「Hexagonal System」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

The support base 13 has a principal plane 13a of the semipolar plane, and the principal plane inclines in a predetermined off direction at an off angle within 10-40 degrees from the c plane of the hexagonal system GaN.例文帳に追加

支持基体１３は、半極性面の主面１３ａを有しており、この主面は、該六方晶系ＧａＮのｃ面から１０度〜４０度の範囲内のオフ角度で所定のオフ方向に傾斜している。 - 特許庁

In this mixed conductive ceramic for oxygen separation comprising the multiple oxide, the multiple oxide is represented by the chemical formula: LaxSra-xCoO3-y, wherein 0<x, y≤0.1 and 0.9<a<1.1, and has a hexagonal crystal system.例文帳に追加

化学式、Ｌａ_x Ｓｒ_a-x ＣｏＯ_3-y （０≦０．１，０．９＜ａ＜１．１）で表され、かつ、結晶系が立方晶系である複合酸化物と、該複合酸化物からなる酸素分離用混合伝導性セラミックス。 - 特許庁

To solve a problem that a hexagonal system has a crystal orientation different from that of zinc blend and fringes of equal thickness can not be observed when it is set at an angle of 45° with respect to a ring.例文帳に追加

六方晶の場合は従来の閃亜鉛鉱とは異なる結晶方位を有しており、従来のように、リングに対して４５°の角度とした場合には、等厚干渉縞は観察できない。 - 特許庁

The thermoelectric material is a single alloy having an Al-Mn-Si-based hexagonal system crystal structure, and contains 20-40 at% of Al, 20-40 at% of Mn, and 30-50 at% of Si.例文帳に追加

Ａｌ−Ｍｎ−Ｓｉ系の六方晶系結晶構造を有する単一合金であり、Ａｌを２０〜４０ａｔ％、Ｍｎを２０〜４０ａｔ％、Ｓｉを３０〜５０ａｔ％含むことを特徴とする。 - 特許庁

The principal surface 13a of the gallium nitride-based semiconductor region 13 is tilted at a tilt angle of 15° or more on the basis of a {0001} plane or {000-1} plane of a hexagonal system group III nitride.例文帳に追加

窒化ガリウム系半導体領域１３の主面１３ａは、六方晶系III族窒化物の｛０００１｝面または｛０００−１｝面を基準にして１５度以上の傾斜角で傾斜している。 - 特許庁

The positive active material of the nonaqueous electrolyte secondary battery comprises a hexagonal system lithium cobaltate manufactured from a cobalt compound containing zirconium and zinc as the different kinds of elements by coprecipitation.例文帳に追加

発明の非水電解質二次電池の正極活物質は、異種元素としてジルコニウム及び亜鉛が共沈により含有されたコバルト化合物を原料として製造された、六方晶系コバルト酸リチウムからなる。 - 特許庁

The purpose can be attained by forming a conductive surface nitride layer of hexagonal GaN system crystal using a GaP substrate so that thermal stability can be attained even at a temperature (1000°C or above) required for epitaxial growth of GaN and hexagonal GaN required for high efficiency element can be fabricated.例文帳に追加

ＧａＮを気相成長させるのに必要な温度（１０００℃以上）でも熱的安定性が獲得でき、また、高効率素子を作製するために六方晶のＧａＮが成長できるようにＧａＰ基板を用いて表面が六方晶ＧａＮ系結晶でなり、導電性を有する表面窒化層を形成することにより上記課題が解決できる。 - 特許庁

Each content BN1, BN2, BN3 (wt.%) of hexagonal system boron nitride powder in each layer satisfies inequalities: (1) BN2-BN1≥5, (2) BN2-BN3≥5.例文帳に追加

そして、これらの各層における六方晶系窒化ホウ素粉末の含有量ＢＮ１、ＢＮ２、及び、ＢＮ３（ｗｔ％）が、下記式（１）及び（２）を満してなるガスセンサ１ＢＮ２−ＢＮ１≧５ …式（１）ＢＮ２−ＢＮ３≧５ …式（２）である。 - 特許庁

Crystal island 1, 1' is a crystal (hexagonal system, a=0.776 nm and c=0.562 nm) of α-Si3N4 and c-axis of the crystal island 1 extends along Si[011] direction and a-axis thereof extends along Si[100] direction.例文帳に追加

結晶島１、１’はα−Ｓｉ_3 Ｎ_4 （六方晶系、ａ＝０．７７６ｎｍ、ｃ＝０．５６２ｎｍ）結晶であり、結晶島１のｃ軸はＳｉ〔０１１〕方位に沿っており、ａ軸はＳｉ〔１００〕方位に沿っている。 - 特許庁

In the cellular system having the hexagonal cells, the tone sets of two adjacent cells are deviated just by 1/3 space between adjacent tones and the symbol timings of two adjacent cells are deviated just 1/3 symbol term.例文帳に追加

六角形のセルを有するセルラシステムにおいては、２つの隣接するセルのトーンの組は、隣接するトーンの間のスペースの１／３だけずれており、２つの隣接するセルのシンボルタイミングは、シンボル期間の１／３だけずれている。 - 特許庁

This phosphor 1 for a display device is prepared by incorporating a first activator and a second activator into a phosphor matrix comprising zinc sulfide having a crystal structure mainly consisting of a hexagonal system.例文帳に追加

表示装置用蛍光体１は、六方晶を主体とする結晶構造を有する硫化亜鉛からなる蛍光体母体中に、第１の付活剤および第２の付活剤を含有させた硫化亜鉛蛍光体からなる。 - 特許庁

The positive active material of the nonaqueous electrolyte secondary battery comprises hexagonal system lithium cobaltate manufactured from a cobalt compound containing zirconium, magnesium, aluminum, and zinc as the different kinds of elements by coprecipitation.例文帳に追加

発明の非水電解質二次電池の正極活物質は、異種元素としてジルコニウム、マグネシウム、アルミニウム及び亜鉛が共沈により含有されたコバルト化合物を原料として製造された、六方晶系コバルト酸リチウムからなる。 - 特許庁

The semiconductor element 10 comprises a 6H-SC substrate 11 of hexagonal system, and a 3C-SiC thin film 12 of cubic system wherein a gate oxide film 13 and a gate electrode 14 are provided on the film surface of the thin film 12 and a source 15 and a drain 16 are provided on the left and right of the thin film 12.例文帳に追加

半導体素子１０は、六方晶系の６Ｈ—ＳｉＣの基板１１と、立方晶系の３Ｃ—ＳｉＣの薄膜１２を備え、薄膜１２の膜面に、ゲート酸化膜１３とゲート電極１４とを有し、薄膜１２の左右にソース１５とドレイン１６とを有する。 - 特許庁

Energy level of band gap is shifted between the 6H-SiC substrate 11 and the 3C-SiC thin film 12 due to difference of the crystal structure (hexagonal system and cubic system) wherein the conduction band of the substrate 11 is higher than that of the thin film 12 and the valence band of the substrate 11 is also higher than that of the thin film 12.例文帳に追加

６Ｈ—ＳｉＣの基板１１と３Ｃ—ＳｉＣの薄膜１２は、その結晶構造（六方晶系と立方晶系）の相違によりバンドギャップのエネルギレベルがずれており、伝導帯は薄膜１２より基板１１が高く、価電子帯も薄膜１２より基板１１が高い。 - 特許庁

In the high thermal conductive spacer, the spacer consists of silicone hardened material in which a hexagonal-system boron nitride coated magnesium and/or a calcium borate having an average grain size of 5-25 μm and an average roundness of 0.70 over are contained as a filler powder.例文帳に追加

シリコーン硬化物に、平均粒子径５〜２５μｍ、平均真円度０．７０以上の六方晶窒化ホウ素被覆マグネシウム及び／又はカルシウムのホウ酸塩粉末が充填されてなることを特徴とする高熱伝導性スペーサー。 - 特許庁

The ceramic polycrystal body 4 has a crystal structure of triclinic, monoclinic, orthorhombic, tetragonal, trigonal or hexagonal system, an average particle size of 5 to 50 μm, and a linear transmissivity of ≥8%.例文帳に追加

セラミックス多結晶体４は、三斜晶、単斜晶、斜方晶、正方晶、三方晶又は六方晶の結晶構造を有し、結晶の平均粒径が５μｍ以上かつ５０μｍ以下であり、直線透過率が８％以上である。 - 特許庁

The ferromagnetic powder is hexagonal system ferrite magnetic powder having 10-50 nm average plate diameter and the magnetic layer contains non-magnetic oxide powder having ≥0.005 μm and <0.020 μm average major axis length.例文帳に追加

前記強磁性粉末は平均板径が１０〜５０ｎｍの範囲である六方晶系フェライト磁性粉であり、かつ前記磁性層は平均長軸長が０．００５μｍ以上０．０２０μｍ未満の非磁性酸化物粉末を含む。 - 特許庁

A monoaxially oriented film is formed on a substrate and a polymerizable rod liquid crystal which exhibits a higher order smectic phase is coated thereon to form a thin film, and the thin film is oriented and then polymerized at a temperature which shows its liquid crystal phase having a hexagonal crystal system.例文帳に追加

基板上に一軸配向膜を形成し、その上に高次のスメクチック相を呈する重合性棒状液晶を塗布して薄膜化し、配向させた上で六方晶秩序を有する液晶相温度で重合させる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device for easily cutting a substrate and for cleaving a semiconductor layer in a semiconductor device, that is made of gallium nitride semiconductor layer which is formed on a hexagonal system substrate such as a sapphire substrate.例文帳に追加

サファイア基板等の六方晶系基板上に形成された窒化ガリウム系半導体層からなる半導体装置において、基板の切断を容易にし、半導体層の劈開を可能とする半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a dot code which allows dots to be arranged in a hexagonal area though having four reference dots and can increase the number of reference dots about three times, a dot code printed product using the dot code, and an information display system using the dot code.例文帳に追加

四つの基準ドットでありながら、六角形のエリアにドット配列が可能であり、基準ドット数が約三倍に出来るようにしたドットコード、それを用いたドットコード印刷製品及びそれを用いた情報表示システムを提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of hexagonal system ferrite powder used for obtaining a magnetic recording medium that is superior in electric- to-magnetic conversion, highly durable in tape transport such as in still image reproduction and against contamination on a head, and to provide a magnetic recording medium that uses the ferrite.例文帳に追加

電磁変換特性が良好であり、且つスチル耐久性やヘッド汚れといった走行耐久性に優れた磁気記録媒体が得られる六方晶系フェライト粉末の製造方法、及びそれを用いた磁気記録媒体を提供すること。 - 特許庁

To provide a nonaqueous electrolyte secondary battery having high heat stability and high safety by using hexagonal system lithium cobaltate containing zirconium, magnesium, aluminum, and zinc as different kinds of elements in lithium cobaltate as a positive active material.例文帳に追加

正極活物質としてコバルト酸リチウムに異種元素としてジルコニウム、マグネシウム、アルミニウム及び亜鉛を含有する六方晶系コバルト酸リチウムを用いた、熱安定性に優れた安全性が良好な非水電解質二次電池を提供すること。 - 特許庁

There are sequentially formed a buffer layer of BP material, a cubic-system p-type single crystal layer of BP material, a p-type group III nitride semiconductor crystal layer of hexagonal system, and an n-type group III nitride semiconductor crystal layer on a substrate comprising Si single crystal of p-type conductivity.例文帳に追加

ｐ形導電性のＳｉ単結晶からなる基板上に、ＢＰ系材料からなる緩衝層と、ＢＰ系材料からなる立方晶のｐ形単結晶層と、立方晶のｐ形ＩＩＩ族窒化物半導体結晶層と、六方晶のｎ形ＩＩＩ族窒化物半導体結晶層とを順次形成する。 - 特許庁

To provide a magnetic recording medium, for which the thermal stability and magnetic characteristics of ferromagnetic hexagonal system Ba ferrite powder are suited and a magnetic layer containing the powder is formed on a non-magnetic support body, to prevent deteriorated output of the magnetic recording medium or burning phenomenon.例文帳に追加

磁気記録媒体の出力劣化や、焼付き現象を防止するため、強磁性の六方晶系Ｂａフェライト粉末の熱安定性と磁気特性を適性化し、それを含有した磁性層を非磁性支持体上に設けた磁気記録媒体を提供する。 - 特許庁

The content of zirconium in the hexagonal system lithium cobaltate is preferable to be 0.01-1.0 mol%, that of magnesium to be 0.01-3.0 mol%, that of aluminum to be 0.01-3.0 mol%, and that of zinc to be 0.01-3.0 mol%.例文帳に追加

この六方晶系コバルト酸リチウム中のジルコニウム含有量は０．０１〜１．０モル％であり、マグネシウム含有量は０．０１〜３．０モル％であり、アルミニウム含有量は０．０１〜３．０モル％であり、更に亜鉛含有量は０．０１〜３．０モル％であることが好ましい。 - 特許庁

The single crystal indium nitride nanotubes of a wurtzite type hexagonal system are produced by heating a mixture of an indium oxide powder and carbon nanotubes in a reaction furnace, such as a horizontal quartz tubular furnace, at 1,100±50°C for 1.5-2 h after reducing pressure while allowing nitrogen gas to flow.例文帳に追加

酸化インジウム粉末とカーボンナノチューブの混合物を横型石英管状炉などの反応炉中で、減圧にした後、窒素ガスを流しながら、1100±50℃に1.5〜2時間加熱することにより、ウルツ鉱型六方晶系の単結晶の窒化インジウムナノチューブを製造する。 - 特許庁

The surface acoustic wave device comprises a single crystal substrate 1, a buffer layer 2 composed of a crystal film formed on the single crystal substrate 1, and a piezoelectric thin film 3 having crystal structure of a trigonal or hexagonal system formed on the buffer layer 2.例文帳に追加

単結晶基板１と、この単結晶基板１上に形成された結晶膜からなるバッファー層２と、バッファー層２上に形成された六方晶系または三方晶系の結晶構造を有する圧電薄膜３とを備えてなる表面弾性波素子。 - 特許庁

An SiC single crystal with the same polytype as a substrate is epitaxially grown by introducing a raw material gas having an atom number ratio of carbon atoms to silicon atoms (C/Si ratio) of not less than 0.20 and less than 0.75 into the (0001) Si plane of a hexagonal system SiC single crystal substrate.例文帳に追加

六方晶系ＳｉＣ単結晶基板の（０００１）Ｓｉ面に、炭素原子とケイ素原子の原子数比（Ｃ／Ｓｉ比）が０．２０以上０．７５未満の原料ガスを導入することにより、基板と同じポリタイプのＳｉＣ単結晶をエピタキシャル成長させる。 - 特許庁

To provide a nonaqueous electrolyte secondary battery having high filling capability and high storage stability by using a hexagonal system lithium-containing transition metal composite oxide containing zirconium and zinc as different kinds of elements in lithium cobaltate as a positive active material.例文帳に追加

正極活物質としてコバルト酸リチウムに異種元素としてジルコニウム及び亜鉛が含有された六方晶系のリチウム含有遷移金属複合酸化物を用いた、充填性に優れ、また保存安定性に優れた非水電解質二次電池を提供すること。 - 特許庁

The lithium nickel cobalt manganese composite oxide is represented by the composition formula of Li[Ni_1/3Co_1/3Mn_1/3]O_2 in which the actual atomic ratio of nickel, cobalt, and manganese is 1:1:1, has high crystalline layered structure of a rhombohedral system, and the length of a C axis belonging as a hexagonal system is 14.15 Å or more.例文帳に追加

本発明にかかるリチウムニッケルコバルトマンガン複合酸化物は、ニッケルとコバルトとマンガンの原子比が実質的に１：１：１である、Ｌｉ[Ｎｉ_1/3Ｃｏ_1/3Ｍn_1/3]Ｏ_2なる組成式で表されるものであり、高結晶性の層状構造を有し、菱面体晶系に属し、六方晶系として帰属したＣ軸の長さが１４.１５オングストローム以上であることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a bellows type accumulator, in which a positioning fixture for a gas plug is not necessary in welding the gas plug to a gas end cover integrated with a hexagonal nut, and in which the welded gas plug can be protected from disturbance due to a tool such as a wrench in installation of the accumulator onto a system.例文帳に追加

六角ナットと一体となったガスエンドカバーにガスプラグを溶接する場合にガスプラグの位置を決める冶具が不要であって、しかもアキュムレータをシステムに取り付け時にスパナ等の工具による外乱から溶接したガスプラグを保護することができるベローズ型アキュムレータを提供する。 - 特許庁

When a semiconductor element made of a nitride semiconductor layer is to be formed on such hexagonal system substrate as a sapphire substrate 1 and to be divided into each semiconductor element, a nitride metal thin film 1 is provided on the reverse side of the sapphire substrate 1, thus easily cutting the sapphire substrate 1 into an arbitrary direction.例文帳に追加

サファイア基板等の六方晶系基板上に窒化物半導体層からなる半導体素子を形成して各半導体素子に分割する場合、サファイア基板の裏面に窒化金属薄膜を設けることにより、任意の方向にサファイア基板を容易に切断できる。 - 特許庁

The magnetic recording medium used for the magnetic recording system using a giant magnetoresistive effect type reproducing head having 0.1 to 2.5 μm reproducing track width Tw has 2,000 to 12,000 nm^3 magnetization inversion volume and includes hexagonal ferrite magnetic powder in a magnetic layer.例文帳に追加

再生トラック幅Ｔｗが０．１〜２．５μｍである巨大磁気抵抗効果型再生ヘッドを用いた磁気記録システムに用いられるものであって、磁化反転体積が２０００ｎｍ^3〜１２０００ｎｍ^3であり、磁性層中に六方晶フェライト磁性粉を含むことを特徴とする。 - 特許庁

Six printed wiring boards 201 to 206 are combined and arranged in a hexagonal rectangular column shape, in a manner of their planes made to cross each other, and they are assembled and arranged in a ring-like space 19, formed by an external cylinder 10 and an optical system holding cylinder 14.例文帳に追加

外筒１０と光学系保持筒１４とで形成されるリング状の空間部分１９に、互いの平面を交差させて六角柱形状に組み合わせ配置した６枚のプリント配線基板２０１〜２０６を組付け配置して構成し、所期の目的を達成した。 - 特許庁

The method for producing the compound semiconductor single crystal comprises growing an Al_xGa_yIn_1-(x+y)N (0≤x≤1; 0≤y≤1; x+y≤1) single crystal of a hexagonal system, where the growing direction of the single crystal is changed at least in two steps of the thickness direction and the lateral direction.例文帳に追加

化合物半導体単結晶の製造方法は、六方晶系のＡｌ_xＧａ_yＩｎ_1-(x+y)Ｎ（０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１，ｘ＋ｙ≦１）単結晶の育成過程において、その単結晶の成長方向が少なくとも厚み方向と横方向の２段階に変更されることを特徴とする。 - 特許庁

An upper magnetic layer 105 which is a magnetic recording layer formed on a nonmagnetic base 101 of the magnetic recording medium is formed by dispersing magnetic powder 111 deposited or mixed with carbon 109 on or with hexagonal system ferrite particles 107 into an organic binder 113.例文帳に追加

磁気記録媒体の非磁性支持体１０１上に形成される磁気記録層である上層磁性層１０５は、六方晶系フェライト粒子１０７に対してカーボン１０９が被着または混合された磁性粉末１１１が、有機バインダー１１３中に分散されてなる。 - 特許庁

In this manufacturing method, baking can be carried out at a lower temperature compared to the well-known manufacturing method for barium titanate having a crystal structure of a hexagonal system, which makes it easier to manufacture a thin-film capacitor causing little change in electrostatic capacity due to the temperature change.例文帳に追加

また、上記の製造方法によれば、六方晶系の結晶構造を有するチタン酸バリウムの公知の製造方法と比較して低温で焼成が可能となるため、温度変化による静電容量の変化が小さい薄膜コンデンサをより容易に作製することができる。 - 特許庁

A method of manufacturing a semiconductor substrate is characterized by comprising the steps of: crystal growing a nitride semiconductor layer on one major face of the single crystal substrate having a crystal structure of a hexagonal system; and eroding and removing the single crystal substrate by etching.例文帳に追加

六方晶系の結晶構造を有する単結晶基板の一主面上に、窒化物半導体層を結晶成長させる工程と、前記単結晶基板をエッチングにより浸蝕させて除去する工程とを経ることを特徴とする半導体基板の製造方法とする。 - 特許庁

The intermediate plate for the fuel cell interposed between the anode separator and the cathode separator constituting a fuel cell separator is made of a substrate of transition metal or alloy of the transition metal, and has a nitrided layer 103 having hexagonal system crystal structure, on the surface layer.例文帳に追加

燃料電池セパレータを構成するアノードセパレータとカソードセパレータとの間に挟持された燃料電池用中間板において、立方晶の結晶構造を有する窒化層１０３を表面層に形成した、遷移金属又は遷移金属の合金の基材からなる燃料電池用中間板である。 - 特許庁

To provide a magnetic recording medium for ensuring coercive force Hc and switching field distribution SFD by suppressing the occurrence of aggregation and crushing of very thin hexagonal system ferrite materials with ease of dispersion, having a high short wave length output in the case of reproduction with an MR head, a low medium noise and less thermal asperity.例文帳に追加

微細な六方晶系フェライトの凝集体及び破砕を抑制してＨｃ及びＳＦＤを確保し、かつ分散が容易で、ＭＲヘッドを使用して再生したとき短波長出力が高く、媒体ノイズが低く、サーマルアスペリティが少ない磁気記録媒体を提供すること。 - 特許庁

To provide a group III nitride semiconductor laser element having a laser resonator which enables a low threshold current and having a structure by which an oscillation yield can be improved, on a semi-polar surface of a support base body in which a c-axis of a hexagonal system group III nitride inclines to a direction of an m-axis.例文帳に追加

六方晶系III族窒化物のｃ軸がｍ軸の方向に傾斜した支持基体の半極性面上において、低しきい値電流を可能にするレーザ共振器を有すると共に発振歩留まりの向上可能な構造を有するIII族窒化物半導体レーザ素子を提供する。 - 特許庁

This manufacturing method is characterized in that it has a step to process a slurry of hexagonal system ferrite powder which is 10 to 40 nm in average flake diameter and has a coersive force Hc of 135 to 400 kA/m in polyhydric alcohol which has 4 to 100 hydroxyl groups in its molecule.例文帳に追加

平均板径が１０〜４０ｎｍで、かつ抗磁力Ｈｃが１３５〜４００ｋＡ／ｍである六方晶系フェライト粉末をスラリー状態で、かつ水酸基が分子中に４〜１００個存在する多価アルコールで処理する工程を有することを特徴とする六方晶系フェライト粉末の製造方法。 - 特許庁

This magnetic recording medium has a magnetic layer on a base and this magnetic layer contains the hexagonal system ferrite powder of 10 to 40 nm in an average grain size and 100.0 to 125% in the percentage ratio (SBET/STEM) of an arithmetic specific surface area (STEM) and BET specific surface area (SBET).例文帳に追加

支持体上に磁性層を有する磁気記録媒体において、磁性層は平均板径が１０〜４０ｎｍ、かつ算術比表面積（Ｓ_TEM）とＢＥＴ比表面積（Ｓ_BET）との比（Ｓ_BET／Ｓ_TEM）の百分率が１００．０〜１２５％である六方晶系フェライト粉末を含有することを特徴とする磁気記録媒体。 - 特許庁

To provide a quartz substrate with a zinc oxide thin film suitable for growing a good quality hexagonal system nitride semiconductor crystal such as GaN, which has heat resistant properties so that micro cracks are not generated on the zinc oxide thin film, even if it is heated to a temperature of 700-900°C at the time of the growth of the semiconductor crystal.例文帳に追加

ＧａＮなどの良質な六方晶系の窒化物半導体結晶を成長させるのに適した、ＺｎＯ薄膜付き石英基板において、半導体結晶成長時に ７００〜９００ ℃の温度に加熱されても、ＺｎＯ系薄膜にマイクロクラックが発生しないよう、耐熱性を改善する。 - 特許庁

This hexagonal system compound metal oxide is composed of sodium cobalt acid, for example, and is produced by repeating a molding/ sintering process more than twice, while having a peak intensity ratio I(002)/I(102) of 15 or in larger two orthogonal directions in X-ray structure diffraction and having a layered structure, with which crystallites are grown further in a two-dimensional direction.例文帳に追加

Ｘ線構造回折における直交する二方向のピーク強度比Ｉ（００２）／Ｉ（１０２）が１５以上である、クリスタリットがより二次元方向に成長した層状構造を持つ、たとえば、ナトリウムコバルト酸などからなり、成形・焼結工程を２回以上繰り返して製造された六方晶系複合金属酸化物。 - 特許庁