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First layerの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 24472



例文

A first interlayer insulating film 205 is formed on a semiconductor substrate 201 where an element isolation film 202 and a Tr are formed, then a bit line connection hole 206 and a connection conduction pad connection hole 207 are provided, and a first conductive layer is formed and patterned for the formation of a bit line 208 and a connection conduction pad 209.例文帳に追加

素子分離膜202とTrが形成された半導体基板201上に第1層間絶縁膜205を形成後、ビット線用接続孔206と接続導通パッド用接続孔207を形成し、全体の上に第1伝導層を形成しパターニングしてビット線208及び接続導通パッド209を形成する。 - 特許庁

A resin film 77 includes a first resin film 77a which is formed to cover the area 70a-a third area(a laminated layer including the thin-film piezo-electric body 73 and the first and second electrode films 75a, 75b) and a second resin film 77b which is formed on an area of an electrode 71a to be formed.例文帳に追加

樹脂膜77は、第1領域70a〜第3領域(薄膜圧電体73と第1及び第2の電極膜75a,75bとを含む積層体)それぞれを覆うように形成される第1の樹脂膜77aと、電極71aが形成される領域に形成される第2の樹脂膜77bとを含む。 - 特許庁

In a resist layer RS on a board SB, after the first pattern B is transferred to the left half of a region 1 to be transferred, the board SB is stepped by a half of a pitch P of a step, corresponding to the length X and the first and second patterns A and B are respectively transferred to the left half and right half of the region 1.例文帳に追加

基板SB上のレジスト層RSには、被転写領域1の左半分に第1のパターンBを転写した後、基板SBを長さXに対応する1ステップピッチPの1/2だけステップさせて領域1の左半分及び右半分に第1及び第2のパターンA及びBをそれぞれ転写する。 - 特許庁

A first and a second thermistor layer 7 and 8, are formed on the edge faces of a thermistor element 2; a first and a second external electrode 9 and 10, are formed on the thermistor layers 7 and 8 respectively for the formation of a thermistor; and the electrical characteristics of the thermistor can be regulated easily, by selecting those materials that constitute the thermistor layers 7 and 8.例文帳に追加

サーミスタ素体2の端面2a,2bに第1,第2のサーミスタ層7,8が形成されており、第1,第2のサーミスタ層7,8上に第1,第2の外部電極9,10が形成されており、サーミスタ層7,8を構成する材料を選択することにより電気的特性を容易に調整し得るサーミスタ1。 - 特許庁

例文

A first conductor 132K and a second conductor 132L, or the like whose sections are slender along the signal conductor wire 126 or the like are disposed which connect the surface side first and second ground layers 129K, 129L or the like with the rear side ground layer 131 in the vicinity of the signal conductor wire 126 or the like.例文帳に追加

さらに、信号導体線126等の近傍において、表面側第1または第2グランド層129K,129L等と裏面側グランド層131とを接続する導体であって、断面が信号導体線126等に沿う細長い形状とされた第1及び第2断面細長導体132K,132L等を備える。 - 特許庁


例文

An inside joining portion 30 of opposed base clothes provided in the air chamber of the airbag is constituted of a first sewn portion 31 for defining the air chamber formed by sewing the base clothes together, a second sewn portion 32 for surrounding and protecting the end portion 31T, and an adhesive layer 35 formed around the first and second sewn portions 31 and 32.例文帳に追加

エアバッグの気室内に設けられた対向する基布同士の内側接合部30を、基布同士を縫製して形成された気室を区画する第1縫製部31と、その端部31Tを囲んで保護する第2縫製部32及び、縫製部31、32の周りに形成された接着剤層35から構成する。 - 特許庁

A first interlayer insulating film 7 covering an MOSFET (the semiconductor device) 100 is formed on the main surface of a semiconductor substrate 1 and on the top face of a gate electrode 5, and a first wiring layer 9 is formed in the region other than above the channel region 6 of the MOSFET 100 on the top face thereof.例文帳に追加

半導体基板1の主面上及びゲート電極5の上面上には、MOSFET(半導体素子)100を被覆する第一層間絶縁膜7が形成され、その上面上の前記MOSFET100のチャネル領域6の上方以外の領域には第一配線層9が形成されている。 - 特許庁

The grounding patterns 140, 141 are fitted between first and second contact connecting pads 123, 133 and the grounding layer 122, and an impedance at a solder connection part (a section 80) to the first and the second contact connecting pads 123, 133 is matched to 100 Ω.例文帳に追加

インピーダンス整合用グランドパターン140、141は、夫々第1、第2のコンタクト接続用パッド123、133とグランド層122との間に設けてあり、第1、第2の信号コンタクト13、14の第1、第2のコンタクト接続用パッド123、133への半田付け接続部分(区間80)のインピーダンスを100Ωに整合させる。 - 特許庁

A region of the optical element 30 from which light transmitted through the first region 31a is emitted is provided with a second polarization conversion layer 33 configured to convert a polarization direction of the light transmitted through the first region 31a from the different linear polarization (P polarization) into the one linear polarization (S polarization).例文帳に追加

そして、この第1領域31aを透過した光が光学素子30を出射する領域には、第1領域31aを透過した光の偏光方向を、他の直線偏光(P偏光)から一の直線偏光(S偏光)に変換する第2偏光変換層33を備えるものである。 - 特許庁

例文

The electric resistance heating and warming cloth product comprises a cloth layer which has a first face and a second face on the reverse side and an electric resistance heating and warming element that has a configuration of a conductive string mounted on the first face of the cloth, for example, sewn in embroidery and heats and warms when connected with the power source.例文帳に追加

電気抵抗加熱/加温複合布製品は、第1の面及び反対側の第2の面を有する布層と、例えば刺繍縫いで布層の第1の面に取着された導電糸の形態をなし、電源に接続されると加熱/加温を行うようになっている電気抵抗加熱/加温素子とを備えている。 - 特許庁

例文

A first swelling part and a second swelling part are formed at the leading and trailing edge side positions of the front surface of the stationary blade, respectively, by positively generating the separation of a boundary layer on the front surface by the first swelling part, the occurrence of impact wave on the rear surface can be relieved so as to reduce the wave drag.例文帳に追加

静翼の腹面の前縁側位置および後縁側位置にそれぞれ第1膨出部および第2膨出部が形成されており、第1膨出部によって腹面の境界層に積極的に剥離を生じさせることにより、背面における衝撃波の発生を緩和して造波抵抗を低減することができる。 - 特許庁

A photovoltaic device includes: a silicon substrate having a plurality of grooves; a doped silicon layer, installed on one surface of the silicon substrate; a first electrode installed adjacent to the silicon substrate; and a second electrode, installed at a side opposite to the surface of the silicon substrate adjacent to the first electrode.例文帳に追加

本発明の光起電装置は、複数の溝を有するシリコン基板と、前記シリコン基板の一つの表面に設置されたドープシリコン層と、前記シリコン基板に隣接して設置された第一電極と、前記第一電極に隣接したシリコン基板の表面と反対側に設置された第二電極と、を含む。 - 特許庁

The manufacturing method includes a step for forming the second conductive impurity region in the predetermined region of the first conductive semiconductor substrate, a step for forming a trench by etching the semiconductor substrate in the predetermined region, and a step for embedding the first conductive epitaxial layer in the trench.例文帳に追加

製造方法は、第1の導電型の半導体基板の所定領域に、第2の導電型の不純物領域を形成するステップと、前記所定領域の前記半導体基板をエッチングして、トレンチを形成するステップと、前記トレンチに第1の導電型のエピタキシャル層を埋め込むステップとを含む。 - 特許庁

The variable wavelength semiconductor laser has at least two regions of a first region and a second region in the direction of the resonator, and the width of the optical waveguide at the active-layer depth position in the first region is made shorter than the width of the waveguide in the second region.例文帳に追加

共振器方向に第1の領域と第2の領域の少なくとも2つの領域を有する波長可変半導体レーザにおいて、前記第1の領域の領域における前記活性層の深さ位置での前記光導波路の幅を前記第2の領域における光導波路の幅より狭く形成する。 - 特許庁

On the first inter-layer insulation film 112, a capacitor lower electrode 115 connected to the first plug 113, a capacity insulation film 118 composed of the ferroelectric film, and a capacity upper electrode 119 extended to the outer side of the capacity insulation film 118 and electrically connected to the second plug 114 are successively formed.例文帳に追加

第1の層間絶縁膜112の上に、第1のプラグ113と接続する容量下部電極115、強誘電体膜よりなる容量絶縁膜118、及び容量絶縁膜118の外側まで延び且つ第2のプラグ114と電気的に接続する容量上部電極119を順次形成する。 - 特許庁

Further, the device includes a storage capacitance 70a having a first portion 301 covering the data line side LDD region 1b and a second portion 302 covering the pixel electrode side LDD region 1c and having a larger width in the X direction than the first portion 301, formed in an overlay side of the semiconductor layer 1a.例文帳に追加

更に、半導体層1aよりも上層側に形成されており、データ線側LDD領域1bを覆う第1部分301と、画素電極側LDD領域1cを覆うと共に第1部分301よりX方向の幅が広い第2部分302とを有する蓄積容量70aとを備える。 - 特許庁

The functional thin film has a transition layer containing a first component selected from aluminum (Al) and silicon (Si) and at least one second component selected from an oxygen atom (O) and a nitrogen atom (N), and each of the first and second components has a gradual concentration gradient along the thickness of the thin film.例文帳に追加

アルミニウム(Al)及びケイ素(Si)より選択される第1成分ならびに酸素原子(O)及び窒素原子(N)より選択される少なくとも一の第2成分を含む転移層を有し、該第1成分及び第2成分は薄膜の厚みに沿って漸進的な濃度勾配を有することを特徴とする機能性薄膜。 - 特許庁

This is the organic light emitting device which is provided with at least one light emitting organic material layer arranged between a first electrode and a second electrode, in which either one of the first and the second electrodes is multi-layered, and in which respective layers of the multi-layered structure are the layers sputtered by a DC magnetron.例文帳に追加

第1の電極と第2の電極との間に配置された少なくとも1つの発光性有機材料層を有し、前記第1の電極及び第2の電極の一方が多層構造であり、前記多層構造の各層がDCマグネトロンによりスパッタされた層である有機発光デバイスにつき開示する。 - 特許庁

Further, the method comprises the steps of: after the disposition of the spare wires, disposing an element on the first wiring layer; after the disposition of the element, disposing a signal wire on at least one of the first to the third wiring layers; and by use of the spare wires, performing a wiring design change.例文帳に追加

さらに、この方法は、前記スペア配線の配置後に、前記第1配線層に素子を配置する工程と、前記素子の配置後に、前記第1乃至第3配線層の少なくともいずれか1つに信号配線を配置する工程と、前記スペア配線を用いて、配線の設計変更を行う工程と、を備える。 - 特許庁

A semiconductor laser element 1 comprises: a semiconductor layer 10 having an active region 13 extending along a reference axis A, and a principal surface P1; a first end surface E1 and a second end surface E2 which intersect the reference axis A; and a first groove 24 and a second groove 25 which are provided on the principal surface P1.例文帳に追加

半導体レーザ素子1は、基準軸Aに沿って延在する活性領域13と主面P1とを有する半導体積層10と、基準軸Aに交差する第1の端面E1及び第2の端面E2と、主面P1に設けられた第1の溝24及び第2の溝25とを備える。 - 特許庁

The first resin molded portion 3 includes a part which is not embedded in the second resin molded portion 9 and is exposed to the outside, and thickness t of a thermoplastic resin layer 3A formed of the first thermoplastic resin 2 leading from an exposed surface 3B of this part to the metallic member 1 for electric wiring is chosen to be 0.4-1 mm.例文帳に追加

第1樹脂成形部3は第2樹脂成形部9に埋設されずに外部に露出した箇所を有し、当該箇所の露出表面3Bから電気配線用金属部材1に至るまでの第1熱可塑性樹脂により形成された熱可塑性樹脂層3Aの厚みtを0.4〜1mmとする。 - 特許庁

There is provided a manufacturing method of a liquid crystal device in which positions corresponding to pixel electrodes 9 are defined as display areas P and positions among the display areas P are defined as non-display areas BM comprising: a first substrate 10 provided with the pixel electrodes 9; a second substrate arranged opposite thereto; and a liquid crystal layer held between the first substrate 10 and the second substrate.例文帳に追加

画素電極9を備えた第1基板10と、これに対向配置される第2基板と、これら基板間に挟持された液晶層とを備え、画素電極9に対応する位置が表示領域Pとされ、この表示領域P間が非表示領域BMとされる液晶装置の製造方法である。 - 特許庁

The semiconductor element 700 has a first conductivity-type silicon carbide bulk substrate 1 having a principal surface 1p and a rear surface 1r; and has a first conductivity-type high concentration impurity epitaxial layer 3 which is formed on the rear surface 1r of the silicon carbide bulk substrate 1, and contains the impurity with a concentration higher than the one of the silicon carbide bulk substrate 1.例文帳に追加

半導体素子700は、主面1pおよび裏面1rを有する第1導電型の炭化珪素バルク基板1と、炭化珪素バルク基板1における裏面1rに形成され、炭化珪素バルク基板1よりも高い濃度で不純物を含む第1導電型の高濃度不純物エピタキシャル層3とを備える。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a display panel, having a display layer held between a first substrate and a flexible second substrate by which the prescribed portion of the second substrate can be removed efficiently and the damage of the first substrate can be suppressed at the time of removing the prescribed portion of the second substrate.例文帳に追加

第1基板と可撓性第2基板の間に表示層が挟持された表示パネルの製造方法であって、第2基板の所定部分を効率良く除去することができるとともに、第2基板の所定部分を除去するときの第1基板の傷つきを抑制できる表示パネルの製造方法を提供する。 - 特許庁

An outer package case 11 of an electric double-layer capacitor device has first connection means 3 and 4 provided on both the opposing surfaces to directly connect at least two products, and second connection means 7a and 8a, provided on both the opposing surfaces other than the first connection means 3 and 4.例文帳に追加

電気二重層コンデンサ装置の外装ケース11は、2個以上の製品を直接接続するよう互いに対向する一面の双方に設けた第1の結合手段3,4と、該第1の結合手段3,4を除く互いに対向する一面の双方に設けた第2の結合手段7a,8aとを有している。 - 特許庁

Next, a solution containing a fluorescent material with platinum fine particles dispersed , for instance, a chloroplatinic solution containing a fluorescent material is applied to the substrate by a discharge device 20f; a first reaction layer is formed by baking it at 500°C; and an electrolyte membrane is formed on the first substrate by a discharge device 20g.例文帳に追加

次に、吐出装置20fにおいて白金微粒子を分散させ蛍光材料を含有する溶液、例えば、蛍光材料を含有する塩化白金酸溶液を基板上に塗布し、500℃で焼成して第1の反応層を形成し、第1の基板に、吐出装置20gにおいて電解質膜を形成する。 - 特許庁

A first optical beam Lb1 and a second optical beam Lb2 sharing an optical axis Lx are emitted via one and the same objective lens 47, and the second optical beam Lb2 is reflected on a reflection layer 104 to superimpose the first optical beam Lb1 and the second optical beam Lb2 on each other from opposite directions.例文帳に追加

本発明は、光軸Lxを共有する第1光ビームLb1及び第2光ビームLb2を同一の対物レンズ47を介して照射すると共に、反射層104によって第2光ビームLb2を反射させることにより第1光ビームLb1と第2光ビームLb2を互いに反対方向から重複させる。 - 特許庁

Between the first and second inner tubes 21, 22, a hollow heat insulating layer 25 is secured preventing intrusion of exhaust gas from the upstream side, by fixing the upstream end of the first inner tube 21 to an upstream contact part 23a of a reduced part 23 of the second inner tube 22 at an upstream end of the double inner tube.例文帳に追加

第1内管21と第2内管22との間には、二重内管の上流側端部において第1内管21の上流側端部と第2内管22の縮径部23の上流側接触部23aとを固着することで上流側からの排気ガスの進入を不能とした中空断熱層25が確保されている。 - 特許庁

The first and second light shielding layers are disposed such that the first opening and the second opening are partially overlapped when viewed from above the second light shielding layer and at deviated positions.例文帳に追加

角度制限フィルターは、第1の開口部を有する第1の遮光層と、第2の開口部を有し、第1の遮光層の上方に位置する第2の遮光層と、を含み、第2の遮光層の上方から見て第1の開口部と第2の開口部とが一部重なり、且つ、ずれた位置に有するように、第1及び第2の遮光層が配置されている。 - 特許庁

A plane transformer 1 is provided with a primary winding, a first secondary winding 21 of one turn that formed of a conductor arranged in plane, and a second secondary winding of one turn formed of a conductor arranged in plane and overlapped on the first secondary winding 21 with an insulation layer interposed.例文帳に追加

平面トランス1は、一次巻線と、平面的に配置された導体によって形成された1ターンの第1の二次巻線21と、平面的に配置された導体によって形成され、第1の二次巻線21に対して絶縁層を介して重ね合わされた1ターンの第2の二次巻線とを備えている。 - 特許庁

This is the string-like electrochemical device in which storage elements 1 equipped with a first electrode 10, a second electrode 20, and an electrolyte layer 30 that is arranged between the first electrode 10 and the second electrode 20 and that has ion conductivity are continued in a string shape in a plurality of numbers, and electrically connected mutually in series or in parallel.例文帳に追加

第1の電極10と、第2の電極20と、第1の電極10及び第2の電極20間に配置されたイオン伝導性を有する電解質層30と、を備える蓄電素子1が、紐状に複数連続して互いに直列又は並列に電気的に接続されている、紐状電気化学デバイス。 - 特許庁

First signal layers 2 and 42, translucent films 4 and 44, middle layers 6 and 46, reflection films 10 and 50 and second signal layers 8 and 48 are formed in order, and the one-side readable 2-layer optical disk having signal pits on the translucent film sides of the first signal layers 2 and 42 and on the reflection film sides of the second signal layers 8 and 48 is produced.例文帳に追加

第1信号層2,42と半透明膜4,44と中間層6,46と反射膜10,50と第2信号層8,48とを順次形成し、第1信号層2,42の半透明膜側と第2信号層8,48の反射膜側にそれぞれ信号ピットを有する片面読み取り型2層式光ディスクを作製した。 - 特許庁

In the CSP type semiconductor device having the stress relaxation layer 5, a recessed groove 12 that is formed by removing one portion of a first insulating film 14 and is arranged so that the second bonding pad arrangement region can be surrounded is formed between the formation region of the first bonding pad 2 and the arrangement region of a second bonding pad 8.例文帳に追加

応力緩和層5を有するCSPタイプの半導体装置において、第1ボンディングパッド2形成領域と第2ボンディングパッド8配列領域との間に、第1絶縁膜4の一部を除去することにより形成され、かつ第2ボンディングパッド配列領域を取り囲むように配列された凹溝12を形成する。 - 特許庁

A common wiring line for supplying an electric power to an individual wiring line 102 consists of a diffusion preventing layer 104 formed to a partial region centering a via hole 232, a first metal 105 which coats its top surface and side surface, and further a second metal 106 layered on the first metal.例文帳に追加

個別配線102に電力を供給するための共通配線は、ビアホール232を中心とした一部領域に形成された拡散防止層104と、その上面および側面を被覆する第1の金属105と、更に第1の金属に積層された第2の金属106とから構成される。 - 特許庁

First and second scatter preventive layers 212 and 213 are laminated integrally on both surfaces of a 1st glass substrate 211 and the first scatter preventive layer provided on an incidence side is provided with a prism portion 212a where unit prisms 212e are formed in a plurality of arrays to realize the prism sheet 210 solving the problem.例文帳に追加

第1のガラス基板211の両面に第1及び第3の飛散防止層212,213を一体的に積層し、入射側に設けられた第1の飛散防止層に、単位プリズム212eが複数配列され形成されたたプリズム部212aを設けることにより、課題を解決するプリズムシート210を実現した。 - 特許庁

The first and second electrodes are composed of first and second high-aspect vias 110, 120, respectively, extended over a layer where a via 130 formed in the other region 300 and wiring 132 formed on the via while being connected to the via in a lamination direction of the substrate.例文帳に追加

第1の電極および第2の電極は、それぞれ、基板の積層方向において、他の領域300に形成されたビア130および当該ビア上に当該ビアに接続して設けられた配線132が形成された層にわたって延在する第1の高アスペクトビア110および第2の高アスペクトビア120により構成される。 - 特許庁

The liquid crystal device contains a liquid crystal layer which includes plural pixels insulated from one another by inter-pixel gaps, and each pixel has a first optical state where maximum light attenuation is brought about, and at least one spacer is arranged in the inter-pixel gap and practically has the same optical property as the first optical state of pixels.例文帳に追加

ピクセル間ギャップによって隔離された複数のピクセルを含む液晶層を包含する液晶デバイスであって、ピクセルの各々は、最大光減衰を生じる第1の光学状態を有し、少なくとも1つのスペーサーがピクセル間ギャップに配置され、第1のピクセル光学状態と同じ光学的性質を実質的に有する。 - 特許庁

Heating data is obtained by executing the correction of thermal accumulation by using basic heating data of M-th line to be printed and first to third thermal accumulation correction data obtained by multiplying a prescribed coefficient to first to third thermal accumulation data indicative of a condition of the thermal accumulation of each thermal accumulation layer and then heating elements are driven based on the heating data.例文帳に追加

プリントしようとする第Mラインの基本発熱データと、各蓄熱層の蓄熱状態を示す第1〜第3蓄熱データに所定の係数を乗算して得られる第1〜第3蓄熱補正データを用いて蓄熱補正された発熱データが求められ、この発熱データに基づいて発熱素子が駆動される。 - 特許庁

The single side lamination wiring board 11 comprises a resin or metallic core substrate 12 having a first major surface 13 and a second major surface 14 and exhibiting a flexural modulus not lower than 10 GPa over the entire temperature region of 150°C-200°C, and a build-up layer 18 formed only on the first major surface 13.例文帳に追加

本発明の片面積層配線基板11は、第1主面13及び第2主面14を有し、150℃以上200℃以下の温度域全般において曲げ弾性率が10GPa以上である樹脂製または金属製のコア基板12と、第1主面13上にのみ形成されたビルドアップ層18とを備える。 - 特許庁

An etching blocking film 7, a first insulating film 8, a second insulating film 9, and first, second and third mask forming layers, are successively formed on a substrate 1; a third mask 12' having a wiring groove pattern is formed by patterning the third mask forming layer; etching is performed from the third mask 12' to the second insulating film 9; and the connection hole 13 is opened.例文帳に追加

基板1上にエッチング阻止膜7、第1絶縁膜8、第2絶縁膜9、第1、第2、第3マスク形成層を順次成膜し、第3マスク形成層をパターンニングして、配線溝パターンを有する第3マスク12'を形成し、第3マスク12'から第2絶縁膜9までをエッチングし、接続孔13を開口する。 - 特許庁

In the electric double-layer capacitor for which a laminate cell 9 is housed between a metal case 1 and a blind cylindrical insulating case 4 incorporating a first lead terminal 2 and a second lead terminal 3, notched parts 4a and 4b are provided on the pull-out parts of the first lead terminal 2 and second lead terminal 3 of the blind cylindrical insulating case 4.例文帳に追加

積層セル9を金属ケース1と第一のリード端子2および第二のリード端子3を組み込んだ有底円筒絶縁ケース4との間に収容した電気二重層コンデンサにおいて、有底円筒絶縁ケース4の第一のリード端子2および第二のリード端子3の引出し部に切欠き部4a、4bを設けた。 - 特許庁

A data recording medium has a first recording carrier 2 of only reproduction type having light transmissivity and a second recording carrier 3 of recording type provided with a recording layer by which data can be recorded by light beam irradiation and the second recording carrier 3 is joined with the surface opposite to the surface of the first recording carrier 2 in which the light beam is made incident.例文帳に追加

光透過性を有する再生専用型の第1の記録担体2と、光ビームの照射によってデータの記録を可能とした記録層が設けられた記録型の第2の記録担体3とを有し、第2の記録担体3は、第1の記録担体の2光ビームが入射される面とは反対側の面に接合される。 - 特許庁

The EL light-emitting part 7 which is constituted by laminating a first electrode 4, an EL luminous layer 5, and a second electrode 6 to order is sealed wholly including the peripheral part between a first film-like substrate 2 and a second film-like substrate 10, and a light transparent pattern 11 is laminated on the bottom face of the film-like substrate 2.例文帳に追加

第1の電極4、EL発光層5、および第2の電極6とが順に積層されて構成されたEL発光部7を、第1のフィルム状基材2と第2のフィルム状基材10間に、周縁部を含む全体で封止し、かつ、フィルム状基材2の下面に光透過性パターン11が積層された構造とした。 - 特許庁

In a perpendicular magnetic recording medium, at least a first non-magnetic interlayer, a second non-magnetic interlayer, and a magnetic recording layer are stacked sequentially on a non-magnetic substrate, the first non-magnetic interlayer being formed from a Co-Cr-Ru-W alloy and the second non-magnetic interlayer being formed from an Ru-based alloy.例文帳に追加

垂直磁気記録媒体において、非磁性基板上に少なくとも、第1非磁性中間層、第2非磁性中間層、および磁気記録層が順次積層され、前記第1非磁性中間層をCoCrRuW合金から形成し、かつ前記第2非磁性中間層をRu基合金から形成する。 - 特許庁

Also, a first region is not covered from the opening of the hole 111 to a predetermined position between the opening of the hole 111 and the bottom face 111A of the hole 111 on a side face 111B of the hole 111, and a second region is covered with the seed layer 121 except for the first region (non-covering region) 111B1.例文帳に追加

また、シード層121は、孔111の側面111Bのうち、孔111の開口から、孔111の開口と孔111の底面111Aとの間の所定の位置までの第1の領域を未被覆とし、この第1の領域(未被覆領域)111B1を除いた第二の領域を被覆している。 - 特許庁

The nucleation layer can be deposited by using a first process gas which contains tungsten hexafluoride, silane, molecular hydrogen and argon and has a flow ratio of molecular hydrogen to argon of about 1.5:1 and also a partial pressure of tungsten hexafluoride of 0.5 Torr or below and allowing the first process gas to flow into the substrate processing chamber.例文帳に追加

核生成層は、六フッ化タングステン、シラン、分子水素およびアルゴンを含みアルゴンに対する分子水素の流量比が約1.5:1であり、また六フッ化タングステンの分圧が0.5トルに等しいかまったはそれ以下である第1の処理ガスを、前記基板処理チャンバ中へ流すことによって堆積される。 - 特許庁

At least either one of the lower side electrode 130 and the upper side electrode 230 has first electrode 110, 210 having a forward tapered sidewall, and a second electrode 120, 220 adjoining the first electrode 110 through an insulating layer 150, 250 in a practically same plane and having a reversely tapered sidewall.例文帳に追加

下側電極130及び上側電極230の少なくともいずれかは、順テーパの側壁を有する第1の電極110、210と、絶縁層150、250を介して第1の電極110と実質的に同じ平面内で隣接し、逆テーパの側壁を有する第2の電極120、220と、を有する。 - 特許庁

The optical recording medium is configured such that a first pigment greatly absorbing a wavelength of a recording/reproducing laser beam and a second pigment the wavelength of greater absorption of which differs from that of the first pigment and extends toward a longer wavelength are added to the recording layer of the optical recording medium adopting the film face incidence system.例文帳に追加

膜面入射方式の光記録媒体において、記録層に、記録/再生用のレーザ光の波長に対して大きな吸収を有する第一の色素に加え、大きな吸収を呈する波長領域が第一の色素とは異なり、かつ長波長側である第二の色素を添加する構成とした。 - 特許庁

The radio shielding layer has a plurality of antennae which selectively reflect electric wave of a specific frequency, a first element part in the shape of three segments, which are radially elongated to be approximately the same length and spaced at an angle of 120 degrees from each other from the center, and a second element part in the shape of a segment connected to the outside end of the first element part.例文帳に追加

電波遮蔽層は特定の周波数の電波を選択的に反射する複数のアンテナを有し、中心から相互に120°の角度をなして放射状に略同一長さでもって延びる3本の線分状の第1エレメント部と、その外側端に結合された線分状の第2エレメント部とを有している。 - 特許庁

例文

In this manufacturing method, a first resist pattern 7 having an aperture 7a for exposing source/drain regions 5, 6 to expose the upper surface of a gate electrode 2 is formed and a second resist pattern 8 having the second apertures 8d, 8e, 8c for defining source/drain electrodes 10, 11 and upper layer wiring 9 is laminated on a first resist pattern.例文帳に追加

ソース・ドレイン領域5,6を表出する開口7aを有しゲート電極2上面を表出する第一のレジストパターン7を形成し,その上にソース・ドレイン電極10,11及び上層配線9を画定する第二の開口8d,e,cを有する第二のレジストパターン8を積層する。 - 特許庁




  
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