「First layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(434ページ目) - Weblio英語例文検索

Additionally, the first electrode layer is connected to the third one by a connection hole 311, and the drain electrode of the switch TFT is directly connected to the MIS type PD lower electrode 303, thus achieving the low-resistance contact.例文帳に追加

また、第１の電極層と第３の電極層を接続孔３１１で接続し、スイッチＴＦＴのドレイン電極とＭＩＳ型ＰＤ下部電極３０３とを直接接続することで、低抵抗のコンタクトを実現する。 - 特許庁

This charger is a device for charging the voltage generated by a dynamo 2, and comprises a full-wave rectifying circuit 5, an electric double layer capacitor 6, a first electrolytic capacitor 7, and a second electrolytic capacitor 8.例文帳に追加

この充電装置は、ダイナモ２で発電された電圧を充電するための装置であって、全波整流回路５と、電気２重層コンデンサ６と、第１電解コンデンサ７と、第２電解コンデンサ８とを備えている。 - 特許庁

A carbon fiber mat is impregnated into a first thermoplastic resin and then grinded or cut to form the granular substances, which are mixed with a second thermoplastic resin melted and molded to form a base material layer 1.例文帳に追加

カーボン繊維マットに第１の熱可塑性樹脂を含浸させた後、粉砕又は切断して得られた粒状体と、第２の熱可塑性樹脂樹脂とを混合して溶融成形することにより基材層１を形成する。 - 特許庁

A sloped surface is formed, after the first insulating layer has been polished by CMP, and a planarization process further levels off this nonuniform surface, so that a uniform insulator thickness having a preferable sensor function is formed.例文帳に追加

第一絶縁層が、ＣＭＰにより研磨された後、傾斜表面が形成され、更に、平坦化工程によりこの不均一表面を除去し、好ましいセンサー機能を有する均一な絶縁体厚さを形成する。 - 特許庁

The photoelectric layer 40 has at least one light absorber to generate a carrier by absorbing light, and is formed of a polymer molecule (polymer) one end part of which is combined with the inner surface of the first electrode 30.例文帳に追加

光電変換層４０は、光を吸収してキャリアを発生させる光吸収体を少なくとも１つ有し、一端部が第１の電極３０の内面に結合したポリマー分子（ポリマー）で構成されている。 - 特許庁

A first and a second electrodes 120 and 124 are provided on an element substrate 100, and a third electrode 218 is provided on a counter substrate 200 facing the element substrate 100 via a liquid crystal layer 300.例文帳に追加

第１電極１２０と第２電極１２４とは素子基板１００に設けられ、素子基板１００と液晶層３００を介して対向する対向基板２００に第３電極２１８が設けられている。 - 特許庁

When executing seeking to different radial positions of different recording layers from a recording layer currently under tracing, the movement in the disk radial direction is first executed with respect to each optical head and thereafter, the interlayer jump is executed.例文帳に追加

現在トレース中の記録層から、異なる記録層の異なる半径位置へのシークを実行する際に、各光学ヘッドについて、先にディスク半径方向の移動を実行させ、その後、層間ジャンプを実行する。 - 特許庁

To provide a pumping and draining device capable of reducing the cost for work, properly draining the groundwater of a first aquifer 5 to a second aquifer 6, and properly removing a filtered matter accumulated on a draining layer screen 4.例文帳に追加

工事のコストを低減でき、第２帯水層６へ第１帯水層５の地下水を適切に排出可能であり、かつ、排水層スクリーン４に蓄積された濾過物を適切に除去できる揚排水装置を提供する。 - 特許庁

A first electrode stripe 101 comprising tungsten is formed on a semiconductor mesa 102 including an active layer 104.例文帳に追加

しかし、埋込型の光導波路素子をセルフアライメント技術で作製しようとした場合、第一の電極膜の結晶成長に対する耐性がないため、メサ形成および埋込層形成の際にマスクの役割を果たすことができない。 - 特許庁

The organic EL display comprises a first electrode, a second electrode, and a light emitting layer laid between those electrodes having a guest material and at least ont less than two kinds of host materials for red color emission material.例文帳に追加

第１電極と、第２電極と、それらの第１電極と第２電極との間に赤色発光物質のゲスト物質と少なくとも二つ以上のホスト物質とからなる発光層を備えていることを特徴とする。 - 特許庁

The liquid crystal display device has a liquid crystal modulation element having a liquid crystal layer 100 between a first electrode 102 and a second electrode 103, and a light source 210 for illuminating the liquid crystal modulation element.例文帳に追加

液晶表示装置は、第１の電極１０２および第２の電極１０３の間に液晶層１００を有する液晶変調素子と、該液晶変調素子を照明する光源２１０とを有する。 - 特許庁

In the ceramic green sheet manufacturing method, first, a conductor layer 5a comprising a conductive material soluble in a given solvent is formed on the substrate 1 which is release-processed on the surface 1a thereof.例文帳に追加

本実施形態のセラミックグリーンシートの製造方法では、まず、表面１ａに離型処理が施された基材１上に、所定の溶媒に対して可溶性を有する導電材料からなる導体層５ａを形成する。 - 特許庁

The power generation array is constituted by providing a plurality of element support portions supporting many photoelectric converting elements to the first conductor layer at intervals and connecting second conductor layers independent by the element support portions.例文帳に追加

第1導電体層に多数の光電変換素子を支持する素子支持部を間隔を隔てて複数設けるとともに、各素子支持部毎に独立した第２導電体層を接続した発電アレイを構成する。 - 特許庁

In particular, the first electrode is formed using a corrugated shape provided by anisotropic-etching one face of an Si substrate 11 for forming the cavity, the second electrode is formed thereon via sacrifice layer 16, and the backplate is formed further.例文帳に追加

特に第１の電極を、キャビティを形成するＳi基板１１の一面を異方性エッチングした波形形状を利用して形成し、この上に犠牲層１６を介して第２の電極を、更にバックプレートを形成する。 - 特許庁

In a first process, a part of ion exchange resin 51 to fill a container 10 is mixed with water to prepare a slurry-like mixture, and the mixture is filled in the container 10 to form a hydrated ion exchange resin layer 50a.例文帳に追加

第１の工程として、容器１０内部に充填されるイオン交換樹脂５１の一部を水と混合してスラリー状にして容器１０に充填して加水イオン交換樹脂層５０ａを形成する。 - 特許庁

The barrier film 13 is a film for generating a tensile stress in the semiconductor substrate 1 and the metal silicide layer, consisting of a mono silicide MSi of a metal element M constituting the metal film 12 is formed upon the first heat treatment.例文帳に追加

バリア膜１３は半導体基板１に引張応力を生じさせる膜であり、第１の熱処理では、金属膜１２を構成する金属元素ＭのモノシリサイドＭＳｉからなる金属シリサイド層が形成される。 - 特許庁

At least one specified source/drain region in the first and second source/drain regions has effective width which is substantially larger than width of bonding between the semiconductor layer and the specified source/drain regions.例文帳に追加

第１および第２のソース／ドレイン領域のうちの少なくとも特定の１つは、半導体層とその特定のソース／ドレイン領域との間の接合の幅よりも実質的に大きな実効幅を有して形作られている。 - 特許庁

The first groove 26 and the second groove 25 whose depth are different from each other are formed by utilizing a difference of their detachability to stripping liquid using a resist layer comprised of 2 kinds of resist materials with each having a different characteristic.例文帳に追加

このような深さの異なる第１の溝２６および第２の溝２５は、特性の異なる２種類のレジスト材料からなるレジスト層を用い、これらの剥離液に対する剥離性の違いを利用して形成される。 - 特許庁

To previously form a ball cell substrate, to remove the diffusion layer of second conductivity tape silicon along a spherical outline without local heating, to expose first conductivity type silicon and to form a ball diode substrate.例文帳に追加

予め、ボール・セル基板を形成し、局所的な加熱を伴わずに球状輪郭に沿って第２導電型シリコンの拡散層を取り除き第１導電型シリコンを露出させて、ボール・ダイオード基板を形成することにある。 - 特許庁

At that time, an interfacial layer 20A containing tin/silver alloy containing tin of not more than 90 wt.% as mean composition is formed on an interface between the first connection electrode 15B and the electric resistance reduction film 20.例文帳に追加

その際、第１の接続用の電極１５Ｂと電気抵抗減少用の膜２０との界面に、平均組成としてスズを９０重量％以下含むスズ−銀合金を含む界面層２０Ａが形成される。 - 特許庁

The lower layer is first formed from a coating material containing polyethylene wax, and a recoating film is formed on the lower wet film, and the lower wet film and the recoated wet film are simultaneously baked.例文帳に追加

このとき、ポリエチレンワックスを含有した塗料で下層側の塗膜を形成し、次いで下層側の塗膜上に、塗り重ね塗膜を形成し、下層側の塗膜と塗り重ね塗膜を同時に焼き付け硬化させる。 - 特許庁

Next, after forming a protective film 19, the movable electrode 20 is released by performing release etching for removing a part left from the first interlayer insulation film 16 and the sacrifice layer 15 by etching liquid having a selectivity.例文帳に追加

次に、保護膜１９を形成した後、選択比を有するエッチング液により、第一層間絶縁膜１６の残った一部および犠牲層１５を除去するリリースエッチングを行なって可動電極２０をリリースする。 - 特許庁

The resin board 10 with the metal foil is obtained by metallizing a metal on the protective film 16 and performing hot contact bonding of the metal foil 13 on one of the main face of the resin base sheet 11 through the first hot melt layer 12.例文帳に追加

保護フィルム１６上に金属を蒸着し、第１ホットメルト層１２を介してその金属箔１３を樹脂基板１１の一方の主面に熱圧着して金属箔付き樹脂ボード１０を得る。 - 特許庁

The monotone function is used as an activation function of a first neuron group N1 and 2r pieces of neurons 11-1r and 21-2R structuring a second neuron group N2 included in an input layer 1 of the recurrent neural network.例文帳に追加

このリカレントニューラルネットワークの入力層１に含まれる第１のニューロン群Ｎ１と第２のニューロン群Ｎ２とを構成する２ｒ個のニューロン１１〜１ｒと２１〜２Ｒの活性化関数として単調関数を用いる。 - 特許庁

The semiconductor laser stack 1 includes a first notch N1 and a second notch N2 (both the ends of a detecting reference) formed at both the end sides of the emitter E of the end face of an active layer including the emitter (light emitting part) E.例文帳に追加

半導体レーザスタック１は、エミッタ（発光部）Ｅを含む活性層の端面のうちのそれぞれのエミッタＥの両端側に第１ノッチＮ１及び第２ノッチＮ２（検出基準両端部）を形成している。 - 特許庁

The composition contains a mixed solvent including a first organic solvent A having ≥37 mN/m surface tension and a second organic solvent B having <32 mN/m surface tension and a material for forming the liquid crystal alignment layer.例文帳に追加

表面張力が３７ｍＮ／ｍ以上の第１有機溶剤Ａと、表面張力が３２ｍＮ／ｍ未満の第２有機溶剤Ｂとを含む混合溶剤と、液晶配向膜形成用材料とを含有してなる。 - 特許庁

A first inorganic film 4 of, e.g. silicon oxide is formed on a surface of a silicon substrate 2, then, the silicon substrate 2 is introduced into an epitaxial growth chamber to form a silicon layer 6 by epitaxial growth.例文帳に追加

シリコン基板２の表面にたとえばシリコンの酸化物による第１の無機膜４を形成し、つづいてシリコン基板２をシリコン・エピタキシャル成長炉に導入してエピタキシャル成長によりシリコン層６を形成する。 - 特許庁

The film P of nickel-phosphorus as a first layer is formed on the optical transfer face of a matrix by sputtering treatment as shown in the figure to grow an electroforming therefrom without using a method where the electroforming is directly grown from the matrix.例文帳に追加

母型から直接電鋳を成長させるのではなく、図６に示すように、スパッタリング処理で、母型の母光学転写面に第１の層としてのニッケル燐の被膜Ｐを形成し、ここから電鋳を成長させている。 - 特許庁

The first layer 11-1 contains at least one oxide selected from Y_2O_3 group oxide, CaZrO_3 group oxide, and SrZrO_3 group oxide, and at least one compound selected from Ni based material and NiO group oxide.例文帳に追加

第１層１１−１は、Ｙ_２Ｏ_３系酸化物、ＣａＺｒＯ_３系酸化物及びＳｒＺｒＯ_３系酸化物のうちの少なくとも一つと、Ｎｉ系物質及びＮｉＯ系酸化物のうちの少なくとも一つとを含む。 - 特許庁

A micro strip line type high-frequency line 4 comprises a dielectric substrate 1, a signal conductor 2 formed on a first surface of the dielectric substrate 1, and a ground layer 3 formed inside the dielectric substrate 1.例文帳に追加

誘電体基板１と、誘電体基板１の第1の面に形成された信号導体２と、誘電体基板１の内部に形成されたグランド層３からマイクロストリップ線路型の高周波線路４を構成されている。 - 特許庁

To provide a group III nitride semiconductor light emitting element hardly causing deterioration in crystallinity due to a dopant concentration of a first n-type semiconductor layer and achieving high output, and a method for manufacturing the group III nitride semiconductor light emitting element.例文帳に追加

第一ｎ型半導体層のドーパント濃度に起因する結晶性の低下が生じにくく、かつ、高い出力の得られるＩＩＩ族窒化物半導体発光素子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

In an arc tube 10, devitrification in a swollen portion 10A can be well reduced by covering and protecting a top portion TP, which is likely to be devitrified, with a comparatively thick first protective film portion MP1 of an inner protective layer 18.例文帳に追加

発光管１０において、失透しやすい頭頂部ＴＰを内側保護層１８のうち比較的厚い第１保護膜部分ＭＰ１で覆って保護することで、膨出部１０Ａでの失透を十分に低減できる。 - 特許庁

Forming the first paste layer 16 by adherence of the conductive paste film 13 in that state to the end surface 2a makes it possible to ensure a sufficient thickness of external electrodes 3 and 4 near a curved corner portion 9.例文帳に追加

そのような状態の導電性ペースト膜１３を端面２ａに付着させて第一ペースト層１６を形成することで、湾曲した角部分９付近で十分な外部電極３，４の厚みを確保する。 - 特許庁

A separation region between the diode and the GTO thyristor comprises a semiconductor substrate of a first conductive type, a thin-layer region of a second conductive type formed on its main surface, and a guard ring region of a second conductive type.例文帳に追加

ダイオードとＧＴＯサイリスタとの間の分離領域が、第１導電型の半導体基板と、その主面に形成された第２導電型の薄層領域と、第２導電型のガードリング領域とを含む。 - 特許庁

The buried LDD region is spaced laterally apart from the drain region, and a second LDD region of the first conductivity type is formed proximately to the upper surface of the semiconductor layer in the buried LDD region.例文帳に追加

この埋込みＬＤＤ領域はドレイン領域から横方向に離隔され、この埋込みＬＤＤ領域内の半導体層の上部表面の近傍に第１の導電型の第２のＬＤＤ領域が形成される。 - 特許庁

The resistance changing layer 12 can change an electrical resistance value among a plurality of states by applying a voltage or a current between the first electrode 11 and the second electrode 13.例文帳に追加

抵抗変化層１２は、第１の電極１１と第２の電極１３との間に電圧または電流を印加することによって、電気抵抗値が異なる複数の状態間で変化させることが可能な層である。 - 特許庁

According to this constitution, since the magnetic field by the write current can be provided efficiently for the TMR element 4, the magnetizing direction of the first magnetic layer 41 can be inverted even with a small write current.例文帳に追加

この構成によれば、書き込み電流による磁界をＴＭＲ素子４へ効率よく提供できるので、第１磁性層４１の磁化方向を小さな書き込み電流でもって反転させることができる。 - 特許庁

Next, on the first electrode 12, a light-emitting layer 13 composed of a mixture of a low-molecular weight organic hole transport material, a low-molecular weight organic electron transport material, and low-molecular weight organic light-emitting materials is formed.例文帳に追加

次いで、第１の電極１２上に、低分子系有機正孔輸送材料、低分子系有機電子輸送材料、及び低分子系有機発光材料の混合物からなる発光層１３を形成する。 - 特許庁

A hole is machined in a first layer on the printed circuit board with XY coordinates values (Lx2, Ly2), where coordinates values (Lx0, Ly0) of the hole designated by a machining program are shifted by a correction value obtained in advance as a target position.例文帳に追加

加工プログラムで指定される穴の座標値（Ｌｘ０、Ｌｙ０）を予め求めた補正値だけずらしたＸＹ座標値（Ｌｘ２、Ｌｙ２）を目標位置としてプリント基板の第１層に穴を加工する。 - 特許庁

The magnetoresistive device 21_1 includes: a ferromagnetic layer configured to exhibit magnetic anisotropy and to allow magnetization thereof to be switched at least between first and second directions; and a gate 23 capacitively coupled to the ferromagnetic region.例文帳に追加

磁気抵抗素子は、磁気異方性を示し、その磁化が少なくとも第一及び第二の方向の間で反転できるように構成された強磁性層と、強磁性領域に容量性結合されたゲートとを含んでいる。 - 特許庁

A first fluorescent material layer 5 is adhered to the inner face of a wall of a discharge container 2 and can be excited by VUV radiation, and contains UVA component installed to generate electromagnetic radiation in the UVA region.例文帳に追加

第１の蛍光体層５は放電容器２の壁の内面に被着されていて、ＶＵＶ放射により励起可能でありＵＶＡ領域で電磁放射を発生させるために設けられたＵＶＡ成分を含む。 - 特許庁

First and second memory cells 1 and 2, which are arranged adjacent to each other in the direction of a paired bit line interconnection layer 15, have an asymmetrical layout in the same direction, and form a single memory cell group.例文帳に追加

ビット線対配線層１５に沿う方向に隣接して配置される第１，第２のメモリセル１，２がその方向に非対称のレイアウトを有しており、この第１，第２のメモリセル１，２で一つのメモリセル群を形成する。 - 特許庁

In the step of forming the element isolation layer 12, a first alignment mark used as an aligning reference of an exposure mask in a subsequent photolithography step is formed on a scribing line on the silicon substrate 11.例文帳に追加

なお、素子分離層１２を形成する工程において、引き続くフォトリソグラフィ工程における露光用マスクの位置合わせ基準となる第１アライメントマークを、シリコン基板１１上におけるスクライブラインに形成する。 - 特許庁

In the production method, first, a composite fiber-reinforced plastic layer 2 impregnated with a liquid resin 3 is arranged on both open end faces 9 of the honeycomb core 1 through a regulation absorption film material 8 such as a nonwoven fabric.例文帳に追加

この製造方法では、まず、液状の樹脂３が付着，含浸，複合された繊維強化プラスチック層２を、不織布等の規制吸収膜材８を介して、ハニカムコア１の両開口端面９に配設する。 - 特許庁

Change rate of a value obtained by dividing residual magnetization in the circumferential direction of the magnetic layer 4 by residual magnetization in the radial direction to the reciprocals of film thicknesses of the first and the second seed layers 21 and 22 are 6 nm or below.例文帳に追加

磁性層４の円周方向の残留磁化を半径方向の残留磁化で除した値の、第１シード層２１および第２シード層２２の膜厚の逆数に対する変化率は６ｎｍ以下である。 - 特許庁