「First layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(444ページ目) - Weblio英語例文検索

Each electrically connected section is a part of a second wiring 29, and an insulation layer 34 is formed between the sections other than the electrically connected sections 24, 26, and 28 in the second wiring pattern 22 and the first wiring pattern 12.例文帳に追加

各電気的接続部は、第２の配線２９の一部であって、第２の配線パターン２２における電気的接続部２４，２６，２８以外の部分と第１の配線パターン１２との間に、絶縁層３４が形成されている。 - 特許庁

The first groove 26 and the second groove 25 whose depth are different from each other are formed using a resist layer and a detachable mask member based on the fact that they don't adversely affect each other even if they are used redundantly.例文帳に追加

このような深さの異なる第１の溝２６および第２の溝２５は、レジスト層と着脱自在のマスク部材とを用い、これらを重複して使用しても相互に悪影響を及ぼさないことを利用して形成される。 - 特許庁

A photoresist is coated and left through a gate insulation film on one face of the wafer divided by the gate electrode, and a first impurity layer 6 is formed while being masked by a resist 5a and implanted by a N-type impurity As+.例文帳に追加

フォトレジストを塗布しゲート絶縁膜を介しゲート電極を境にして基板面の一方だけにレジストを残して、このレジスト５ａをマスクにしＮ型不純物Ａｓ^＋を注入して第１不純物層６を形成する。 - 特許庁

The second resonator 28 penetrates an electrode 42, formed penetrating the principal surface of the fourth dielectric layer S4, and the first to third dielectric layers S1-S3, and has a via hole 44 which connects the electrode 42 and the ground electrode 18.例文帳に追加

第２の共振器２８は、第４の誘電体層Ｓ４の主面に形成された電極４２と、第１〜第３の誘電体層Ｓ１〜Ｓ３を貫通し、且つ、電極４２とアース電極１８とを接続するビアホール４４とを有する。 - 特許庁

In the semiconductor laser, an active layer 4 is provided inside an element body 5, a first electrode 6 is formed on an upper surface of the element body 5, and a second electrode 7 and a third electrode 8 are formed on a lower surface of the element body 5.例文帳に追加

素子本体５の内部に活性層４が設けられると共に、素子本体５の上面には第１の電極６が形成され、素子本体５の下面には第２の電極７、及び第３の電極８が形成されている。 - 特許庁

When it is assumed that there is little propagation path fluctuation of a mobile terminal for performing MIMO transmission, an OCC is used to separate a first layer and the other layers among three layers, and the second and third layers are separated by a cyclic shift.例文帳に追加

ＭＩＭＯ伝送を行なう移動端末の伝搬路変動はほとんどないと考えると、３つのレイヤの内、第１レイヤとその他のレイヤの分離にＯＣＣを用い、第２および第３レイヤはサイクリックシフトによって分離させる。 - 特許庁

A first heating resistor 13a, a second heating resistor 13b, and a third heating resistor 13c are divided in the sub-scanning direction of the thermal head and are arranged in parallel to the main scanning direction on a glaze layer 12 on a substrate 11.例文帳に追加

支持基板１１上のグレーズ層１２に第１の発熱抵抗体１３ａ、第２の発熱抵抗体１３ｂ、第３の発熱抵抗体１３ｃがサーマルヘッドの副走査方向に分割され、その主走査方向に並行に配設される。 - 特許庁

The multicolor layer 1001 forming the laminate structure 1000 has a structure such that a photo-curing ink of first color spreads across a predetermined range and a photo-curing ink of second color surrounds a predetermined range on the outer periphery thereof.例文帳に追加

積層構造１０００を形成する複数色層１００１は、第１の色の光硬化型インクが所定の範囲に亘って拡がり、その外周の所定の範囲を第２の色の光硬化型インクが囲う構造をしている。 - 特許庁

A band layer 7 comprises: a first band ply piece 7A arranged on the left side of a tire equator C in a front view seen from a tread face side with a tire shaft core made horizontal; and a second band ply piece 7B arranged on the right side of the tire equator C.例文帳に追加

バンド層７は、タイヤ軸芯を水平としたトレッド面側から見た正面視において、タイヤ赤道Ｃよりも左側に配される第１のバンドプライ片７Ａと、右側に配される第２のバンドプライ片７Ｂとからなる。 - 特許庁

A first electrode 1001 and a second electrode 103 are facing each other through an air gap 1011 and an insulation layer 124, and the partition wall 1012 defines the outer periphery of the air gap 1011 and supports the diaphragm 121 movably.例文帳に追加

第１の電極１００１と第２の電極１０３が、空隙部１０１１及び絶縁層１２４を介して対向しており、隔壁部１０１２は空隙部１０１１の外周を画して振動板１２１を可動に支持する。 - 特許庁

When drainage containing mud or the like flows into the structure 1a, the mud is accumulated in the second structure 20, and the first permeable structure 10a and a permeable (infiltrating) crushed stone layer 92 at the outside can suppress plugging.例文帳に追加

泥などを含む排水が構築物１ａに流入すると、泥は第２の構造体２０に溜まり、透水性の第１の構造体１０ａおよびその外側の透水性（浸透性）の砕石層９２が目詰まりするのを抑制できる。 - 特許庁

The third nitride-semiconductor layer 124 has a p-type impurity and is formed in between the first ohmic electrode 131 and the Schottky electrode 132, as well as, selectively formed so as to be in contact with the Schottky electrode 132.例文帳に追加

第３の窒化物半導体層１４１は、ｐ型の不純物を含み第１のオーミック電極１３１とショットキー電極１３２との間に形成され且つショットキー電極１３２と接するように選択的に形成されている。 - 特許庁

The lithium battery electrode body 1 contains a current collector electrode 2 and an electrode mixture layer 3 in which a plurality of first particles 4 containing an electrode active material and a plurality of second particles 5 containing a solid electrolyte are mixed.例文帳に追加

集電極２と、電極活物質を含む複数の第１粒子４と固体電解質を含む複数の第２粒子５とが混合されてなる電極合材層３と、を含んでなるリチウム電池用電極体１である。 - 特許庁

A pixel of the liquid crystal display device includes a liquid crystal layer 30 including a nematic liquid crystal material having negative dielectric anisotropy, a first electrode 20A1, a second electrode 20A2 and a pair of vertical alignment layers 21A1 and 21A2.例文帳に追加

本発明の液晶表示装置の画素は、誘電異方性が負のネマチック液晶材料を含む液晶層３０と、第１電極２０Ａ１と、第２電極２０Ａ２と、一対の垂直配向膜２１Ａ１、２１Ａ２とを備える。 - 特許庁

To provide a superjunction Schottky barrier diode including a parallel p-n layer where a first-conductivity region and a second-conductivity region are alternately arranged, the Schottky barrier diode relaxing a surface electric field and reducing a leakage current.例文帳に追加

第一導電型領域と第二導電型領域とを交互に配置した並列ｐｎ層を備える超接合ショットキーバリアダイオードにおいて、表面電界を緩和し、漏れ電流の低減するショットキバリアダイオードを提供する。 - 特許庁

To suppress sticking of toner to the electrode member of a layer thickness regulating member 25Y further than that in the conventional art, while suppressing developing concentration irregularity caused by adhesion of the toner to the surface of a first developing sleeve 21Y or a second developing sleeve 51Y.例文帳に追加

第１現像スリーブ２１Ｙや第２現像スリーブ５１Ｙの表面に対するトナー付着に起因する現像濃度ムラを抑えつつ、層厚規制部材２５Ｙの電極部材に対するトナー固着を従来よりも抑える。 - 特許庁

The dielectric layer 107 is provided with a plate electrode 701 which is connected to the first balanced terminal Pb1 and a plate electrode 702 which is connected to the second balanced terminal Pb2, both in opposition to the plate electrode 601.例文帳に追加

誘電体層１０７には、第１平衡端子Ｐｂ１に接続する平板電極７０１と、第２平衡端子Ｐｂ２に接続する平板電極７０２とが、それぞれ平板電極６０１に対向するように形成されている。 - 特許庁

A wiring layer 23 is formed to extend over the rear surface of the semiconductor chip 50, i.e. over the first semiconductor region 50A and the second semiconductor region 50B, while being connected with pad electrodes 11 and 11 through the via hole 21.例文帳に追加

そして、ビアホール２１を通してパッド電極１１，１１に接続し、半導体チップ５０の裏面、即ち、第１の半導体領域５０Ａ及び第２の半導体領域５０Ｂ上に延びる配線層２３が形成されている。 - 特許庁

The optical multilayer film 3 is deposited and formed in an optical member 2, and a second optical member 5 is adhered to an optical multilayer film adhesion surface 2a in the first optical member 2 via a photo- setting type adhesive layer 4.例文帳に追加

光学多層膜３は第１の光学部材２に被着形成されており、第１の光学部材２の光学多層膜被着面２ａには光硬化型接着剤層４を介して第２の光学部材５が接着されている。 - 特許庁

In the resonator, first and second conductors 13, 14 sandwich the resonance tunnel diode 11 and a resistive layer 12 in a direction nearly vertical to an in-plane direction of the resonance tunnel diode 11.例文帳に追加

まず、本発明に係る共振器は、第１の導体１３と第２の導体１４とで、共鳴トンネルダイオード１１の面内方向に対して略垂直な方向に、該共鳴トンネルダイオード１１と抵抗層１２とを挟み構成される。 - 特許庁

In the submount substrate 4, an element mounting land 7 for mounting the surface emission semiconductor laser element 2 is formed on the element mounting surface 6 and a first air layer forming recess 11 is formed on the underside of the element mounting land 7.例文帳に追加

サブマウント基板４は、面発光型半導体レーザ素子２が実装される素子実装ランド７が素子実装面６に形成されると共に、素子実装ランド７の下側に、第１の空気層形成凹部１１が形成される。 - 特許庁

The core melt holding device is provided below a reactor pressure vessel and includes a cooling layer containing a first material of which the melting point or the boiling point is lower than the temperature of the core melt.例文帳に追加

原子炉圧力容器の下方に設けられる炉心溶融物の保持装置であって、前記保持装置は、炉心溶融物の温度より、融点又は沸点の低い第１の材料を含む冷却層を具えるようにして構成する。 - 特許庁

The BAW resonator includes a piezoelectric layer 102, a first electrode 104 on a front surface, a second electrode 106 on the opposite surface, a substrate 108, and an acoustic reflector 110 provided between the substrate 108 and the second electrode 106.例文帳に追加

ＢＡＷ共振器は、圧電層１０２と、表面上の第１電極１０４、反対面の第２電極１０６、及び基板１０８と、基板１０８と第２電極１０６との間の音響反射器１１０で構成される。 - 特許庁

The glue rubber of the tooth part rubber layer 2 and the internal and external glue rubber layers 5 and 6 are formed by blending a first rubber component formed of nitrile rubber hydride with a second rubber component (peroxide cross-link) formed by adding zinc methacrylate to the nitrile rubber hydride.例文帳に追加

歯部ゴム層２と内側及び外側糊ゴム層５，６との糊ゴムは、水素化ニトリルゴムからなる第１のゴム成分と、水素化ニトリルゴムにメタクリル酸亜鉛を添加した第２のゴム成分（パーオキサイド架橋）とをブレンドしたものである。 - 特許庁

Under the electrode-connecting conductive connection part 23, an insulating layer 21 is formed by using an insulating resin material paste, such as epoxy resin, for short circuit prevention between the electrode-connecting conducting connection part 23 and the first conductive part 15.例文帳に追加

電極接続用導電性接続部２３の下部には、電極接続用導電性接続部２３と第１の導電部１５との短絡防止用にエポキシレジン等の絶縁樹脂材料ペーストを用いて絶縁層２１を形成する。 - 特許庁

To provide a novel organic EL (Electroluminescence) element capable of forming an auxiliary electrode for reducing wire resistance on the first electrode layer, without increasing the number of processes, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

本発明は、工程数を増やすことなく、第１電極層上に配線抵抗を低減するための補助電極を形成することが可能な、新規な有機ＥＬ素子およびその製造方法を提供することを主目的とする。 - 特許庁

Accordingly, even if impurities for forming the first and second source/drain regions 119A, 119B are injected, since the amorphous silicon layer 110 becomes a barrier of the impurities, generation of channeling is prevented.例文帳に追加

これにより、上記第１，第２のソース／ドレイン領域１１９Ａ，１１９Ｂを形成するための不純物の注入を行っても、非晶質化シリコン層１１０がその不純物の障壁となるので、チャネリングの発生を防ぐことができる。 - 特許庁

In the method to produce magnetic head, there are formed a first soft magnetic layer, conductor wire/coil, a second soft magnetic film and dielectric film with each prescript shapes in order, by sputtering and ion- milling processing, on an insulated substrate.例文帳に追加

本発明の磁気ヘッド製造方法では、絶縁体基板の上に、スパッタリングとイオンミリング処理により、それぞれ所定の形状の、第１の軟磁性層、導体線、導体コイル、第２の軟磁性膜及び誘電体膜を順次形成する。 - 特許庁

When a local impact force P2 acts upon the range where the formation density of the slits 7 is low, the impact force is dispersed to a wide region and is transmitted to the first layer 3 in the whole range corresponding to the wide region.例文帳に追加

スリット７の形成密度が低い範囲に局部的な衝撃力Ｐ２が作用すると、広い領域に衝撃力が分散し、その広い領域に対応する範囲全体で衝撃力が第１層３へと伝わる。 - 特許庁

After that, a feed gas for semiconductor crystal growth such as a GaN-family compound semiconductor is supplied to the substrate, and crystal growth is simply carried out from the upper part of the projection part 11, thus forming a first semiconductor layer 2.例文帳に追加

その後、この基板に例えばＧａＮ系化合物半導体などの半導体結晶成長用の原料ガスを供給し、凸部１１の上方部から専ら結晶成長させることで第１の半導体層２を形成する。 - 特許庁

Since the resist material permeated to the gap of the etching layer 13 is prevented, by the surface tension of itself, from flowing out on the inner wall face of the first groove 15, the cathode portion 12 is prevented from being covered with the resist material.例文帳に追加

エッチング層１３の隙間に浸透したレジスト材は第一の溝１５の内壁面で、レジスト材自身の表面張力により、流れ出すことが防止されるため、レジスト材によって陰極部１２が被われることを防止する。 - 特許庁

Further, the filter has an advantage in which desired filter characteristics can be designed by determining an exact inductance value by forming a conductive layer between the coils to shield mutual interference between the first and second coils.例文帳に追加

さらに、本発明は、前記コイルの間に第１および第２コイル間の相互影響を遮断すべく導体層を形成することによって正確なインダクタンス値を求め、所望のフィルター特性を設計できるという利点がある。 - 特許庁

Wiring to be connected to the first electrode diffusion layer is formed to form a cathode terminal KT, while wiring to be commonly connected with the second and third electrode diffusion layers 222 and 23 is formed to form an anode terminal AT.例文帳に追加

第１電極用拡散層２２１に接続される配線を形成してカソード端子ＫＴとし、第２電極用拡散層２２２と第３電極用拡散層２３が共通接続される配線を形成してアノード端子ＡＴとする。 - 特許庁

A second interlayer insulation film is formed on the first interlayer insulation film where the barrier metal layer is formed, a second contact hole is formed at the upper part of the barrier metal film of the film, and a plug is formed there through selective CVD.例文帳に追加

そのバリヤ金属層を形成させた第１層間絶縁膜の上に第２層間絶縁膜を形成させ、その膜のバリヤ金属層の上側の部分に第２コンタクトホールを形成させ、そこに選択的ＣＶＤでプラグを形成させる。 - 特許庁

After impurities are implanted toward a front layer of the semiconductor substrate 1 having the gate structure 13 on which the first heat treatment takes place, a non-monocrystal silicon film 18 without impurities added is provided to cover the gate structure 13.例文帳に追加

この第１の加熱処理が施されたゲート構造１３を有する半導体基板１の表層部に向けて不純物を注入した後、ゲート構造１３を覆って不純物無添加の非単結晶シリコン膜１８を設ける。 - 特許庁

In the first wet oxidation process, wet oxidation at a treatment temperature of about 875°C is performed to an exposed surface of an epitaxial layer 1b through an aperture part 18a of a silicon nitride film 18, and a thin oxide film 6a is formed.例文帳に追加

第１のウエット酸化工程では、エピタキシャル層１ｂの露出面に対して、窒化シリコン膜１８の開口部１８ａを通して約８７５℃の処理温度でのウエット酸化を施すことにより薄い酸化膜６ａを形成する。 - 特許庁

The adhesive layer 17 is constituted by centering a sheet-shaped base material 18 comprising a PET, coating the first silicone-based adhesive 19 on the upper surface thereof, and coating the second acrylic adhesive 20 on the lower surface thereof.例文帳に追加

接着層１７は、ＰＥＴよりなるシート状の基材１８を中心として構成され、その上面にシリコーン系の第１の接着剤１９が塗布され、その下面にはアクリル系の第２の接着剤２０が全面に塗布されている。 - 特許庁

In the etching of this polysilicon layer, moreover, the first part of the gate interconnect region is formed in the trench part of the termination area, and the second part of the gate interconnect region is formed outside the trench in the termination area.例文帳に追加

このポリシリコン層のエッチングは、また、前記ゲートインターコネクト領域の第一部分を前記ターミネーションエリアの前記トレンチ部分に形成し、ゲートインターコネクト領域の第二部分を前記ターミネーションエリアにおける前記トレンチの外側に形成する。 - 特許庁

A semiconductor device has W via plugs 106 filled in vias 105 which pierces a second layer insulation film 104, an Al alloy upper wiring 103, a first insulation film 102 and an Al alloy lower wiring 101.例文帳に追加

第２の層間絶縁膜１０４，Ａｌ合金上層配線１０３，第１の層間絶縁膜１０２及びＡｌ合金下層配線１０１を貫通するヴィアホール１０５にＷヴィアプラグ１０６が埋め込み形成されている。 - 特許庁

A charge accumulation film and a gate electrode 105 are formed on a semiconductor layer, and two first conductivity diffusion regions A and B are formed in semiconductor layers on both sides of a channel region formed below the gate electrode 105.例文帳に追加

半導体層上に電荷蓄積膜とゲート電極１０５を形成し、ゲート電極１０５の下部に形成されたチャネル領域の両側の半導体層に２つの第１導電型の拡散領域Ａ及びＢを形成する。 - 特許庁

A data line and a drain electrode having a source electrode, separate from each other, are formed on the first semiconductor, and a protection layer having a contact hole exposing the drain electrode and an opening exposing the second semiconductor is formed.例文帳に追加

その後、第１半導体上に、互いに分離され、ソース電極を有するデータ線及びドレイン電極を形成し、ドレイン電極を露出させる接触孔と第２半導体を露出させる開口部とを有している保護膜を形成する。 - 特許庁

The p^+ collector layer 8 is uniformly formed by performing second laser irradiation and thereby activating a region 21 where the particle 20 is adhered before first laser irradiation as well as a region where the particle 20 is not adhered.例文帳に追加

そして、２台目のレーザーを照射することで、１台目のレーザー照射前にパーティクル２０が付着していた領域２１もパーティクル２０が付着していない領域と同様に活性化し、ｐ^+コレクタ層８を均一に形成する。 - 特許庁

The next thread selecting logic connected between the thread state storage of the first layer and the state of a processor under execution selects the next thread to be executed by the processor from the limited number of executable thread register states.例文帳に追加

第１の層のスレッド状態ストレージと現在実行中のプロセッサの状態の間に結合された次スレッド選択論理は、限定された数の実行可能なスレッド・レジスタ状態からプロセッサで実行するために次のスレッドを選別する。 - 特許庁

When a voltage applying means 30 applies a voltage between the first transparent electrode 14 and the second transparent electrode 15, the liquid crystal of the liquid crystal layer 13 is realigned so as to make refractive index distribution form a concave lens.例文帳に追加

電圧印加手段３０によって第１の透明電極１４と、第２の透明電極１５との間に電圧を印加すると、屈折率分布が凹レンズを形成するように液晶層１３の液晶が再配向される。 - 特許庁

A mass ratio of the lithium-cobalt composite oxide of the first positive electrode layer 12 to the mass of the whole positive electrode active material is 20-60 mass%, and surface resistance of the positive electrode 10 is 155 Ω or more.例文帳に追加

第１正極層１２のリチウム−コバルト複合酸化物の質量比率は全正極活物質の質量に対して２０質量％以上６０質量％以下で、正極１０の表面抵抗は１５５Ω以上である。 - 特許庁