「BREAKDOWN VOLTAGE」に関連した英語例文の一覧と使い方(51ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a semiconductor device capable of obtaining a high breakdown voltage and low on-resistance value even a length (a distance of L) of a field plate burried in an insulator within a trench is shortened to increase a manufacturing margin, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

トレンチ内部の絶縁体に埋め込まれるフィールドプレートの長さ（距離Ｌ）を短くして製造マージンを大きくした場合でも、高い耐圧と低いオン抵抗値を得ることができる半導体装置およびその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a switching circuit for pulse power generation that prevents breakdown caused by applying an excessive voltage to a semiconductor switch, even if fluctuations exist in the characteristics of a plurality of semiconductor switches or in turn-on timing, and eliminates the need for providing insulation among drive circuits.例文帳に追加

複数の半導体スイッチの特性にばらつきがあったり、ターンオンするタイミングにばらつきがあっても半導体スイッチに過大な電圧が印加されて破壊することがなく、駆動回路間に絶縁を施す必要がないパルス電力発生用スイッチ回路を提供する。 - 特許庁

A thin auxiliary depletion layer 24 is thereby formed directly under the passivation film 23 and since the curve of a corner portion 15 becomes gentle at the end of a main depletion layer 14 directly under a Schottky metal layer 11, the concentration of electric field is relaxed and backward breakdown voltage is enhanced.例文帳に追加

これにより、パッシベーション膜２３直下に薄い補助空乏層２４が形成され、ショットキー金属層１１直下の主空乏層１４の端部のコーナー部１５の曲がりが緩やかになるため電界集中が緩和され、逆方向耐圧が向上する。 - 特許庁

To provide a ferrite carrier for an electrophotographic developer capable of suppressing a charge leak because of low breakdown voltage, and as a result of giving high image quality, a method for manufacturing the same, and an electrophotographic developer that uses the ferrite carrier.例文帳に追加

絶縁破壊電圧が高いため、電荷リークの発生を抑制でき、その結果、高画質が得られる電子写真現像剤用フェライトキャリア及びその製造方法、並びに該フェライトキャリアを用いた電子写真現像剤を提供すること。 - 特許庁

To provide a method of uniformly operating a field effective transistor (FET) and suppressing the decline of a breakdown voltage by reducing the influence on the FET by the change of the width of a recess part due to crystal orientation in the FET having a crank type multigate structure.例文帳に追加

クランク型のマルチゲート構造を有する電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）において、結晶方位によるリセス部の幅の変化がＦＥＴに与える影響を小さくして、ＦＥＴを均一に動作させ、耐圧の低下を抑制する方法を提供する。 - 特許庁

The input signal transmitting section 5 comprises a photocoupler PC and the constant voltage applying section 6 connected with the connector terminal of a phototransistor PT in the photocoupler PC comprises a first transistor Q1 for high breakdown strength, and a constant voltage diode ZD connected in parallel with the output side of the phototransistor PT.例文帳に追加

入力信号伝達部５は、フォトカプラＰＣからなり、定電圧印加部６は、フォトカプラＰＣにおけるフォトトランジスタＰＴのコレクタ端子に接続され、かつ高耐圧用の第１トランジスタＱ１と、フォトトランジスタＰＴの出力側に対して並列に接続された定電圧ダイオードＺＤとを含んでいる。 - 特許庁

To provide an electrostatic chuck device capable of preventing dielectric breakdown between an electrostatic chuck and a temperature adjusting base to increase voltage resistance, the uniformity of an in-plane temperature of a plate-shaped sample mounting surface of the electrostatic chuck, and the voltage resistance of a heating member provided at the electrostatic chuck.例文帳に追加

静電チャック部と温度調整用ベース部との間の絶縁破壊を防止し耐電圧性を向上させ、静電チャック部の板状試料の載置面の面内温度の均一性を向上させると共に、静電チャック部に設けられた加熱部材の耐電圧性を向上させることができる静電チャック装置を提供する。 - 特許庁

To solve the problem of a three-phase power conversion device, composed of three clusters each comprising a series body of one or a plurality of unit cells, that a breakdown voltage of a DC capacitor voltage of a unit cell needs to be designed to be high and the DC capacitor thereby becomes large-sized.例文帳に追加

１つまたは複数の単位セルの直列体からなるクラスタ３つで構成された三相電力変換装置に関し、従来の三相電力変換装置において前記単位セルの直流コンデンサ電圧の耐圧を高く設計する必要があり、直流コンデンサの大形化につながっていたことを解決する。 - 特許庁

A substrate having a display electrode and an address electrode formed on a glass substrate is provided with a surface treatment with a siloxane oxide thin film 131 or a titanium oxide thin film 181 of a few hundreds angstroms or less to retain a breakdown voltage even if a dielectric glass layer is formed thinner, furthermore, the discharge voltage is prevented from increasing, and a plasma display panel with high brightness can be obtained.例文帳に追加

ガラス基板上に形成されてきた表示電極やアドレス電極を含む基板上を数百オングストローム以下のシロキサン系酸化物薄膜（１３１）、もしくはチタン系酸化物薄膜（１８１）で表面処理を行うことにより、誘電体ガラス層を薄く形成しても絶縁耐圧を確保し、加えて放電電圧の上昇を抑え、かつ、高輝度のプラズマディスプレイパネルを得ることができる。 - 特許庁

In a flat panel radiation detector, a radiation sensitive semiconductor film 1 and a common electrode 2 are covered with a hardening synthetic resin film 8 of a high breakdown voltage as a protective mold coating, so that a thin film 8A covering an effective pixel region SA is made thinner than a thick film 8a, covering a connection region of a lead wire 4 for bias voltage supply.例文帳に追加

この発明のフラットパネル型放射線検出器は、放射線感応型の半導体膜１と共通電極２を、有効画素領域ＳＡを覆う薄膜部分８Ａをバイアス電圧給電用のリード線４の接続領域を覆う厚膜部分８ａよりも薄くした保護モールド被覆としての高耐圧の硬化性合成樹脂膜８で覆っている。 - 特許庁

To provide a capacitor which is equipped with a dielectric film having a hafnium oxide and an aluminum oxide, can obtain a characteristic of a high dielectric breakdown voltage in a high voltage applied area, and can prevent a leakage current from increasing caused by the following heat treatment process after forming an upper electrode, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

酸化ハフニウム及び酸化アルミニウムを有する誘電膜を備えたキャパシタにおいて、高電圧印加領域で高い絶縁破壊電圧特性を得ることができ、上部電極の形成後に行われる後続する熱処理工程によりリーク電流が増加するのを防ぐことができるキャパシタ、及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

The semiconductor device is equipped with: an IGBT section 20; and a control circuit 21 detecting an abnormal condition of the IGBT section 20, and also is provided with a configuration of selectively forming an n-type buffer area 46 set up so as to have a pn junction breakdown voltage higher than a battery voltage, in a pn junction interface in a p collector area 5 side of the IGBT section 20.例文帳に追加

ＩＧＢＴ部２０と、ＩＧＢＴ部２０の異常状態を検知する制御回路２１を備え、前記ＩＧＢＴ部２０のｐコレクタ領域５側のｐｎ接合界面には、バッテリ電圧より高いｐｎ接合耐圧を有するように設定されるｎ型バッファ領域４６を選択的に形成する構成を備える半導体装置とする。 - 特許庁

Since the Zener diode 28 is conductive when a voltage applied to the Zener diode 28 exceeds a breakdown voltage of the Zener diode 28, an amplification factor A2 (second amplification factor) of the amplifier circuit 20 is decided depending on a combined resistance R12 of a resistance value R1 of the first feedback resistor 24 and the resistance value R2 of a second feedback resistor 26.例文帳に追加

ツェナーダイオード２８に印加される電圧がブレークダウン電圧を超えた場合には、該ツェナーダイオード２８がオン状態となるので、増幅回路２０の増幅率Ａ２（第２の増幅率）は第１、第２の帰還抵抗２２、２４の抵抗値Ｒ１、Ｒ２の合成抵抗値Ｒ１２によって決定される。 - 特許庁

To provide an urethane resin compound for electric insulation which is suitable for resin sealing of various electric parts like the parts of a high voltage transformer, enabled to evenly impregnate into minute cavity between coils of the high voltage transformer, enabled to form a hardened material with excellent heat resistance, thermal cycle, and withstanding strength against dielectric breakdown at high temperature.例文帳に追加

高圧トランス部品等の各種電気部品の樹脂封止に適したウレタン樹脂組成物であって、高圧コイルのコイル間等の微細な空隙部分にも均一に含浸でき、耐熱性、耐冷熱サイクル性、高温時の絶縁破壊強さ等に優れた硬化物を形成できる電気絶縁用ウレタン樹脂成物を提供する。 - 特許庁

When the voltage applied across electrodes 11 and 10 becomes higher and a depletion layer reaches a second N-type embedded diffused layer 3, punch- through occurs, and the voltage and current characteristics between the electrodes 10 and 11 become a clamping characteristic such as the reverse breakdown characteristic of a P-N junction diode, and the diode is energized and protects an element to be protected.例文帳に追加

電極１１、１０間の印加電圧が大きくなり、空乏層が第２のＮ型埋め込み拡散層３に到達するとパンチスルーを起こし、電極１０、１１間の電圧電流特性は、ＰＮ接合ダイオードの逆方向降伏特性のようなクランプ特性になり、このダイオードが導通して被保護素子を保護することができる。 - 特許庁

A p-type base region 12 is provided with a base electrode connection part 24 made of an n^+-type region, and moreover a Zener voltage controlled diffusion region 25 made of a p^+-type region is provided in the circumference of the base electrode connection part 24 in such a manner as to form p-n junction and cause Zener breakdown at the desired voltage.例文帳に追加

ｐ形のベース領域１２にｎ^+形領域からなるベース電極接続部２４が設けられ、さらにベース電極接続部２４の周囲に、ｐｎ接合を形成し所望の電圧でツェナー降伏するように、ｐ^+形領域からなるツェナー電圧コントロール拡散領域２５が設けられている。 - 特許庁

To prevent zero-cross operation failures by a parasitic capacitance of a semi-insulating film to operate stably an AC voltage in a photo-thyristor element incorporated with a MOSFET for obtaining a zero-cross function, comprising a photodiode or a phototransistor for photodriving a gate of the MOSFET, and having a high breakdown voltage passivation film provided with an oxygen dope semi-insulating film on an insulation film.例文帳に追加

ゼロクロス機能を得るためのＭＯＳＦＥＴを内蔵し、ＭＯＳＦＥＴのゲートを光駆動するためのフォトダイオードまたはフォトトランジスタを備え、絶縁膜上に酸素ドープ半絶縁膜を設けた高耐圧パッシベーション膜を有するフォトサイリスタ素子において、半絶縁膜の寄生容量によるゼロクロス動作不良を防いでＡＣ電圧に対して安定して動作させる。 - 特許庁

Consequently, the resistance measuring circuit 3 can measure the resistance summing the resistance between both ends of the secondary winding 2 and the resistance between both ends of the winding 4 for detecting the temperature without being affected by a secondary side voltage of the transformer 1, measuring precision of the resistance is improved, and a high voltage breakdown structure of the resistance measuring circuit 3 is made unnecessary.例文帳に追加

したがって、抵抗値測定回路３は、トランス１の二次側電圧に影響されずに、二次巻線２の両端間の抵抗値と温度検出用巻線４の両端間の抵抗値とを合計した抵抗値を測定でき、抵抗値の測定精度が向上するとともに、抵抗値測定回路３を高耐圧構造にする必要もなくなる。 - 特許庁

The liquid developing electrophotographic device equipped with the intermediate transfer body which holds a color image and the carrier removing roller which abuts against the intermediate transfer body to remove excessive carriers form a toner layer formed on the intermediate transfer body is characterized in that the intermediate transfer body has a breakdown voltage resistant layer formed to cause no spark discharge even when applied with a high-voltage bias.例文帳に追加

色画像を保持する中間転写体と、中間転写体に当接して中間転写体上に形成されたトナー層から余剰なキャリアを除去するキャリア除去ローラとを備えた液体現像電子写真装置において、中間転写体は耐圧層を形成して高電圧バイアスを印加しても火花放電が発生しないように構成する。 - 特許庁

When a power supply voltage Vcc is applied to a semiconductor integrated circuit device, a transistor 2 is turned on because a power supply voltage Vcc is applied to its gate, and a device such as an input buffer B or the like can be protected against breakdown caused by electrostatic discharge noises by making either a transistor 3 or a diode 5 absorb a overvoltage through the intermediary of the transistor 2.例文帳に追加

半導体集積回路装置に電源電圧Ｖ_CCが供給されている場合、ゲートに電源電圧Ｖ_CCが供給されるトランジスタ２がＯＮとなり、静電放電ノイズはトランジスタ２を介してトランジスタ３、またはダイオード５のいずれかに過電圧が吸収され、入力バッファＢなどのデバイス破壊を防止する。 - 特許庁

When a capacitor (C1) possible to breakdown by voltage application for information write and a transistor (Q70) capable of forming a voltage applying route for dielectrically breaking it down are provided, the transistor is provided with the channel area by the true semiconductor, the barrier film provided on both ends of the channel area and electrodes formed through the barrier film.例文帳に追加

情報書き込みのための電圧印加によって絶縁破壊可能な容量（Ｃ１）と、それを絶縁破壊するための電圧印加経路を形成可能なトランジスタ（Ｑ７０）とを含むとき、上記トランジスタを、真性半導体によるチャネル領域と、上記チャネル領域の両端に設けられたバリア膜と、上記バリア膜を介して形成された電極とを含んで構成する。 - 特許庁

To provide a switching control circuit for directly driving a transistor amplifier circuit with the output of a D/A converter constituted of the TTL element of high breakdown voltage open collector output and a voltage dividing resistor circuit or interposing a high-speed transistor.例文帳に追加

ＩＧＢＴのターンオフ開始から終了までのパターン電圧を発生し、このパターン電圧に従ってＩＧＢＴを高速駆動するには、中間電圧レベルを生成するために高速Ｄ／Ａコンバータが必要となるし、コンバータ出力を電圧増幅する高速オペアンプが必要となり、高価なゲート制御回路になる。 - 特許庁

In such a p-type semiconductor region 3, the path in which current flows becomes narrow, when the amount of current is smaller than a prescribed amount in the breakdown of the constant-voltage diode 10; and since the path in which the current flows becomes wide, when the amount of current is equal to or larger than a prescribed amount, thus stabilizing an output voltage.例文帳に追加

このようなＰ型半導体領域３によれば、定電圧ダイオード１０のブレークダウン時において、電流量が所定量より少ない場合には電流の流れる経路が狭くなり、電流量が所定量以上の場合には電流の流れる経路が広くなるため、出力電圧が安定する。 - 特許庁

To provide a small and inexpensive semiconductor device employing a combination of a resistor element, capable of regulating a value of resistance by laser trimming and small in temperature dependency, and a capacitance element capable of obtaining a stabilized value of capacitance, capacitance-voltage characteristics and a breakdown voltage.例文帳に追加

抵抗素子と容量素子が組み合わせて用いられる半導体装置であって、容量素子においては安定した容量値、容量−電圧特性および耐圧を得ることができ、抵抗素子においてはレーザトリミングによる抵抗値調整が可能で温度依存性が小さい、小型で安価な半導体装置を提供する。 - 特許庁

The microwave generation device, surely preventing the high voltage diodes 203, 204 from breakdown caused by temperature increase thereof, can be provided by detecting the current flowing through the high voltage diodes 203, 204 directly related with the temperature increase thereof, and by controlling an output of the magnetron.例文帳に追加

高圧ダイオード２０３、２０４の温度上昇度に直接関係する高圧ダイオード２０３、２０４に流れる電流を検出し出力制御をする構成にすることにより、高圧ダイオード２０３、２０４の温度上昇をより正確に検出し高圧ダイオード２０３、２０４の温度上昇による破壊をより確実に防止する装置を提供できる。 - 特許庁

To solve the problem of a risk of flowing of an excessive current flow to a Zener diode 58, when restricting a voltage applied to the gate of a power switching element S almost to the breakdown voltage of the Zener diode 58 so as to limit a current flowing through the power switching element S to exceed a predetermined value.例文帳に追加

パワースイッチング素子Ｓを流れる電流が規定値以上となることで、この電流を制限すべくパワースイッチング素子Ｓのゲートに印加される電圧をツェナーダイオード５８のブレークダウン電圧程度に規制するに際し、ツェナーダイオード５８に過度の電流が流れるおそれがあること。 - 特許庁

This wholly aromatic polyester molded product is obtained by including an organic polymeric flocculant in a sheet formed from an aqueous dispersion comprising 10-90 wt.% of mica particles and 90-10 wt.% of a wholly aromatic polyester stock as compounding components according to a wet process and has ≥15 kV/mm breakdown voltage (BDV, AC voltage).例文帳に追加

１０〜９０重量％の雲母粒子と９０〜１０重量％の全芳香族ポリエステル紙料とを配合成分とする水分散液から湿式成形したシートに有機高分子凝集剤を含有させることで絶縁破壊電圧（ＢＤＶ，交流電圧）が、１５ＫＶ／ｍｍ以上の全芳香族ポリエステル成形物を得る。 - 特許庁

A clamp circuit constituted of a series circuit of a clamp capacitor 10 and a second switching element 11, and a second diode 12 connected in parallel with the second switching element 11 is connected with a first choke coil 3, and resonance voltage of a first switching element 4 is lowered, so that the first switching element 4 can be one with a low breakdown voltage rating in the induction heating cooking oven.例文帳に追加

第一のチョークコイル３に、クランプコンデンサ１０と第二のスイッチング素子１１の直列回路と、第二のスイッチング素子１１に並列に接続した第二のダイオード１２とによって構成したクランプ回路を接続して、第一のスイッチング素子４の共振電圧を低くして、第一のスイッチング素子４に耐圧定格の低いものを使用できる誘導加熱調理器としている。 - 特許庁

When outputting the H level of an output signal S103 in the VDDH, the control signal S105 to be applied to the gate of the P type breakdown voltage protecting MOS transistor is obtained as a signal generated by a gate voltage generating part 104, and when outputting the H level of the output signal S103 in the VDDL, this signal is obtained as a signal in a ground level.例文帳に追加

出力信号Ｓ１０３のＨレベルをＶＤＤＨで出力する時はＰ型耐圧保護用ＭＯＳトランジスタのゲートに与える制御信号Ｓ１０５をゲート電圧発生部１０４で生成した信号とし、出力信号Ｓ１０３のＨレベルをＶＤＤＬで出力する時は接地レベルの信号とする。 - 特許庁

The output breakdown voltage property is improved by a diode D3 of a peak hold circuit 56 by further outputting an output DC voltage outputted from an output smoothing circuit of a control power outputting DC-DC converter 51 via the peak hold circuit 56, and thus the output ripple is reduced, too.例文帳に追加

制御電力出力用ＤＣ−ＤＣコンバータ５１の出力平滑回路から出力される出力直流電圧を更にピークホールド回路５６を通じて出力することにより、ピークホールド回路５６のダイオードＤ３により出力耐電圧向上を図るとともに、出力リップルの低減も図る。 - 特許庁

The AC-DC converter comprises a means for rectifying an input AC voltage having such properties as an amplitude increases as a frequency increases, a smoothing means having a plurality of smoothing capacitors of different capacities and breakdown voltages and outputting a DC voltage by smoothing a rectified voltage from the rectifying means, and a capacity control means for monitoring the state of the rectified voltage and switching the total capacity of the smoothing means.例文帳に追加

本発明の交流／直流変換装置は、周波数が高くなるほど振幅が大きくなる性質を有する、入力された交流電圧を整流する整流手段と、この整流手段からの整流電圧を平滑して直流電圧を出力する、容量、耐圧が異なる複数の平滑用コンデンサを有する平滑手段と、上記整流電圧の状態を監視し、上記平滑手段での全体容量を切り換える容量制御手段とを有することを特徴とする。 - 特許庁

In the electronic device, breakdown voltage can be enhanced between a gate Schottky electrode 106 and a drain ohmic electrode 107 because a dielectric layer 108 having a dielectric constant larger than that of an undoped AlGaN layer 103 is covering the opposing portion 106A of the gate Schottky electrode 106.例文帳に追加

この発明の電子デバイスによれば、アンドープＡｌＧａＮ層１０３の誘電率よりも高い誘電率を有する誘電体層１０８がゲートショットキ電極１０６の対向部１０６Ａを覆っていることで、ゲートショットキ電極１０６とドレインオーミック電極１０７との間の耐圧を向上できる。 - 特許庁

Since the concentration of n-type dopants around a parasitic diode 124 increases due to the existence of the n-type diffusion layer 115, the breakdown voltage of the parasitic diode 124 connected to a collector electrode is set lower than that of a diode 122 connected to an emitter electrode.例文帳に追加

このため、寄生ダイオード１２４の周囲のＮ型不純物濃度は、Ｎ型拡散層１１５が形成されることでＮ型不純物量が増加することにより、コレクタ電極に接続されている寄生ダイオード１２４の耐圧がエミッタ電極に接続されているダイオード１２２の耐圧よりも低く設定される。 - 特許庁

To provide a semiconductor test device which enhances maintainability by using only semiconductor relays as relays for a route reaching a DUT from a pin electronic part, and increasing packaging density, moreover can prevent degradation in waveform quality caused by impedance mismatching, and can also prevent breakdown in the DUT caused by a voltage on the occasion of calibration.例文帳に追加

ピンエレクトロニクス部からＤＵＴに至る経路のリレーを半導体リレーのみにして実装密度を高めてメンテナンス性の向上を図るとともにインピーダンス不整合による波形品位劣化を防止でき、校正時の電圧によるＤＵＴの破壊も防止できる半導体試験装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a flexible photoelectric conversion element thin film solar cell that secures a sufficient supply amount of alkali metal to a photoelectric conversion layer, enhances conversion efficiency, is lightweight, superior in insulation and adhesion between an insulating layer and a layer formed thereupon, and has an excellent breakdown voltage; and to provide a method of manufacturing the photoelectric conversion element.例文帳に追加

光電変換層へのアルカリ金属の供給量を十分に確保することができ、光電変換効率を高めることができ軽量で絶縁性に優れかつ絶縁層とその上に形成される層との密着性に優れ好適な耐電圧特性を持つフレキシブルな光電変換素子薄膜太陽電池および光電変換素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

Specifically, in the high breakdown voltage MISFET Q4, the gate insulating film GOX4 is formed from a silicon oxide film PREOX1, a silicon oxide film OX1 formed on the silicon oxide film PREOX1, a silicon nitride film SN1 formed on the silicon oxide film OX1, and a silicon oxide film OX2 formed on the silicon nitride film SN1.例文帳に追加

具体的に、高耐圧ＭＩＳＦＥＴＱ４では、ゲート絶縁膜ＧＯＸ４を、酸化シリコン膜ＰＲＥＯＸ１と、この酸化シリコン膜ＰＲＥＯＸ１上に形成された酸化シリコン膜ＯＸ１と、酸化シリコン膜ＯＸ１上に形成された窒化シリコン膜ＳＮ１と、窒化シリコン膜ＳＮ１上に形成された酸化シリコン膜ＯＸ２から形成している。 - 特許庁

To provide a compound semiconductor epitaxial wafer and a method of manufacturing the same in which an HEMT (High Electron Mobility Transistor) element having a good breakdown voltage without a rapid increase of a leak current even when the HEMT element is obtained from an outer peripheral part of the compound semiconductor epitaxial wafer, and to provide the HEMT element obtained by using such a compound semiconductor epitaxial wafer.例文帳に追加

化合物半導体エピタキシャルウェハ外周部より得られたＨＥＭＴ素子であってもリーク電流の急激な増加がなく、良好な耐圧を持つＨＥＭＴ素子が得られる化合物半導体エピタキシャルウェハ及びその製造方法、並びにこのような化合物半導体エピタキシャルウェハを用いて得られるＨＥＭＴ素子を提供する。 - 特許庁

In an overvoltage protection unit 7 which discharges a filter capacitor 3 by turning on a semiconductor switch 4 for short-circuiting the filter capacitor when the voltage of the filter capacitor 3 exceeds a set overvoltage value, the power converter can be protected from breakdown due to an overvoltage even if a part of the overvoltage detection unit fails by using at least two overvoltage detection units for overvoltage detection.例文帳に追加

フィルタコンデンサ３の電圧が過電圧設定値を超えた場合に、フィルタコンデンサ短絡用半導体スイッチ４をオンし、フィルタコンデンサ３を放電する過電圧保護手段７において、少なくとも２つの過電圧検出手段を用いて過電圧検出を行うことで、一部の過電圧検出手段が故障した場合においても電力変換器の過電圧による破壊を防ぐ。 - 特許庁

The diode 10 has a p-type anode region 20 formed in a range including the upper surface of a semiconductor substrate 12, an n-type cathode region 22 formed at the underside of the anode region, and an n-type breakdown voltage region so formed around the anode region in the range including the upper surface of a semiconductor substrate as to be continuous to the cathode region.例文帳に追加

半導体基板１２の上面を含む範囲に形成されているｐ型のアノード領域２０と、アノード領域の下側に形成されているｎ型のカソード領域２２と、カソード領域と連続しており、半導体基板の上面を含む範囲においてアノード領域の周囲に形成されているｎ型の耐圧領域を有するダイオード１０。 - 特許庁

In the AC switch 1, the breakdown voltage between the first output terminal 13 and the second output terminal 14 is 400 V or more (more preferably 600 V or more) at OFF time, and the resistance between the first output terminal 13 and the second output terminal 14 is 20 mΩ or less (more preferably 10 mΩ or less) at ON time.例文帳に追加

交流スイッチ１は、オフ時の第１出力端子１３および第２出力端子１４の間の耐圧が４００Ｖ以上（より好ましくは６００Ｖ以上）であり、オン時の第１出力端子１３および第２出力端子１４の間の抵抗が２０ｍΩ以下（より好ましくは１０ｍΩ以下）である。 - 特許庁

Since a contact area between a body contact layer 18 and a well layer 12 can be increased to suppress the amount of impurities implanted into the body contact layer 18 by forming the body contact layer 18 not only on a bottom surface but also on side surfaces of a recessed structure 17, the breakdown withstand voltage can be increased while readily suppressing the connection failure of the source electrode 20.例文帳に追加

凹構造１７の底面のみならず側面にもボディコンタクト層１８を形成することにより、ボディコンタクト層１８とウェル層１２との接触面積が増加し、ボディコンタクト層１８へ注入する不純物の注入量を抑制することができるため、容易にソース電極２０の接続不良を抑制しながら、ブレークダウン耐圧を向上させることができる。 - 特許庁

A dielectric film of the laminated ceramic capacitor is formed by using a winding type electron beam vacuum deposition method and when the dielectric film is vacuum-deposited, a temperature of a vacuum deposition part of an electrode which comes into contact with an idler is set to a predetermined temperature to optimize crystallinity, thereby forming the dielectric film which has a high dielectric constant and a high breakdown voltage with high efficiency.例文帳に追加

本発明では積層セラミックコンデンサーの誘電膜作成を、巻取り式電子ビー ム真空蒸着法を用いて作成し、誘電膜蒸着時に、アイドラーと接する電極の蒸着部の 温度を所定の温度に設定することで、結晶性の最適化をおこない、高誘電率で高耐電圧 の誘電膜を高能率で作成する。 - 特許庁

When a wiring layer for ink ejection control is formed along the inclining face 416, a passivation layer 308 is provided between the wiring layer and the substrate along the inclining face 416 in order to prevent the ink jet die from deteriorating due to dielectric breakdown through the substrate caused by applying a high voltage to the wiring layer.例文帳に追加

また、インク噴出制御用の配線層を斜面４１６に沿って形成する際に、前記配線層と基板との間に斜面４１６に沿ってパッシベーション層３０８を設けることにより、前記配線層に対して高電圧を印加した際に基板等を通じて生じる絶縁破壊によるインク噴出ダイ劣化を防止できる。 - 特許庁

This integrated circuit is formed by doping a part of a semiconductor substrate with nitrogen and a charge carrier dopant source, forming a thin dielectric that is destroyed by the application of breakdown voltage on the doped portion of the semiconductor substrate, forming a first conductor that is separated from the semiconductor substrate by the thin dielectric, and forming a second conductor that is conductively connected with the doped portion of the semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板の一部を窒素と電荷担体ドーパント・ソースとでドープし、破壊電圧の印加によって破壊される薄い誘電体を、半導体基板のドープした部分の上に形成し、薄い誘電体によって半導体基板から分離される第１の導体を形成し、半導体基板のドープした部分へ導電的に接続される第２の導体を形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor element operating in the normally-off mode and in a high-breakdown voltage and high-current state by forming a Schottky electrode in a source region of an FET, including an ohmic pattern electrode therein, and forming a gate electrode in a part of a source electrode region and a part of a nitride semiconductor region, and provide a manufacturing method for the same.例文帳に追加

ＦＥＴのソース領域にショットキー電極を形成し、内部にオミックパターン電極を備え、ゲート電極をソース電極の一部領域と窒化物半導体領域の一部に形成することによって、ノーマリ−オフ動作すると共に高耐圧及び高電流で動作可能な、半導体素子及び製造方法を提供する。 - 特許庁