「Base-type」に関連した英語例文の一覧と使い方(15ページ目) - Weblio英語例文検索

A heat sink 1 is composed of a base plate 3, a plate-type heat pipe 5 that is thermally connected to the base plate 3, and a radiation fin row 7 that is thermally connected to the plate-type heat pipe 5.例文帳に追加

ヒートシンク１は、ベース板３と、同ベース板３に熱的に接続されているプレート型ヒートパイプ５と、同プレート型ヒートパイプ５に熱的に接続されている放熱フィン列７から構成されている。 - 特許庁

In this way, since the impurity concentration of the p-type base region 3 can be reduced, the p-type base region 3 can be easily inverted to form a wide channel region and channel mobility is increased.例文帳に追加

これにより、ｐ型ベース領域３の不純物濃度を薄くできるため、ｐ型ベース領域３が容易に反転し、広いチャネル領域を形成することが可能となってチャネル移動度が高くなる。 - 特許庁

A pyroelectric type detector includes a base substrate 100, a spacer member 104 projecting from the base substrate 100, a support member 210 supported by the spacer member, and a pyroelectric type detection element 220 supported by the support member.例文帳に追加

焦電型検出器は、基体１００と、基体より突出するスペーサー部材１０４と、スペーサー部材に支持される支持部材２１０と、支持部材に支持される焦電型検出素子２２０とを有する。 - 特許庁

This slip is made of a sheet type base material 1, and an adhesive region 4 on which an adhesive layer 3 is provided and a nonadhesive region 5 on which no adhesive layer is provided are furnished on a back surface of the sheet type base material.例文帳に追加

シート状基材１からなり、シート状基材の裏面には、粘着剤層３が設けられた粘着領域４と、粘着剤層が設けられない非粘着領域５とが備えられる。 - 特許庁

On the other hand, a phase locked loop signal is given to a base of a 1st conductivity type transistor(TR) and a signal of its emitter is given to a base of a 2nd conductivity type TR and a signal of the collector is given to the anode of the varactor diode.例文帳に追加

一方、フェーズロックループ信号を第１導電型トランジスタのベースに与え、エミッタの信号を第２導電型トランジスタのベースに与え、コレクタの信号をバラクタダイオードのアノードに与える。 - 特許庁

The source code part of the ASN. 1 OF base container class member calling member 31 calls an ASN. 1 OF base container class member 24, and operates only the type check of an argument or the type conversion processing of the return value.例文帳に追加

ＡＳＮ．１ ＯＦ基底コンテナクラスメンバ呼出しメンバ３１のソースコード部は、ＡＳＮ．１ ＯＦ基底コンテナクラスメンバ２４を呼出し、引数の型チェックや戻り値の型変換処理のみを行う。 - 特許庁

Between the N-type impurity layer 30 and the intrinsic base layer 50, an epitaxially grown layer is formed, where the epitaxially grown layer is lower in impurity concentration than the N-type impurity layer 30 and the intrinsic base layer 50.例文帳に追加

Ｎ型不純物層３０と真性ベース層５０との間に、Ｎ型不純物層３０及び真性ベース層５０よりも不純物濃度が低いエピタキシャル成長層が形成されている。 - 特許庁

In a double-sided pressure sensitive adhesive sheet with one type of adhesive applied on one side of a base material and another type on the other side, information identifying both of the pressure sensitive adhesives is provided on one side of the base material asymmetrically from side to side.例文帳に追加

基材の両面に異なる粘着剤が塗布されている両面粘着シートにおいて、粘着剤の両方の識別情報を、基材の片面に左右非対称な形態で記載する。 - 特許庁

This kit for coloring calcium type inorganic base material comprises a first liquid containing a dyestuff which is soluble in water or organic solvents and a second liquid containing a surface reinforcing agent of the calcium type inorganic base material.例文帳に追加

水または有機溶媒に可溶な染料を含有する第１液、およびカルシウム系無機質基材の表面強化剤を含有する第２液を含有するカルシウム系無機質基材着色用キット。 - 特許庁

A prescribed number of the ring type members 30 are separated from the base end and come to be in a diagonally inclined state by this ring type member fetching tool 1.例文帳に追加

このリング状部材取出具１によれば、基端から所定数のリング状部材３０が分離され斜めに傾いた状態になる。 - 特許庁

An N-channel MOSFET has a p-type well layer (base layer) 2 and an n-type drift layer 3, which are formed on the surface of a semiconductor layer 1.例文帳に追加

ｎチャネルＭＯＳＦＥＴは、半導体層１の表面に形成されたｐ型ウエル層（ベース層）２とｎ型ドリフト層３とを有する。 - 特許庁

Finally, a base is cut, and exposed n-type and p-type thermo-semiconductor element pieces are connected in series by an electrode, and a thermo-element is formed.例文帳に追加

最後に基台を削り、露出したｎ型とｐ型の熱電半導体素片間を電極で直列接続して熱電素子を形成する。 - 特許庁

The MOSFET region 10 includes a p+ type diffusion region 5 provided in a p type base region 3 and having a first impurity concentration.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴ領域１０は、ｐ型ベース領域３に設けられ第１の不純物濃度を有するｐ＋型拡散領域５を備える。 - 特許庁

A base B and a subemitter S of p-type semiconductor are joined to a collector C of n-type semiconductor, so as not to contact each other.例文帳に追加

ｐ型半導体からなるベースＢとサブエミッタＳは、互いに接しないようにして、ｎ型半導体からなるコレクタＣに接合されている。 - 特許庁

A p-type diffusion layer 7 is formed apart from a base region 5 in an n-type drift region 2 of the semiconductor device 100.例文帳に追加

半導体装置１００のＮ型ドリフト領域２内部に、ベース領域５に対し離間配置されるＰ型の拡散層７を形成する。 - 特許庁

A base electrode 54c is electrically connected to a p^+-type semiconductor region 41 formed in the p-type well 28 via a plug 53c.例文帳に追加

ｐ型ウエル２８に形成されたｐ^+型半導体領域４１は、プラグ５３ｃを介してベース電極５４ｃが電気的に接続されている。 - 特許庁

Each emitter electrode 19 is so disposed as to be contacted with each n-type emitter layer 15 and each central exposed portion 12a of the p-type base layer 12.例文帳に追加

エミッタ電極１９は、ｎ型エミッタ層１５と、ｐ型ベース層１２の中心露出部分１２ａとにコンタクトするように配設される。 - 特許庁

In the peripheral edge of a spin base 201, a plurality of turning type holding members 202A and a plurality of turning type holding members 202B are formed.例文帳に追加

スピンベース２０１の周縁部には、複数の回動式保持部材２０２Ａおよび複数の回動式保持部材２０２Ｂが取り付けられている。 - 特許庁

Into a hollow part of a hollow heat-shrinkage tube 33, a tube type hot-melt adhesive 31 and an elongated rod type base 32 are inserted.例文帳に追加

中空の熱収縮チューブ３３の中空部に、チューブ状のホットメルト型接着剤３１、及び、細長い棒状の支持体３２を挿通する。 - 特許庁

A lifetime killer 13 is formed in a p-type base region 3 or an n^--type drift layer 2 by irradiation of an electron beam or a helium beam.例文帳に追加

電子線照射もしくはヘリウム線照射によってｐ型ベース領域３内やｎ^-型ドリフト層２内にライフタイムキラー１３を形成する。 - 特許庁

Book-type information stored in a book-type information storage data base 4 is displayed on a display 1 for reading and selecting the information of a user.例文帳に追加

利用者の情報の閲覧、選択の為、１のディスプレイに４の本型情報格納データベースに格納された本型の情報を表示する。 - 特許庁

In a wood floor material 10 for a hot water type floor heating floor having a base material part 5 and a surface decoration layer 8, the base material part 5 is formed such that a first base material 1, a metallic foil 3, and a thin second base material 3 are adhered together for lamination.例文帳に追加

基材部５と表面化粧層８とを備えた温水式床暖房フロア用木質床材１０において、基材部５を、第１の基材１と金属箔３と薄手の第２の基材３とを接着積層して形成する。 - 特許庁

A volume type hologram layer 2 is formed on a base 1 and a cholesteric liquid crystal layer 3 is formed on a base 4 which consists of a film composed of a film separate from the base 1 as a central base and whose surface is subjected to easy adhesion treatment.例文帳に追加

基材１上に、体積型ホログラム層２を形成し、基材１とは別の、フィルムを中心基材としてその表面に易接着処理を施したフィルムからなる基材４上にコレステリック液晶層３を形成する。 - 特許庁

A wax and water are added to and mixed with a grease which is produced by mixing at least one base oil selected from a mineral oil-type lubricant base oil, a synthetic lubricant base oil and a biodegradable lubricant base oil with a thickening agent.例文帳に追加

鉱油系潤滑剤基油、合成系潤滑基油及び生分解系潤滑油基油から選ばれる少なくとも一種類の基油に増ちょう剤を配合して生成したグリースに、ワックスと水とを添加して混合する。 - 特許庁

Consequently, a breakdown is made at an upper corner part 2b of the n^+-type region 2a and a body break can be made between the p-type base region 3 and n^+-type region 2a.例文帳に追加

これにより、ｎ^+型領域２ａのうち上方側のコーナー部２ｂにおいてブレークダウンさせられ、ｐ型ベース領域３とｎ^+型領域２ａとの間でのボディーブレークが可能となる。 - 特許庁

To provide a current control type drive circuit having a small energy loss by increasing a switching speed in a base current control type drive circuit for driving a BJT type SiC semiconductor device.例文帳に追加

ＢＪＴ型ＳｉＣ半導体デバイスを駆動させるベース電流制御型駆動回路において、スイッチング速度を高め、エネルギー損失の少ない電流制御型駆動回路を提供する。 - 特許庁

A gate electrode G is provided in the p type base region 4 with a gate insulating film 7 interposed so as to form a channel between the n+type source region 5 and n-type epitaxial layer 2.例文帳に追加

ｎ＋型ソース領域５とｎ−型エピタキシャル層２との間にチャネルを形成するためｐ型ベース領域４にゲート絶縁膜７を介してゲート電極Ｇが設けられている。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a cement type base material which can control occurrence of back-surface shrinkages of the cement type molding in the press molding process of press-molding a cement type molding.例文帳に追加

セメント系成形体にプレス成形を施すプレス成形工程においてセメント系成形体の裏面ヒケの発生を抑制することができるセメント系基材の製造方法を提供する。 - 特許庁

In this semiconductor device 1, a base layer part of an epitaxial layer 3 forms an N^- type region 4, and a P-type body region 5 in contact with the N^- type region 4 is formed in the epitaxial layer 3.例文帳に追加

半導体装置１では、エピタキシャル層３の基層部がＮ−型領域４をなし、エピタキシャル層３には、Ｎ^-型領域４に接するＰ型のボディ領域５が形成されている。 - 特許庁

In the semiconductor device 1, a base layer portion of an epitaxial layer 3 is formed as an N^- type region 4, and a body region 5 of a P-type contacted with the N^- type region 4 is formed in the epitaxial layer 3.例文帳に追加

半導体装置１では、エピタキシャル層３の基層部がＮ−型領域４をなし、エピタキシャル層３には、Ｎ^−型領域４に接するＰ型のボディ領域５が形成されている。 - 特許庁

A second base layer (7) of a second conductivity type and emitter layers (8) of a first conductivity type are arranged in the main cell (MR), and a buffer layer (9) of a second conductivity type is arranged in the dummy cell (DR).例文帳に追加

メインセル（ＭＲ）内に第２導電型の第２ベース層（７）と第１導電型のエミッタ層（８）とが配設され、ダミーセル（ＤＲ）内に第２導電型のバッファ層（９）が配設される。 - 特許庁

If the n-type semiconductor substrate is defined as an emitter, the p-type impurity region is defined as a base and the n-type impurity region is defined as a collector, a DC current amplification factor hFE can be made into 100 or more.例文帳に追加

N型半導体基板；エミッタ、P型不純物領域；ベース、N型不純物領域；コレクタとする場合直流電流増幅率ｈFEを100以上とすることが可能となる。 - 特許庁

Then, an n-type diffusion layer 12 is formed between a p-type diffusion layer 10 used as the base region of the npn transistor 1 and the p-type separation region 3.例文帳に追加

そして、ＮＰＮトランジスタ１のベース領域として用いられるＰ型の拡散層１０とＰ型の分離領域３との間にはＮ型の拡散層１２が形成されている。 - 特許庁

Then, an n-type diffusion layer 14 is formed between a p-type diffusion layer 12 used as the base region of the npn transistor 1 and the p-type separation region 3.例文帳に追加

そして、ＮＰＮトランジスタ１のベース領域として用いられるＰ型の拡散層１２とＰ型の分離領域３との間にはＮ型の拡散層１４が形成されている。 - 特許庁

BEARING MADE OF GRAPHITE DISPERSION TYPE Cu BASE SINTERED ALLOY OF MOTOR TYPE FUEL PUMP EXHIBITING EXCELLENT WEAR RESISTANCE UNDER HIGH PRESSURE-HIGH SPEED CIRCULATION OF CASOLINE AND MOTOR TYPE FUEL PUMP USING SAME例文帳に追加

ガソリンの高圧高速流通下ですぐれた耐摩耗性を発揮するモータ式燃料ポンプの黒鉛分散型Ｃｕ基焼結合金製軸受及びそれを用いたモータ式燃料ポンプ - 特許庁

To form a P-type isolation layer closer to a P-type base region, so as to reduce a device in size by restraining the P-type isolation layer, that isolates devices from one another from expanding in the widthwise direction.例文帳に追加

素子間を分離するＰ型アイソレーション層の幅方向の拡張を制限することにより、Ｐ型アイソレーション層をＰ型ベース領域により近付けて形成し、素子の小型化を図る。 - 特許庁

The SiC semiconductor device includes a p^+-type body layer 6 deeper than an n^+-type source region 4 and having a concentration higher than that of a p-type base region 3 at a position spaced at a predetermined distance from the side surface of a trench 7.例文帳に追加

トレンチ７の側面から所定距離離れた位置に、ｎ^+型ソース領域４よりも深く、かつ、ｐ型ベース領域３よりも高濃度となるｐ^+型ボデー層６を備える。 - 特許庁

Two single twin barrel type throttle bodies S are arranged at a side in a row, and a second engine side mounting base 2 of one side twin barrel type throttle body S1 and a first engine side mounting base 1 of another side twin barrel type throttle body S2 are oppositely arranged.例文帳に追加

単一のツインバトル型スロットルボデーＳは側方に２個連設配置され、一側のツインバレル型スロットルボデーＳ１の第２機関側取付口金２と他側のツインバレル型スロットルボデーＳ２の第１機関側取付口金１とが対向配置される。 - 特許庁

The n^+ region 107 is so formed on the main surface 12 as to face the n type source region 103, with the p type base region 105 in between, to adjoin the p type base region 105, having an impurity concentration higher than the n^- region 101.例文帳に追加

ｎ^+領域１０７は、ｐ型ベース領域１０５と隣接するように、ｐ型ベース領域１０５を挟んでｎ型ソース領域１０３と向かい合うように主表面１２に形成され、ｎ^-領域１０１よりも高い不純物濃度を有する。 - 特許庁

The field-emission-type electron source 2 is composed of a base part 3, comprising a p-type crystalline silicon layer, cone-shaped protrusions 4 comprising n-type crystalline silicon only in the top parts, and an i layer (p-crystalline silicon layer) 5 between the base part 3 and the protrusions 4.例文帳に追加

電界放射型電子源２を、ｐ型結晶シリコン層からなる基底部３と、先端部のみがｎ型結晶シリコンからなるコーン状の突起４と、基底部３と突起４との間のｉ層（ｐ^- 結晶シリコン層）５とで構成する。 - 特許庁

The mobile station 12 verifies the algorithm type information from the base station 1 and the base station 2 to select the base station which assigns the wireless resources to the mobile station 12 as a primary base station, when there is no large difference in reception power parameters of the pilot signals between the base station 1 and the base station 2.例文帳に追加

移動局１２は、パイロット信号の受信電力パラメータが、基地局１と基地局２とで大きな差がない場合には、基地局１と基地局２からのアルゴリズム種別情報を確認して、当該移動局１２に無線リソースを割り当ててくれる基地局をプライマリ基地局として選択する。 - 特許庁

To provide a construction technology of a non-embedded type column base capable of more efficiently reinforcing proof stress of a column base section, maintaining good workability having a non-embedded type column base structure and, at the same time, by effectively using a downward region of a base plate while utilizing a special property in terms of strength constituted by combining the base plate with anchor bolts.例文帳に追加

非埋込み型柱脚構造の有する良好な施工性を維持するとともに、その非埋込み型柱脚構造におけるベースプレートとアンカーボルトとの組合わせからなる強度的な特性を活かしながらベースプレートの下方領域を有効利用して、より効率的に柱脚部の耐力を補強し得る非埋込み型柱脚の施工技術を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing an environmental load type fuel having excellent LCA-CO_2 reduction effect, with which a high-quality fuel is efficiently produced from a biomass such as oils and fats having a triglyceride structure and to obtain a low environmental load type fuel useful as a gasoline base material, gas oil base material, kerosene base material, heavy naphtha base material or liquefied petroleum gas base material.例文帳に追加

トリグリセリド構造を有する油脂類などのバイオマスから、高品質の燃料を効率よく製造でき、ＬＣＡ−ＣＯ_２削減効果に優れた環境低負荷型燃料を製造する方法、並びに、ガソリン基材、軽油基材、灯油基材、重質ナフサ基材又は液化石油ガス基材として好適な環境低負荷型燃料を提供すること。 - 特許庁

To provide a lamp base having a color code, and a lamp with the improved color code by improving the lamp equipped with such type of the lamp base.例文帳に追加

カラーコードを有しているランプベースならびにこのような形式のランプベースを備えたランプを改良して、カラーコードの改善されたものを提供する。 - 特許庁

By forming the holding section 10 of the base plate 14 in a non-cut type, an increased life is provided for the running pad 13 having the base plate 14.例文帳に追加

ベース・プレート（１４）の保持区域（１０）を無切込型とする事によって、このベース・プレート（１４）を備えた走行パッド（３）の長寿命化が達成される。 - 特許庁