「BREAKDOWN VOLTAGE」に関連した英語例文の一覧と使い方(46ページ目) - Weblio英語例文検索

By this setup, the alignment key which provides accurate alignment, when the active region is specified on the semiconductor substrate can be formed through a simple and economical method, so that a high-voltage element which can be increased in breakdown voltage can be reduced in manufacturing cost.例文帳に追加

これにより、半導体基板上に活性領域を限定する時に正確なアラインメントを提供するアラインキーを簡単で経済的な方法で形成できるので、高耐圧化が可能な高電圧素子の製造コストを下げられる。 - 特許庁

To solve problems in a conventional image pickup device that it requires separately an exclusive variable booster circuit, and there is a danger of application of a voltage which is an insulation breakdown voltage or over to a piezoelectric element and has a complicated configuration of a polarization processing section or the like.例文帳に追加

この発明は、別途に専用の可変昇圧回路を設けなければならず、絶縁破壊電圧以上の電圧が圧電素子に印加される危険があり、分極処理部の構成が複雑になる等の課題を解決しようとするものである。 - 特許庁

To provide an integrated circuit of a CMOS for preventing the breakdown of internal elements of the integrated circuit by triggering a switching operation at the timing of a voltage change of a node which generates a voltage change almost equal to that in a power source line when a static electricity surge is applied to the power source line.例文帳に追加

電源ラインに静電気等によるサージが印加された際に、電源ラインとほぼ同等な電位変化を起こすノードの電位変化をトリガにスイッチを作動させて集積回路内部の素子の破壊を防止するCMOSの集積回路を提供する。 - 特許庁

To provide a high withstanding voltage transistor wherein the current caused by impact ion is reduced by suppressing generation of hot carrier, punch through is also reduced, and a stable threshold value is provided, resulting in providing a sufficient breakdown voltage with low on-resistance.例文帳に追加

ホットキャリアの生成を可及的に抑制してインパクトイオンによる電流を減少させ、パンチスルーが少なく安定した閾値を得ることができ、オン抵抗の低い十分な耐圧を得ることを可能とする高耐圧トランジスタを実現する。 - 特許庁

When an adequate number of LEDs (at least one LED) is short-circuited, the deserved current I2 that cannot be neglected flows on the second feedback line J because a potential at the connection point A becomes higher than a regular potential and a cathode-anode voltage applied to the zener diode ZD1 reaches a breakdown voltage.例文帳に追加

適当数（少なくとも１つ）のＬＥＤが短絡した場合には、接続点Ａの電位が、平常時よりも上昇し、ツェナーダイオードＺＤ１に掛かるカソード・アノード間電圧は降伏電圧に達するので、これによって、第２帰還線路Ｊ上には無視できない相応の電流Ｉ２が流れる。 - 特許庁

To provide a trench insulated gate type semiconductor device capable of obtaining a low on-voltage without a decrease in a breakdown voltage even when it has a trench surface pattern in which a surface spacing is different between a parallel trench part contacted by a cell area and a parallel trench part uncontacted.例文帳に追加

セル領域が接する平行トレンチ部分と接しない平行トレンチ部分の表面間隔が異なるトレンチ表面パターンを有していても、耐圧低下がなく、低オン電圧が得られるトレンチ絶縁ゲート型半導体装置を提供すること。 - 特許庁

To provide an electrostatic protection element exhibiting excellent electrostatic breakdown voltage in which rising voltage is designed freely while reducing the size, and also to provide a semiconductor device in which the electrostatic protection element and an active element, e.g. an HEMT, are provided on the same substrate.例文帳に追加

小型化が可能で、立ち上がり電圧を自由に設計でき、かつ静電耐圧に優れた静電保護素子を提供するとともに、この静電保護素子とＨＥＭＴなどの能動素子とを同一基板上に設けた半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a switching element using a high-breakdown-voltage and low-loss silicon carbide layer which is equipped with both a switching function and a diode function (reverse-direction voltage stopping capability) without forming a p-n junction inside the silicon carbide layer and to miniaturize a module so as to be lightweight.例文帳に追加

炭化シリコン層内にｐｎ接合を形成することなく、スイッチング機能とダイオード機能（逆方向の電圧阻止能力）とを兼ね備えた、高耐圧・低損失の、炭化シリコン層を利用したスイッチング素子を実現し、以てモジュールの小型化・軽量化を図る。 - 特許庁

To realize a small-sized image display device of high resolution and quality at low costs, wherein gradation display by optical intensity modulation wherein a state is changed in analog fashion according to a voltage signal applied to a pixel, is performed without needing a transistor for high breakdown voltage.例文帳に追加

高耐圧のトランジスタを必要とすることなく、画素に印加される電圧信号に応じて状態がアナログ的に変化する光強度変調による階調表示ができ、高解像で且つ高品質の画像表示を小型、低価格で実現する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing semiconductor device by which the characteristics, such as breakdown voltage, leakage current, etc., of a semiconductor device can be prevented from being deteriorated by the moisture entering into the device from a passivation film when a high voltage is applied between the source and drain of the device.例文帳に追加

パッシベーション膜から水分が侵入し、ソースとドレインの間に高電圧を印加したときに、水分による半導体デバイスの耐圧低下やリーク電流増加等のデバイス特性の劣化が生じるのを防止する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A reverse breakdown voltage Vr of a diode constituted between the anode contact region 8 and the drain/ cathode region 2 is made lower than an drain/source blocking voltage BVdss of a power MOS which is constituted of the drain/cathode region (NBL) 2, gate structure 18, and source region 5.例文帳に追加

アノードコンタクト領域８とドレイン・カソード兼用領域２との間に構成されるダイオードの逆方向降伏電圧Ｖrが、ドレイン・カソード兼用領域（ＮＢＬ）２、ゲート構造１８及びソース領域５からなるパワーＭＯＳのドレイン−ソース間耐圧ＢＶdssよりも低い。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of a semiconductor device, in which a high breakdown voltage transistor and a low voltage driving transistor are formed on the same substrate and which is capable of contriving the improvement in microfabrication and reliability, by employing LOCOS method and STI method in parallel.例文帳に追加

高耐圧トランジスタと低電圧駆動トランジスタとが同一基板に形成された半導体装置であって、ＬＯＣＯＳ法とＳＴＩ法を併用して用いることにより、微細化および信頼性の向上を図ることができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To solve the problems that the output voltage of an inverter oscillates due to the inductance and capacitor of the cable, an excess voltage is applied to a motor, dielectric breakdown occurs, and radiation electromagnetic waves become large when a distance between the inverter and the motor is made long in the inverter for supplying power to the motor.例文帳に追加

モータに電力を供給するインバータでは、インバータとモータ間の距離が長くなると、このケーブルのインダクタンスや容量のためにインバータの出力電圧が振動し、モータに過大な電圧が印加されて絶縁破壊が発生し、また放射電磁波が大きくなるという課題を解決する。 - 特許庁

To prevent a low voltage Zener diode from deteriorating in ESD strength due to reduction in impurity concentration of the outermost surface (with a depth of about 0 to 1 μm) of a guard ring, a leakage current from increasing due to the formation of an inversion layer, and the Zener diode from deteriorating in product characteristics, such as Zener breakdown voltage.例文帳に追加

ガードリング最表面部（深さ約０〜１μｍ）の不純物濃度低下によるＥＳＤ耐量の低下、および反転層の形成によるリーク電流の増加、ツェナー降伏電圧の低下等製品特性の劣化を防止する。 - 特許庁

When the intensity of an electric field received by an antenna is reduced to cause the IFAGC voltage Vi to exceed a prescribed value determined by a breakdown voltage of a Zener diode Z, a transistor TR1 and the Zener diode Z are made conductive and a transistor TR2 is operated.例文帳に追加

アンテナで受信した電界強度が低下してＩＦＡＧＣ電圧ＶｉがツェナーダイオードＺの降伏電圧により定まる所定値を超えたときに、トランジスタＴＲ１およびツェナーダイオードＺが導通してトランジスタＴＲ２が動作する。 - 特許庁

To solve the problem that a termination structure provided with a JTE layer greatly deteriorates in breakdown voltage since a level and a defect present in an interface between a semiconductor layer and an insulating film or a fine amount of an external impurity in the insulating film or entering from outside up to the semiconductor interface through the insulating film becomes a generation source for a leakage current and a high current due to breakdown.例文帳に追加

ＪＴＥ層を設けた終端構造では、半導体層と絶縁膜との界面に存在する準位及び欠陥、又は、絶縁膜中若しくは外部から絶縁膜を通して半導体界面まで浸入してくる微量な外来不純物が漏れ電流の発生源及び降伏点となってしまい耐圧が大幅に劣化する。 - 特許庁

The I/O circuit region 280 includes a phase inversion circuit 286 which inverts the phases of the input signal group inputted through the group 282 and a level converting circuit (L/S) 288 which converts the low breakdown strength system voltages of the signal group phase-inverted by the circuit 286 to high breakdown strength voltage system voltages.例文帳に追加

Ｉ／Ｏ回路領域２８０は、入力端子群２８２を介して入力された入力信号群の位相を反転する位相反転回路２８６と、位相反転回路２８６によって位相反転された信号群の低耐圧系の電圧を高耐圧系の電圧に変換するレベル変換回路（Ｌ／Ｓ）２８８とを含む。 - 特許庁

Zener diodes ZD1, ZD2 and ZD4 are connected respectively to power supply lines L1, L2 and L3 for feeding DC voltage generated in a voltage generating part 32 in a power supply board 31, so that the voltage higher than breakdown voltage of the Zener diodes ZD1, ZD2 and ZD4 is not applied to the respective power supply lines L1, L2 and L3.例文帳に追加

電源基板３１の電圧生成部３２において、生成した直流電圧を他の基板へ供給するための電源ラインＬ１、Ｌ２、Ｌ３にツェナーダイオードＺＤ１、ＺＤ２、ＺＤ４を接続しており、各電源ラインＬ１、Ｌ２、Ｌ３にツェナーダイオードＺＤ１、ＺＤ２、ＺＤ４の降伏電圧以上の電圧が印加されないように構成している。 - 特許庁

The protection circuit includes a switching element 16 interposed between input and output, a means 17 for detecting an input voltage Vin, and a processor 18 which controls a ratio D between on-time and off-time of the switching means 16 such that an output voltage does not exceed a set value Vlimit corresponding to a breakdown voltage to be protected, based on the detected signal of the input voltage Vin.例文帳に追加

入出力間に介装されるスイッチング素子１６と、入力電圧Vinを検出する手段１７と、前記入力電圧Vinの検出信号に基づいて出力電圧が保護対象の耐圧に対応する設定値Vlimitを超えないように前記スイッチング手段１６のオン時間とオフ時間との比率Ｄを制御するプロセッサ１８と、を備える。 - 特許庁

An overvoltage state of semiconductor switches 5, 6 can be more speedily detected so as to prevent the semiconductor switches 5, 6 from voltage breakdown even at fluctuation of source voltage in the case of a high power source voltage (a 200 V system power source), by making overvoltage judgement standard value of voltage generated at the semiconductor switches 5, 6 variable before and after the start.例文帳に追加

半導体スイッチ５、６に生じる電圧の過電圧判定基準値を起動前後で可変させることで、電源電圧が高い（２００Ｖ系電源）場合の電源電圧の変動時においても、半導体スイッチ５、６の過電圧状態をより速く検出することができ半導体スイッチ５、６の耐圧破壊を防止することができる。 - 特許庁

To provide a series regulator circuit which can secure the breakdown strength between the source and drain and between the source and gate of a power MOS transistor, in a series regulator circuit which converts a voltage value from specified input voltage into desired output voltage, including a reference voltage circuit, an operational amplifier, a power transistor, and a resistor.例文帳に追加

基準電圧回路と、演算増幅器と、パワートランジスタと、抵抗とを含み、所定の入力電圧から所望の出力電圧に電圧値を変換するシリーズレギュレータ回路において、パワーＭＯＳトランジスタのソース／ドレイン間の耐圧と、ソース／ゲート間の耐圧とを確保することができるシリーズレギュレータ回路を提供することを目的とするものである。 - 特許庁

The present invention is capable of anodizing valve metals for high voltage capacitors of greater than 300 volt with: (1) little to no gray-out at high formation voltage, (2) high formation breakdown voltage, and (3) high quality of oxide with low DC leakage and stable long term performance of the anode.例文帳に追加

本発明により、（１）高い生成電圧でのグレーアウトが全くないか僅かしかみられない、（２）高い生成破壊電圧、および（３）低い直流漏れおよびアノードの長期安定性能を示す高品質の酸化物を有しながら、３００ボルトより大きな高電圧キャパシター用のバルブ金属の陽極酸化が可能となる。 - 特許庁

Ion implantation with a high dosage and a low acceleration voltage and ion implantation with a low dosage and a high acceleration voltage are successively performed using the mask to form an LDD (Lightly Doped Drain) region of the low-breakdown-voltage lateral trench MOSFET and an LDD region of the trench lateral power MOSFET at the same time.例文帳に追加

このマスクを用いて、高ドーズ量および低加速電圧で行うイオン注入と、低ドーズ量および高加速電圧で行うイオン注入を連続して行うことによって、低耐圧横型トレンチＭＯＳＦＥＴのＬＤＤ領域と、トレンチ横型パワーＭＯＳＦＥＴのＬＤＤ領域とを同時に形成する。 - 特許庁

When the voltage of the gate electrode interconnection of the transistor 5 becomes about half the gate-oxide-film breakdown voltage of the transistor 5, the protective diode 11 is broken down, droppage in the voltage of the gate-electrode interconnection is prevented, and damages to the gate oxide film of the transistor 5 is prevented.例文帳に追加

横形ＤＭＯＳトランジスタ５のゲート電極配線の電圧が横形ＤＭＯＳトランジスタ５のゲート酸化膜破壊耐圧の約２分の１になったとき、保護ダイオード１１が降伏を起こし、ゲート電極配線の電圧の降下を防止し、横形ＤＭＯＳトランジスタ５のゲート酸化膜の損傷を防止する。 - 特許庁

To provide a signal output circuit which outputting an output signal having an appropriate voltage range, by providing a level shift circuit which has an appropriate operating speed and is capable of setting a comparatively high insulation breakdown voltage even when generating an output signal having a comparatively large voltage amplitude.例文帳に追加

比較的大きな電圧振幅を有する出力信号を生成する場合であっても、適度な動作速度を有するとともに、絶縁耐圧を比較的高く設定することができるレベルシフト回路を提供し、以て、適切な電圧範囲を有する出力信号を出力することができる信号出力回路を提供する。 - 特許庁

When overvoltage is applied, heavy current resulting from the overvoltage flows into the Zener diode 1, to prevent a heavy current from flowing into the electronic device, such as a secondary battery protection IC200, and keep the voltage between terminals of the secondary battery protection IC200 connected in parallel with the Zener diode 1 at constant voltage, equivalent to breakdown voltage of the Zener diode 1.例文帳に追加

過大電圧が印加されると、その過大電圧の印加に起因した大電流をツェナーダイオード１の方に流すようにして、二次電池保護ＩＣ２００のような電子デバイスの方に流れることを抑制すると共に、ツェナーダイオード１に対して並列に接続されている二次電池保護ＩＣ２００の端子間電圧を、そのツェナーダイオード１の降伏電圧程度の一定の電圧に保つ。 - 特許庁

Thus by supplying the power to the amplifying part 5 from the diode snubber circuit 6 for suppressing the voltage applied to a switching element Q1, the need for a constant voltage circuit for supplying power to the amplifying part 5 is eliminated, and low breakdown voltage transistors can be used for transistor Q11, Q12 of the amplifying part 5, so as to reduce the cost.例文帳に追加

このように、スイッチング素子Ｑ１に印加される電圧を抑えるためのダイオードスナバ回路６から増幅部５に電力を供給するようにしたので、増幅部５に電力を供給する定電圧回路を必要とせず、また、増幅部５のトランジスタＱ１１，Ｑ１２に耐圧の低いものを使用できるので、コストが低減する。 - 特許庁

The semiconductor testing device 1 includes a prober 2, the measuring device 3 and an electronic control device 4, and can perform gate leakage current measurement of a semiconductor element 10, reverse withstand voltage measurement between a gate and a drain, and between the gate and a source, breakdown voltage measurement between the gate and the source, and gate threshold voltage measurement.例文帳に追加

本発明に係る半導体試験装置１は、プローバ２、測定装置３、電子制御装置４を備えており、半導体素子１０のゲート漏れ電流測定、ゲート・ドレイン間およびゲート・ソース間の逆耐圧測定、ゲート・ソース間の降伏電圧測定、およびゲート閾値電圧測定が可能である。 - 特許庁

To provide a compact closed switchgear capable of achieving high insulation reliability by preventing fine metal powder existing on a high-voltage conductor surface from gathering and depositing on the high-voltage conductor surface or in the vicinity thereto and suppressing initial electron supply from the high-voltage conductor surface required for generation of dielectric breakdown.例文帳に追加

高電圧導体表面に存在する微細金属粉が高電圧導体表面またはその近傍に滞留、集積することを防ぐと共に、絶縁破壊の発生に必要な高電圧導体表面からの初期電子供給を抑えることにより、絶縁信頼性が高く、且つコンパクトな密閉型開閉装置を提供する。 - 特許庁

In an element for detecting photons entering within a time when a reverse pulse bias voltage higher than a breakdown voltage is being applied to avalanche photodiodes 11 and 12, the bias voltage is applied simultaneously to two avalanche photodiodes 11 and 12 and the difference of the output voltages from the avalanche photodiodes 11 and 12 is delivered as a signal.例文帳に追加

アバランシェフォトダイオード１１，１２にブレークダウン電圧以上の逆方向バイアス電圧をパルス状に印加し、このバイアス電圧が印加されている時間内に入射した光子を検出する素子において、２つのアバランシェフォトダイオード１１，１２に同時にバイアス電圧を印加し、このアバランシェフォトダイオード１１，１２の出力電圧の差を信号出力とする。 - 特許庁

In the method for evaluating a boron doped silicon wafer by measuring the breakdown voltage characteristics of an oxide film using an MOS capacitor formed therein, a state not irradiated with light and a state irradiated with light are formed at least the measuring electrode part, the breakdown voltage characteristics of the oxide film are measured under respective states and the measurements are compared thus evaluating a boron doped wafer.例文帳に追加

ボロンドープシリコンウェーハにＭＯＳキャパシタを形成し、該ＭＯＳキャパシタを用いて酸化膜耐圧特性を測定することにより前記ボロンドープシリコンウェーハを評価する方法であって、前記ＭＯＳキャパシタの少なくとも測定電極部に光を照射しない状態と光を照射した状態とをそれぞれ形成し、光照射の有無のそれぞれの状態において前記酸化膜耐圧特性の測定を行い、光照射の有無のそれぞれの状態の測定結果を比較することにより前記ボロンドープシリコンウェーハを評価するようにした。 - 特許庁

In the heterojunction field effect transistor having a gate recess structure, at least two layers where the concentration of impurities is different are composed in an empty region that greatly affects the element breakdown voltage of the heterojunction field effect transistor from a gate electrode end to source/drain electrode ends, thus reducing the series resistance of the heterojunction field effect transistor, and at the same time achieving a high element breakdown voltage.例文帳に追加

ゲートリセス構造を有しているヘテロ接合電界効果トランジスタにおいて、ゲート電極端からソース、ドレイン電極端の間のヘテロ接合電界効果トランジスタの素子耐圧に大きな影響を与える目空き領域に、少なくとも２層以上の不純物濃度の異なる層で構成することでヘテロ接合電界効果トランジスタの直列抵抗を小さくしつつ、高い素子耐圧を実現したヘテロ接合電界効果トランジスタ。 - 特許庁

In the heterojunction field effect transistor having a gate recess structure, empty regions give much effect on an element breakdown voltage of the heterojunction field effect transistor between from an end of a gate electrode to an end of a source or drain electrode, are composed of at least two layers having different impurity concentrations, thereby reducing series resistance of the heterojunction field effect transistor and enabling the heterojunction field effect transistor to realize a high element breakdown voltage.例文帳に追加

ゲートリセス構造を有しているヘテロ接合電界効果トランジスタにおいて、ゲート電極端からソース、ドレイン電極端の間のヘテロ接合電界効果トランジスタの素子耐圧に大きな影響を与える目空き領域に、少なくとも２層以上の不純物濃度の異なる層で構成することでヘテロ接合電界効果トランジスタの直列抵抗を小さくしつつ、高い素子耐圧を実現したヘテロ接合電界効果トランジスタが得られる。 - 特許庁

When the sum exceeds the breakdown voltage of the Zener diode ZD1, the DC current flows through the Zener diode ZD1 to the side of the transistor T2, thereby restricting the current amount pulled in by the transistor T1.例文帳に追加

これらの和がツェナーダイオードＺＤ１の降伏電圧を超えると、直流電流はツェナーダイオードＺＤ１を介してトランジスタＴ２側に流れるから、トランジスタＴ１により引き込まれる電流量が制限されることになる。 - 特許庁

A PN diode is therefore formed between the first layer and the third layer, and the PN diode has a lower breakdown voltage than the horizontal HEMT, so that the HEMT is protected from a high electric field and prevented from being degraded.例文帳に追加

このためＰＮダイオードが上記第１層および第３層の間で形成され、ＰＮダイオードは横型ＨＥＭＴより低いブレークダウン電圧を有することにより、ＨＥＭＴを高い電界から保護することができ、ＨＥＭＴの劣化を防止できる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a reliable semiconductor device that has multilayer interconnection structure, and prevents short-circuiting accidents or decrease in a breakdown voltage for semiconductor devices having the multilayer interconnection structure, especially, that of borderless one.例文帳に追加

多層配線構造、特にボーダーレス構造の多層配線構造の半導体装置においても、短絡事故、あるいは耐圧低下を来すことがなく信頼性の高い、この種の半導体装置を得ることができる多層配線構造を有する半導体装置の製造方法を提供するものである。 - 特許庁

To provide a method for producing an inexpensive polyarylene sulfide oxide paper capable of solving problems of conventional technology, significantly improving process complications and dielectric breakdown strength and withstanding use under a high voltage, and to provide a polyarylene sulfide oxide paper.例文帳に追加

従来技術の問題点を解消し、工程の煩雑さ、絶縁破壊強さが大幅に改善され高電圧下での使用に耐える安価なポリアリーレンスルフィド酸化物紙の製造方法およびポリアリーレンスルフィド酸化物紙を提供する。 - 特許庁

To avoid generation of inter-electrode dielectric breakdown by making cations generated by impacting anions to flow and residual gas in an acceleration tube into a shield electrode to prevent rise of voltage between the shield electrode and a drawing electrode.例文帳に追加

イオン源用加速管の内部で負イオンが残留ガスと衝突することにより生じた正イオンがシールド電極に流入して、シールド電極と引出電極との間の電圧を上昇させるのを防いで、両電極間で絶縁破壊が生じるのを防止すること。 - 特許庁

Preferably, anion of that salt is organic anion such as bis-trifluoromethan sulfonic acid amide anion because it exhibits excellent breakdown voltage properties or viscosity of chain carbonate (e.g. ethyl methyl carbonate) and can be dissolved with high concentration into a solvent which cannot dissolve inorganic anion easily.例文帳に追加

該塩のアニオンとしてはビストリフルオロメタンスルフォン酸アミドアニオン等の有機アニオンであることが、鎖状カーボネート（例えば、エチルメチルカーボネート）等の耐電圧性や粘性等に優れる反面、無機アニオンを溶解し難い溶媒に高濃度に溶解させることができ好ましい。 - 特許庁

A high voltage conductor in a dielectric pellicle or ion damage prevention system is coated with a separation layer having a resistance low enough to prevent accumulation of charges on its surface and also high enough to restrict a peak current on dielectric breakdown.例文帳に追加

静電ペリクル又はイオン損傷防止システムでは、高電圧導体が、その表面上に電荷が蓄積するのを防止するのに十分に低い抵抗を有するが、絶縁破壊時にピーク電流を制限するのに十分に高い抵抗を有する分離層が被覆される。 - 特許庁

The laser system maintains stable laser output beam parameters, by providing a regulatory feedback loop which adjusts the discharge gas mixture composition, in accordance with the DC-breakdown voltage of the gas mixture itself.例文帳に追加

このレーザシステムは、ガス混合体自身の直流ブレイクダウン電圧に従って、放電ガス混合体の組成を調整する調整用フィードバックループを提供することによって、レーザの出力ビームのパラメータを安定に維持する。 - 特許庁

The barrier film provided on both ends of the channel area by the true semiconductor generates the voltage drop there and thus, the breakdown strength between the drain electrode and source electrode of the transistor is improved and the reliability of this electric fuse circuit is improved.例文帳に追加

真性半導体によるチャネル領域の両端に設けられたバリア膜は、そこでの電圧降下を生ずることにより、トランジスタのドレイン電極とソース電極との間の耐圧を向上させ、電気ヒューズ回路の信頼性を向上させる。 - 特許庁

To prevent the occurrence of fluctuation and variation in the threshold voltage even in reduction of the distance between trenches and to improve avalanche breakdown tolerance due to the operation of a parasitic element, in a vertical semiconductor device having gate electrodes buried in the trenches.例文帳に追加

トレンチに埋め込まれたゲート電極を有する縦型半導体装置において、トレンチ間隔を縮小しても閾値電圧の変動やばらつきが発生せず、また寄生素子動作によるアバランシェ破壊耐量が向上できるようにする。 - 特許庁

Providing the biasing transistors T4, T2 reduces the maximum voltage dropped across the transistors T3, T4, thereby allowing the transistors T1 to T4 to have lower breakdown voltages than VDDA.例文帳に追加

前記バイアシングトランジスタＴ４，Ｔ２を提供することは、前記トランジスタＴ３，Ｔ４において低下される最大電圧を低減させ、それによって前記トランジスタＴ１〜Ｔ４がＶＤＤＡよりも低い破壊電圧を有するのを可能にする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an electrode foil for an aluminum electrolytic capacitor capable of raising the capacitance of an electrode foil in a breakdown voltage region of ≥170 V and reducing the dielectric loss (tan δ) and the leakage current.例文帳に追加

１７０Ｖ以上の耐電圧領域における電極箔の静電容量を高めることができ、かつ誘電体損失（ｔａｎδ）、漏れ電流を低減させることができるアルミニウム電解コンデンサ用電極箔の製造方法を提供する。 - 特許庁