生素子の電圧を検知するモニタと、前記再生素子に対する耐圧の閾値を判別するコンパレータと、前記コンパレータを通過した信号(ESDやEOSの発生回数)をカウントするカウンターを備える制御回路を配置する。 - 特許庁

A high breakdown voltage semiconductor device of high reliability with small fluctuation of the pressure resisting feature can be provided by providing a floating resurf layer on a source side and an n-type electric field relaxation layer on a drain side and means for relaxing simultaneous electric field concentration in a source region and a drain region.例文帳に追加

ソース側にフローティングリサーフ層とドレイン側にｎ型の電界緩和層を設けソースおよびドレイン領域での電界集中を同時に緩和させる手段を設けることで、耐圧特性の変動が少ない高信頼の高耐圧半導体装置が提供できる。 - 特許庁

To provide a transfer medium carrying member or an intermediate transfer member having excellent flame retardancy, high film strength and high breakdown voltage, thereby being free from defects such as transfer nonuniformity or transfer void even for repeated use, and giving a favorable image, and to provide an image forming apparatus using these members.例文帳に追加

難燃性に優れ、フィルム強度が高く、耐破壊電圧が高いため繰り返し使用しても転写ムラや転写抜けなどの欠陥のない良好な画像の得られる転写材担持部材または中間転写部材およびそれらを用いた画像形成装置の提供。 - 特許庁

A p-type layer 12 and an n-type layer 11 that become a barrier layer are provided, the leakage of a hole in negative biasing accompanying a p-type layer buffer required for increasing a breakdown voltage is suppressed, and a hole in positive biasing can be efficiently discharged.例文帳に追加

バリア層となるｐ型層１２及びｎ型層１１を設け、高耐圧化へ必要なｐ型層バッファに付随する負バイアス時のホールのリークを抑制し、また正バイアス時のホールの排出を効率的に行うことができる。 - 特許庁

Even if a surge voltage is applied, since the second semiconductor layer 143 is fixed at a middle point potential of the two diffused resistors 124 and 134, a potential difference between the first semiconductor layers 123 and 133 and the second semiconductor layer 143 is cut in half, thus breakdown of the dielectric separation films 122 and 132 can be prevented.例文帳に追加

サージ電圧が印加されたとしても、第二の半導体層１４３は二つの拡散抵抗１２４、１３４の中点電位に固定されているため、第一の半導体層１２３、１３３と第二の半導体層１４３との間の電位差が半減し、誘電体分離膜１２２、１３２の破壊を防ぐことができる。 - 特許庁

To prevent a useless through-current between an output terminal and the ground potential in an LSI output circuit so as to avoid a problem of reliability deterioration caused by a breakdown voltage of an NMOS transistor(TR) connected to the output terminal and to also control a trailing speed.例文帳に追加

ＬＳＩの出力回路において、出力端子と接地電位との間の無駄な貫通電流を防止し、出力端子に接続されているNMOSトランジスタの耐圧に起因する信頼性劣化の問題を避け、同時に立下りスピードを制御する。 - 特許庁

This power MOS 100 is a vertical device for low breakdown voltage use, and is provided with an n-type source region 14, a p-type body region 8, a p-type body contact region 10, an n-type drift region 6 and an n-type drain region 4 inside a semiconductor substrate 2.例文帳に追加

パワーＭＯＳ１００は、半導体基板２内に、ｎ型のソース領域１４と、ｐ型のボディ領域８と、ｐ型のボディコンタクト領域１０と、ｎ型のドリフト領域６と、ｎ型のドレイン領域４を備えており、縦型の低耐圧用デバイスである。 - 特許庁

To provide a field-effect transistor having a T-shaped gate electrode, together with its manufacturing method which has a reduced source resistance, a reduced gate resistance, and a reduced gate capacitance while keeping a sufficient gate breakdown voltage, and which can be manufactured with high accuracy and a high yield.例文帳に追加

ソース抵抗およびゲート抵抗を低減し、十分なゲート耐圧を保ちつつ、ゲート容量を低減し、高精度にかつ歩留りよく形成することができるＴ型ゲート電極を備えた電界効果型半導体装置およびその製造方法を提供することである。 - 特許庁