| 意味 | 例文 |
First layerの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 24472件
In the semiconductor device, a first bipolar transistor and a second bipolar transistor are provided on a supporting substrate within an aperture by exposing the supporting substrate through provision of the aperture by removing a surface silicon layer and an embedded oxide film.例文帳に追加
本発明の半導体装置は、表面シリコン層と埋込酸化膜を除去し開口部を設けることで、支持基板を露出させ、開口部内の支持基板に第1のバイポーラトランジスタと第2のバイポーラトランジスタとを設けた。 - 特許庁
A solar cell is formed by bonding together first and second metal layers in such a way as to sandwich a semiconductor layer.例文帳に追加
半導体を挟むようにして第1の金属と第2の金属とを接合して成る太陽電池であって、該半導体の厚さW(単位:cm)が以下の式(I)により与えられる太陽電池によって、上記課題を解決する。 - 特許庁
After removing the first resist pattern 41, a second resist pattern 43 is formed on the opposite sides of the copper clad substrate 20 to cover the plated coating 42 and the copper layer 21 at a part which is to become a wiring pattern 14.例文帳に追加
第1のレジストパターン41を除去した後、銅張り基板20の両面に、めっき被膜42を覆うと共に配線パターン14となる部位の銅層21を覆う第2のレジストパターン43を形成する。 - 特許庁
First, a porous film 3 is arranged on a suction plate 11 connected with a suction mechanism and the treatment agent 2 is arranged in an adhesive layer 4 provided on the porous film 3 like a frame while sucking it.例文帳に追加
まず、吸引機構に接続された吸着板11上に多孔質フィルム3を配置し、吸引しながら、多孔質フィルム3上に枠状に設けられた接着剤層4内に処理剤2を配置する。 - 特許庁
Alternatively, the first nitride semiconductor of the channel layer may be made Al_xGa_1-xN (0.16≤x<1) and a high concentration n type impurity region 6 with impurity concentration of 1×10^18cm^-3 or more may be made just under each source/drain electrode 7.例文帳に追加
或いは、チャネル層の第1窒化物半導体をAl_xGa_1-xN(0.16≦x<1)とし、且つ、各ソース/ドレイン電極7の直下に不純物濃度が1×10^18cm^-3以上の高濃度n型不純物領域6を形成することとしても良い。 - 特許庁
Then, an organic insulating film 103 composed of a fluorinated amorphous carbon film is deposited on the first adhesive layer 102 by a plasma CVD method which uses a second source gas composed of a mixed gas of C_4F_8/CH_4.例文帳に追加
次にC_4F_8/CH_4 の混合ガスからなる第2の原料ガスを用いるプラズマCVD法により、第1の密着層102の上にフッ素化アモルファスカーボン膜からなる有機絶縁膜103を堆積する。 - 特許庁
Since the torque of the worm gear 44 of the second propulsion section 11b is transmitted by the three-layer coil spring 52 for connecting, the torque can be efficiently transmitted to the worm gear 44 of the first propulsion section 11a.例文帳に追加
第二推進部11bのウォームギア44の回転力を連結用三層コイルバネ52によって伝達しているため、第一推進部11aのウォームギア44に対して効率良く回転力を伝達できる。 - 特許庁
For the second substance and the third substance in the light-emitting layer, a substance having an energy gap (or triplet energy) which is larger than the energy gap (or triplet energy) of the first substance is selected.例文帳に追加
この発光素子においては、これら第2の物質及び第3の物質は共に第1の物質のエネルギーギャップ(又は三重項エネルギー)より大きいエネルギーギャップ(又は三重項エネルギー)を有する物質を選択する。 - 特許庁
In the power semiconductor module 1, a copper-containing first soldering base material 20b, a connection layer 14, and a copper-containing second soldering base material 119 are arranged successively and fixedly connected with one another.例文帳に追加
パワー半導体モジュール1において、銅含有第1のはんだ付け母材20b、接続層14、および、銅含有第2のはんだ付け母材119は、連続的に配置されて、固定して互いに接続されている。 - 特許庁
The cathode active substance layer applied end 21 on the side of starting a winding is positioned in a range between an edge of a first arc 26a of the cathode lead 2 and an edge of a second arc 26d of the anode lead 7.例文帳に追加
捲回開始側の正極活物質層塗布端部21が正極リード2の第1の円弧部26a側のエッジと負極リード7の第2の円弧部26d側のエッジとで挟まれた範囲内に位置する。 - 特許庁
The movable part 9a is moved and a dimension of a gap between the movable film 9 and the cover film 5 is varied, and functions as a valve between the first semiconductor layer removing part 7 and a space above the cover film 5.例文帳に追加
可動部分9aが移動して可動膜9とカバー膜5との間の隙間の大きさが変化することによって第1半導体層除去部7とカバー膜5上の空間との間でバルブとして機能する。 - 特許庁
Here, the organic EL layer 320 is uniformly formed in the space because faces 310a and 13a regulating the space for the positive electrode 310 and the first barrier rib 13 are flattened.例文帳に追加
ここで、陽極310及び第1隔壁13においてこの空間を規定する面310a及び13aは略平坦化されているため、有機EL層320はこの空間内において均一に形成される。 - 特許庁
The recording magnetic pole film 11 is formed by alternately stacking a film constituted of first and second magnetic layers 1 and 3 respectively made of Co50Fe50 and Co90Fe10 and stacked together, and a nonmagnetic layer 2 made of Ru.例文帳に追加
記録磁極膜11は、Co50Fe50からなる第1の磁性層1とCo90Fe10からなる第2の磁性層3を積層した膜と、Ruからなる非磁性層2とを交互に積層したものである。 - 特許庁
When the distance of the side 50 of the first metal silicide layer 30, and one side of the contact 16 of the well tap region 14 is set to L4 and the distance of the side 54 and one side of the contact 18 is set to L5, it is made L5≥L4.例文帳に追加
第1金属シリサイド層30の辺50とウェルタップ領域14のコンタクト16の一辺との距離をL4、辺54とコンタクト18の一辺との距離をL5とした場合に、L5≧L4にする。 - 特許庁
This pneumatic tire 1 is provided with a crossing belt 5 arranged so that each of a first belt 5A and a second belt 5B may cross, and an outermost layer belt 6 arranged on an outermost side of a radial direction of the pneumatic tire 1.例文帳に追加
空気入りタイヤ1は、第1ベルト5A、第2ベルト5Bそれぞれのコードが交差するように配置される交差ベルト5と、空気入りタイヤ1の径方向の最も外側に配置される最外層ベルト6とを備える。 - 特許庁
In the MRAM, tunnel insulating layers (5-1 through 5-3), are provided so as to be sandwiched between first to (n+1)-th magnetic material layers (4 and 6-1 through 6-3) and an i-th magnetic material layer, which have spontaneous magnetization respectively.例文帳に追加
本発明による磁性メモリは、トンネル絶縁層(5−1〜5−3)が自発磁化をそれぞれ有する第1〜第(n+1)磁性体層(4、6−1〜6−3)第i磁性体層の間に介設されている。 - 特許庁
The powder 40 is fixed to the copper foil 50 by irradiating laser beams L using nonoxidative gas as assist gas from the side of the mixed powder 40 for heating while they are scanned to form a first layer of the negative active material.例文帳に追加
そして、非酸化性ガスをアシストガスとしたレーザ光Lを混合粉体40の側からスキャンしながら照射・加熱して銅箔50に粉体40を固着させ1層目の負極活物質41bを形成する。 - 特許庁
The first wiring 51 of the second wiring layer 50 includes a head side wiring part 51a extending from a head side terminal part 4, and a plurality of division wiring parts 51b, 51c divided from the head side wiring part 51a.例文帳に追加
第2配線層50の第1配線51は、ヘッド側端子部4から延びるヘッド側配線部51aと、ヘッド側配線部51aから分割された複数の分割配線部51b、51cと、を含んでいる。 - 特許庁
Moreover, the second source/drain regions are doped with the same kind of impurity as the impurity that is contained at predetermined concentration in the LDD regions in the first semiconductor layer, at a concentration at least equal to the predetermined concentration.例文帳に追加
更に、第2ソース・ドレイン領域には、第1半導体層におけるLDD領域に所定濃度で含まれる不純物と同一種類の不純物が、少なくとも所定濃度に等しい濃度で含まれる。 - 特許庁
In a substrate forming method, a layer of a radiation sensitive material is arranged on a substrate surface, and is exposed by a patterning device (a lithography device) having a calibration pattern including a first set of pattern features and a second set of pattern features.例文帳に追加
基板形成方法は放射感応性材料の層を基板表面に設け、第一セットのパターンフィーチャ及び第二セットのパターンフィーチャを含むキャリブレーションパターンをもつパターンニングデバイス(リソグラフィ装置)により露光する。 - 特許庁
A resin board 10 with a metal foil is manufactured by hot contact bonding of the back surface of the metal foil 13 on the surface of which a transparent protective film 16 is stacked on one of main faces of a resin base sheet 11 through the first hot melt layer 12.例文帳に追加
金属箔付き樹脂ボード10は、透明の保護フィルム16が表面に積層された金属箔13の裏面が樹脂基板11の一方の主面に第1ホットメルト層12を介して熱圧着される。 - 特許庁
Herein, during a period from the first positive/negative reversion of a value for the shift function σ to the second positive/negative reversion after starting the sliding mode control, overshoot is restricted by reducing the width of a boundary layer introduced into a change-over plane.例文帳に追加
ここで、スライディングモード制御開始後、切換関数σの値が初めて正負反転してから2回目の正負反転までの間、切換面に導入される境界層の幅を狭めることで、オーバーシュートを抑制する。 - 特許庁
In a view in a perpendicular direction with respect to the mesh-like conductor layer, at least a part of a confronted portion between an outer edge of the first conductor plate 202A and an outer edge of the second conductor plate 202B is tapered.例文帳に追加
メッシュ状導電体層に対して鉛直方向から見たとき、第1導電体板202Aの外縁と第2導電体板202Bの外縁の向かい合う部分の少なくとも一部がテーパー形をなしている。 - 特許庁
Furthermore, since the first bank pattern and the second bank pattern are electrically insulated, effect of enlarging applications of the concave portion such as drawing out of an inner layer wiring pattern to the concave portion side is achieved.例文帳に追加
さらに、第1堰堤パターン及び第2堰堤パターンが、電気絶縁性に構成されているので、例えば、凹部側への内層配線パターンの引き出しが可能になるなど、凹部の用途を拡大できるという効果がある。 - 特許庁
This coating system 10 for a protective layer-forming material comprises a first coating station ST1 and a second coating station ST2 in succession from the upstream side in the feed direction of the vehicle 14 and coating devices 11a and 11b are respectively arranged to the coating stations ST1 and ST2.例文帳に追加
塗布システム10は、車両14の搬送方向の上流側から順に、第1塗布ステーションST1及び第2塗布ステーションST2からなり、それぞれ塗布装置11a及び11bが配設される。 - 特許庁
To provide a two-layer label whose description contents cannot be confirmed at the time of display and described information having more contents than those described on the label surface can be recognized for the first time after acquisition, and which can be attached to a bottle with glue paste.例文帳に追加
陳列時には記載内容が確認できず、入手後初めてラベル表面に記載されている内容以上の記載情報を認識することができ, かつ、グルー糊で貼付可能な二層ラベルを提供すること。 - 特許庁
A structure of a bonding pad for a copper metallized integrated circuit comprises a first barrier metal layer deposited on a surface of a non- oxidative copper having a copper diffusion coefficient at 250°C of lower than 1×10E-23 cm2/s and a thickness of about 0.5 to 1.5 μm.例文帳に追加
この構造は、銅拡散係数が250℃において1×10E−23cm^2/s未満、厚さが約0.5から1.5μmである、非酸化銅表面上に堆積させた第1のバリア金属層を含む。 - 特許庁
The reflective frame 10 is fixed on the substrate 1 with an adhesive layer 40 consisting of a material different from the translucent member 30 interposed therebetween so that the reflective frame 10 comes into thermal contact with at least the first portion 2 of the substrate 1.例文帳に追加
そして、反射枠体10は、少なくとも基板1の第1部分2と熱接触するように、透光性部材30とは異なる材料からなる接着層40を介して基板1上に固定されている。 - 特許庁
The upper section of a substrate is coated with a first conductor layer composed of a conductive paste 6, and the upper section of the conductive paste 6 is coated with metal grains 7 having a melting point higher than that of the resin component of the conductive paste 6.例文帳に追加
導電性ペースト6からなる第1の導体層を基板上に塗布した後、この導電性ペースト6の樹脂成分より高い融点を持つ金属粒子7を前記導電性ペースト6上に塗布する。 - 特許庁
A plurality of N-type diffused layers 2 are provided separately from each other, and the layers adjacent to each other through contact holes 4 provided in insulating films 3 on the layers 2 are connected with each other through the first wiring metal layers 5 (Al-Si-Cu alloy layer).例文帳に追加
N型拡散層2が離間して複数設けられその上の絶縁膜3のコンタクトホール4で互いに隣り合うものどうし第一層の配線金属5(Al−Si−Cu合金)で接続する。 - 特許庁
The second ferromagnetic layer 16 has first and second ferromagnetic films 13 and 15 comprising of CoFe having a face-centered cubic structure, and an intermediate film 14 comprising Fe_50Co_50 or Fe_70Co_30 or the like interposed thereby.例文帳に追加
第2強磁性層16は、面心立方構造を有するCoFeからなる第1および第2の強磁性膜13,15と、それらに挟まれた、Fe_50 Co_50 やFe_70 Co_30 などからなる中間膜14とを有する。 - 特許庁
This forms a parasitic bipolar transistor having the first-conductive-type drain isolation layer 6 as an emitter, the second-conductive-type isolation layers 5b as bases, and the collector layers 7 as collectors, thereby passing surge current to a ground line.例文帳に追加
これにより第1導電型のドレイン分離層6をエミッタ、前記第2導電型の分離層5bをベース、前記コレクタ層7をコレクタとする寄生バイポーラトランジスタを形成しサージ電流を接地ラインに流す。 - 特許庁
Further a first communication portion is secured on the outside of the girth, to allow communication between the intra-wall air layers on upper and lower stories, and a second communication portion is arranged on the upper surface of the girth, to allow communication between the attic space and the intra-wall air layer.例文帳に追加
また第1連通部を胴差の屋外側に設けて上下階の壁内空気層を連通し、胴差の上面に設けた第2連通部によって天井裏空間と壁内空気層とを連通させる。 - 特許庁
A connecting wall portion 34 of the first housing piece 33 is screwed to a connection arm 21, which is the other component, using tightening screws 28 to be inserted into the screw holes 34a, with the resin layer disposed between the screwing surfaces 44.例文帳に追加
第1筐体片33の連結壁部34はネジ孔34aを挿通する締結ネジ28により、ネジ止め面44が樹脂層を間に挟んで他の部品である連結アーム21に対してネジ止めされる。 - 特許庁
In the package for light-emitting elements, a frame body 14 is installed on the upper surface of a substrate 11, a cavity 10 for accommodating the light-emitting element is formed, and a first reflection layer 5 is formed on the inner periphery surface of the frame body 14.例文帳に追加
本発明に係る発光素子用パッケージは、基体11の上面に枠体14を設置して、発光素子を収容するためのキャビティ10が形成され、枠体14の内周面には第1反射層5が形成されている。 - 特許庁
When the sporting gear set on the arm is used, if the length adjusting gear is dislocated, all of the first cover layer being cylindrically formed allows the sporting gear to be hardly dislocated, resulting in excellence in safety.例文帳に追加
さらに、腕に装着しての使用中に、万一、長さ調整具が外れたとしても、第1カバー層全体が環状に形成されているので、腕から簡単に外れるようなことはなく、極めて安全性が高い。 - 特許庁
The outer package structure is multi-layered by using the first and second coating layers, and the flexibility of the second coating layer can suppress scattering of resin and solder or the like due to breakage of the varistor in the case of operation of the varistor at absorption of surge or the like.例文帳に追加
第1及び第2の被覆層により外装構造の多層化とともに、第2の被覆層の柔軟性によりサージ吸収等の動作時、破壊による樹脂やハンダ等の飛散を抑制できる。 - 特許庁
The first handrail part 5 and the second handrail part 6 are constituted of a tubular member having a cross-sectional shape of an ellipse shape as a whole by coating the peripheral face of a metal circular tubular material 7 with a resin layer 8.例文帳に追加
第1の手摺部5と第2の手摺部6は、金属製の円形管材7の周面に樹脂層8を被覆して、全体として楕円形の断面形状を有する管状部材によって構成されている。 - 特許庁
By increasing the gate width, V_CE(on) is reduced, and a depletion layer extending from each base region during application of reverse voltage is made to moderately continue by the first p-type impurity region to ensure withstand voltage.例文帳に追加
ゲート幅を広げることでV_CE(on)を低減し、第1p型不純物領域によって逆方向電圧印加時に各ベース領域から広がる空乏層を緩やかに連続させて耐圧を確保する。 - 特許庁
To provide an organic electroluminescence element, which is formed with a color filter layer between a thin-film transistor and a first electrode, is simplified in processes, has high process safety and facilitates embodiment of front surface light emission and back surface light emission.例文帳に追加
薄膜トランジスタと第1の電極との間にカラーフィルタ層を形成して,工程を単純化し,工程安全性が高く,前面発光及び背面発光の具現が容易な有機電界発光素子を提供する。 - 特許庁
The packaging substrate has a double-layer conductive pattern structure, has signal wiring patterns and power supply wiring patterns 300-307 for connecting the memory device to the data processing device on the first surface, and has a ground pattern on a second surface.例文帳に追加
前記実装基板は2層の導電パターン構造を有し、第1面にはメモリデバイスとデータ処理デバイスを接続する信号配線パターンと電源配線パターン(300〜307)を有し、第2面にはグランドパターンを有する。 - 特許庁
In a state where the substrate potential of a channel region formed of the intrinsic semiconductor layer is set stationary, a voltage is successively applied to a third p-type substrate potential extracting terminal 28 or a first p-type substrate potential extracting 24.例文帳に追加
真性半導体層にて形成されるチャネル領域の基板電位を固定した状態で、第3のp型基板電位取出し端子28あるいは第1のp型基板電位取出し端子24に電圧を順次印加する。 - 特許庁
When static surge (ESD) enters from the back electrode 7, the ESD current flows into the first p-type region 3 only from a region not covered with the depletion layer DL in the joint J23.例文帳に追加
裏面電極7から静電気サージ(ESD)が侵入した際に、ESD電流が、接合部J23のうち空乏層DLによって覆われていない領域からのみ第1のP型領域3に流れ込む。 - 特許庁
The first grinding layer 12 has a roughened surface for grinding a tip end part of the probe needle and has the function of removing coating-like attachments adhering to the needle tip and inhibiting electric conduction.例文帳に追加
第1の研磨層12は、プローブ針の先端部分を研磨するために表面が粗面状をしており、針先端に皮膜状に付着した電気的導通の阻害となる付着物を除去する機能を有している。 - 特許庁
In an electrode pattern 6 provided in a first interlayer insulating layer 3 formed on a semiconductor substrate 1, insulator-made dummy patterns 8 are provided, which are separated from each other by specified gaps and surround the bottom of a via contact hole 5a.例文帳に追加
半導体基板1に形成された第1の層間絶縁層3に設けられた電極パターン6に、ビア・コンタクト・ホール5aの底部を取り囲むように所定間隔を離間して絶縁体のダミーパターン8を設ける。 - 特許庁
In succession, a heat treatment is executed to the substrate at a temperature which is higher than the formation temperature of the first laminate 17a and which is lower than the melting point of Al, and the reorientation of Al crystal particles in the AlCu layer 5 is promoted.例文帳に追加
続けて、基板上に、第1積層17aの形成温度よりも高く,Alの融点よりも低い温度で熱処理を行なうことにより、AlCu層5におけるAl結晶粒の再配向を促す。 - 特許庁
The method for manufacturing the diaphragm structure comprises the steps of forming body parts 30A and 30B and diaphragms 31A and 31B of diaphragm constituting elements by using a normal semiconductor process on first and second substrates 1A and 1B via a mold release layer 2.例文帳に追加
第1および第2の基板1A,1B上に離型層2を介して通常の半導体プロセスを用いてダイヤフラム構成要素である胴体部30A,30Bおよびダイヤフラム部31A,31Bを形成する。 - 特許庁
An effluent treatment by high-pressure air is executed by opening the first valve VL1 and the second valve VL2 and operating an air compressor 32 in waiting for the cathode electrode layer 11 when predetermined power generation is obtained.例文帳に追加
所定の発電量が得られたときに第1のバルブVL1及び第2のバルブVL2を開き、カソード電極層11に待機中であったエアコンプレッサ32を稼働させて高圧空気による排水処理を行う。 - 特許庁
A first shield layer 40 is formed between the upper wiring pattern and the lower wiring pattern, and the upper wiring patterns 18a and 18b and the lower wiring patterns 16a and 16b are superposed in a plan view.例文帳に追加
前記上部配線パターンと前記下部配線パターンの間に第1シールド層40が設けられ、前記上部配線パターン18a,18bと前記下部配線パターン16a,16bとが平面視にて重ねられている。 - 特許庁
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