「First layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(440ページ目) - Weblio英語例文検索

Subsequently, the dried first coating layer is brought into contact with a second aqueous coating composition containing an aqueous solution or dispersion of a hydrophilic polymer having organic acid functional groups, and the combined coatings are dried to effectuate bonding of the hydrophilic polymer and the polymer of the first coating composition through the crosslinking agents.例文帳に追加

次いで、該乾燥した第一の被覆層を、有機酸官能基をもつ親水性ポリマーの水性溶液または分散液を含む第二の水性被覆組成物と接触させ、これらの組み合わせた被膜を乾燥して、該架橋剤を介して、該親水性ポリマーと該第一被覆組成物のポリマーとを結合させる。 - 特許庁

A capacitor element 12 is configured by a pair of conductive layers 14, 16, a plurality of dielectric materials 18 substantially in the form of a tube, a first electrode 20 on the outside of the dielectric material 18 and a second electrode 24 inside the dielectric material 18, and an insulating cap 28 that insulates the first electrode 20 from the conductive layer 14.例文帳に追加

コンデンサ素子１２は、一対の導電体層１４，１６と、複数の略チューブ状の誘電体１８と、該誘電体１８の外側の第１電極２０及び内側の第２電極２４と、前記第１電極２０と導電体層１４を絶縁する絶縁キャップ２８により構成されている。 - 特許庁

This semiconductor device includes first and second wiring layers L4, L5 each having a hollow structure and stacked vertically so as to be adjacent to each other on a semiconductor substrate S, a dummy pattern P formed in the first wiring structure L4 and not working as a signal line, and a conductive pattern P formed in the second wiring layer L5.例文帳に追加

本発明の例に係る半導体装置は、半導体基板Ｓ上に互いに上下に隣接してスタックされる中空構造の第１及び第２配線層Ｌ４，Ｌ５と、第１配線層Ｌ４内に形成され、信号線として機能しないダミーパターンＰと、第２配線層Ｌ５内に形成される導電パターンＰとを備える。 - 特許庁

Further, information is recorded in a second rotational direction opposite to the first rotational direction when viewed from a second surface 30A side by irradiating a second recording/reproducing layer 34 with a second recording/reproducing beam 170B while performing tracking control using the serve layers 18 and 20 common to the first recording operation (a second recording operation).例文帳に追加

また、この第１記録動作と共通のサーボ層１８、２０を用いてトラッキング制御を行いながら、第２記録再生層３４に対して第２記録再生用ビーム１７０Ｂを照射して、第２表面３０Ａ側から視て、第１回転方向と反対の第２回転方向に情報の記録を行う（第２記録動作）。 - 特許庁

Then, a first conductive isolation diffusion area 4 which reaches the semiconductor substrate 1 from the front surface of the n^--type semiconductor layer 2 is formed, and an Al metal film 7 e.g. is formed in ohmic contact with the surface of the isolation diffusion area 4 to be electrically connected with the first electrode 5.例文帳に追加

そして、ｎ^−形半導体層２表面から半導体基板１に達する第１導電形アイソレーション拡散領域４が形成され、そのアイソレーション拡散領域４の表面にオーミック接触するように、たとえばＡｌ金属膜７が設けられることにより、第１電極５と電気的に接続している。 - 特許庁

The semiconductor device has first level conductor layers 111-115 and a second level conductor layer 101 formed on a semiconductor substrate, an interlayer insulation film interposed between the first and second level conductor layers, and a plurality of through holes 121, 122 formed by opening the interlayer insulation film and applying the conductor therein.例文帳に追加

半導体基板上に形成された第１のレベルの導体層１１１〜１１５および第２のレベルの導体層１０１と、それらの第１、第２のレベルの導体層の間に介在する層間絶縁膜と、層間絶縁膜を開口して形成され、導電体が埋め込まれた同一レベルの複数のスルーホール１２１、１２２とを有する。 - 特許庁

A method for producing a thin polarizing film includes a step of producing a laminate by forming a polyvinyl alcohol resin layer on a thermoplastic resin base material after drawing the thermoplastic resin base material in a first direction, and a step of contracting the laminate in the first direction and drawing in a second direction.例文帳に追加

本発明の薄型偏光膜の製造方法は、熱可塑性樹脂基材を第１の方向に延伸した後、この熱可塑性樹脂基材上にポリビニルアルコール系樹脂層を形成して積層体を作製する工程と、積層体を第１の方向に収縮させて、第２の方向に延伸する工程とを含む。 - 特許庁

A sealing main body part 62 inserted between a solid polymer electrolyte film 36 and the first metal separator 14, and a flow channel forming part 64 inserted between the gas diffusion layer 42b and the first metal separator 14, forming a part of an oxidizing gas flow channel 46, are integrally arranged in the sealing member 60.例文帳に追加

このシール部材６０は、固体高分子電解質膜３６と第１金属セパレータ１４との間に挿入されるシール本体部６２と、ガス拡散層４２ｂと前記第１金属セパレータ１４との間に挿入され、かつ酸化剤ガス流路４６の一部を形成する流路形成部６４とを一体的に設けている。 - 特許庁

The master disk for optical disk has a substrate 10 having a polished surface, a first underlayer 11 formed on the polished surface of the substrate 10, a second underlayer 12 formed on the substrate 10 so as to cover the first underlayer 11 and an inorganic resist layer 13 formed on the second underlayer 12.例文帳に追加

表面を研磨した基板１０と、基板１０の研磨した面上に形成された第１下地層１１と、基板１０上に、第１下地層１１を覆うように形成された第２下地層１２と、第２下地層１２上に形成された無機レジスト層１３とを有する光ディスク用原盤である。 - 特許庁

The display apparatus has a liquid crystal material 11 held between a first transparent substrate 12 disposed in a front light 5 side and a second transparent substrate 13 opposing to the first substrate, wherein a transflective layer 18 is formed in the liquid crystal material side of the second transparent substrate 13 to allow images in similar colors to be observed through the front and the back faces.例文帳に追加

フロントライト５の側に配置された第１透明基板１２とこれに対向する第２透明基板１３との間に液晶材１１を挟持したもので、第２透明基板１３の液晶材側の面に半透過反射層１８を形成して、表裏から同様の色彩の画像を観察できるようにする。 - 特許庁

The semiconductor layer 2, in plane view, includes a first area 2c piled on the gate electrode 4, a second area which is adjacent to the outside of the first area 2c and is piled on the side wall films 6a, and a third area which is adjacent to the outside of the second area and is directly connected with the source electrode 7 or the drain electrode 8.例文帳に追加

半導体層２は、平面視において、ゲート電極４と重なる第１領域２ｃと、第１領域２ｃの外側に隣接し、かつサイドウォール膜６ａと重なる第２領域と、第２領域の外側に隣接し、かつソース電極７またはドレイン電極８と直接接続されている第３領域とを含む。 - 特許庁

A turbine engine component 50 includes a first side 64 and an opposite second side 66, at least one capillary 84 positioned adjacent to an external surface 88 of at least one of the first and second sides, and at least one composite layer 90 securing the at least one capillary to the component.例文帳に追加

タービンエンジン部品（５０）は、第１の側部（６４）と、相対する第２の側部（６６）と、前記第１および第２の側部のうちの少なくとも１つの外面（８８）に隣接して配置された少なくとも１つの毛細管（８４）と、少なくとも１つの前記毛細管を前記部品に固定する複合材層（９０）とを有する。 - 特許庁

After a metal wiring pattern 101 is formed on a semiconductor substrate 100, a first adhesive layer 102 composed of a siloxane-contained fluorinated organic film is deposited on the semiconductor substrate 100 by a plasma CVD method which uses a first source gas composed of a mixed gas of C_4F_8/CH_4/vinyltrimethoxysilane.例文帳に追加

半導体基板１００の上に金属配線パターン１０１を形成した後、Ｃ_４Ｆ_８／ＣＨ_４ ／ビニルトリメトキシシランの混合ガスからなる第１の原料ガスを用いるプラズマＣＶＤ法により、半導体基板１００の上にシロキサン含有フッ素化有機膜からなる第１の密着層１０２を堆積する。 - 特許庁

A cord reinforcing layer 22 is formed outside a tire of a carcass 14 installed to a pneumatic tire 10 in such a manner that a first end 28 is positioned in a first region A1 between a vertical line L1 and a vertical line L2 and a second end 30 is positioned in a second region A2 between a vertical line L3 and a vertical line L4.例文帳に追加

空気入りタイヤ１０に設けられたカーカス１４のタイヤ外側には、第一端部２８が垂線Ｌ１と垂線Ｌ２との間の第一領域Ａ１に位置し、第二端部３０が垂線Ｌ３と垂線Ｌ４との間の第二領域Ａ２に位置するように、コード補強層２２が設けられている。 - 特許庁

An actuator comprises a fixing part, an oscillation part oscillatably supported by the fixing part, and an operation part that is supported by the oscillation part and has first and second electrodes formed on both respective surfaces or one surface of a deformable layer, and keeps the first electrode at a constant potential and controls the potential of the second electrode variable.例文帳に追加

アクチュエータは、固定部と、その固定部に振動可能に支持される振動部と、その振動部によって支持され、変形可能層の両面にそれぞれ又は片面に形成された第１及び第２電極を有する作動部とを有し、第１電極を一定電位に保持するとともに第２電極の電位を可変に制御する。 - 特許庁

A plurality of lines of positive electrodes 2 are formed in vertical direction in a display region A in which a pixel is formed on one face of a transparent first substrate 1, and an organic layer 3 is laminated on the positive electrode 2, and furthermore a negative electrode 4 is formed in belt form in a direction crossing at right angles the first electrode 2.例文帳に追加

透光性の第１基板１の一面で、画素が形成される表示領域Ａ内に陽極電極２が複数本縦方向に形成され、その陽極電極２上に有機層３が積層され、さらに陰極電極４が第１電極２と直交する方向に帯状に形成されている。 - 特許庁

This is the manufacturing method of the organic EL element including a process of forming a first electrode at a flexible base body, a process of forming a spacer on a light emitting face after the process of forming the first electrode, a process of forming an organic layer after the process of forming the spacer, and a process of forming a second electrode.例文帳に追加

フレキシブル基体に第１の電極を形成する工程と、第１の電極を形成する工程の後に、発光面にスペーサを形成する工程と、スペーサを形成する工程の後に、有機層を形成する工程と、第２の電極を形成する工程とを含む有機ＥＬ素子の製造方法。 - 特許庁

On a boundary between adjacent ceramic wiring boards, a first break groove 13 is formed from the first principal plane 1A side, and a bottomed hole 15 which is opened on the second primary plane 1B side and is formed on its inner face 15B with a metallized layer 7 is formed, being stretched over the adjacent ceramic wiring boards 1.例文帳に追加

隣接するセラミック配線基板１同士の境界上には、第１主面１Ａ側から形成した第１ブレイク溝１３を有し、また、隣接するセラミック配線基板１間に跨り、第２主面２Ｂ側に開口し、内壁面１５Ｂにメタライズ層７が形成された有底孔１５を有する。 - 特許庁

The second tapered shape T2 is formed at the end of the external semiconductor 13, by tapering and cutting a shoulder at the end of the external semiconductor layer 13 so as to leave only the tip of the first tapered shape T1, and has axis line which is longer, in other words, with a gentler slope than the first tapered shape.例文帳に追加

次に外部半導電層１３の端部の肩の部分を、第一のテーパー形状Ｔ１の先端部だけが残るようにテーパー状に削り取って、外部半導電層１３の端部に第一のテーパー形状よりも軸線の長さが長い（つまり勾配のゆるい）第二のテーパー形状Ｔ２を形成する。 - 特許庁

With the press mold 35, the first and second molds 27, 29 heated, a rigid rubber block 39 is mounted on the first and second packing channels 27d, 29c, the press mold 35 is pressed to pack the block in the channels 27d, 29c, and a cushioning layer is formed on the periphery of the metal fitting main body.例文帳に追加

押圧金型３５並びに第１、２の金型２７、２９を加熱した状態下で、第１、第２の充填溝２７ｄ、２９ｂ上に硬質ゴム塊３９を乗せて押圧金型３５を加圧して第１、第２の充填溝２７ｄ、２９ｂに充填し、金具本体７の外周に緩衝層を形成する。 - 特許庁

A connecting body 4 in which an aluminum layer 43 is provided between the first and second resin films 41 and 45 is arranged along a contacting part of both end faces of the laminated body 3, and both side parts of the first resin film 41 consisting of the same resin as that of the outside resin film 31 are welded to both end parts of the outside resin film 31.例文帳に追加

第１、第２樹脂フィルム４１，４５の間にアルミニウム層４３が設けられた接合体４を積層体３の両端面の接触部に沿って配置し、外側樹脂フィルム３１と同一の樹脂からなる第１樹脂フィルム４１の両側部を外側樹脂フィルム３１の両端部に溶着する。 - 特許庁

In the semiconductor chips other than the uppermost layer, a first conductive material 28 electrically connecting from the top surface to the input part of the semiconductor chip is formed, and the input parts of respective semiconductor chips are electrically connected, by a first conductive material, to one another and to the input terminal.例文帳に追加

最上層以外の半導体チップは、その半導体チップの上面から入力部まで電気的に接続する第１の導電材料２８が形成されており、各半導体チップの入力部は、第１の導電材料によって互いに電気的に接続されるとともに入力端子に接続されている。 - 特許庁

A magnetic field induced at the region by at least one of the first conductive pattern or the second conductive pattern is stronger than a magnetic field induced at an another region between a first conductive layer and a second conductive layer, by at least one of the first conductive pattern or the second conductive pattern.例文帳に追加

インダクタ装置は、基板の第一の層の上の第一の導電性パターンと、基板の第二の層の上の第二の導電性パターンと、少なくともひとつの穴が前記第一の層と第二の層の間で連結される領域と、を備え、第一の導電性パターンまたは第二の導電性パターンのうちの少なくともひとつによって上記領域において誘起される磁場が、第一の導電性パターンまたは第二の導電性パターンうちの少なくともひとつによって第一の導電層と第二の導電層の間の別の領域において誘起される磁場より強力である。 - 特許庁

The liquid crystal panel comprises a liquid crystal cell, a first polarizer arranged on one side of the liquid crystal cell, a second polarizer arranged on the other side of the liquid crystal cell, and at least two optical compensation layers including a first optical compensation layer and a second optical compensation layer arranged between the first polarizer and the second polarizer.例文帳に追加

本発明の液晶パネルは、液晶セルと；該液晶セルの一方の側に配置された第１の偏光子と；該液晶セルの他方の側に配置された第２の偏光子と；該第１の偏光子と該第２の偏光子との間に配置された、第１の光学補償層および第２の光学補償層を含む少なくとも２つの光学補償層とを備え、該第１の光学補償層が、光弾性係数の絶対値が４０×１０^−１２（ｍ^２／Ｎ）以下であり、かつ、下記式（１）および（２）の関係を有し、該第２の光学補償層が、下記式（３）および（４）の関係を有する、液晶パネル。 - 特許庁

The electron transmitting layer has the second area between the luminous layer and the first area, and a substance having a polycyclic condensed ring is contained in the first area, and the substance having the ploycyclic condensed ring is not contained in the second area.例文帳に追加

上記課題を解決する為の薄膜発光素子の構成は、電極間に少なくとも電子輸送層、発光物質を含む発光層、第１の領域、及び第２の領域を有し、前記電子輸送層は、前記発光層と前記第１の領域との間に前記第２の領域を有し、前記第１の領域は多環縮合環を有する物質が含まれており、前記第２の領域には前記多環縮合環を有する物質が含まれていないことを特徴とする。 - 特許庁

The data processing chip includes a plurality of dice, the die including a plurality of processor units and at least the second die including at least one data storage memory device, the first and second dice arranged so that, for each of at least a subset of the processor units provided in a first layer, a dedicated storage memory device is provided in a second layer.例文帳に追加

複数のダイスが含まれており、第１のダイスには複数のプロセッサユニットが含まれており、少なくとも１つの第２のダイスには少なくとも１つのデータ記憶メモリ装置が含まれており、前記の第１および第の２のダイスを配置構成して、第１の層に設けられている前記のプロセッサユニットの少なくとも１つの部分集合毎に、専用の記憶メモリ装置が第２の層に設けられていることを特徴とするデータ処理チップを構成する。 - 特許庁

The first semiconductor region 233 contains a first conductivity type impurity, the second semiconductor region 234 and the third semiconductor layer 238 contain a second conductivity type impurity, the second semiconductor layer 236 contains a third conductivity type impurity different from the second conductivity type impurity, the second and third semiconductor layers 236, 238 are formed by selective growth, and the second semiconductor region 234 is aligned with the second contact hole 242.例文帳に追加

第１半導体領域２３３は、第１導電型不純物を含有し、第２半導体領域２３６および第３半導体層２３８は、第２導電型不純物を含有し、第２半導体層２３６は、第２導電型不純物とは異なる第３導電型不純物を含有し、第２および第３半導体層２３６、２３８は、選択成長により形成され、第２半導体領域２３４は第２コンタクトホール２４２に整合している。 - 特許庁

The electron emission element comprises cathode electrodes formed at the upper part of a substrate; electron emission parts electrically connected to the cathode electrodes; first gate electrodes spaced from the cathode electrodes through an insulating layer; second gate electrodes positioned on the insulating layer formed with the cathode electrodes, with a predetermined distance to the electron emission parts, wherein the same voltage is applied to the first gate electrodes and the second gate electrodes.例文帳に追加

基板上部に形成されるカソード電極と，カソード電極に電気的に接続される電子放出部と，カソード電極と絶縁層を介して離隔する第１ゲート電極と，カソード電極が形成される絶縁層上に，電子放出部と所定の距離を有して位置し，第１ゲート電極と同一電圧が印加される第２ゲート電極と，を備え，電子放出部と第２ゲート電極との距離が，数式１の条件を満足することを特徴とする。 - 特許庁

The image sensor according to an embodiment includes a first substrate 100 where a lower interconnection 110 and the circuitry are formed, a crystalline semiconductor layer bonded to the first substrate 100 in contact with the lower interconnection 110, the photodiode 210 formed in the crystalline semiconductor layer to be electrically coupled to the lower interconnection 110, and an element isolation film 222 formed in the photodiode 210.例文帳に追加

実施の形態によるイメージセンサは、下部配線１１０と回路が形成された第１基板１００と、前記下部配線１１０と接触しながら前記第１基板１００とボンディングされた結晶半導体層と、前記結晶半導体層内に前記下部配線１１０と電気的に連結されるように形成されたフォトダイオード２１０と、前記フォトダイオード２１０内に形成された素子分離膜２２２と、を含むことを特徴とする。 - 特許庁

The organic EL device has a substrate arranged on a first electrode in an active region, an organic material layer comprising at least one layer on the first electrode, a second electrode formed on the substrate in the active region to emit outside the heat in a device, and a seal cup seal-connected with the second electrode on the seal line through a sealant.例文帳に追加

活性領域に第１電極が配列された基板と、前記第１電極上に形成され、少なくとも１層以上に形成される有機物層と、前記有機物層上に形成され、不活性領域の基板上にまで形成されて素子内部の熱を外部に放出する第２電極と、前記第２電極に対向して配置され、シールラントを介して前記シールライン上の第２電極とシール連結されるシールカップと、を備える有機ＥＬ素子を提供する。 - 特許庁

The element 20 for controlling total reflecting condition of light includes a translucent substrate 32 having a principal surface, a first film 34 made of elastomer formed on the principal surface, a magnetic material layer 36 formed with magnetic particles scattered evenly on the first film 34, a second film 38 made of elastomer formed on the magnetic material layer 36, and a grating 40 press-fixed from above the second film 38.例文帳に追加

光の全反射条件制御素子２０は、主表面を有する透光性の基体３２と、主表面上に形成されたエラストマーからなる第１の膜体３４と、第１の膜体３４上に一様に散布された磁性体の粒子により形成された磁性体層３６と、磁性体層３６上に形成されたエラストマーからなる第２の膜体３８と、第２の膜体３８上から圧着された格子体４０とを含む。 - 特許庁

The barrier property of the resist underlayer film is evaluated using results obtained by determining: an amount of a sublimate generated when baking the first resist underlayer single layer in a prescribed condition; an amount of a sublimate generated when forming the second resist underlayer single layer by baking of a prescribed condition; and an amount of a sublimate generated when forming the second resist underlayer on the first resist underlayer by baking in a prescribed condition.例文帳に追加

そして、所定の条件で第１のレジスト下層膜単層をベークする際に発生する昇華物の量、第２のレジスト下層膜単層を所定の条件でベークして形成する際に発生する昇華物の量、及び第１のレジスト下層膜上に第２のレジスト下層膜を所定の条件でベークして形成する際に発生する昇華物の量を定量した結果を用いて、第２のレジスト下層膜のバリア性を評価する。 - 特許庁

In this first cover substrate 2, an external connecting electrode 25 is positioned inner than a second electrical connecting metal layer 29 jointed to a first electrical connecting metal layer 19 of the sensor substrate 1, and a groove 20b for loosening the stress generated to the movable part together with joint of an external connecting electrode 25 and a conductor pattern 43 of a mounting board 40 is formed between both of them.例文帳に追加

第１のカバー基板２は、センサ基板１の第１の電気接続用金属層１９に接合される第２の電気接続用金属層２９よりも外部接続用電極２５が内側に位置するように両者の形成位置をずらし、当該両者の間の領域に、外部接続用電極２５と実装基板４０の導体パターン４３との接合に伴い可動部に発生する応力を緩和する溝部２０ｂが形成されている。 - 特許庁

The function element is characterized by having a flattening insulation layer arranged at longitudinal ends of the stripes of the first electrode for flattening the ends by filling the spaces between the stripes, and by insulating the function layer from the first electrode at the longitudinal ends.例文帳に追加

基板上に複数のストライプ電極が並列した第１電極と、該第１電極と対向して配置された第２電極、および前記両電極間に機能層を挟持してなる機能素子であって、前記第１電極のストライプの長手方向の端部に配置され、前記ストライプ間の間隙を充填して該端部を平坦化する平坦化絶縁層を有し、前記長手方向の端部において前記機能層が前記第１電極に対して絶縁されていることを特徴とする。 - 特許庁

The shielding unit comprises a first conductor formed in the same wiring layer as the electrodes of the capacitive element so as to surround the capacitive element in a plane, and a second conductor formed in the wiring layer upper than that wherein the electrodes of the capacitive element are formed so as to surround the capacitive element in a plane and extended to the side of the capacitive element than the first conductor in the plane.例文帳に追加

シールド体は、容量素子の電極と同一の配線層に前記容量素子を平面的に囲むようにして形成された第１の導電体と、前記容量素子の電極が形成された配線層よりも上層の配線層に前記容量素子を平面的に囲むようにして形成され、かつ前記第１の導電体よりも前記容量素子側へ平面的に延長された第２の導電体とを有する。 - 特許庁

The cap assembly includes a cap plate 131 having a first terminal hole, an electrode terminal 134 inserted into the first terminal hole, and a gasket positioned between the electrode terminal 134 and the cap plate 131, and the protective circuit module 140 may include an insulating layer 142 positioned on the protective circuit board 141, a charge-discharge terminal 143 and a protective circuit part 144 positioned on the insulating layer 142.例文帳に追加

また、前記キャップ組立体は、第１端子孔を有するキャッププレート１３１と、前記第１端子孔に挿通される電極端子１３４と、前記電極端子１３４と前記キャッププレート１３１との間に位置するガスケットと、を含み、前記保護回路モジュール１４０は、前記保護回路基板１４１上に位置する絶縁層１４２と、前記絶縁層１４２上に位置する充放電端子１４３および保護回路部１４４と、を含んでいてもよい。 - 特許庁

Besides, a first layer including control wiring of the switch element, a second layer including a main electrode of the switch element and a third layer including bias wiring of the photoelectric transducing element have multilayer structures in said order, and the third layer includes a signal line for transferring at least a signal from the photoelectric transducing element.例文帳に追加

光電変換素子とスイッチ素子とから構成される画素を有する光電変換装置であって、前記光電変換素子を構成する半導体層と、前記スイッチ素子を構成する半導体層が異なる層から形成され、前記スイッチ素子の制御配線を含む第１の層と、前記スイッチ素子の主電極を含む第２の層と、前記光電変換素子のバイアス配線を含む第３の層がこの順で多層構造を有しており、前記第３の層が少なくとも前記光電変換素子からの信号を転送する信号線を含んでいる。 - 特許庁

The adhesive tape for the roll change of flat-web materials comprises a splittable flat carrier, at least one layer of adhesive disposed above the splittable carrier, and a layer of adhesive disposed below the splittable carrier, wherein at least between the splittable carrier and the layer of adhesive below the splittable carrier there is a first barrier layer which is impervious to calcium ions (Ca^2+).例文帳に追加

この課題は、分離可能な平坦な支持体、該分離可能な支持体の上に配置されている少なくとも１つの接着剤層及び該分離可能な支持体の下に配置されている接着剤層を有する、平坦ウエブ材料のロールの交換用接着テープにおいて、分離可能な支持体と該分離可能な支持体の下の接着剤層との間に、カルシウムイオン（Ｃａ^２＋）に対して不浸透性である第一のバリヤー層が少なくとも存在することを特徴とする、上記接着テープによって解決される。 - 特許庁

The electrophotographic photoreceptor has, in particular, a first charge transport layer and a second charge transport layer in this order with the second charge transport layer as the outermost surface layer.例文帳に追加

特に第一電荷輸送層及び第二電荷輸送層をこの順に有し、前記第二電荷輸送層が最表面層である電子写真感光体において、前記第二電荷輸送層は、下記一般式（１）で表される硬化性電荷輸送化合物及び電荷輸送性を有さない硬化性化合物を重合及び架橋のいずれか一方又は両方を行うことによって得られる化合物を含有し、かつ前記第二電荷輸送層中に含有される電荷輸送成分が、下記条件を満たすことを特徴とする電子写真感光体。 - 特許庁

The nonvolatile memory device includes at least one semiconductor layer 105, a plurality of control gate electrodes 150 recessed and disposed inside the semiconductor layer 105, a plurality of charge storage layers 130 interposed between the plurality of control gate electrodes 150 and the semiconductor layer 105, and at least one first auxiliary electrode 170a and at least one second auxiliary electrode 170b capacitively coupled with the semiconductor layer 105, respectively.例文帳に追加

少なくとも一つの半導体層１０５と、半導体層１０５の内部にリセスされて配された複数の制御ゲート電極１５０と、複数の制御ゲート電極１５０と半導体層１０５との間に介在された複数の電荷保存層１３０と、複数の制御ゲート電極１５０を介して相互反対側に配され、半導体層１０５にそれぞれ容量結合された少なくとも一つの第１補助電極１７０ａ，及び少なくとも一つの第２補助電極１７０ｂと、を備える。 - 特許庁

The semiconductor device includes: a semiconductor substrate having a semiconductor device on a surface thereof; an interconnection formed on the semiconductor substrate; a via connected to the under side of the interconnection; a first insulating film formed on the same layer of the via; and a second insulating film integrally formed between the first insulating film and the interconnection, and between the first insulating film and the via.例文帳に追加

本発明の実施の形態による半導体装置は、表面に半導体素子を有する半導体基板と、前記半導体基板上に形成された配線と、前記配線の下側に接続されるビアと、前記ビアと同じ層に形成された第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜と前記配線との間、および前記第１の絶縁膜と前記ビアとの間に一体に形成された第２の絶縁膜と、を有する。 - 特許庁

A lenticular unit according to the embodiments of the present invention includes: a transparent substrate; first electrodes being transparent and disposed on the transparent substrate; a second electrode being transparent and elastic; and a material layer interposed between the first and second electrodes and being deformable into or from a lens shape depending on a potential applied between the first and second electrodes.例文帳に追加

本発明の実施形態に係るレンチキュラーユニットは、透明な基板と、前記透明な基板上に配置された透明な第１電極と、透明で伸縮可能な第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に配置され、前記第１電極と前記第２電極との間に印加された電位に応じて、レンズ状又は前記レンズ状から変形可能な物質層と、を含むことを特徴とする。 - 特許庁

A method for forming a patterned thin film layer on a substrate of a device comprises a step (block 110) for forming a first structure of comparatively high resolution on the device substrate using a first processing tool, and a step (block 120) for forming a second structure of comparatively low resolution on the device substrate so as to be connected to the first structure using a second processing tool.例文帳に追加

本発明は、装置の基板上にパターニングされた薄膜層を形成する方法であって、第1の処理ツールを用いて、前記装置基板上に比較的高解像度の第1構造を形成するステップ（ブロック１１０）と、第２の処理ツールを用いて、前記装置基板上に、前記第１構造と接続されるように、比較的低解像度の第２構造を形成するステップ（ブロック１２０）と、を含む方法であることを特徴とする。 - 特許庁

The electrooptical device includes: transistors (30) provided for respective pixels; pixel electrodes (9) provided corresponding to the transistors; and a storage capacitance (70) electrically connected to the pixel electrodes and made of a first capacitance electrode (2), a second capacitance electrode (5) disposed opposite to the first capacitance electrode from an upper layer side and the capacitance insulating film (7) formed between the first and second capacitance electrodes.例文帳に追加

電気光学装置は、画素毎に設けられたトランジスタ（３０）と、トランジスタに対応して設けられた画素電極（９）と、画素電極に電気的に接続されており、第１容量電極（２）、第１容量電極に上層側から対向配置された第２容量電極（５）、及び第１容量電極及び第２容量電極間に形成された容量絶縁膜（７）からなる蓄積容量（７０）とを備える。 - 特許庁

The low-temperature co-fired ceramic substrate comprises a ceramic body in which one or more first dielectric layers having a diopside-based crystallized glass are laminated, and a second dielectric layer which is formed on at least one surface of the upper surface and the lower surface of the ceramic body, fired with the first dielectric layers at a firing temperature for the first dielectric layers, and contains ≥10 wt.% of amorphous substances.例文帳に追加

本発明による低温同時焼成セラミック基板は、ディオプサイド系結晶化ガラスを有する第１誘電体層が１つ以上積層されたセラミック本体と、前記セラミック本体の上面及び下面のうち少なくとも一面に形成され、前記第１誘電体層の焼成温度で前記第１誘電体層とともに焼結され、１０ｗｔ％以上の非晶質を含む第２誘電体層と、を含む。 - 特許庁