「I. P.」に関連した英語例文の一覧と使い方(12ページ目) - Weblio英語例文検索

Anthrarobine is added as a polymerization inhibitor to the styrene derivative shown by general formula I and represented by p-tert- butylstyrene, p-acetoxystyrene, 3,4-dimethoxystyrene, α-methyl-m-chlorostyrene or the like, and said styrene derivative is distilled in the presence of the polymerization inhibitor.例文帳に追加

アントラロビンを重合禁止剤として、一般式Ｉ で表わされ、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルスチレン，ｐ−アセトキシスチレン，３，４−ジメトキシスチレンまたはα−メチル−ｍ−クロロスレン等を代表とするスチレン誘導体に添加し、重合禁止剤の存在下に該スチレン誘導体を蒸留する、スチレン誘導体の蒸留方法。 - 特許庁

Specifically, the edge of the p-type semiconductor layer 64 contacting with the i-type semiconductor layer 70, that is, the lower opening end of the contact hole 69, is positioned on the inner side with respect to the edge of the n-type semiconductor layer 71.例文帳に追加

すなわち、ｐ型半導体層６４のｉ型半導体層７０と接するエッジ（コンタクトホール６９の下部開口端）をｎ型半導体層７１のエッジよりも内側に位置させる。 - 特許庁

When loading (discharging) the sheet to a sheet tray 42, when loading (discharging) the print sheet P to the sheet tray 42, the position of a rear end regulating part 43 is set in response to the size of the insert sheet I.例文帳に追加

用紙トレイ４２へ用紙を積載（排出）する場合、用紙トレイ４２へ印刷紙Ｐを積載（排出）する場合、挿入紙Ｉのサイズに応じて後端規制部４３の位置が設定される。 - 特許庁

The semiconductor photodetector 10 has a pin structure where a p-type semiconductor layer 10b and an n-type semiconductor layer 11c are formed while sandwiching an i layer 10a between them in the lengthwise direction of the gate.例文帳に追加

半導体光検出素子１０は、ゲート長方向においてｉ層１０ａを挟むようにｐ形半導体層１０ｂとｎ形半導体層１１ｃとが形成されたｐｉｎ構造を有する。 - 特許庁

A coefficient unit 2 multiplies a code vector Ci outputted from a composition variable code book 1 after the position of a non-zero sample is controlled on the basis of an index (i) and a transmitting parameter (p) by a gain (g).例文帳に追加

係数器２が、インデックスｉと伝送パラメータｐとに基づいて非零サンプルの位置が制御された上で構成可変符号帳１から出力されるコードベクトルＣ_i に、ゲインｇを乗算する。 - 特許庁

The category 1 includes the most powerful base stations B, C, D, E, F, G as next connection base stations and the category 2 includes base stations I, J, K, L, M, N, O, P, Q, R, S to which the mobile station 40 is possibly connected.例文帳に追加

カテゴリ１には次接続基地局として最も有力な基地局Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅ，Ｆ，Ｇが記載され、カテゴリ２には移動局４０が接続する可能性のある基地局Ｈ，Ｉ，Ｊ，Ｋ，Ｌ，Ｍ，Ｎ，Ｏ，Ｐ，Ｑ，Ｒ，Ｓが記載されている。 - 特許庁

After that, the obtained P and I items are composed and multiplied by a loop gain to generate an over speed signal.例文帳に追加

容量コントローラがコマンド信号を受け取って負のエンジン負荷を調整するために可変容量ポンプ及びモータの一方を制御して、エンジン又は駆動トレーンのオーバースピード起こすことなくエンジンの減速パワーを最適化する。 - 特許庁

The compounds are represented by formula (I) [wherein R^1 and R^2 are each H or alkyl; R^3, R^4 and R^5 are each H or X; m is 1-4; n is 1-3; p is 1 or 2; A is -Ar^1; and Ar^1 is (substituted) phenyl].例文帳に追加

式（Ｉ）：［式中：Ｒ^１、Ｒ^２は、Ｈ、アルキル；Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５は、Ｈ、Ｘ；ｍは１〜４；ｎは１〜３；ｐは１,２；Ａは−Ａｒ^１；Ａｒ^１は（置換）フェニル］で示される化合物。 - 特許庁

Then a waveguide structure is constituted by partially removing the p-InP layer 38 and i-InGaAs layer 36 in recessed states until the surface of the n-InP 34 is partially exposed.例文帳に追加

次に、メサエッチングにより、ｐ−ＩｎＰ層３８およびｉ−ＩｎＧａＡｓ層３６を凹状に除去して、ｎ−ＩｎＰ層３４の表面まで部分的に表出させて、導波路構造を作製する。 - 特許庁

On an n-type InP substrate 10, an n-type DBR layer 12, an i-InGaAs light absorbing layer 14 (light absorbing layer) of a low carrier concentration, and a p-type InP window layer 16 are sequentially formed.例文帳に追加

ｎ型ＩｎＰ基板１０上に、ｎ型ＤＢＲ層１２低キャリア濃度のｉ−ＩｎＧａＡｓ光吸収層１４（光吸収層）、及びｐ型ＩｎＰ窓層１６が順次形成されている。 - 特許庁

The polymer to be used is obtained by copolymerizing 1,3-butadiene, a compound 1 represented by general formula (I) and p-alkoxy styrene, and has a weight-average molecular weight Mw of 1.0x10^5-2.5x10^6.例文帳に追加

１，３−ブタジエン、一般式（Ｉ）で表される化合物１及びｐ−アルコキシスチレンを共重合して得られ、重量平均分子量Ｍｗが１．０×１０^５〜２．５×１０^６である重合体を用いる。 - 特許庁

Using a and b, the signal pressure PSOL corresponding to the required value P* of output pressure is determined and, based on the fundamental map of (b), the solenoid driving current I for generating the signal pressure PSOL is determined for output.例文帳に追加

ａおよびｂを用いて出力圧要求値Ｐ^* に対応した信号圧Ｐ_SOL を求め、（ｂ）の基本マップをもとに、信号圧Ｐ_SOL を発生させるためのソレノイド駆動電流Ｉを求めて出力する。 - 特許庁

A photoelectric conversion element 10 is provided with an i-type semiconductor layer 16 between a p-type semiconductor layer 14 which is provided in a selective region on a substrate 11, and an n-type semiconductor layer 17.例文帳に追加

光電変換素子１０は、基板１１上の選択的な領域に設けられたｐ型半導体層１４と、ｎ型半導体層１７との間にｉ型半導体層１６を備えたものである。 - 特許庁

The decoding section 3 makes usual image indication used to decode all of I, P, B, pictures on the basis of the interleave signal 106 or makes interleave image indication used to decode the picture except the B picture.例文帳に追加

復号化部３は、間引き信号１０６に基づいて、Ｉ、Ｐ、及び、Ｂピクチャの全てを復号化する通常画像表示、或いは、少なくともＢピクチャを除いて復号化する間引き画像表示を行う。 - 特許庁

A variable (p) defining a group, an array g_i (i=1, 2, ..., n) of a plurality of values to be inspected, a reference order (q), and a safe variable (s) are inputted (S101) and loops of steps S102 to S109 is executed.例文帳に追加

群を定義する変数ｐ、複数の被検査値の列ｇ_ｉ；（ｉ＝１、２、…、ｎ）、基準となる位数ｑ及び安全変数ｓを入力し（Ｓ１０１）、ステップＳ１０２〜Ｓ１０９のループを実行する。 - 特許庁

To construct a structure from the series connections shown in Figure 2, connections of A-Q, A-H, B-S, C-G, D-T, E-L, F-J, I-P, K-O, M-T, and N-R are made.例文帳に追加

図２の直列連結体から構造物を構築するに当たってＡ−Ｑ、Ａ−Ｈ、Ｂ−Ｓ、Ｃ−Ｇ、Ｄ−Ｔ、Ｅ−Ｌ、Ｆ−Ｊ、Ｉ−Ｐ、Ｋ−Ｏ、Ｍ−Ｔ、Ｎ−Ｒが連結される。 - 特許庁

Characters at the upper stage of the second key group are allocated in order of Y, U, I, O, P from the left, characters at the middle stage are allocated in order of H, J, K, L from the left and characters at the lower stage are allocated in order of N, M.例文帳に追加

第２キー群の上段の文字を左から Ｙ、Ｕ、Ｉ、Ｏ、Ｐの順に割当て、中段の文字を左から、Ｈ、Ｊ、Ｋ、Ｌの順に割当て、下段の文字を左からＮ、Ｍの順に割当てる。 - 特許庁

A circuit section from a switch 19 to an inverse DCT 16 encodes part of the picture encoded by the P picture as a particular picture and encodes it into an I picture and obtains a second local decoded image through local decoding.例文帳に追加

スイッチ１９から逆ＤＣＴ１６に至る回路部は、Ｐピクチャで符号化されるピクチャの一部を特定ピクチャとしてＩピクチャに符号化し、局部復号して第２の局部復号画像を得る。 - 特許庁

Furthermore, reduction in the capacity of the pin diode 1 is realized by decreasing the product of the width D of the p+ type diffusion layer 5 and the n+ type diffusion layer 6 and the thickness t of an epitaxial layer (i layer) 4.例文帳に追加

さらに、ｐ^+型拡散層５およびｎ^+型拡散層６の幅Ｄとエピタキシャル層（ｉ層）４の厚さｔとの積とを小さくすることによりｐｉｎダイオード１の低容量化を実現する。 - 特許庁

To enable encoding at the same frame rate as an input stream without I/P (interlace/progressive) conversion when the frame rate of an image signal changes during encoding, and to efficiently encode streams with different frame rates.例文帳に追加

符号化中に画像信号のフレームレートが変化したとき、Ｉ／Ｐ（インターレース／プログレッシブ）変換することなく、入力ストリームと同じフレームレートで符号化し、フレームレートの異なるストリームを効率良く符号化する。 - 特許庁

On the other hand, data of an I or P picture decoded by the VLC 13 are decoded via an SW 15 and given to a quantizer 4 via a subtractor circuit 1 and a DCT device 3.例文帳に追加

一方、ＶＬＤ器１３で復号されたＩ又はＰピクチャのデータは、ＳＷ１５を経由して復号され、更に減算回路１、ＤＣＴ器３を介して量子化器４に入力される。 - 特許庁

Namely, the section 63 builds thumbnail data by adopting the DCT coefficient as it is for the I-picture, and adding motion compensating values to the DCT coefficient for the P- and B-pictures.例文帳に追加

すなわち、Ｉピクチャに対しては、当該ＤＣＴ係数をそのまま採用し、ＰピクチャおよびＢピクチャに対しては当該ＤＣＴ係数に動き補償値を加算することによって、サムネイルデータを構築する。 - 特許庁

In a photovoltaic device where an i-type amorphous silicon thin film 2 is provided between an n-type single crystal silicon substrate 1 and a p-type amorphous silicon based thin film 3, boron atoms are introduced to an interface region of the silicon substrate 1 and the i-type amorphous silicon thin film 2.例文帳に追加

ｎ型単結晶シリコン基板１とｐ型非晶質シリコ系薄膜３との間にｉ型非晶質シリコン薄膜２を介在させた光起電力装置において、シリコン基板１ｉ型非晶系シリコン薄膜２とが形成する界面領域にボロン原子を導入させる。 - 特許庁

Each image compression section 15 of image pickup devices CA-CD generates not only an I frame by inplane coding and P and B frames by interframe coding, and a transmission image processing section 18 outputs an image signal configured only with the I frame in the normal state.例文帳に追加

撮像装置ＣA〜ＣDの各画像圧縮部１５は、面内符号化によるＩフレームだけでなく、フレーム間符号化によるＰフレーム及びＢフレームも生成しているが、送信画像処理部１８は、通常時においては、Ｉフレームのみを用いて構成した画像信号を出力する。 - 特許庁

The photodetecting element comprises an SiGe graded buffer layer 2 of an n-conductivity disposed on an Si layer 1, an i-SiGe layer 3 which is an intrinsic semiconductor absorbing light disposed on the SiGe graded buffer layer, and an SiGe layer 4 of a p-conductivity disposed on the i-SiGe layer.例文帳に追加

Ｓｉ層１上に位置するｎ導電型のＳｉＧｅグレーデッドバッファ層２と、ＳｉＧｅグレーデッドバッファ層上に位置し、光吸収を行なう真性半導体であるｉ-ＳｉＧｅ層３と、そのｉ-ＳｉＧｅ層上に位置するｐ導電型のＳｉＧｅ層４とを備える。 - 特許庁

In this virtual electric circuit, a virtual electric current I regarded as a boarding probability p of a passenger is supplied toward an object station from a passenger appearing station, and the virtual resistance r is varied in response to a relative size of an electric current i flowing to the respective virtual resistances r.例文帳に追加

そして、この仮想電気回路において、旅客の出現駅から目的駅に向けて旅客の乗車確率ｐと見立てた仮想電流Ｉが供給されるとともに、各仮想抵抗ｒに流れる電流ｉの相対的な大きさに応じて当該仮想抵抗ｒが可変される。 - 特許庁

Video data, for example, in which the ratio of I pictures to P pictures in each area Rij of a frame is 9: 16 is transmitted only for two frames between video data in which each Rij of a frame is composed of I pictures to a transmission line Ls with a relatively low transmission rate.例文帳に追加

また、伝送速度が相対的に遅い伝送路Ｌｓに対しては、フレームの各領域ＲijをＩピクチャで構成した映像データの間に、例えばフレームの各領域ＲijにおけるＩピクチャとＰピクチャの比率を９：１６とした映像データを２フレーム分だけ送信する。 - 特許庁

A focus data creating part 3 creates focus data relative to the transmission of inside the two-dimensional array 2 and focus data relative to the receiving of the inside of the sub arrays SA(n), and the data are stored in data storage means D(n, i) and supplied to the transmission circuits P(n, i) and the receiving sub beam formers RB(n).例文帳に追加

フォーカスデータ発生部３は、２次元アレイ２の内部の送信に関する相対のフォーカスデータと、サブアレイＳＡ（ｎ）の内部の受信に関する相対のフォーカスデータを発生し、データ記憶手段Ｄ（ｎ、ｉ）に記憶され、送信回路Ｐ（ｎ、ｉ）と受信サブビームフォーマＲＢ（ｎ）に供給される。 - 特許庁

An i-type amorphous silicon layer 14 and a p-type amorphous silicon layer 15 get into a via hole of an n-type single-crystal silicon substrate 11 while an i-type amorphous silicon layer 12 and an n-type amorphous silicon layer 13 get into a via hole of the n-type single-crystal silicon substrate 11.例文帳に追加

ｉ型非晶質シリコン層１４とｐ型非晶質シリコン層１５とは、ｎ型単結晶シリコン基板１１が有する貫通孔内に入り込み、ｉ型非晶質シリコン層１２とｎ型非晶質シリコン層１３とは、ｎ型単結晶シリコン基板１１が有する貫通孔内に入り込む。 - 特許庁

When an electrostatic surge with a positive polarity based upon a ground terminal GND is applied to an input/output pad I/O, a breakdown current Itrig of an n channel MOS transistor NMOS flows from the input/output pad I/O through a p^+ diffusion layer PD1 and a forward diode of an n-well NW1.例文帳に追加

入出力パッドＩ／Ｏに接地端子ＧＮＤに対して正極性の静電サージが印加されると、入出力パッドＩ／ＯからＰ^＋拡散層ＰＤ１−ＮウェルＮＷ１の順方向ダイオードを経由してＮチャネルＭＯＳトランジスタＮＭＯＳのブレークダウン電流Ｉｔｒｉｇが流れる。 - 特許庁

In moving the carriage to the capping position, the printer repeats operations of dropping an input current quantity I to the motor to an initial value Ikeep, every time a position coordinate P(n) of the carriage increases by one and then gradually increasing the current I from the initial value, thereby moving the carriage at a minute speed.例文帳に追加

また、キャリッジをキャッピング位置に移動させる際には、キャリッジの位置座標Ｐ（ｎ）が１増える度、モータへの入力電流量Ｉを初期値Ｉｋｅｅｐに落とし、その後、電流Ｉを初期値から徐々に上げる動作を繰り返すことにより、キャリッジを微小速度で移動させる。 - 特許庁

The arithmetic means 18 carries out the processing for calculating the apparent pulse wave velocity (C) and the processing for calculating a blood condition index (I) according to formulation: I=kP/2C^2 (k is a constant) using the calculated apparent pulse wave velocity (C) and the blood pressure (P) measured by the sphygmomanometer.例文帳に追加

演算手段１８は、みかけの脈波伝播速度（Ｃ）を計算する処理と、該計算されたみかけの脈波伝播速度（Ｃ）と血圧計により計測された血圧（Ｐ）とを用いて式：Ｉ＝ｋＰ／２Ｃ^２（ｋは定数）に従って血液状態指数（Ｉ）を計算する処理と、を行う。 - 特許庁

By changing the viewpoint of the three-dimensional tree display into the direction of the arrow P in the figure, the origin of the branch corresponding to the whole clause 'since I was a boy' branching off from the branch corresponding to the whole predicate 'have been eating' is displayed on the front, thus the origin of the branching-off can be easily recognized.例文帳に追加

三次元のツリー表示の視点を、同図中の矢印Ｐの方向に変更することにより、「since I was a boy」という節全体に対応する枝が「have been eating」という述部全体に対応する枝から枝分かれした始点が前面に表示され、これにより、当該枝分かれの始点が認識しやすくなる。 - 特許庁

This cosmetic whose pH is adjusted to 3.5-9.0 essentially comprises (A) 0.01-20 wt.% of a p-hydroxycinnamic ester of the general formula (I) (where, R is a 1-4C straight-chain or branched alkyl) and (B) a polyhydric alcohol and/or a 2-4C lower monohydric alcohol.例文帳に追加

下記の一般式(I)で表わされるｐ−ヒドロキシ桂皮酸エステルからなる成分（Ａ）０．０１〜２０重量％と、多価アルコールもしくは炭素数２〜４の低級一価アルコールまたは両者を併用した成分（Ｂ）とを必須成分として含有し、ｐＨ３．５〜９．０に調整してなる化粧料とする。 - 特許庁

Safeguard related laws and regulations in the United States are characterized by the inclusion of implementation of import restrictions in laws and regulations aimed at positive adjustment, as well as provisions in the Trade Act for the implementation of trade adjustment assistance (TAA) programs to supplement these import restrictions.例文帳に追加

米国におけるセーフガード関連法令の特徴は、「積極的調整（ P o s i t i v eAdjustment）」を目的とした法令の中で輸入制限措置発動が規定されている点、及び同通商法の中で輸入制限措置を補完するためのＴＡＡプログラムの実施について規定されていることである。 - 経済産業省

spaceUnselectSelect(nothing)wSelectSelect(widget)sSelectSelect(all)iInvertSelect(invert)cSelect ChildrenSelect(children)dSelect DescendantsSelect(descendants)pSelect ParentSelect(parent)aSelect AncestorsSelect(ancestors)NShow Widget NamesRelabel(name)CShow Class NamesRelabel(class)IShow Widget IDsRelabel(id)WShow Widget WindowsRelabel(window)TToggle Widget/Class NameRelabel(toggle) Clicking button 1 on a widget adds it to the set of selected widgets. 例文帳に追加

space 選択解除 Select(nothing)w 選択 Select(widget)s 選択 Select(all)i 反転 Select(invert)c 子を選択 Select(children)d 子孫を選択 Select(descendants)p 親を選択 Select(parent)a 祖先を選択 Select(ancestors)N ウィジェット名表示 Relabel(name)C クラス名表示 Relabel(class)I ウィジェットID表示 Relabel(id)W ウィジェットウィンドウ表示 Relabel(window)ウィジェット上でボタン1をクリックすると、そのウィジェットが選択されたウィジェットのセットに追加される。 - XFree86

In a thin-film solar battery containing pin junction in which a non-single crystalline silicon thin film containing a crystal is used as an i- layer, the oxygen atom concentration on the interface between a p-type or an n-type conductive layer on a substrate side and the i-layer is suppressed to be 5×10^20 atoms/cm^3 or below.例文帳に追加

結晶質を含む非単結晶シリコン系薄膜をｉ層として用いたｐｉｎ接合を含む薄膜太陽電池における基板側のｐまたはｎ型導電層とｉ層との界面における酸素原子濃度を５×１０^20ａｔｏｍｓ／ｃｍ^3以下に抑制する。 - 特許庁

In the photovoltaic device having pin junction using a-SiGe: H where an unbonding hand is terminated by hydrogen for (i) layer, the amount of hydrogen in a film decreases from a P-layer side to an n-layer side in the (i) layer, and at the same time the amount of Ge decreases in linkage.例文帳に追加

この発明は、未結合手を水素により終端したａ−ＳｉＧｅ：Ｈをｉ層に用いたｐｉｎ接合を備えた光起電力装置において、ｉ層でｐ層側からｎ層側へ向かって膜中の水素量が減少するとともにＧｅ量が連動して減少する。 - 特許庁

In moving the carriage to the capping position, the printer repeats operations of dropping an input current amount I to the motor to an initial value Ikeep, every time a position coordinate P(n) of the carriage increases by one and then gradually increasing the current I from the initial value, thereby moving the carriage at a minimum speed.例文帳に追加

また、キャリッジをキャッピング位置に移動させる際には、キャリッジの位置座標Ｐ（ｎ）が１増える度、モータへの入力電流量Ｉを初期値Ｉｋｅｅｐに落とし、その後、電流Ｉを初期値から徐々に上げる動作を繰り返すことにより、キャリッジを微小速度で移動させる。 - 特許庁

When the output value Es of the oxygen sensor is out of the prescribed range (S3), the integral manipulated variable I is calculated on the basis of the rich/lean decision (S10-S12), while the proportional manipulated variable P is set to zero (S13).例文帳に追加

酸素センサの出力値Ｅｓが前記所定範囲外であるときには（Ｓ３）、リッチ・リーン判定に基づき積分操作量Ｉを演算する一方（Ｓ１０〜Ｓ１２）、前記比例操作量Ｐを０とする（Ｓ１３）。 - 特許庁

To obtain a video signal with high quality as a noise-reduced video signal even if an MPEG-decoded video signal is a signal obtained by decoding any of I-picture, P-picture or B-picture.例文帳に追加

ＭＰＥＧ復号された映像信号が、Ｉピクチャ、ＰピクチャおよびＢピクチャのいずれを復号したものであるときにも、ノイズ低減後の映像信号として高画質の映像信号を得ることができるようにする。 - 特許庁

At a position I, a feed port P and an output port A are communicated, an output port B and an exhaust port RB are communicated, an exhaust port RA is closed, and the piston of an air cylinder connected to the ports A.B is started.例文帳に追加

位置Ｉで供給ポートＰと出力ポートＡとが連通するとともに出力ポートＢと排気ポートＲＢとが連通し、排気ポートＲＡが閉鎖され、ポートＡ・Ｂに接続されたエアシリンダのピストンが起動する。 - 特許庁

On a recording surface Sxy (XY plane), a two-dimensional pixel array is defined, a reference line R in parallel to a Z axis is drawn from a central point P of each pixel G(i, j) to obtain an intersection Q with the 3D original image 10.例文帳に追加

記録面Ｓｘｙ（ＸＹ平面）に二次元画素配列を定義し、各画素Ｇ（ｉ，ｊ）の中心点ＰからＺ軸に平行な参照線Ｒを引き、立体原画像１０との交点Ｑを求める。 - 特許庁

The wait time between successive packets of a content being transmitted is determined as a function of the selected target bandwidth (B_T) to be achieved during the transmission and the size (P) of the packets based on the algorithm formula (I).例文帳に追加

送信されるコンテンツの連続するパケット間の待ち時間は、送信中に達成されることになる選択された目標帯域幅（Ｂ_T）、及びアルゴリズム式（Ｉ）に基づいたパケットのサイズ（Ｐ）の関数として求められる。 - 特許庁

The surface leakage current which flows in the burying interface can be reduced by having an i-type layer between a p-type region and the high-resistance semiconductor layer.例文帳に追加

また、ｐ型層やｎ型層中の不純物と高抵抗半導体層中の不純物が高抵抗半導体層の再成長中に相互に拡散して高抵抗半導体層の抵抗値が低くなり暗電流が増加する。 - 特許庁