「COPPER FILM」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a chemical vapor deposition method for depositing a copper film in which adhesion between copper and barrier layers is improved.例文帳に追加

銅とバリア層の間の付着力を改良するために、銅膜を堆積する化学蒸着法を提供する。 - 特許庁

To prevent galvanic corrosion on the surface of a copper film due to exposure to water during conveyance of a wafer on which copper interconnections are formed after CMP polishing.例文帳に追加

ＣＭＰ研磨後の銅配線を形成したウエハの搬送中に、銅膜表面に水がかかることによるガルバニック腐食を防止する。 - 特許庁

By the regenerated etching compositional liquid, a copper thin film (4) is etched, thus a copper printed wiring board (1) can be produced.例文帳に追加

再生されたエッチング組成液により、銅薄膜(4)をエッチングして銅プリント配線基板(1)を製造できる。 - 特許庁

To obtain a cooper oxide film exfoliation-preventing method which does not generate deterioration with change in time in a copper or copper alloy lead frame.例文帳に追加

銅又は銅合金リードフレームに於いて、経時劣化を起こさない銅の酸化膜剥がれを防止する方法を提案する。 - 特許庁

The first nitride film 4 is composed of SiN and formed across the adjoining copper interconnections 5 to cover the lower surface of the copper interconnection 5 partially.例文帳に追加

第１窒化膜４は、ＳｉＮからなり、銅配線５の下面の一部を覆うとともに、隣接する銅配線５間にわたって形成されている。 - 特許庁

To provide a method for removing a complex film formed on a surface of copper and a copper alloy for rust prevention and the like, and for cleaning the surface.例文帳に追加

銅及び銅合金の表面に防錆目的等で形成された錯体皮膜を除去し、表面を清浄化する方法を提供する。 - 特許庁

SURFACE-TREATED COPPER FOIL, FLEXIBLE COPPER-CLAD LAMINATE MANUFACTURED USING THE SAME, AND FILM CARRIER TAPE例文帳に追加

表面処理銅箔及びその表面処理銅箔を用いて製造したフレキシブル銅張積層板並びにフィルムキャリアテープ - 特許庁

Then, a copper film is formed to fill up the opening and the trench, and the via plug 15b is formed in the opening and the copper interconnection 15a in the trench.例文帳に追加

次に、開口部と溝を充填する銅膜が形成されて、開口部にビアプラグ１５ｂが形成され、溝に銅配線１５ａが形成される。 - 特許庁

The steel material includes copper sulfide as a component, and the plated film contains copper sulfide.例文帳に追加

前記鋼材は構成成分として硫化銅を含有すると共に前記めっき皮膜には硫化銅が含有されている。 - 特許庁

Provided that the thicknesses of the copper printed burned film 12 and the copper- molybdenum plate 11 are represented by t2 and t1 respectively, t2 and t1 are so set as to satisfy a formula, 1/18≤t2/t1≤2.例文帳に追加

銅の溶射膜１２の厚みｔ２と銅−モリブデン板１１の厚みｔ１との比ｔ２／ｔ１は、１／１８≦ｔ２／ｔ１≦２の範囲である。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a metal copper film and a metal copper pattern improved in acid resistance and galvanic corrosion resistance.例文帳に追加

耐酸化性、耐電食性を向上させた金属銅膜の製造方法及び金属銅パターンを提供する。 - 特許庁

A method for manufacturing the flexible printed circuit board comprises the steps of forming a resist layer 13 of a reverse pattern on the surface of an insulating film 12 with a copper foil, and executing copper plating 14.例文帳に追加

銅箔付き絶縁性フィルム１２の表面に逆パターンのレジスト層１３を形成し、銅めっき１４を施す。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a copper clad laminated sheet wherein a copper foil and a liquid crystal polymer film have sufficient bonding strength.例文帳に追加

銅箔と液晶ポリマーフィルムとが十分な接着強度を有する銅張積層板の製造方法。 - 特許庁

To provide a semiconductor apparatus provided with a fuse structure or an electrode pad structure wherein a copper element in a copper containing metallic film can be prevented from blowing off therefrom.例文帳に追加

ヒューズ構造や電極パッド構造などを備える半導体装置における銅含有金属膜からの銅吹出を抑制する。 - 特許庁

In a process for operating copper plating being a process for manufacturing a built-up multi-layer substrate, the crystal orientation property of a copper plated film 102 is controlled.例文帳に追加

ビルトアップ多層基板の製造過程である銅めっきを行なう工程において、銅めっき膜１０２の結晶配向性を制御する。 - 特許庁

To provide a copper compound capable of safely, inexpensively and readily forming a copper thin film which is necessary for a production process of an electronic device, etc.例文帳に追加

電子デバイス等の製造工程で必要な銅薄膜を安全、安価、かつ容易に形成できる銅化合物を提供する。 - 特許庁

This surface treatment method for copper is characterized by treating with an alkaline silicate solution after forming an oxide film by oxidizing copper.例文帳に追加

銅を酸化して酸化皮膜を形成した後、ケイ酸アルカリ溶液で処理することを特徴とする銅の表面処理方法。 - 特許庁

A conductor circuit 34 is made by precipitating a plated film 33 after thinning the copper foil 31 of a laminate both whose sides are lined with copper by etching.例文帳に追加

両面銅張積層板３０の銅箔３１をエッチングにより薄くしてから、めっき膜３３を析出させ導体回路３４を形成する。 - 特許庁

The pressure-sensitive adhesive film has width larger than that of the copper foil with the resin by 10 mm (5 mm per the single side of the copper foil) or more.例文帳に追加

この粘着材フィルムは，樹脂付き銅箔より１０ｍｍ（片側５ｍｍずつ）以上幅の広いものである。 - 特許庁

To obtain the forming method of a copper wiring capable of sufficiently suppressing the generation of failure of Cu (copper) film at a low cost without necessitating any complex process.例文帳に追加

複雑な工程を必要とせず、低コストでＣｕ膜の欠陥発生を充分に抑制することができるＣｕ配線形成方法を得る。 - 特許庁

Similar structure can also be obtained, even if a plated copper layer is partially etched, after the plate copper layer has been formed on the whole surface of the film 2.例文帳に追加

全体に銅めっきを施してから部分的に銅めっき層をエッチングしても同様の構造が得られる。 - 特許庁

In the plated film forming method, the copper or copper alloy object to be plated is immersed in an electroless plating bath at the liquid temperature of ≤30°C for a predetermined time.例文帳に追加

銅または銅合金の被めっき物を、液温が３０℃以下の無電解めっき浴に所定時間浸漬する。 - 特許庁

To conformally and stably grow and form a copper seed layer by electroplating to improve about the film peel off or copper burying failures.例文帳に追加

電解メッキにより銅シード層をコンフォーマルに安定的に成長させて形成して、膜剥がれや銅の埋め込み不良の改善を図る。 - 特許庁

Copper wiring lines are made of a Cu film 209 in an interlayer insulating film consisting of an L-Ox film 203 and an SiO_2 film 204.例文帳に追加

Ｌ−Ｏｘ膜２０３およびＳｉＯ_２膜２０４が積層した層間絶縁膜中にＣｕ膜２０９からなる銅配線を形成する。 - 特許庁

A recess 7 is formed in an insulating film (SiOC film) 6, and a barrier metal film 8 and a copper film 9 which become wiring are embedded inside the recess 7.例文帳に追加

絶縁膜（ＳｉＯＣ膜）６に凹部７を形成し、凹部７内に配線となるバリアメタル膜８および銅膜９を埋め込む。 - 特許庁

To provide a simple manufacturing method of a dielectric thin film capable of maintaining film quality of the dielectric thin film deposited on a thin film of copper.例文帳に追加

銅の薄膜上に成膜した誘電体薄膜の膜質を維持できる簡易な誘電体薄膜の製造方法を提供する。 - 特許庁

Copper wiring formed on an amorphous silicon layer formed of an amorphous silicon film is provided with a thin-film transistor substrate having a copper alloy layer 107A formed of alloy with copper, as main components, which contains elements in which the generation energy of hydride is negative as first additional elements and second additional elements, and a pure copper layer 107B formed of pure copper on the copper alloy layer.例文帳に追加

非晶質ケイ素の膜により形成された非晶質ケイ素層上に形成される銅配線において、第１添加元素として水素化物の生成エネルギーが負の元素、さらに第２添加元素を含む銅を主成分とする合金により形成された銅合金層１０７Ａと、前記銅合金層の上に純銅により形成された純銅層１０７Ｂとを有する薄膜トランジスタ基板を備える。 - 特許庁

The anisotropic dry etching method of copper for anisotropically performing dry etching to a copper film formed on a substrate includes: a process for performing anisotropic oxidation treatment to the copper film; and a process for performing dry etching to a copper oxide formed by oxidation treatment using an organic acid without containing any halogens.例文帳に追加

基板に形成された銅膜を異方的にドライエッチングする銅の異方性ドライエッチング方法は、銅膜に対して異方性酸化処理を施す工程と、酸化処理によって形成された酸化銅をハロゲンを含有しない有機酸によりドライエッチングする工程とを含む。 - 特許庁

The machining is performed by using a copper wire on which a film of copper oxide or cuprous oxide is formed on the surface or wire material of high tensile force on which the film of the copper oxide or cuprous oxide is formed on the surface and subjected to copper plating as a wire electrode.例文帳に追加

表面に酸化銅または亜酸化銅の被膜が形成された銅線、或いは表面に酸化銅または亜酸化銅の被膜が形成された銅メッキが施された抗張力の高い線材を、ワイヤ電極として用い、加工を行う。 - 特許庁

To improve the adhesion of a negative resist for improving reliability since there are problems such as resist collapses during the copper electroplating, the deformation of the wiring and the short-circuit between wirings because of that the adhesion between the copper sputtered film and the resist is inferior though the wirings are formed on a wafer fitted with a copper sputtered film by copper electroplating after being engraved with the resist.例文帳に追加

銅スパッタ膜付きウェハーにネガ型レジストを製版後に電解銅めっきにより配線が形成されるが、銅スパッタ膜とレジストの密着性が悪い為、電解銅めっき中にレジストが崩れてしまい、配線の変形や配線間がショートしてしまうという問題点が発生する。 - 特許庁

The method for producing a porous copper foil, includes the steps of: directly forming an oxide film by providing a chromium-containing component to a metal surface as a cathode; forming a copper foil by performing copper plating on the oxide film; and removing the copper foil from the surface of the cathode.例文帳に追加

本発明の多孔質銅箔の製造方法は、陰極体としての金属の表面にクロム含有成分を施して直接酸化膜を形成する工程と、前記酸化膜に銅をめっきして銅箔を形成する工程と、前記陰極体の表面から前記銅箔を剥離する工程とを含む。 - 特許庁

After a copper diffusion prevention film 4 is formed on a copper pad 1, a titanium film 5, a nickel film 6 and a paradium film 7 comprising a barrier metal are formed thereon.例文帳に追加

銅パッド１上に銅拡散防止膜４を形成した後、この上にチタン膜５、ニッケル膜６、パラジューム膜７から成るバリアメタルを形成する。 - 特許庁

The FPC 3 comprises a polyethylene terephthalate base film 3a, a copper film 3b as a conductor formed on the base film 3a, and a cover layer 3c covering over the copper film 3b.例文帳に追加

ＦＰＣ３は、ポリエチレンテレフタレートのベースフィルム３ａと、このベースフィルム３ａの表面に形成された導電部となる銅箔３ｂと、この銅箔３ｂを被覆するカバーレイ３ｃとから構成されている。 - 特許庁

The area of the region where the Mo/Si multilayer film 3 is formed is smaller than the region where the copper thin film 1 is formed, exposing a part of the copper thin film 1 from the Mo/Si multilayer film 2.例文帳に追加

Ｍｏ／Ｓｉ多層膜３の成膜されている領域の面積は、銅薄膜１の成膜領域よりも狭くなっており、銅薄膜１の一部がＭｏ／Ｓｉ多層膜３から露出している。 - 特許庁

In addition, an upper thin copper film 8 is joined to the upper surface of the upper thin insulating film 6, and a lower thin copper film 7 is joined to the lower surface of the lower thin insulating film 5.例文帳に追加

そして、上側熱良導性電気絶縁薄膜６の上面には上側銅薄膜８が接合され、下側熱良導性電気絶縁薄膜５の下面には下側銅薄膜７が接合されている。 - 特許庁

To provide a thin film treatment system by which metal thin film wiring composed of copper or an alloy essentially consisting of copper is formed on a substrate with high selectivity, to provide a thin film treatment method, to provide a thin film transistor, and to provide a display device.例文帳に追加

銅もしくは銅を主成分とする合金からなる金属薄膜配線を基板上に選択性良く形成する薄膜処理装置、薄膜処理方法、薄膜トランジスタおよび表示装置を提供する。 - 特許庁

In this meta wiring, a barrier film is formed in either one or both between the copper film and the silicon containing film on the upper face/ lower face of the copper film.例文帳に追加

金属配線は、銅膜とけい素含有膜との間における、銅膜の上層もしくは下層にまたは銅膜の上層と下層との両方に、バリア膜が形成されている。 - 特許庁

By changing the amount of an abrasive speed ratio adjustment agent for adjusting the abrasive rate of the copper film and the barrier metal film, a ratio of abrasive speed is adjusted for the copper film and the barrier metal film.例文帳に追加

銅膜とバリアメタル膜の研磨速度の比を調整するための研磨速度比調整剤を変量することにより銅膜とバリアメタル膜の研磨速度の比を調整する。 - 特許庁

A copper alloy film 106 made of Cu-Sn alloy, Cu-Mg alloy, or Cu-Zr alloy is deposited on the TiN/Ti film 105 by the sputtering method, and a copper film 107 is deposited on the copper alloy film 106 by the CVD method or the plating method.例文帳に追加

ＴｉＮ／Ｔｉ膜１０５の上にスパッタ法により、Ｃｕ−Ｓｎ合金、Ｃｕ−Ｍｇ合金又はＣｕ−Ｚｒ合金からなる銅合金膜１０６を堆積した後、該銅合金膜１０６の上にＣＶＤ法又はメッキ法により銅膜１０７を堆積する。 - 特許庁

To provide a copper alloy film which can attain resistance reduction in a process temperature region of a wiring film of a flat panel display apparatus or the like, can suppress a hillock and a void produced in a copper-based film and has heat resistance and to provide a sputtering target material for forming the copper alloy film.例文帳に追加

平面表示装置等の配線膜のプロセス温度域での低抵抗化が可能であるとともに、Ｃｕ系膜で発生するヒロックおよびボイドを抑制可能な耐熱性を有するＣｕ合金膜とそのＣｕ合金膜を形成するためのスパッタリングターゲット材を提供する。 - 特許庁

The printing cylinder 10 is equipped with a base material 1 for the printing plate, the copper film 2 formed on the base material 1 for the printing plate, the printing pattern groove 11 formed on the copper film 2, and the DLC film 3 formed on the copper film 2 and having the printing pattern groove 11 transferred thereto.例文帳に追加

この印刷用シリンダー１０は、印刷版用基材１と、この印刷版用基材１上に形成された銅膜２と、この銅膜２に形成された印刷パターン溝１１と、銅膜２上に形成され、印刷パターン溝１１が転写されたＤＬＣ膜３と、を具備するものである。 - 特許庁

To provide an improved polishing composition by solving the problems that the polishing selection ratio of copper to a tantalum compound is insufficient when a semiconductor device having a copper film and the tantalum compound is polished, a wiring groove and the copper film of a hole are excessively scrapped when the selection ratio to the copper is increased, smoothness on the surface of the copper film is damaged, or the like.例文帳に追加

銅膜及びタンタル化合物を有する半導体デバイスを研磨すると、銅とタンタル化合物の研磨選択比が充分でなかったり、銅に対する選択比を高めると配線溝や孔の銅膜が削られ過ぎたり、銅膜表面の平滑性が損なわれる等の問題があり、これらの問題点を改善した研磨用組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a polishing composition for solving such problems that, in polishing a semiconductor device having a copper film and a tantalum compound, the polishing selection ratio for the copper and the tantalum compound may be inadequate or that, when the selection ratio to the copper is raised, the copper film at wiring grooves or holes may be overshaved or the smoothness of the surface of the copper film may be impaired.例文帳に追加

銅膜およびタンタル化合物を有する半導体デバイスを研磨すると、銅とタンタル化合物の研磨選択比が充分でなかったり、銅に対する選択比を高めると配線溝や孔の銅膜が削られ過ぎたり、銅膜表面の平滑性が損なわれる等の問題があり、これらの問題点を改善した研磨用組成物を提供する。 - 特許庁

To improve an electro-migration resistance of a copper wiring by preventing copper atoms in the copper wiring from diffusing into an insulating film during heat treatment so that occurrence of a leakage current between wirings is prevented, and preventing occurrence of voids at the interface between the copper wiring and the insulating film through improvement is tight-adhesion between the copper wiring and the insulating film.例文帳に追加

熱処理時における銅配線中の銅原子の絶縁膜中への拡散を阻止することにより、配線間におけるリーク電流の発生を防止すると共に、銅配線と絶縁膜との密着性を向上させて銅配線と絶縁膜との界面にボイドが発生する事態を防止することにより、銅配線のエレクトロマイグレーション耐性を向上させる。 - 特許庁

To provide a polishing composition solving such problems that in polishing a semiconductor device having a copper film and a tantalum compound, the polishing selection ratio for the copper and the tantalum compound is inadequate, or when the selection ratio to the copper is raised, the copper film at wiring grooves or holes is overshaved or the smoothness of the surface of the copper film is impaired.例文帳に追加

銅膜およびタンタル化合物を有する半導体デバイスを研磨すると、銅とタンタル化合物の研磨選択比が充分でなかったり、銅に対する選択比を高めると配線溝や孔の銅膜が削られ過ぎたり、銅膜表面の平滑性が損なわれる等の問題があり、これらの問題点を改善した研磨用組成物を提供する。 - 特許庁