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「First layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(438ページ目) - Weblio英語例文検索


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First layerの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 24472



例文

A process forming dielectric layer 13 comprised a first laminate step laminating a first green sheet 110 in a closed room 103 of reduced pressure atmosphere, a second laminate step laminating a second green sheet 120, and a burning step burning the second green sheet 120.例文帳に追加

誘電体層13を形成する工程は、減圧雰囲気にした密閉室103内で第1グリーンシート110をラミネートする第1ラミネートステップ、第2グリーンシート120をラミネートする第2ラミネートステップ及びラミネートされた第1グリーンシート110及び第2グリーンシート120を焼成する焼成ステップからなる。 - 特許庁

This disposable makeup applicator A is provided with at least one layer of a porous/flexible material provided with a first surface 1a where at least a part 2 is impregnated with at least one slakable makeup product and a second surface 1b positioned on the opposite side of the first surface and covered with an impermeable film 3.例文帳に追加

使い捨てメーキャップアプリケーター(A)は、少なくとも一部分(2)が少なくとも一つのスレーカブルメーキャップ製品で含浸されている第1面(1a)と、該第1面と反対側に位置し、不浸透性フィルム(3)で覆われている第2面(1b)と、を有する多孔性・可撓性材料の少なくとも一つの層(1)を備えている。 - 特許庁

The drift layer 21 is configured by a first region 21A having an N type impurity concentration peak region P1, and a second region 21B being adjacent to the first region 21A and having an N type impurity concentration peak region P2 at a position deeper than that of the N type impurity concentration peak region P1.例文帳に追加

このドリフト層21は、N型不純物濃度のピーク領域P1を有した第1の領域21Aと、この第1の領域21Aに隣接し、N型不純物濃度のピーク領域P1よりも深い位置にN型不純物濃度のピーク領域P2を有した第2の領域21Bとにより構成されている。 - 特許庁

In the composite fine structure, the inside of a compound layer of a first metallic element and one nonmetallic element selected from the group 16 elements is closest-packed with particulates with almost the same particle diameters composed of a compound of a second metallic element different from the first metallic element and the group 16 nonmetallic element.例文帳に追加

本発明の複合微細構造体は、第1の金属元素と16族元素から選択される1の非金属元素との化合物層の内部に、この第1の金属元素とは異なる第2の金属元素と前記16族非金属元素との化合物からなる略同一粒径の微粒子が最密充填されている。 - 特許庁

例文

The semiconductor device includes an input protective circuit disposed directly under the main power supply wiring 14, a via contact 18 for electrically connecting the first connecting wiring 12 to the main power supply wiring 14, and leader wiring 16 connected to one end of second connecting wring 13 and made of a first wiring layer.例文帳に追加

主電源配線14直下に配置した入力保護回路と、第1の接続配線12と主電源配線14とを電気的に接続するビアコンタクト18と、第2の接続配線13の一端に接続され、第1の配線層からなる引出し配線16とを有した半導体装置を構成する。 - 特許庁


例文

The backlight assembly has a plurality of fluorescent lamps including a lamp tube 110 including a fluorescent layer 170 and a discharge gas inside, a first electrode 120 arranged inside the lamp tube 110, and a conductive terminal 160 capacitive-coupled to the first electrode 120, and lamp sockets to fix a plurality of the fluorescent lamps.例文帳に追加

内部に蛍光層170と放電ガスを含むランプチューブ110と、該ランプチューブ110の内部に配置される第1電極120と、該第1電極120と容量結合する導電端子160とを含む複数の蛍光ランプと、前記複数の蛍光ランプを固定するランプソケットとを有する。 - 特許庁

The optical recording medium has a recording layer with at least a first recording sublayer (R1) and a second recording sublayer (R2) for recording information marks by alloying the material of at least the first and second recording layers (R1 and R2).例文帳に追加

本発明によれば、この目的は、少なくとも第1の記録副層(R1)および第2の記録副層(R2)を有する記録層を備え、これらの少なくとも第1の記録層および第2の記録層(R1、R2)の材料を合金化することによって情報マークを記録する光記録媒体によって実現される。 - 特許庁

After a metal wiring pattern 101 is formed on a semiconductor substrate 100, a first tight-contact layer 102 of a siloxane-contained organic fluoride film is deposited over the entire surface of the semiconductor substrate 100 by a plasma CVD method, which uses a first material gas comprising a mixed gas of C4F8/CH4/vinyl trimethoxysilane.例文帳に追加

半導体基板100の上に金属配線パターン101を形成した後、C_4F_8/CH_4 /ビニルトリメトキシシランの混合ガスからなる第1の原料ガスを用いるプラズマCVD法により、半導体基板100の上に全面に亘ってシロキサン含有フッ素化有機膜からなる第1の密着層102を堆積する。 - 特許庁

Each of the plurality of light scattering parts is held between a first electrode 34 and a second electrode 35 in a driving region A1 in which the first electrode 34 and the second electrode 35 are overlapped to each other and has a liquid crystal layer 33 for scattering incident light in accordance with voltage applied between these electrodes 34, 35.例文帳に追加

複数の光散乱部の各々は、第1電極34と第2電極35とが重なり合う駆動領域A1において第1電極34と第2電極35との間に挟持されこれら電極間の印加電圧に応じて入射光を散乱させる液晶層33を有している。 - 特許庁

例文

A liquid crystal layer 56 which is optically and uniaxially aligned is sandwiched between a first substrate B having at least one transparent electrode 54 and a second substrate A having an electrode 58 with a reflecting function, a retardation plate 52 is arranged on the first substrate, and a polarizer 51 is further arranged on the retardation plate.例文帳に追加

少なくとも透明電極54を備えた第1の基板Bと、反射機能を有する電極58を備えた第2の基板Aとの間に光学的に一軸性の配向をなす液晶層56を挟持すると共に、第1の基板上に位相差板52を配置し、さらに位相差板上に偏光板51を配置する。 - 特許庁

例文

Organic thin-film transistor insulation layer material contains a high molecular compound (A) having a repeating unit including a substituted maleimide group and a repeating unit containing a first functional group, in which the first functional group is a functional group generating a second functional group, which reacts an active hydrogen, caused by irradiation with electromagnetic wave or heat.例文帳に追加

置換マレイミド基を有する繰り返し単位と、第1の官能基を含有する繰り返し単位とを有し、該第1の官能基が、電磁波の照射もしくは熱の作用により、活性水素と反応する第2の官能基を生成する官能基である高分子化合物(A)を含有する有機薄膜トランジスタ絶縁層材料。 - 特許庁

This semiconductor device is provided with a silicon carbide semiconductor substrate 100 as a first semiconductor material, and an n-type multi-crystal silicon layer 3A constituted of n-type multi-crystal silicon as second semiconductor materials whose band gap is different from that of silicon carbide on the first main face side of the silicon carbide semiconductor substrate 100.例文帳に追加

第一の半導体材料としての炭化珪素半導体基体100と、この炭化珪素半導体基体100上の第一主面側に、炭化珪素とはバンドギャップの異なる第二の半導体材料として、N−型の多結晶シリコンからなるN−型多結晶シリコン層3Aが形成される。 - 特許庁

The plasma display panel composed of an upper panel and a lower panel connected to each other with barrier ribs is provided with a first protective membrane which is formed on a dielectric layer of the above upper panel and contains magnesium oxide of columnar crystal and a second protective membrane which is formed on a first protective membrane and contains magnesium oxide of hexahedron crystal.例文帳に追加

隔壁を介して互いに接合される上部パネルと下部パネルを含むプラズマディスプレイパネルにおいて、前記上部パネルの誘電体層上に形成され、柱状結晶の酸化マグネシウムを含む第1保護膜と、前記第1保護膜上に形成され、六面体結晶の酸化マグネシウムを含む第2保護膜と、を備える。 - 特許庁

The liquid crystal display panel is provided with a first substrate such as a TFT array substrate and a second substrate such as a color filter substrate and is constructed together with a sealing material which is present on peripheral parts of the first and second substrates and surrounds a region where a liquid crystal layer is present on the outside of a display region, and fixes both the substrates.例文帳に追加

TFTアレイ基板などの第1基板およびカラーフィルタ基板などの第2基板を備え、前記第1基板と第2基板の周縁部に前記表示領域の外側で前記液晶層の存在する領域を取り囲み、両基板を固定するシール材とからなる液晶表示パネル。 - 特許庁

The first attaching member 17a is formed with a claw 26 to be directly brought in contact with the second attaching member 17b without passing through a plating layer 21 formed in a surface of the second attaching member 17b by pushing force applying from the first attaching member 17a to the second attaching member 17b by fastening the screw member 24.例文帳に追加

第一の取付部材17aに、ネジ部材24の締め付けにより第一の取付部材17aから第二の取付部材17bに作用する押圧力によって第二の取付部材17bの表面の鍍金層21を経ることなく第二の取付部材17bに直接接触する爪26を形成する。 - 特許庁

In the liquid crystal device 100 and the method for manufacturing the same, a second insulating film 162 is formed after a first insulting film 161 is formed on the upper layer side of pixel electrodes 9a, and then, the second insulating film 162 is polished until regions planarly overlapping the pixel electrodes 9a, of the first insulating film 161 is exposed.例文帳に追加

液晶装置100およびその製造方法において、画素電極9aの上層側に第1絶縁膜161を形成した後、第2絶縁膜162を形成し、その後、第1絶縁膜161において画素電極9aと平面的に重なる領域が露出するまで第2絶縁膜162を研磨する。 - 特許庁

In the electro-optical device 100, after a pixel electrode 9a comprising a reflection film is formed in each of a plurality of pixels 100a on a first surface 10x of a first substrate 10, a dielectric multilayer film 18 is formed as a reflection enhancing layer across a plurality of pixels 100a at an overlay side of the pixel electrode 9a.例文帳に追加

電気光学装置100では、第1基板10の第1面10x側に複数の画素100aの各々に反射膜からなる画素電極9aを形成した後、画素電極9aの上層側に複数の画素100aに跨る誘電体多層膜18を増反射膜として形成する。 - 特許庁

Upon detecting a connection recognition signal from an output of a differential input terminal 110, a first detection circuit 130 outputs a first control signal ctr1 for allowing an upper layer to output a power supply control signal ctr0 for turning on a power supply of each of a receiver circuit 120 and a recovery conversion circuit 122.例文帳に追加

第1の検出回路130は、差動入力端子110の出力から接続認識信号を検出したときに、レシーバー回路120とリカバリ変換回路122の電源をオンする電源制御信号ctr0を上位層に出させるための第1の制御信号ctr1を出力する。 - 特許庁

In the circuit board 1, an inductance pattern 121 formed in a circuit board inner layer 11b includes a traverse part 121a formed to project from a first ground pattern 114a by traversing two parallel sides of the first ground pattern 114a formed on the circuit board back face 11C when perspectively viewed through a plane.例文帳に追加

そして、回路基板1において、回路基板内層11Bに形成されるインダクタパターン121は、平面透視したときに、回路基板裏面11Cに形成される第1接地パターン114aの平行な2辺を横切って第1接地パターン114aからはみ出すように形成された横断部121aを有する。 - 特許庁

The optical layer 40 includes a low refractive index section 40a having a section overlapped with the first wiring and the second wiring viewed from a direction orthogonal to the first principal plane, and a high refractive index section 40b having a section come in contact with the section of the low refractive index section and having a refractive index higher than that of the low refractive index section.例文帳に追加

光学層は、第1主面に対して垂直な方向から見て、第1配線及び前記第2配線と重なる部分を有する低屈折率部40aと、低屈折率部の前記部分に接触する部分を有し、低屈折率部よりも高い屈折率を有する高屈折率部40bと、を有する。 - 特許庁

In addition, the seed layer 121 does not cover a first region from an opening of the hole 111 to a predetermined position between the opening of the hole 111 and the bottom surface 111A of the hole 111, among a side surface 111B of the hole 111, and covers a second region except the first region (an uncovered region) 111B1.例文帳に追加

また、シード層121は、孔111の側面111Bのうち、孔111の開口から、孔111の開口と孔111の底面111Aとの間の所定の位置までの第1の領域を未被覆とし、この第1の領域(未被覆領域)111B1を除いた第二の領域を被覆している。 - 特許庁

The wiring structure includes a substrate 1 which has a first region R1 with many structures formed with fine pitches and a second region R2 formed in a plane, and a metal layer 4 which is formed continuously to the second region R2 among the first region R1 and the second region R2 to form a wiring pattern.例文帳に追加

配線構造体は、微細ピッチで構造体が多数形成された第1の領域R1と、平面状に形成された第2の領域R2とを有する基体1と、第1の領域R1、および第2の領域R2のうち第2の領域R2に連続的に形成されて、配線パターンをなす金属層4とを備える。 - 特許庁

This substrate is provided with: a substrate 1; a first wiring 2 formed in the substrate 1 with one end connected to a first terminal; a second wiring 3 formed at the substrate 1 with one end connected to a second terminal; and a solder resist layer 5 formed on the surface of the substrate 1 where the second wiring 2 is formed.例文帳に追加

本発明にかかる基板は、基材1と、基材1に設けられ、第1の端子に一端が接続された第1の配線2と、基材1に設けられ、第2の端子に一端が接続された第2の配線3と、第2の配線2が設けられた側の基材1の表面に設けられたソルダレジスト層5と、を備える。 - 特許庁

The semiconductor device includes: an element-isolation insulating film 30 formed on a major surface 10a of a semiconductor layer 10, and having a first opening 38N and a second opening 38P; an n-type MOSFET 101N provided in the first opening; and a p-type MOSFET 101P provided in the second opening.例文帳に追加

半導体層10の主面10aに形成され、第1開口部38Nと第2開口部38Pとを有する素子分離絶縁膜30と、第1開口部の内側に設けられたn型MOSFET101Nと、第2開口部の内側に設けられたp型MOSFET101Pと、を備えた半導体装置を提供する。 - 特許庁

In an electrooptic device 100 in which an electrooptic material 31 is placed between a first substrate 5 and a second substrate 4 that are arranged facing each other, a reinforcing layer 4A is formed at least on surfaces 4a, 4b on the other side of a surface 4C, facing the first substrate 5, of the second substrate 4.例文帳に追加

互いが対向して配置される第1基板5と第2基板4との間に電気光学物質31が挟持されてなる電気光学装置100において、少なくとも第2基板4における第1基板5との対向面4Cとは反対側の面4a,4bに強化層4Aが形成されている。 - 特許庁

The above problem of the liquid crystal display device of a horizontal alignment system having a first substrate and a second substrate and a liquid crystal layer injected between these substrates is solved by forming alignment layers 5 alternately lined up with hydrophilic regions A and hydrophobic regions A on the first substrate and the second substrate.例文帳に追加

第1の基板と第2の基板と当該基板間に注入された液晶層とを有する水平配向方式の液晶表示装置において、第1の基板および第2の基板に、親水性領域Aと疎水性領域Bとが交互に並んでいる配向膜5を形成したことにより、上記課題を解決した。 - 特許庁

Further, the first reference level determining means 15 determines a preferential coding type to be prioritized in normalization among coding types of the channel signal included in the frame signal by using information from a high order layer, and determines a first reference value optimum to the normalization in the preferential coding type.例文帳に追加

さらに、第1の基準レベル決定手段15は、フレーム信号に含まれているチャネル信号の符号化種別のうち、正規化において優先すべき優先符号化種別を上位レイヤからの情報を用いて決定し、優先符号化種別における正規化に最適な第1の基準値を決定する。 - 特許庁

The first layers are disposed in contact with the steel product surfaces and the second layers are disposed on the upper layer of the first layers.例文帳に追加

前記防食皮膜は、陰イオン選択透過性を有する固体電解質を含有する第1の層と、陽イオン選択透過性を有する固体電解質を含有する第2の層とを含み、前記第1の層は前記鋼材表面に接して設けられ、前記第2の層はこの第1の層の上層に設けられたことを特徴とする。 - 特許庁

In this method for mounting an exterior wall plate, first a floor 4 on an nth (n is an integer) layer is constructed, and while a first floor skeleton fastener 21 and a second floor skeleton fastener 22 are provided to the floor 4, a curtain wall 1 is prepared, and the second floor skeleton fastener 22 is temporarily fixed to the second exterior wall plate fastener 12 of the curtain wall 1.例文帳に追加

外壁版取付け方法は、まず、第n(nは整数)層の床4が構築されて、床4に第1床躯体ファスナー21および第2床躯体ファスナー22が設けられた状態で、カーテンウォール1を用意し、このカーテンウォール1の第2外壁版ファスナー12に第2床躯体ファスナー22を仮固定する。 - 特許庁

The image sensor includes: a readout circuit formed on a first substrate; wiring electrically connected with the readout circuit and formed on the first substrate; a contact plug including an insulating layer provided on upper part thereof and formed on the wiring; and an image sensing part formed on the contact plug.例文帳に追加

前記イメージセンサは、第1基板に形成された読み出し回路と、前記読み出し回路と電気的に接続され、前記第1基板上に形成された配線と、上側の一部に絶縁層を備え、前記配線上に形成されたコンタクトプラグと、前記コンタクトプラグ上に形成されたイメージ感知部と、を含むことを特徴とする。 - 特許庁

Active material particles distributed on the positive plate 24 contains globular first particles 64 and non-globular second particles 66 both comprising nickel hydroxide, and in the first particles 64, a core 68 comprising nickel hydroxide is covered with a coating layer 70 made of a cobalt compound and heat-treated with alkali.例文帳に追加

正極板24に分布された活物質粒子は、球状の第1の粒子64と、水酸化ニッケルからなる非球状の第2の粒子66とを含み、第1の粒子64においては、水酸化ニッケルからなるコア68が被覆層70で被覆され、この被覆層70はコバルト化合物からなり且つアルカリ熱処理されている。 - 特許庁

The method of manufacturing an organic EL element includes steps of: forming first electrodes 111 on a substrate 2; forming, on the first electrodes 111, organic functional layers 110 each having at least an organic luminescent layer 70; and forming second electrodes 12 on the organic functional layers 110.例文帳に追加

基板2上に第1の電極111を形成する工程と、第1の電極111上に少なくとも有機発光層70を有してなる有機機能層110を形成する工程と、有機機能層110上に第2の電極12を形成する工程と、を備えた有機EL素子の製造方法である。 - 特許庁

The abrasive layer includes abrasive grains and a binder, the binder being formed from a binder formulation having first and second binder components mixed together uniformly with the abrasive grains, wherein the first binder component is radiation curable and the second binder component comprises a powder and is thermally curable.例文帳に追加

研磨層には砥粒と結合剤が含まれ、結合剤は、砥粒と共に均等に混合された第1及び第2の結合剤構成要素を有する結合剤処方から形成され、第1の結合剤構成要素は放射線硬化性であり、第2の結合剤構成要素は粉末を含みかつ熱硬化性である。 - 特許庁

The first and second memory element include respectively insulating layers 20 and 120, floating gates 22 and 122, third impurity diffused regions 15 and 25, and a common intermediate insulating layer 26, and a common control gate 28 connected to the first and second impurity diffused layers in common.例文帳に追加

第1および第2記憶素子100はそれぞれ、ゲート絶縁層20,120、フローティングゲート22,122、選択酸化絶縁層24,124、および第3不純物拡散層15,25を含み、かつ、共通の中間絶縁層26、共通のコントロールゲート28を有し、共通の第1および第2不純物拡散層16,14に接続されている。 - 特許庁

This interior base material for the automobile is furnished with a fiber layer including 5 to 70 mass% of a first short fiber the winding shrinkage number of which is 0 to 2 crests/25 mm and a second short fiber the winding shrinkage number of which is more than the first short fiber in a remaining part, and thickness under no load after molding is more than 10 mm.例文帳に追加

自動車用内装基材は、捲縮数が0〜2山/25mmである第1の短繊維を5〜70質量%含み、第1の短繊維よりも捲縮数が多い第2の短繊維を残部に含む繊維層を備え、成形後における非荷重下での厚さは10mm以上とする。 - 特許庁

The main metal layer 20A has a first surface 21, a second surface 22 opposite thereto, and a through hole 25A, which is formed extending from the first surface 21 and a second surface 22 and corresponds to a part of the conductive ball housing through hole 15, and corresponds to a maximum diameter part of the conductive ball 200 in the through hole 25A.例文帳に追加

メイン金属層20Aは、第1面21及びその反対側の面である第2面22と、第1面21と第2面22との間にわたって形成され導電性ボール収容貫通孔15の一部に該当する貫通孔25Aとを有し、その貫通孔25Aにおいて導電性ボール200の最大径部分に対応する。 - 特許庁

Anode interconnections 211-213 and a first light-shielding film 22 are formed of aluminum on an anode substrate 11, an insulation layer 14 is formed thereon, second light-shielding films 321, 322 of graphite and an anode electrode 31 are formed further thereon, and an external light source display part 221 which displays a predetermined pattern is formed on the first light-shielding film 22.例文帳に追加

アノード基板11にアノード配線211〜213、第1遮光膜22をアルミニウムで形成し、その上に絶縁層14、その上に黒鉛の第2遮光膜321,322及びアノード電極31を形成し、第1遮光膜22には、所定のパターンを表示する外光源表示部221を形成してある。 - 特許庁

An intermediate wiring layer 30 is prepared which is a plate-like member, and includes an insulating portion 31 constituting the plate-like member and first and second conduction portions 32 and 33 provided to be exposed from the front surface and back surface of the insulating portion 31, and in which the first conduction portion 32 and second conduction portion 33 are insulated.例文帳に追加

板状部材であり、板状部材を構成する絶縁部31と、絶縁部31の表面および裏面から露出するように備えられている第1、第2導電部32、33を備え、第1導電部32と第2導電部33とが絶縁されている中間配線層30を用意する。 - 特許庁

A tablet-like case A has a frame-like portion 10 placed so as to fix a first PET film sheet 32 and a second PET film sheet 34 at the same time from one side, a nonwoven fabric 52 placed on the back side of the first PET film sheet 32, an adhesive layer 54 having a repeeling property, and a peeling sheet.例文帳に追加

額状ケースAは、第1PETフィルムシート32と、第2PETフィルムシート34とを一方から同時に固定するように設けられた枠状部10と、第1PETフィルムシート32の裏側に設けられた不織布52と、再剥離性を有する粘着層54と、剥離シート56とを有している。 - 特許庁

According to the semiconductor integrated circuit, a wiring pattern 100, a large-sized first dummy pattern 400 close to the wiring pattern 100 in an idle region 200, and an annular dummy pattern 300 disposed as a shield between the wiring pattern 100 and the large-size first dummy pattern 400 close to the wiring pattern 100, are formed within one wiring layer.例文帳に追加

配線パターン100と、空き領域200内で配線パターン100に近接する大規模な第1のダミーパターン400と、配線パターン100と配線パターンに近接する大規模な第1のダミーパターン400との間に遮蔽物として配置されたリング状のダミーパターン300とが一つの配線層内に形成される。 - 特許庁

In the first substrate 1, four beam members 4 which have a crank-shaped beam part 4b are connected with a thin plate member 5 which is formed integrally with a mirror 7 and a beam member 3 which is located to enclose the thin plate member 5, and a first layer electrode is formed of the thin plate member 5 and the beam member 4.例文帳に追加

そのうち、第1基板1は、クランク状の梁部4bを有する四つの梁部材4が、ミラー7を一体形成した薄板状部材5と、該薄板状部材5を囲むように配置された枠部材3とに連結されていて、該薄板状部材5と該梁部材4とによって第1層電極を構成している。 - 特許庁

Further, at least one of a first electrode 215 and a second electrode 213 opposed to each other across the light-emitting layer 214 is divided into a partial electrode provided at a position opposed to the first region, a partial electrode provided at a position opposed to the second region, and a partial electrode provided at a position opposed to the third region.例文帳に追加

また、発光層214を挟んで対向する第1電極215と第2電極213の少なくとも一方は、第1領域と対向する位置に設けられた部分電極と、第2領域と対向する位置に設けられた部分電極と、第3領域と対向する位置に設けられた部分電極とに分かれている。 - 特許庁

A ladder (50, 51) having top (top side of rails 132 and 133) and bottom (sides opposite top side of rails (132, 133)) portions, first (132) and second (133) rails, the rails having a first side (side facing the gutter 54), the ladder comprises a non-slip element (see figure 12, reference 75) attached to a rail: wherein the non-slip element has an adhesive layer (71). 例文帳に追加

梯子は、頭頂部(レール132及び133の頭頂部)及び底部(レール132及び133の頭頂部の反対側)、第1(132)及び第2(133)レールを有する 。レールは、第1の側面(溝54に面している側面)を有する 。梯子は、レールに取り付けられたスリップ防止部材(第12図の符号75参照)を含み、スリップ防止部材は接着層(71)を有する。 - 特許庁

The present invention further provides a kind of method for making the hybrid touch panel, wherein the first resistive touching area and the capacitive touching area are formed on the first conductive layer simultaneously so as to integrate the resistive touch control and the capacitive touch control on the same touch panel for increasing the diversity of the touching control operation.例文帳に追加

このほか、本発明は一種の混合式タッチパネルの製造方法を提供し、それは第1導電層の上に第1抵抗式タッチエリアとコンデンサ式タッチエリアを同時に形成して、抵抗式タッチコントロールとコンデンサ式タッチコントロール方式を一つのタッチパネル上に整合させ、タッチコントロール操作の多元性を増した。 - 特許庁

The developer layer regulating member 44 is fixed in a developing container 45a, and is equipped with positioning parts 44c and 44d on a first surface 44a1 parallel with a developing roller 40, and equipped with a positioning part 44b on the second surface 44a2 parallel with the developing roller and different from the first surface.例文帳に追加

現像剤層規制部材44において、現像容器45aに現像剤層規制部材44を固定する、現像ローラ40と平行な第1の面44a1に位置決め部44c、44dを具備させ、現像ローラと平行でかつ、前記第1の面と異なる第2の面44a2に位置決め部44bを具備させる。 - 特許庁

In the surface layer material 3 of the seat pad 1, first air holes 4 is provided, and in the seat pad body 2, a ventilation grooves 5 communicating with the first air holes 4 and the second air hole 6 communicating the air grooves 5 and the surface in the opposite side of the seated person of the seat pad body 2 are provided.例文帳に追加

シートパッド1の表層材3に第1の通気孔4が設けられ、シートパッド本体2に、該第1の通気孔4に連通する通気溝5が設けられ、シートパッド本体2に、該通気溝5と、シートパッド本体2の着座者と反対側の面とを連通する第2の通気孔6が設けられている。 - 特許庁

The semiconductor memory is formed on a P-type silicon substrate 1, an ONO film 5 composed of a first silicon oxide film 2, a first silicon nitride film 3, and a second silicon oxide film 4, and on an SOONO substrate including an SOONO layer 6, wherein the ONO film 5 contacts with a back gate BG formed in the P-type silicon substrate 1.例文帳に追加

半導体記憶装置は、P型シリコン基板1と、第1のシリコン酸化膜2、第1のシリコン窒化膜3、及び第2のシリコン酸化膜4からなるONO膜5と、SOONO層6とを含むSOONO基板上に形成されており、ONO膜5はP型シリコン基板1に形成されたバックゲートBGに接している。 - 特許庁

The birefringence layer 240 has an optical axis which is parallel to the main face, and the refractive index in a first face direction which is parallel to the optical axis is larger than the refractive index in a second face direction, which is parallel to the main face, and vertical to the first face direction, and the refractive index in the thickness direction.例文帳に追加

複屈折性層240は、先の主面に平行な光学軸を有し、この光学軸に平行な第1面内方向の屈折率が先の主面に平行であり且つ第1面内方向に垂直な第2面内方向の屈折率及び厚さ方向の屈折率と比較してより大きい。 - 特許庁

The light-emitting element comprises a first electrode and a second electrode which are installed opposite to each other and of which at least one is transparent or semi-transparent, and a light-emitting layer which is pinched between the first electrode and the second electrode and which is constituted by dispersing the light-emitting particles in a matrix made of positive hole transport materials.例文帳に追加

発光素子は、互いに対向して設けられ、少なくとも一方が透明又は半透明である、第1電極及び第2電極と、前記第1電極と前記第2電極との間に挟持され、正孔輸送材料からなるマトリクス中に発光体粒子が分散して構成された発光層と、を備える。 - 特許庁

例文

A first conductive drift region 19 is formed within a trench 21, which is formed in a first conductive epitaxial layer 11 on a semiconductor substrate 10, and a striped second conductive base region 20 constituting partly a base region 12 is formed on the sidewall of a trench so that it surrounds the drift region 19.例文帳に追加

半導体基板10上の第1導電型半導体エピタキシャル層11に形成されたトレンチ21内に第1導電型のドリフト領域19を形成し、このトレンチの側壁周囲にドリフト領域を囲むようにベース領域12の一部を構成するストライプ状の第2導電型ベース領域20を形成する。 - 特許庁




  
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