「INSULATION」に関連した英語例文の一覧と使い方(567ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a ceramics having sufficient fracture toughness without degrading a bending strength remarkably even when surface roughening treatment is applied to obtain a satisfactory anchor effect, particularly aluminum nitride substrate or a silicon nitride substrate having high heat conductivity, high reliability to insulation property, high bending strength and strong fracture toughness and further having anchor effect to improve the bonding strength to a metallic layer.例文帳に追加

十分なアンカー効果を得るために粗面化処理を行っても、強い破壊靱性を有し、抗折強度を著しく低下させることのないセラミックス、特に高熱伝導性でしかも絶縁特性に対して高い信頼性と、高抗折強度と強破壊靱性を有し、しかもアンカー効果によって金属層との接合強度が強めることができる窒化アルミニウム基板又は窒化ケイ素基板を提供する。 - 特許庁

When a photosensitive insulating resin is used as the surface protective layer of a circuit wiring pattern on the substrate, or when the photosensitive insulating resin is used as an insulation layer between circuit wiring conductor layers; multivalent metal substitutes for Na ions adsorbed to the photosensitive insulating resin by subjecting to a treatment process containing the Na ions performed after a thermosetting process of the photosensitive insulating resin.例文帳に追加

回路基板に於ける回路配線パタ−ンの表面保護層として感光性絶縁樹脂を用いる場合、又は回路配線導体層間の絶縁層として感光性絶縁樹脂を用いる場合、その感光性絶縁樹脂の熱硬化処理工程以後に行われるＮａイオンを含む処理工程を経由することにより感光性絶縁樹脂に吸着されるＮａイオンを多価金属に置換する。 - 特許庁

The manufacturing method has a voltage application process for sequentially stacking the transparent electrode 3, an insulation layer 3, the organic layer 5 and the back electrode 6 on the glass substrate 2, and thereafter separating a part where at least the back electrode 6 is in contact with the transparent electrode 3 from the transparent electrode 3 by applying a reverse bias voltage between both electrodes 3 and 6 in a nitrogen environment having a predetermined oxygen concentration.例文帳に追加

ガラス基板２上に透明電極３，絶縁層３，有機層５及び背面電極６を順次積層した後、所定の酸素濃度を有する窒素雰囲気中にて、両電極３，６間に所定の逆バイアス電圧を印加することで、少なくとも背面電極６が透明電極３に接触している部分を透明電極３から剥離させる電圧印加工程を有している。 - 特許庁

This semiconductor memory is provided with a semiconductor substrate 1, a ferroelectric capacitor 8 formed on the semiconductor substrate 1 whose one electrode is insulated, a conductive layer 9 formed above the ferroelectric capacitor 8 whose end part is provided above the ferroelectric capacitor, and an inter layer insulation film 10 covering the semiconductor substrate 1, the ferroelectric capacitor 8 and the conductive layer 9.例文帳に追加

半導体基板１と、この半導体基板１上に形成され、その一方電極は絶縁されている強誘電体キャパシタ８と、この強誘電体キャパシタ８上方に形成され、その端部が前記強誘電体キャパシタ８上方にある導電層９と、前記半導体基板１、前記強誘電体キャパシタ８、及び前記導電層９を被覆する層間絶縁膜１０とを有する半導体記憶装置である。 - 特許庁

In the photoelectric converter manufactured by comprising the steps of: arranging a number of first conductive type crystal silicon particles 3 on an aluminum layer 1 to serve as one electrode; arranging an insulation material 2 between the crystal silicon particles 3; and forming a second conductive type semiconductor part 4 on the crystal silicon particles 3; a layer cyanide 6 is formed on the surface of the particle 3 and the layer 1.例文帳に追加

一方の電極となるアルミニウム層１上に、第１導電型の結晶シリコン粒子３を多数配設し、この結晶シリコン粒子３間に絶縁物質２を介在させ、この結晶シリコン粒子３上に第２導電型の半導体部４を形成した光電変換装置であって、上記結晶シリコン粒子３の表面及びアルミニウム層１の表面にシアン化層６を形成した。 - 特許庁

Assuming another MISFET which is provided with a substrate having impurity concentration C and composed of the same material as that of the substrate 1, and an insulation film composed of SiON only formed on the channel region; the impurity concentration C of the channel region 20 is so established that the maximum of electron mobility in the channel 20 region is higher than the maximum of electron mobility in the channel region.例文帳に追加

不純物濃度Ｃのチャネル領域を有し、基板１と同一の材質よりなる基板と、チャネル領域上に形成されたＳｉＯＮのみよりなる絶縁膜とを備える別のＭＩＳＦＥＴを想定し、チャネル領域における電子の移動度の最大値よりもチャネル領域２０における電子の移動度の最大値が高くなるように、チャネル領域２０の不純物濃度Ｃが設定されている。 - 特許庁

The method for producing the device for releasing molecules comprises the step of providing a substrate, the step of accumulating an insulation material on the substrate followed by patterning for the purpose of using as an etching mask, the step of etching a plurality of reservoirs in the substrate, the step of filling a releasing system and a capping material in the reservoirs, and the step of etching the releasing system and the capping material.例文帳に追加

分子の放出のためのデバイスを製造する方法であって、基板を提供する工程；エッチマスクとして使用するために、基板上に絶縁性材料を堆積させ、そしてパターニングする工程；基板中に複数のリザーバをエッチングする工程；リザーバに放出システムおよびキャップ材料を充填する工程；および放出システムおよびキャップ材料をエッチングする工程を包含する、方法。 - 特許庁

The method for manufacturing the through-electrode has a process for forming a porous layer 15 by making at least the porous wall surface of a fine pore 12 formed in a vertical direction with respect to the main surface of a semiconductor substrate 11 porous, an oxidation process for oxidizing the porous layer for forming the insulation layer 16, and a metal charging process for charging conductive matter 17 to the fine pore.例文帳に追加

貫通電極の製造方法が、少なくとも、半導体基板１１の主面に対し垂直方向に形成された細孔１２の孔壁表面を多孔質化して多孔質層１５を形成する多孔質層形成工程と、前記多孔質層を酸化して絶縁層１６を形成する酸化工程と、前記細孔に導電性物質１７を充填する金属充填工程とを有する。 - 特許庁

A plurality of conductive circuits 12 are formed of single conductive metal wires 1 parallel to each other on the surface of an insulating material 10 for transmitting transmission signals between outside electronic elements, and then, an insulation layer insulated from outside is formed in the conductive circuit, with both ends of each conductive circuit exposed as conductive ends of a conductive flat cable so that the electronic elements outside are electrically connected.例文帳に追加

単一の導電金属線１によって、絶縁基材１０表面に互いに平行でありかつ外部の電子素子間の伝送信号を伝送するための導電回路１２を複数形成し、次に導電回路に外部から絶縁される絶縁層を形成し、外部の電子素子が電気的に接続されるように、導電回路の両端が導電フラットケーブルの導電端として露出している。 - 特許庁

A band-shaped grounding electrode 5 and detecting electrode 7 of which peripheries are each covered with a coating material 3 provided with both flexibility and electric insulation are each provided in such a way as to be opposing to each other in locational relationship in the inner surfaces of a hollow external member 1 constituted of a flexible material while maintaining a hollow state by separating the electrodes 5 and 7 at a predetermined interval.例文帳に追加

可撓性を有する素材から構成される中空の外装部材１の内側面に、柔軟性及び電気的絶縁性を兼ね備える被覆材３でその周囲が覆われた帯状の接地電極５及び検出電極７の各々を、当該両電極５，７間を所定距離離隔することで中空状態を維持しながら、相互に対向する位置関係となるように設けて構成した。 - 特許庁

Also, the device has a gate electrode layer 640 provided on the P type well region 614 through an insulation layer 650, a first N type impurity layer 620 provided in the P type well region 614 in one side of the gate electrode layer 640, and a second N type impurity layer 622 provided in the P type well region 614 in the other side of the gate electrode layer 640.例文帳に追加

さらに、Ｐ型ウエル領域６１４の上に絶縁層６５０を介して設けられたゲート電極層６４０と、ゲート電極層６４０の一方の側方におけるＰ型ウエル領域６１４内に設けられた第１のＮ型不純物層６２０と、ゲート電極層６４０の他方の側方におけるＰ型ウエル領域６１４内に設けられた第２のＮ型不純物層６２２と、を有する。 - 特許庁

The method of manufacturing the semiconductor device comprises processes of: forming a foundation region including an interlayer insulation film 108 on a semiconductor substrate 100; forming an alumina film 117 on the foundation region; forming a hole in the alumina film, filling up the hole with bottom electrode films 118 and 119, forming a dielectric film 121 on the bottom electrode films; and forming a top electrode film 122 on the dielectric film.例文帳に追加

半導体基板１００上に、層間絶縁膜１０８を含む下地領域を形成する工程と、下地領域上にアルミナ膜１１７を形成する工程と、アルミナ膜に穴を形成する工程と、穴を下部電極膜１１８，１１９で埋める工程と、下部電極膜上に誘電体膜１２１を形成する工程と、誘電体膜上に上部電極膜１２２を形成する工程とを備える。 - 特許庁

A photodiode Pd is provided on a semiconductor substrate 10 commonly for pixels P21 and Pd22 arranged in the horizontal direction, and a wiring layer 50 for reading out signal charges from the photodiode Pd is formed on the upper layer of the semiconductor substrate 10 while being buried in an interlayer insulation film 30 on which a shutter section 20 for controlling the transmission of incident light to each pixel in pixel units is provided.例文帳に追加

半導体基板１０には、フォトダイオードＰｄが水平方向に並ぶ画素Ｐ２１，Ｐｄ２２に共通して設けられ、当該半導体基板１０の上層にはフォトダイオードＰｄによる信号電荷を読み出すための配線層５０が層間絶縁膜３０に埋め込まれて形成されており、層間絶縁膜３０上には、各画素へ入射した光の透過を画素単位で制御するシャッター部２０が設けられている。 - 特許庁

The article to be cleaned comes into electric contact naturally with the portion onto which a non-conducting insulation film is not applied by immersing an electrode plate 28 of an anode 4 in the electrolytic cleaning fluid within a cleaning tank 2 and only introducing the article to be coated which is placed on a stage part of the conductive network body 3 via the conductive network body that functions as a cathode.例文帳に追加

洗浄槽２内の電解洗浄液に陽極電極体４の電極板２８を没入するととともに、陰極として機能する導電性網状体３を介して導電性網状体の載置部に載置する被洗浄物を電解洗浄液内に入れるだけで、被洗浄物が導電性網状体３の非導電性の絶縁被膜で被覆されていない部分に自ずと電気的に接触する。 - 特許庁

The X-ray tube comprises: current voltage lead-in electrodes facing each other; a container with electric insulation property and vacuum air tightness; and in the container, a target connected to the current voltage lead-in electrodes, from which X-ray is radiated; and an electron gun for irradiating the target with electron beams.例文帳に追加

【解決手段】対向した電流電圧導入電極，電気絶縁性を有する真空気密性を有する容器、前記容器内に前記電流電圧導入電極に接続されたＸ線を放射するターゲット及び前記ターゲットに電子線を照射する電子銃を備えているＸ線管であって、前記容器内の表面付近に前記容器の二次電子放出係数未満の二次電子放出係数をもつ物質を配置するものとする。 - 特許庁

In a superconducting member electrically connected between a power supply source and the power demand side and melted by an overcurrent larger than rated to cut off the current, the superconducting member is provided on an insulating substrate 33 having a fixed thickness and electrical insulation properties, and made up of a superconducting thin film 34 melted by an overcurrent flowing therethrough.例文帳に追加

電力供給源と電力需要側との間を超電導部材により電気的に接続して定格以上の過電流によりこの超電導部材が溶断して電流を遮断するものにおいて、前記超電導部材は、所定の厚さを有し、かつ、電気的な絶縁性を有する絶縁基板３３上に設けられると共に、前記過電流が流れることにより溶断される超電導薄膜３４により構成されている。 - 特許庁

The semiconductor optical function device includes a semiconductor substrate provided with a substrate edge surface, an optical waveguide formed on the semiconductor substrate, a non-waveguide region formed at least between the optical waveguide and the a substrate edge surface, an insulation region provided with a semiconductor interface that is formed around the optical waveguide and is in contact with the non-waveguide region on a side of the substrate edge surface.例文帳に追加

本発明に係る半導体光機能デバイスは、基板端面を有する半導体基板と；前記半導体基板上に形成された光導波路と；前記半導体基板上において、少なくとも前記光導波路と前記基板端面との間に形成された非導波領域と；前記光導波路の周囲に形成され、前記基板端面側に前記非導波領域と接する半導体界面を有する絶縁領域とを備える。 - 特許庁

The wiring body 101 is configured to have a wiring layer 103, silicon layer 105, and an insulation layer 107 stacked in this order.例文帳に追加

平板状の配線体１０１の一方の面に設けられた第一の半導体素子１１３と、配線体１０１の第一の半導体素子１１３の設けられた側の面および第一の半導体素子１１３の側面を被覆する絶縁樹脂１１９と、配線体１０１の他方の面に設けられた第二の半導体素子１１１と、を有する半導体装置１００において、配線体１０１を、配線層１０３、シリコン層１０５および絶縁膜１０７がこの順に積層された構成とする。 - 特許庁

The method for producing the optical plastic fibers comprises the step of extruding the molten resin in strands via the spinning hole(s) of the spinneret 1, the step of passing the spun fibers through the thermal insulation chimney 2 having the blocking plate 3 mentioned above, and the step of cooling the molten spun fibers by the cooling unit 4 mentioned above.例文帳に追加

１つ以上の紡糸口金１よりストランド状に溶融樹脂が吐出する吐出工程と、前記紡糸口金１に隣接して設けられ、前記紡糸口金と反対側に位置する端部に遮断板３を有する保温筒２を通過させる保温工程と、前記保温筒２の前記端部に近接して設けられた多段構造型の冷却装置４によって溶融樹脂を冷却固化する冷却工程とを有するプラスチック光ファイバの製造装置及び製造方法。 - 特許庁

An insulation wire 5 including a conductor 1 and an insulator layer 2 coating the conductor 1 is characterized in that the insulator layer 2 includes a polyethylene obtained by synthesis using a metallocene catalyst, and an antioxidant having a chemical structure different from a hindered phenol structure, and the antioxidant is blended at a ratio of 0.01 or more to less than 1.5 parts by mass to 100 parts by mass of the polyethylene.例文帳に追加

導体１と、導体１を被覆する絶縁層２とを備える絶縁電線５であって、絶縁層２が、メタロセン触媒を用いて合成することによって得られたポリエチレンと、ヒンダードフェノール構造と異なる化学構造を有する酸化防止剤とを含み、酸化防止剤が、ポリエチレン１００質量部に対し０．０１質量部以上で且つ１．５質量部未満の割合で配合されていることを特徴とする絶縁電線５。 - 特許庁

The semiconductor device according to the present invention comprises: a semiconductor substrate; an interlayer dielectric film formed on the semiconductor substrate; a wiring disposed in the interlayer dielectric film; and a first and a second anti-fuse wiring that are connected to the wiring, face each other with a space therebetween that provides electrical insulation, and are capable of conduction through the disposition of a conductive member in the space.例文帳に追加

本発明の実施の形態に係る半導体装置は、半導体基板と、前記半導体基板上に形成された層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜中に配置された配線と、前記配線に接続され、電気的に絶縁可能な間隔を有して対向し、前記間隔に導電部材を配置することにより導通可能な第１および第２の接続端部を有した第１および第２のアンチヒューズ配線と、を有する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a conductive connecting material, having a laminating structure of a resin composition layer, including a resin element and a metal layer for attaining excellent electrical connection among connecting terminals opposed with each other and higher insulation reliability among neighboring terminals, and to provide a method of connecting terminals using a conductive connecting material manufactured by this method, and a method of forming connecting terminals.例文帳に追加

本発明の目的は、対向する接続端子間において良好な電気的接続と隣接端子間において高い絶縁信頼性を得ることを可能にする、樹脂成分を含有する樹脂組成物層と、金属層の積層構造を有する導電接続材料の製造方法、並びに該製造方法で作製された導電接続材料を用い端子間の接続方法、接続端子の形成方法を提供することにある。 - 特許庁

To provide a conductive connection material with a back grind tape capable of protecting a circuit surface of a semiconductor wafer in a polishing process of the semiconductor wafer, reducing warpage of the semiconductor wafer after polishing, and providing excellent electric connection between a semiconductor chip and connection terminals of a circuit board and high insulation reliability between adjacent terminals, and excelling in productivity of an electric/electronic component.例文帳に追加

本発明の課題は、半導体ウエハの研磨工程において半導体ウエハの回路面を保護すること、及び研磨後の半導体ウエハの反りを低減することができ、また、半導体チップと回路基板の接続端子間において良好な電気的接続と隣接端子間において高い絶縁信頼性を得ることが可能であり、更には電気、電子部品の生産性に優れるバックグラインドテープ付き導電接続材料を提供することにある。 - 特許庁

To provide a surface processing method for insulating layers and copper wiring that secures a reliability of insulation between wiring and adhesive strengths between a wiring surface and an insulating layer, and an insulating layer and an insulating layer without forming unevenness of >1,000 nm on a wiring surface, and shortens manufacturing step of a wiring board, and the wiring board processed by the surface processing method and having various superior reliabilities.例文帳に追加

本発明は、配線表面に１０００ｎｍを超す凹凸を形成することなく、配線間の絶縁信頼性の確保、配線表面と絶縁層及び絶縁層と絶縁層との接着強度を確保でき、更に配線基板の製造工程を短縮できる絶縁層及び銅配線の表面処理方法、並びにこの表面処理方法により処理された各種信頼性に優れる配線基板を提供することを目的とする。 - 特許庁

In miniaturization of the supporting leg wiring, the supporting leg 3 can be reduced in height, by etching only a region equivalent to the supporting leg 3 to a BPSG 10 and a TEOS 11, namely, surrounding interlayer insulation films, and thereby reducing the sectional area of the supporting leg 3, thus providing an infrared image pickup device that has miniaturized supporting leg structure, independently of the size rule determined by a mask.例文帳に追加

本発明では、支持脚配線の微細化において、支持脚３の断面積を小さくするため、周囲の層間絶縁膜であるＢＰＳＧ１０及びＴＥＯＳ１１に対し、支持脚３に相当する領域のみをエッチングすることにより、支持脚３を低背化することができ、マスクで決定するサイズ立則にとらわれない微細化された支持脚構造を有する赤外線撮像素子およびその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

A semiconductor device includes first wiring, a first interlayer insulating film for covering the first wiring, a second interlayer insulating film abutting on one portion of an area on the first interlayer insulating film, and second wiring on the first interlayer insulating film and the second interlayer insulation film on an insulating surface, and also includes the stacked first and second interlayer insulating films at a region where the first wiring overlaps with the second wiring.例文帳に追加

絶縁表面上に第１配線と、前記第１配線を覆う第１層間絶縁膜と、前記第１層間絶縁膜上の一部に接して第２層間絶縁膜と、前記第１層間絶縁膜及び前記第２層間絶縁膜上に第２配線とを有し、前記第１配線と前記第２配線とが重なっている領域には、前記第１層間絶縁膜と前記第２層間絶縁膜とが積層された半導体装置である。 - 特許庁

The surface acoustic wave device 1 includes: a piezoelectric substrate 7; a first IDT electrode 9 formed on the piezoelectric substrate 7 and having a first film thickness; a second IDT electrode 13 formed on the piezoelectric substrate 7 and having a second film thickness larger than the first film thickness; and an insulation film 20 covering only the first IDT electrode 9 in the first IDT electrode 9 and the second IDT electrode 13.例文帳に追加

本発明に係る弾性表面波装置１は、圧電基板７と、圧電基板７上に形成され、第1膜厚を有する第1のＩＤＴ電極９と、圧電基板７上に形成され、第1膜厚より大きい第２膜厚を有する第２のＩＤＴ電極１３と、第１のＩＤＴ電極９及び第２のＩＤＴ電極１３のうち第1のＩＤＴ電極９のみを被覆する絶縁膜２０と、を備えている。 - 特許庁

A display panel (mount board) is provided with an IC chip 33 mounted via the anisotropic conductor film 3, a support board 2 provided with wires, and an organic insulation film 12 with an opening for exposing terminals 11 for the wires for covering the upper part of a support board 2.例文帳に追加

フィルム状の異方性導電膜３を介してＩＣチップ３３が実装されるものであって、配線が設けられた支持基板２と、配線の端子１１を露出させる開口部を有して支持基板２上を覆う有機絶縁膜１２とを備えた表示パネル（実装基板）において、ＩＣチップ３３が実装される有機絶縁膜１２側の第１搭載部７に、フィルム状の異方性導電膜３１を密着させるための密着領域１４が設けられている。 - 特許庁

To provide a connection structure of a multicore cable equipped with a plurality of extra-fine coaxial cables each having a center conductor which is connected to a conductor pattern portion of a member to be connected, wherein the connection structure is capable of preventing occurrence of short circuit by maintaining insulation among the center conductors, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

そこで、本発明は、上述の問題に鑑みてなされたものであり、中心導体を有する極細同軸ケーブルを複数本備えた多心ケーブルの、中心導体が被接続部材の導体パターン部に接続された多心ケーブルの接続構造体において、中心導体間の絶縁性を維持して短絡の発生を防止することができる多心ケーブルの接続構造体およびその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

Gate electrodes 15 are formed through a gate insulation film 14 on a semiconductor substrate 11 and element isolations, the gate electrodes are formed so as to adjoin both sides of a certain one gate electrode, and a skew ion implanting is made so that the shadows of adjacent gate electrodes overlie source or drain regions 19, thus making it possible to selectively implant a channel impurity in Si substrate regions 13 beneath the gate electrodes.例文帳に追加

半導体基板１１上及び素子分離部上にゲート絶縁膜１４を介してゲート電極１５を形成し、ある１つのゲート電極に対しその両側に隣接するようにゲート電極を形成し、隣接するゲート電極の陰がソース又はドレイン領域１９に重なるように、斜めイオン注入を行うことにより、ゲート電極下のシリコン基板領域１３に選択的にチャネル不純物を注入することが可能になる。 - 特許庁

To provide a low-priced gypsum building material which originally has convenience, thermal insulation property or the like and further displays excellent deodorizing property by catching and holding volatile organic compounds generated from a formaldehyde adhesive, in particular, formaldehyde being a typical substance and aldehyde or the like caused by smoking even when the formaldehyde adhesive is used in building materials such as plywood and assembling of furniture or the like.例文帳に追加

本発明は、石膏系建材が本来的に有する利便性、断熱性等に加えて、合板等の建材及び家具等の組み立て等にホルムアルデヒド系接着剤が用いられていても、それから発生する揮発性有機化合物、特に代表的物質であるホルムアルデヒドや喫煙に起因するアルデヒド等を捕捉して再放出せず、優れた消臭性を発揮する安価な石膏系建材を提供することを目的とする。 - 特許庁

An insulation barrier is provided between live parts of the switches and the grounding, and between the live parts.例文帳に追加

母線断路器２２、遮断器３１、受電断路器３２、接地開閉器３３などの開閉器が収納された密封容器２、３内に、絶縁ガスとして圧力が０．１１〜０．３ＭＰａで且つ水分含有量が３，０００ｐｐｍ（水蒸気分圧を１０１，３２５Ｐａに換算した場合の水蒸気の体積についての体積比）以下の乾燥加圧空気が封入されたガス絶縁開閉装置であって、開閉器の充電部と接地との間および上記充電部同士の間に絶縁バリヤが設けられる。 - 特許庁

To provide a polyester fiber/cotton blended yarn plush fabric expressing both new touch feeling and color tone while retaining highly excellent thermal insulation, hygroscopicity, moisture transpiration, improved body adaptability or feeling in use and also body shape compatibility as a result of synergistic effect of the respective functions and abilities inherent in polyester fiber and cotton, and to provide beddings and interior textile products each using the fabric.例文帳に追加

本発明は、ポリエステル繊維と綿が保有するそれぞれの機能、能力が相乗的に作用し合う、極めて優れた保温性、吸湿性、水分蒸散性、人体への適応感や使用感の向上、更に体の形状への適合性を維持したまま、新規な風合い及び色調を発現することができるポリエステル繊維・綿混紡糸起毛織物及びこれを用いた寝具類並びにインテリア繊維製品を提供することを目的とする。 - 特許庁

The semiconductor optical sensor device comprises a semiconductor substrate, semiconductor layer which is formed on the semiconductor substrate and is divided by an insulation film, first photo diode formed near a surface of the semiconductor layer, second photodiode formed below the first photo diode, and signal processing circuit formed in the semiconductor layer to process output signals of the first and second photodiodes.例文帳に追加

半導体光センサ装置は、半導体基板と、前記半導体基板上に絶縁膜により分離されて形成された半導体層と、前記半導体層の表面近傍に形成された第１のフォトダイオードと、前記半導体層の前記第１のフォトダイオードの下方に形成された第２のフォトダイオードと、前記半導体層に形成された、前記第１及び第２のフォトダイオードの出力信号を処理する信号処理回路とを有する。 - 特許庁

A plurality of wiring boards 30 having a plurality of connection electrodes buried in vias and wirings 8 electrically connected to the connection electrodes, semiconductor elements 5 mounted on the wiring boards 30, and a plurality of conductive via insulation boards 20 having openings 12 for housing the semiconductor element 5 and connection electrodes buried in vias are alternately laminated and unified into a thin type semiconductor device capable of housing semiconductor elements.例文帳に追加

ビアに埋め込まれた複数の接続電極及びこの接続電極に電気的に接続された配線８を備えた複数の配線基板３０と、前記配線基板に搭載された半導体素子５と、半導体素子が収容される開口部１２を有し、ビアに埋め込み形成された接続電極を備えた複数の導電ビア絶縁基板２０とを交互に積層し一体化して半導体素子が収容可能な薄型半導体装置が形成される。 - 特許庁

To provide a hetero-junction field effect transistor by which plasma damage of a reactive ion or the like entering a crystal due to dry etching for selective removal of an insulation layer or a semiconductor layer above a barrier layer is suppressed in a crystal structure, where the barrier layer with a larger atomic weight than an electron supply layer is formed on the electron supply layer of the hetero-junction field effect transistor.例文帳に追加

ヘテロ接合電界効果トランジスタの電子供給層上に電子供給層よりも平均原子量の大きなバリア層を形成した結晶構造において、バリア層より上の絶縁膜もしくは半導体層を選択に除去する際のドライエッチングによって結晶内に侵入する反応性イオン等のプラズマ損傷を抑制することを目的したヘテロ接合電界効果トランジスタの製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a dielectric porcelain composition, which is used as a dielectric layer of a layered ceramic capacitor, comprising minute dielectric particles, having good electric characteristics and temperature characteristics even if a capacitor is thin-layered, low in poor insulation rate, excellent in high temperature load life, and high in reliability, and electronic parts such as a layered ceramic capacitor having such dielectric porcelain composition as its dielectric layer.例文帳に追加

積層セラミックコンデンサの誘電体層として使用される誘電体磁器組成物において、微細な誘電体粒子から構成され、かつコンデンサを薄層化した場合においても、良好な電気特性や温度特性を有し、絶縁不良率が低く、高温負荷寿命に優れ、信頼性の高い誘電体磁器組成物、およびこのような誘電体磁器組成物を誘電体層として有する積層セラミックコンデンサ等の電子部品を提供すること。 - 特許庁

On the mounting board 3 provided with a mounting area mounting the semiconductor device 1 having a plurality of the projection electrodes on the upper and lower faces of an insulation board, the mounting board 3 provides a conductor non-formation area 7 on an area contacting the projection electrode 2 on at least one electrode pad 4 and a semiconductor module uses the mounting board 3.例文帳に追加

絶縁基板の上面に、下面に複数の突起電極２を有する半導体装置１が実装される実装領域を備え、この実装領域に突起電極２と対応する複数の電極パッド４が配設された実装用基板３であって、少なくとも１つの電極パッド４において突起電極２が当接される領域に導体非形成領域７を設けた実装用基板３およびこれを用いた半導体モジュールである。 - 特許庁

In a high speed signal line, a thin film conductive signal wire 102 is formed on one side of a board 101 having electric insulation, and a thin film conductive electric reference face 104 is formed on the other side of the board 101 which is engraved in a direction of the one side so as to provide prescribed impedance to the high speed signal line.例文帳に追加

電気的に絶縁性を有する基板１０１の一方の面に導電性を有する薄膜状の信号配線１０２が形成され、基板１０１の他方の面に導電性を有する薄膜状の電気的基準面１０４が形成された高速信号線において、他方の面は、一方の面の方向に掘り込まれて電気的基準面１０４が形成され、高速信号線が所定のインピーダンスを有するように構成された。 - 特許庁

Furthermore, the lens unit comprises a first electrode brought into contact with the conductive liquid; one or more second electrodes insulated to the conductive liquid; and a correction for correcting strain due to gravity of a boundary face by controlling voltage impressed across the one or more second electrodes of the second electrodes in response to a gravity direction, and changing the shape of the boundary face between the insulation liquid and the conductive liquid.例文帳に追加

さらに、導電性液体に接触した第１の電極と、導電性液体に対して絶縁された１つ以上の第２の電極と、第２の電極のうち１つ以上の第２の電極との間に印加する電圧を重力方向に応じて制御することによって、絶縁性液体と導電性液体との境界面の形状を変化させて、境界面の重力による歪みを補正する補正部とを備える。 - 特許庁

A semiconductor film with large crystalline size is obtained by the method for fabricating the thin film transistor comprising applying layer beam to an island like noncrystalline semiconductor film on a insulation film, scanning the region irradiated with the laser beam to crystallize the island like noncrystalline semiconductor film, and forming an active layer including a source region, a drain region and a channel forming region.例文帳に追加

絶縁表面上の島状の非晶質半導体膜にレーザー光を照射し、該レーザー光を照射した領域を走査して前記島状の非晶質半導体膜を結晶化させ、該結晶化させた島状の半導体膜を用いてソース領域、ドレイン領域及びチャネル形成領域を含む活性層を形成する薄膜トランジスタの作製方法であって、前記レーザー光は固体レーザーから連続発振されたレーザー光であることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a foamed article having excellent antistaticity, heat- resistance, heat-insulation and cushioning property, light weight and improved welding of beads and mechanical strength.例文帳に追加

帯電防止性能、耐熱性、断熱性、緩衝性にすぐれ、軽量で、かつ粒子間の融着性や機械的強度が向上した発泡成形体と、当該発泡成形体を、汎用の発泡成形機を使用して一般的な成形条件で容易かつ効率的に製造するための熱可塑性ポリエステル系樹脂予備発泡粒子と、かかる予備発泡粒子を効率的に生産性よく、しかも上記の特性に影響を及ぼさずに製造するための製造方法とを提供する。 - 特許庁

Another oxide layer is disposed in contact with an electron injection layer containing an alkaline earth metal, so that the heat generated by the short circuit between the electrodes of the light emitting element can react oxygen contained in the oxide layer with the alkaline earth metal contained in the electron injection layer to generate an oxide of the alkaline earth metal, which adsorbs out moisture entering the insulator generated by the insulation of the short circuit region.例文帳に追加

さらに、アルカリ土類金属を含む電子注入層と接して酸化物層を設けることにより、発光素子において両電極間の短絡が生じた際に発生する熱により、酸化物層に含まれる酸素と電子注入層に含まれるアルカリ土類金属とを反応させ、アルカリ土類金属の酸化物を生成することにより、短絡箇所の絶縁化により生成する絶縁体に侵入する水分を吸着して除去することができる。 - 特許庁

To provide a heat shrinkable aromatic polyester tube having a utility value of a general purpose electrical insulation material, a heater-coating material or the like having excellent heat resistance, impact resistance after an electronic component is covered with the polyester tube formed of a thermoplastic resin composition made of a polyethylene terephthalate resin, a polyethylene naphthalate and a polyester elastomer resin after the component is covered with the polyester tube, and excellent shrinkage characteristics and openability.例文帳に追加

ポリエチレンテレフタレート樹脂とポリエチレンナフタレート樹脂およびポリエステル系エラストマー樹脂からなる熱可塑性樹脂組成物により形成された熱収縮性芳香族ポリエステルチューブを電子部品に被覆後、耐熱性、耐衝撃性に優れ且つ収縮特性および開口性に優れた汎用電気絶縁材料や発熱体被覆材料等の利用価値を有する熱収縮性芳香族ポリエステルチューブを提供することを目的とする。 - 特許庁

These shoes with a non-contact IC tag incorporate a non-contact type IC chip buried in an insulation material constituting a shoe sole, a first conductive material connected to one of two antenna terminals of the IC chip and a second conductive material connected to the remaining terminal of the IC chip, and the first conductive material and the second conductive material are arranged in a structurally non-contact state.例文帳に追加

そこで、靴底を構成する絶縁材の中に埋設された非接触型ＩＣチップと、前記ＩＣチップの２つのアンテナ端子の一方に接続された第１の導電材と、前記ＩＣチップの残りの端子に接続された第２の導電材を内蔵し、前記第１の導電材と、前記第２の導電材を構造的に非接触の状態に配置したことを特徴とする非接触ＩＣタグ付き靴を提供するものである。 - 特許庁