「First layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(446ページ目) - Weblio英語例文検索

The each developing layer is formed by uniformly distributing many pressure sensitive microcapsules (18, 48, 58M and 68BK) in the heat sensitive color developing layers (16, 46, 56 and 66), and a color material of a first color is sealed in each microcapsule.例文帳に追加

発色層は感熱発色層（１６；４６；５６；６６）中に多数の感圧マイクロカプセル（１８、４８、５８Ｍ、６８ＢＫ）を均一に分布させたものとして形成され、各感圧マイクロカプセルには第１の色の色材が封入される。 - 特許庁

In a semiconductor layer, a first impurity region 8, a second impurity region 9, a third impurity region 10, a fourth impurity region 11, a fifth impurity region 12 and a sixth impurity region 13 are formed.例文帳に追加

半導体層には、第１不純物領域８、第２不純物領域９、第３不純物領域１０、第４不純物領域１１、第５不純物領域１２および第６不純物領域１３が形成されている。 - 特許庁

A first embodiment involves a UE physical layer L1, that is configured for interpreting a paging indicator (PI) to activate a preset decoding setting to process paging data in a pre-specified paging channel (PCH).例文帳に追加

第１の実施形態は、ページングインジケータ（ＰＩ）を解釈して、事前設定されたデコード設定をアクチベートして事前指定されたページングチャネル（ＰＣＨ）におけるページングデータを処理するようにＵＥの物理層Ｌ１が設定されることに関する。 - 特許庁

The rice transplanter includes a first transmission 50 to change speed of driving force of an engine 6 and transmit to a side line fertilizing pump 23 and a second transmission 70 to change speed of output of the side line fertilizing pump 23 and transmit to a deep layer fertilizing pump 24.例文帳に追加

エンジン６からの駆動力を変速して側条施肥ポンプ２３に伝達する第１変速装置５０、側条施肥ポンプ２３の出力を変速して深層施肥ポンプ２４に伝達する第２変速装置７０を備えている。 - 特許庁

A manufacturing method of a nitride semiconductor device comprises steps of: forming a groove 15 on the surface of a first substrate 10 by drawing a marking line; and forming a nitride semiconductor layer 20 on the surface formed with the groove 15.例文帳に追加

第１の基板１０の表面に、けがき線を入れることにより溝１５を形成する工程と、溝１５が形成された表面上に窒化物半導体層２０を形成する工程とを含む窒化物半導体素子の製造方法。 - 特許庁

Thus, a light ray incident on the screen 100 temporally changes the scatter distribution of a scattered wave, formed as a result of passing through the first light diffusion layer 1, and phase, and thereby reduces or removes scintillation.例文帳に追加

これにより、スクリーン１００に入射した光線は第１の光拡散層１を通過することによって形成される散乱波の散乱分布や位相を時間的に変化させ、シンチレーションを低減ないし除去するものである。 - 特許庁

Further, in the circuit board 10, a crack 20 formed on the first alumite film 12A is filled with a part of the resin layer 18, thereby preventing moisture from entering the circuit board 10 from the outside through the crack 20.例文帳に追加

更に本発明の回路基板１０では、第１アルマイト膜１２Ａに形成されるクラック２０に、樹脂層１８の一部を充填することにより、クラック２０を経路して水部が外部から侵入することを防止している。 - 特許庁

The electrode 12 of the first circuit board 11 is electrically connected to the electrode 14 of the second circuit board through the solder particle 22 sandwiched between these electrodes 12, 14 to break the surface oxide layer 22a.例文帳に追加

第１の回路基板１１の電極１２と第２の回路基板１３の電極１４は、これらの電極１２，１４の間に挟み込まれて表面の酸化膜２２ａが破られた半田粒子２２によって電気的に接続される。 - 特許庁

The double layer glass panel 100 after molding the glazing gasket by the first applying gun 405, is horizontally placed on a second work table 30 by reversing by a reversing mechanism 60 so that the other surface of not molding the glazing gasket turns upward.例文帳に追加

第１塗布ガン４０５でグレージングガスケットを成形した後の複層ガラスパネル１００をグレージングガスケットが成形されていない他方の面が上方を向くように反転機構６０で反転して第２ワークテーブル３０上に水平に載置する。 - 特許庁

The dielectric film is divided in a first dielectric part (silicon nitride 104) located in a region between the underside of the conductor wire 105 and the upside of the grounding conductor layer 102 and another part (strontium titanate film 103).例文帳に追加

誘電体膜は、導体線１０５の下面と接地導体層１０２の上面との間の領域内に位置する第１誘電体部分（シリコンナイトライド１０４）と、それ以外の部分（チタン酸ストロンチウム膜１０３）とに分かれている。 - 特許庁

A forming method of a ferroelectric capacitor used in an integrated circuit comprises steps of forming a lower electrode, a ferroelectric layer, and an upper electrode, and forming/defining an upper electrode by using a first mask and thereafter performing second annealing.例文帳に追加

集積回路に使用される強誘電性コンデンサを形成する方法は、下部電極、強誘電体層、上部電極を形成し、第一のマスクを用いて上部電極を画成した後第二のアニールを行う工程より成る。 - 特許庁

A second semiconductor stacked layer etching step S7-3 in the ridge waveguide part forming step S7 and a first semiconductor part etching step S9-3 in the semiconductor diffracting grating element forming step S9 are performed together at a time.例文帳に追加

リッジ導波路部形成工程Ｓ７における第２半導体積層エッチング工程Ｓ７−３と、半導体回折格子要素形成工程Ｓ９における第１半導体部エッチング工程Ｓ９−３とは、一括して行われる。 - 特許庁

In the method of manufacturing the Schottky barrier diode, a step (S10) of forming a first mask layer which covers part of a surface of the substrate and whose side shows a forward tapered shape with respect to the surface of the substrate on the GaN substrate is performed.例文帳に追加

ショットキーバリアダイオードの製造方法では、ＧａＮ基板上に、当該基板の表面の一部を覆うと共に側面が基板の表面に対して順テーパ状になっている第１のマスク層を形成する工程（Ｓ１０）を実施する。 - 特許庁

The compressive residual stress layer 9 is formed by blasting treatment such as sand blasting, and ruggedness for improving the adhesion of the inorganic or organic zinc-rich paint can be formed at the surface of the first base material 6 by the blasting treatment.例文帳に追加

圧縮残留応力層９はサンドブラストなどのブラスト処理によって形成され、このブラスト処理によって第１母材６の表面に無機または有機ジンクリッチペイントの密着性を向上させる凹凸が形成される。 - 特許庁

Consequently, in the same layer of a multilayer wiring board, a first wiring pattern 100 interposed connectively between the power-supply terminals 110, 120 and a second wiring pattern 200 interposed connectively between the ground terminals 210, 220 can be so disposed in parallel with each other that they do not intersect each other.例文帳に追加

これにより、多層配線基板の同一層において、電源端子間を結ぶ第１配線パターン１００と接地端子間を結ぶ第２配線パターン２００とを交差しないように平行に設けることが可能となる。 - 特許庁

The electrically conductive layer has a plurality of conducting wires and a second hole part that at least partially overlaps the first hole part and through which the local part of the upper surface of the heat dissipation component is exposed to the outside.例文帳に追加

前記導電層は、複数の導線と、前記第一穴部の穴部と一部が重なってるかすべてが重なっている穴部によって前記放熱部品の上表面の局部を外部に漏出させる第二穴部と、を具備する。 - 特許庁

Also, since a very small amount of pure gold is used to form the transfer part 6c, there is not pussibility of welding (stick) between the first layer 10a of the movable contact 10 and the transfer part 6c by vibration, and stick resistance can be enhanced.例文帳に追加

また、転写部６ｃを形成する純金は微量であるから、振動によって可動接点１０の第１層１０ａと転写部６ｃとが融着（スティック）する虞が無く、従来例に比較して耐スティック性の向上が図れる。 - 特許庁

The rack for specimen container includes at least one first sponge layer and a positioning determining means positioning the rack for specimen container on an apparatus, the rack for specimen container is mounted thereon.例文帳に追加

本発明に係る検体容器用ラックは、少なくとも１つの第１のスポンジ層を有し、第１のスポンジ層に、検体容器用ラックが搭載される装置に検体容器用ラックを位置決めするための位置決め手段が設けられている。 - 特許庁

CCD11 of the imaging device 2 includes a first pixel 38a and a second pixel 38b with symmetrical element structures and an LCS terminal 37 capable of independently applying voltage to an element separation layer 48 for separating respective pixels 38a, 38b.例文帳に追加

撮影装置２のＣＣＤ１１は、素子構造が対称な第一画素３８ａ、第二画素３８ｂと、各画素３８ａ、３８ｂ同士を分離する素子分離層４８に独立した電圧印加を可能とするＬＣＳ端子３７とを有する。 - 特許庁

The invention also has a circulation pump unit 21 which circulates water W among the first well section 1, the connection section 3, the second well section 2 and a methane hydrate layer G1 in a normal direction T1 or a reverse direction T2 through normal driving or reverse driving.例文帳に追加

また、正転又は逆転駆動することにより、第１井戸部１と連結部３と第２井戸部２とメタンハイドレート層Ｇ１の間で水Ｗを正逆方向Ｔ１、Ｔ２に循環させる循環ポンプユニット２１を備える。 - 特許庁

The surface light emitting element 10 is provided with a transparent substrate 11; and a first electrode 12, a light emitting layer 13 which emits a light by implanting holes and electrons, and a second electrode 14 that are formed in order on the transparent substrate 11.例文帳に追加

面発光素子１０は、透明基板１１と、透明基板１１上に順に形成された、第１の電極１２、正孔および電子を注入することにより発光する発光層１３および第２の電極１４とを備える。 - 特許庁

In the display apparatus, at least a thin-film transistor, a planarization film and a plurality of light-emitting elements are formed on a substrate, wherein each light-emitting element has at least a light-emitting layer, a first electrode and a second electrode.例文帳に追加

表示装置において、基板上に少なくとも薄膜トランジスタ、平坦化膜及び複数の発光素子が形成されており、発光素子には、少なくとも発光層と、第１の電極及び第２の電極を有している。 - 特許庁

A flat parallel surface plate 5 is placed between the beam splitter 3 and the collimator 6 to correct the spherical aberration caused by the thickness difference of the transparent substrate for the first and second information recording layer 9a, 9b of an optical disk 9.例文帳に追加

光ディスク９の第一と第二の情報記録層９ａ、９ｂに対する透明基板の厚み差異により生じる球面収差を補正するための平行平板５をビームスプリッタ３とコリメータ６との間に配置する。 - 特許庁

By setting such a mode, as compared with the embodiment in which the first and the third processes will not be carried out, the metal member that has less carbide and hydrogen in the vicinity of the interface of the metal plating layer, and the base metal part can be manufactured.例文帳に追加

このような態様とすれば、第１および第３の工程を行わない態様に比べて、めっき層と地金部の界面の近傍において炭化物と水素が少ない金属製部材を製造することができる。 - 特許庁

The panel has a sheet-shaped wave absorber 1 composed of a radio wave absorption sheet 2 on its first surface as a radio incident plane side and a reflecting layer 3 provided in a laminating way at the rear face of the radio wave absorption sheet 2, and a shallow dish-shaped cabinet 4.例文帳に追加

表て面が電波入射面側となる電波吸収シート２と電波吸収シート２の裏面に積層状に設けた反射層３とからなるシート状電波吸収体１と、浅皿状の筐体４と、を備える。 - 特許庁

A sealing resin of an integrated circuit covered with a film layer member is removed by a first step of cutting by means of a metal file or the like, a second step of cutting by means of laser irradiation, and a third step of cutting by means of compressed gas.例文帳に追加

層膜部材を被覆した集積回路の封止樹脂を、金属製やすり等による第１の掘削工程とレーザ照射による第２の掘削工程と圧搾気体による第３の掘削工程により除去する。 - 特許庁

The winding 5 takes a right-half region (between flanges 22, 26) of the tube 21 as a winding region and a flange 24 sections it into a first single-layer winding part 5a and a second multilayer winding part 5b.例文帳に追加

すなわち、巻線５は、筒部２１の右半分（鍔２２と２６の間）の領域を巻回領域とし、さらに、鍔２４によって第１巻線部に単層巻きされた部分５ａと第２巻線部に多層巻きされた部分５ｂに分けられている。 - 特許庁

In this manner, the alumina shaped body on the first alumina sintered body 21 is sintered into a dense second alumina sintered body as a support layer 12 and the electrode paste 23 is sintered into the flat-plate electrode 13.例文帳に追加

こうすることにより、第１アルミナ焼結体２１上のアルミナ成形体を焼成して支持体層１２としての緻密な第２アルミナ焼結体とすると共に電極ペースト２３を焼成して平板電極１３とすることができる。 - 特許庁

In this case, where d_1 is the diameter of pores 12a making up the first pore layer 15, at least one among the pores 12a constituting the second to the fourth pore layers 16-18 is formed with a diameter d_2 that is smaller than d_1.例文帳に追加

このとき、第１空孔層１５をなす空孔１２ａの直径をｄ_1とした場合、第２〜第４空孔層１６〜１８をなす空孔１２ａのうち少なくとも１つを直径ｄ_1よりも小さな直径ｄ_2で形成する。 - 特許庁

A surface layer of the active material particle containing a nickel oxide having a NaCl type crystal structure or second lithium nickel compound oxide and an element M not constituting a crystal structure of the first lithium nickel compound oxide.例文帳に追加

活物質粒子の表層部は、ＮａＣｌ型結晶構造を有するニッケル酸化物もしくは第２リチウムニッケル複合酸化物を含み、更に、第１リチウムニッケル複合酸化物の結晶構造を構成しない元素Ｍを含む。 - 特許庁

The electrode catalyst layer for fuel cell comprises a catalyst aggregate consisting of catalyst particles, a polymer electrolyte and first carbon particles not carrying the catalyst particles, and second carbon particles carrying the catalyst particles.例文帳に追加

燃料電池用の電極触媒層は、触媒粒子と高分子電解質と当該触媒粒子を担持していない第１の炭素粒子とからなる触媒凝集体と、触媒粒子を担持していない第２の炭素粒子とを備える。 - 特許庁

In a multilayer chip carrier with two signal redistribution fanout layers, in addition to signal escape from signal pads near the edges at the first fanout layer, remaining signal pads are moved closer to the edges of the chip footprint.例文帳に追加

２つの信号再分配ファンアウト層を有する多層チップ・キャリアでは、第１のファンアウト層において、エッジ近傍の信号パッドから信号を逃がすことに加え、残りの信号パッドをチップ・フットプリント・エッジのより近くに移動させる。 - 特許庁

When the semiconductor chip plane is observed from the upper part of the main surface of the semiconductor chip, the first re-wiring layer is extended to the outside of the relevant area exceeding the contour line of that area from the plane area of the semiconductor chip.例文帳に追加

半導体チップの主表面の上方から半導体チップを平面的に見たときに、第１再配線層は半導体チップの平面的領域内からその領域の輪郭線を越えた当該領域外へと延在している。 - 特許庁

Since the substrate having the photonic crystal improves quality of epitaxial of the first doping semiconductor layer, and further the energy of the light toward the front of the LED is increased, the luminous efficiency of the LED is effectively improved.例文帳に追加

フォトニック結晶を有する基板は前記第１型ドーピング半導体層のエピタキシャルの質を向上させるとともに、ＬＥＤの前方への光のエネルギーを高めるため、前記ＬＥＤの発光効率が有効に向上される。 - 特許庁

A laminated layer structure is formed with the first metal electrode film, the dielectric film of dielectric constant 15 or more formed using the amorphous metal oxide of BiZnNb, and the second metal electrode film in order.例文帳に追加

ポリマー基盤複合体基材上に、順次、第１金属電極膜と、ＢｉＺｎＮｂ系非晶質金属酸化物を用いて成る、誘電率が１５以上の誘電体膜と、第２金属電極膜を形成して積層構造物とする。 - 特許庁

A contact layer 3a made of titanium, a first electrode film 3 made of platinum, a piezoelectric film 4 made of PZT and a second electrode film 6 made of platinum, are formed on an ALTiC substrate 1 in order by a sputtering method.例文帳に追加

アルチック基板１の上にチタンよりなる密着層３ａと、白金よりなる第１の電極膜３と、ＰＺＴよりなる圧電体膜４と、白金よりなる第２の電極膜６をスパッタ法により順番に形成する。 - 特許庁

The oxide film 603 exposing over the semiconductor substrate 600 is removed, and a silicide film 607 is formed on the surfaces of the gate electrode 602 and first impurity diffusion layer 605, and then the sidewall 604 is removed.例文帳に追加

半導体基板６００の上に露出する酸化膜６０３を除去した後、ゲート電極６０２及び第１の不純物拡散層６０５の表面部にシリサイド膜６０７を形成し、その後、サイドウォール６０４を除去する。 - 特許庁

Then, Ar gas is flown into the sputtering chamber and a first heat-resistant metal-silicon-nitrogen layer is adhered in a sputtering manner onto the substrate from the target of heat-resistant metal silicide or two targets of heat-resistant metal and silicon.例文帳に追加

次に、Ａｒガスがスパッタリング・チャンバ内に流し込まれ、耐熱金属ケイ化物のターゲットから、または耐熱金属及びケイ素の２つのターゲットから、第１の耐熱金属−ケイ素−窒素の層が基板上にスパッタ付着される。 - 特許庁

When forming an embedded contact in the semiconductor device composed by fabricating one or more semiconductor elements on a silicon substrate 101, an interlayer insulation film 109 is formed on the entire surface of a semiconductor element layer (first process).例文帳に追加

シリコン基板１０１上に１又は複数の半導体素子が作り込まれてなる半導体装置に埋め込みコンタクトを形成するにあたり、半導体素子層の全面に層間絶縁膜１０９を形成する（第１工程）。 - 特許庁

Each of the first and second semiconductor laser elements has a ridge structure, the ridge crestal planes of the ridge structures are positioned on almost the same height from a datum surface of the semiconductor substrate layer, and these ridge structures are simultaneously formed.例文帳に追加

第１、第２の各半導体レーザ素子はそれぞれリッジ構造を有し、これらの各リッジ構造のリッジ頂面が、半導体基板層の基準面からほぼ同じ高さに位置し、これらのリッジ構造が同時に形成される。 - 特許庁

Dots of marking particles of corresponding colors relating to a color separation image are disposed adjacently to each other so that a first layer of the marking particles is prepared, unless a printing area corresponding to image portions to be duplicated is covered sufficiently.例文帳に追加

色分解画像に関連した対応色のマーキング粒子のドットは、複製される画像部分に対応する印刷エリアが十分に覆われない限り、第１のマーキング粒子の層を作成するように互に隣接して配置される。 - 特許庁

In addition, the luminescent layer 5 includes a first dopant of a material capable of converting tripet excitation energy to luminescence having a prescribed color, and a second dopant of a material capable of converting singlet excitation energy to luminescence having a prescribed color.例文帳に追加

また、発光層５は、三重項励起エネルギーを所定の色の発光に変換しうる材料からなる第１のドーパントと、一重項励起エネルギーを所定の色と同じ色の発光に変換しうる材料からなる第２のドーパントとを含む。 - 特許庁

The first transparent layer 11 is constituted of a crosslinked resin material containing a polyurethane polyurea resin, an acrylic copolymer and an aminoplast resin, excellent in weatherability, heat resistance, chipping resistance or the like and provided for an antistaining purpose.例文帳に追加

第一の透明層１１は、ポリウレタンポリ尿素樹脂と、アクリル共重合体と、アミノプラストとを含有する架橋された樹脂材料によって構成され、耐候性、耐熱性、耐チッピング性等に優れ、防汚用に設けられるのに適する。 - 特許庁

On the surface of the first compound semiconductor layer 22, to which the surface treatment using the nitrogen plasma has been performed, a gate electrode 38 is formed and a recessed HEMT 10 equipped with a gate electrode having superior Schottky characteristics is formed.例文帳に追加

この窒素プラズマを用いた表面処理を行った第１化合物半導体層２２の表面上にゲート電極３８を形成し、良好なショットキ特性を有するゲート電極を具えたリセス型ＨＥＭＴ１０を形成する。 - 特許庁

A sensing element 10 or detector activated by radiation comprises a first scintillator 12 excited by gamma radiation, and a neutron detecting layer 16, comprising a second scintillator 14 excited by neutron radiation.例文帳に追加

ガンマ放射線によって励起される第１のシンチレータ（１２）と、中性子放射線によって励起される第２のシンチレータ（１４）を含む中性子検出層（１６）とを含む、放射線によって励起される検出素子（１０）または検出器。 - 特許庁