「INSULATION」に関連した英語例文の一覧と使い方(561ページ目) - Weblio英語例文検索

To prevent a short circuit and disconnection due to large deformation of bonding wires for connecting electrodes of semiconductor chips and the conductor pattern of a printed wiring board in a semiconductor device manufacturing method, wherein the semiconductor chips are mounted face up on the printed wiring board formed with a protective insulation film by using a film-like resist, and then the plurality of semiconductor chips are collectively sealed by transfer molding.例文帳に追加

フィルム状レジストを用いて保護絶縁膜を形成したプリント配線板に半導体チップをフェースアップ実装し、トランスファモールドで前記複数の半導体チップを一括して封止する半導体装置の製造方法において、前記半導体チップの電極とプリント配線板の導体パターンを接続するボンディングワイヤの大きな変形による短絡、断線を防ぐ。 - 特許庁

A transparent electrode element 1 includes a base material 11, a transparent conductive film 13 provided on the base material 11, an electrode region 15 constituted by using the transparent conductive film 13, and an insulation region 17 that is a region adjacent to the electrode region 15, in which groove patterns 17a extended in random directions divide the transparent conductive film 13 into independent island shapes.例文帳に追加

基材１１と、基材１１上に設けられた透明導電膜１３と、透明導電膜１３を用いて構成された電極領域１５と、電極領域１５に隣接した領域であってランダムな方向に延設された溝パターン１７ａによって透明導電膜１３が独立した島状に分割されている絶縁領域１７とを有する透明電極素子１である。 - 特許庁

In a laser beam machining head having an electrode part 3 fixed through insulation members 36, 37, a housing 33 arranged surrounding at least a part of the electrode part 3, a cooling gas passage 38 formed between the housing 33 and the electrode part 3 and allowing cooling gas to pass through, and a means of supplying gas 2 to supply the cooling gas to the cooling gas passage 38 are provided.例文帳に追加

電極部３が絶縁部材３６，３７を介して取り付けられるレーザ加工ヘッドにおいて、電極部３の少なくとも一部を囲んで配設されるハウジング３３と、ハウジング３３と電極部３との間に形成され冷却ガスを通過させる冷却ガス通路３８と、冷却ガス通路３８に冷却ガスを供給するためのガス供給手段２とを備えるように構成する。 - 特許庁

The semiconductor film 221 comprises: a first conduction type region 111 composed of part of the laminated film on a gate insulation film 105; a second conduction type region 112 composed of the second semiconductor thin film 107 on a connection region 120 of a second conduction type shallow well region 104; and a non impurity introducing region 117 composed of the layered film placed between them.例文帳に追加

この半導体膜２２１は、ゲート絶縁膜１０５上の上記積層膜の一部からなる第１導電型領域１１１と、第２導電型の浅いウェル領域１０４の接続領域１２０上の第２の半導体薄膜１０７からなる第２導電型領域１１２と、それらの間に位置する上記積層膜からなる非不純物導入領域１１７とからなる。 - 特許庁

In the failure analysis method of a semiconductor device for a failure cause made by wiring formed on a semiconductor silicon board, a layer insulation film 3 is etched and removed on the semiconductor silicon board by using etching gas (for instance, CHF3) having a high etching selection ratio between a lower layer wire 2 and upper layer wiring 4, and the failure cause (foreign matter 5) is analyzed.例文帳に追加

半導体シリコン基板上に形成した配線に起因する不良原因を解析する半導体装置の不良解析方法において、下層配線２や上層配線４との間で高いエッチング選択比を有するエッチングガス（例えば、ＣＨＦ_3）を用いて、半導体シリコン基板上の層間絶縁膜３をエッチング除去して、不良原因（異物５）を解析する。 - 特許庁

In film carrier 1 constituted of insulation film 2 and metal foil 5 at least, solder resist 41 coated over wiring pattern 5 on the periphery of device hole 6 is made of an adhesive urethane resin, and solder resist 42 coated over a neighboring portion of output outer lead 10a except for wiring pattern 5 on the periphery of device hole 6 is made of an adhesive polyimide resin.例文帳に追加

少なくとも絶縁性フィルム２と金属箔５からなるフィルムキャリア１において、デバイスホール６周縁部分の配線パターン５面に塗布される接着性樹脂がウレタン樹脂でソルダーレジスト４１を設け、デバイスホール６周縁部分の配線パターン５面以外の出力アウターリード１０ａ隣接部分に塗布される接着性樹脂がポリイミド樹脂でソルダーレジスト４２を設けるフィルムキャリア１とする。 - 特許庁

This gas insulated switching device includes a tank 6 for storing isolation gas in it by integrating a first tank member 61 and a second tank member 62 for storing elements 1, 2 constituting the switching device by welding each other and an insulation partitioning member 5 for performing gas classification in a tank inside thermally separated from a welded portion 7 between the first tank member and the second tank member.例文帳に追加

開閉装置を構成する要素１、２を収容する第１のタンク部材６１、および第２のタンク部材６２相互を溶接により一体化し、内部に絶縁ガスを収容したタンク６と、上記第１のタンク部材および第２のタンク部材の溶接部７から熱的に離間して設けられたタンク内をガス区分する絶縁区画部材５とを備えるように構成した。 - 特許庁

To provide an insulation board capable of keeping and improving insulating performance, providing an energy saving effect through a year even in a warm region where outside air becomes relatively high in summer, and facilitating construction of an outer wall structure of an outside insulating concrete building by removing uncomfortable feeling or danger to a worker and integrating a heat insulating material and a ventilation layer.例文帳に追加

断熱性能を維持向上し、夏期に外気が比較的高くなる温暖地域であっても年間を通しての省エネルギー効果が得られるとともに、作業者に与える不快感や危険を除去し、断熱材と通気層とを一体化することにより、外断熱コンクリート建築物の外壁構造の施工を容易にすることができる断熱ボードを提供する。 - 特許庁

The three-dimensional substrate comprises: an insulating substrate at least the surface of which exhibits insulation properties; and a circuit including a first wiring layer formed on the surface of the insulating substrate, an electrodeposition coating film formed on the first wiring layer and having a certain film thickness, and a second wiring layer formed on the surface of the insulating substrate where the electrodeposition coating film is formed.例文帳に追加

そこで本発明の立体基板は、少なくとも表面が絶縁性を呈する絶縁性基体と、絶縁性基体表面に形成された第１の配線層と、第１の配線層上に形成され、一定の膜厚を有する電着塗装膜と、電着塗装膜の形成された絶縁性基体表面に形成された第２の配線層とを含む回路部と、を備えたことを特徴とする。 - 特許庁

Alternatively, in the electric equipment insulation deterioration diagnosis, the reliability of a measurement value or a determination result by a first diagnosis technique is evaluated on the basis of a measurement value or a determination result by a second diagnosis technique different from the first one, and the measurement value or the determination result by the first diagnosis technique is altered.例文帳に追加

或いは、電気設備の絶縁劣化診断において、第１の診断手法による測定値又は判定結果に対し、前記第１の診断手法とは異なる第２の診断手法による測定値又は判定結果に基づいて前記第１の診断手法による測定値又は判定結果の信頼性を評価し、前記第１の診断手法による測定値又は判定結果を変更する。 - 特許庁

To provide a base isolation floor structure of which the floor pallet can be made transferable following the base isolation building body by interposing a horizontally movable device having a specified friction between the floor pallet which is installed on the ground and on which a low floor can be formed and the ground face when the floor structure installed in the inside and the outside of the base insulation building is constituted.例文帳に追加

免震建物の内外に設置される床構造を構成する際、地盤上に設置され低床を形成することが出来る床パレットと該地盤面との間に所定の摩擦度を有する水平移動可能装置を介在させることにより、前記床パレットを免震建物本体に追随して移動させることが出来るようにした免震床構造を提供する。 - 特許庁

In this vacuum thermal insulation panel 1 storing a core material 2 in the gas barrier vessel 3 and evacuating the inside to form a panel body, the gas barrier vessel 3 is formed by the aluminum deposition film or a multi-ply resin film formed by laminating aluminum foil, and a reinforcing layer formed by mixing ethylene vinyl alcohol copolymer and an inorganic material in a hybrid manner is provided in the resin film.例文帳に追加

コア材２をガスバリア容器３内に収納し、内部を真空排気してパネル体とした真空断熱パネル１において、ガスバリア容器３をアルミ蒸着フィルム、あるいはアルミ箔などをラミネートした多層の樹脂フィルムで形成するとともに、この樹脂フィルム中に、エチレンビニルアルコール共重合体と無機系材料をハイブリッド混合した補強層を介在させた。 - 特許庁

To prevent zero-cross operation failures by a parasitic capacitance of a semi-insulating film to operate stably an AC voltage in a photo-thyristor element incorporated with a MOSFET for obtaining a zero-cross function, comprising a photodiode or a phototransistor for photodriving a gate of the MOSFET, and having a high breakdown voltage passivation film provided with an oxygen dope semi-insulating film on an insulation film.例文帳に追加

ゼロクロス機能を得るためのＭＯＳＦＥＴを内蔵し、ＭＯＳＦＥＴのゲートを光駆動するためのフォトダイオードまたはフォトトランジスタを備え、絶縁膜上に酸素ドープ半絶縁膜を設けた高耐圧パッシベーション膜を有するフォトサイリスタ素子において、半絶縁膜の寄生容量によるゼロクロス動作不良を防いでＡＣ電圧に対して安定して動作させる。 - 特許庁

To provide a thermosetting composition useful for a solder resist for flexible print circuit boards and a protective coat for electroluminescent panels, having low hydrolyzability, excellent in solder heat-resistance, chemical resistance, adhesiveness, electric insulation and the like, having halogen-free stable flame-resistance, excellent in flexing resistance and causing little warpage after curing, and to provide a halogen-free cured film having stable flame resistance.例文帳に追加

フレキシブルプリント配線板用ソルダーレジストやエレクトロルミネッセントパネル用保護膜に有用な、加水分解性が低く、はんだ耐熱性、耐薬品性、密着性、電気絶縁性等に優れ、ハロゲンフリーで安定した難燃性を有し、かつ耐屈曲性に優れ、硬化後の反りが少ない熱硬化性組成物、及びハロゲンフリーで安定した難燃性を有する硬化塗膜を提供する。 - 特許庁

The floating gate type electric field effect transistor Tr has a source 13 and a drain 14 formed in a P type well provided in the N type well of a P type semiconductor board 10, a floating gate 16 formed through a tunnel oxidation film 15 between the sources 13 and the drains 14, and a control gate 18 formed through an interlayer insulation film 17 on the floating gate 16.例文帳に追加

浮遊ゲート型電界効果トランジスタＴｒは、Ｐ型半導体基板１０のＮ型ウエル内に設けられたＰ型ウエル内に形成されたソース１３，ドレイン１４と、ソース１３，ドレイン１４間上にトンネル酸化膜１５を介して形成された浮遊ゲート１６と、浮遊ゲート１６上に層間絶縁膜１７を介して形成された制御ゲート１８とを有する。 - 特許庁

To provide a photosensitive resin composition that can be micro-processed since it has photosensitivity, is developable with a diluted alkali aqueous solution and curable at a low temperature (200°C or lower), has high flexibility, excellent electric insulation reliability, solder heat resistance and organic solvent resistance, has little warpage of a substrate after being cured and excellent adhesiveness with a sealing agent.例文帳に追加

本願発明の課題は、感光性を有するため微細加工が可能であり、希アルカリ水溶液で現像可能であり、低温（２００℃以下）で硬化可能であり、柔軟性に富み、電気絶縁信頼性、ハンダ耐熱性、耐有機溶剤性に優れ、硬化後の基板の反りが小さく、封止剤との密着性に優れる感光性樹脂組成物を提供することにある。 - 特許庁

This FPC connector 10 comprises an insulation housing 20 provided with an FPC inserting portion 24, a plurality of contact terminals 40 having a contact beam 42 extending to the FPC inserting portion 24, and a rotating actuator 30 adding contacting pressure required for electric connection between an FPC contact inserted in the FPC inserting portion 24 and a contact of the contact beam 42.例文帳に追加

ＦＰＣ挿入部２４が設けられた絶縁ハウジング２０と、ＦＰＣ挿入部２４に延びるコンタクトビーム４２を有している複数のコンタクト端子４０と、ＦＰＣ挿入部２４に挿入されたＦＰＣの接点とコンタクトビーム４２のコンタクトとの間に、電気的接続に必要な接触圧を与えるための回動アクチュエータ３０とを備えているＦＰＣ用コネクタ１０である。 - 特許庁

This floating surface protective film having excellent corrosion resistance, electric insulation and mechanical wear resistance in an ultrathin film is realized by arranging a silicon nitride thin film having high density, high electric resistance, chemical stability and high adherence to a substrate at the lowest layer of the floating surface protective layer and arranging a film composed of tetrahedral amorphous carbon and nitrogen at the highest layer of the floating surface protective film.例文帳に追加

高密度、高電気抵抗、化学的安定性、基板との高密着性を有する窒化珪素薄膜を浮上面保護膜最下層に配置し、テトラヘドラルアモルファスカーボンと窒素からなる膜を浮上面保護膜最上層に配置することによって、極薄膜において、良好な腐食耐性、電気的絶縁性、機械的耐摩耗性を有する浮上面保護膜が実現される。 - 特許庁

To provide double glazing applicable to a standard sash frame used in a general home and having 100 mm thickness, having sound insulation class T-3 according to JIS A4706:2000 and having properties required to the area III based on Ministry of Land, Infrastructure and Transport notification No. 378 notified in Heisei 18 "Guideline for design, construction and maintenance about rationalization of activity of energy concerning residence".例文帳に追加

一般住宅で使用される厚さ１００ｍｍの標準サッシ用枠に適用でき、ＪＩＳ Ａ４７０６：２０００に規定されるＴ−３等級の遮音性能を有し、平成１８年に告示された国土交通省告示第３７８号「住宅に係るエネルギーの使用の合理化に関する設計、施工及び維持保全の指針」のIII地域に対して要求される複層ガラスを提供する。 - 特許庁

This submerged motor, equipped with a terminal box 12 used in liquefied gas, is constructed by connecting a molded terminal 5 to a motor cable 4 connected with a stator coil 1 and fixing the molded terminal 5 on the terminal box 18 along with a packing 6 by a retainer, thus ensuring long-term use in dimethyl ether and improving insulation performance of a bare charging part in the terminal box.例文帳に追加

液化ガス中で使用される端子箱１２を備えたサブマージドモータは、固定子コイル１に接続されたモータケーブル４にモールド端子５を接続し、前記モールド端子５を端子板１８にパッキン６と共に押え金具で固定した構成であるので、長期間のジメチルエーテルの使用に耐え得ることができ、端子箱内の裸充電部の絶縁性能を向上することができる。 - 特許庁

In a field emission type electron source 10, a strong electric field drift region 6 made of oxidized porous polycrystalline silicon and a conductive region 8 made of n-type polycrystalline silicon are spaced away from each other and placed in parallel with each other in a plane of an undoped polycrystalline silicon layer 3 as a semiconductor layer that is formed on one surface of an insulation board 11 of a glass board.例文帳に追加

電界放射型電子源１０は、ガラス基板よりなる絶縁性基板１１の一表面上に形成された半導体層たるノンドープの多結晶シリコン層３に、酸化した多孔質多結晶シリコンよりなる強電界ドリフト領域６とｎ形多結晶シリコンよりなる導電性領域８とが面内方向に並んで所定距離だけ離間して形成されている。 - 特許庁

The conductive coating coated on the surface of an electric member such as shields 13 which are installed on sealing fittings 12 sealed at both end opening parts of a vacuum insulation container 11 or on the surface of the outer periphery of an insulating layer 15 in which the electric member is embedded, has spherical conductive particles and a binder to join the conductive particles.例文帳に追加

真空絶縁容器１１の両端開口部に封着される封着金具１２に設けられるシールド１３のような電気部材の表面、もしくは電気部材１３を埋め込む絶縁層１５の外周表面に塗布される導電性塗料において、球状の導電性粒子と、導電性粒子を接合させるバインダーとを備えたことを特徴とする。 - 特許庁

The antifuse element has: a plurality of MOS transistors; a first electrode to which source electrodes of the plurality of MOS transistors are connected in common; a second electrode to which gate electrodes of the plurality of MOS transistors are connected in common; a third electrode to which at least one of drain electrodes of the plurality of MOS transistors can be connected; and an insulation film formed between the drain electrodes and the third electrode.例文帳に追加

複数のＭＯＳトランジスタと、複数のＭＯＳトランジスタのソース電極が共通に接続された第１の電極と、複数のＭＯＳトランジスタのゲート電極が共通に接続された第２の電極と、複数のＭＯＳトランジスタのドレイン電極の少なくとも１つと接続される第３の電極と、ドレイン電極および第３の電極の間に設けられた絶縁膜と、を有する。 - 特許庁

A diffuser disc 12 of doughnut type, comprising an exhaust pipe 46 whose one end is connected to a combustion chamber 45 of an internal combustion engine, a muffler 28 connected to the other end of the pipe 46 provided with the thermal insulation and ventilation material inside and a punching pipe 34, and provided with a circular opening part 14 at the center is stacked in an exhaust port of the punching pipe 34.例文帳に追加

内燃機関の燃焼室４５に一端部が接続されるエキゾーストパイプ４６と、このパイプ４６の他端部に接続され、内側に断熱通気材５２を設けた消音器２８と、消音器２８の内部に配設されたパンチングパイプ３４とからなり、パンチングパイプ３４の排気口に、中央に円形の開口部１４を備えるドーナツ状のディフューザディスク１２が積層配置されている。 - 特許庁

The light emitting element part is composed of a light emitting layer 80 emitting light by electroluminescence, a first electrode 30 and a second electrode 50 for injecting electric charge into the light emitting layer 80, a third electrode 40 arranged to the light emitting layer 80 through a first insulation layer 64, and an optical member 88 transmitting the light generated at the light emitting layer 80 toward a prescribed direction.例文帳に追加

発光素子部は、エレクトロルミネッセンスによって光を発生する発光層８０と、発光層８０に電荷を注入するための第１電極３０および第２電極５０と、発光層８０に対して第１絶縁層６４を介して配置された第３電極４０と、発光層８０において発生した光を所定の方向へ伝播させるための光学部材８８とを含む。 - 特許庁

In the solder paste printing process, a first pad 22B where a solid layer 21 is formed in the projection region of the pad 22 on the rear surface through one or a plurality of resin insulation layers is coated with a smaller quantity of solder paste than a second pad 22C where the solid layer 21 is not present in the projection region of the pad 22 on the rear surface.例文帳に追加

ハンダペースト印刷工程では、そのパッド２２が、自己を裏面側に投影した領域に１又は複数の樹脂絶縁層を介してベタ層２１が形成されている第１パッド２２Ｂであるか、自己を裏面側に投影した領域にベタ層２１は存在しない第２パッド２２Ｃであるかによって、第１パッド２２Ｂには、第２パッド２２Ｃよりも少量のハンダペーストを塗布する。 - 特許庁

The highly filled resin composition contains a specific copolymer, a radical polymerizable vinyl compound and an inorganic filler, has fluidity, can be cured with a curing agent, can give a cured product having certain level of flexibility and excellent in heat resistance, thermal conductivity, electric insulation and gas barrier property, and is useful as a sealing material and an insulating material particularly for a high-temperature operating electronic device.例文帳に追加

特定の共重合体とラジカル重合性ビニル化合物と無機充填材を含む高充填樹脂組成物であり、流動性を有し、硬化剤により硬化することが可能で、一定以下の軟質性と耐熱性、熱伝導性、電気絶縁性、ガスバリア性に優れる硬化体を与えることが出来て、特に高温動作型電子デバイス用の封止材、絶縁材として有用である。 - 特許庁

The thermal insulation material 360 consisting of a foam contains ≥50 wt.%, preferably 50-70 wt.%, of a mixture of cellulose, starch and a polyvinyl alcohol.例文帳に追加

断熱材３６０を構成する発泡体は、セルロース、でんぷん及びポリビニルアルコールの混合物を５０ｗｔ％以上、好ましくは５０ｗｔ％以上、７０ｗｔ％以下含有するものであり、例えば、セルロースを３０ｗｔ％、でんぷん及びポリビニルアルコール２Ｃを２５ｗｔ％、酸化防止剤を０．７ｗｔ％、防カビ剤を０．２ｗｔ％、顔料を０．２ｗｔ％、ポリオレフィン系樹脂２を４３．９ｗｔ％含有する。 - 特許庁

To provide a new aromatic polyamide fibrous paper excellent in heat resistance and electrical insulation in a high humidity, suitable particularly as a base of laminates for electric circuit, freed from the problems involved in conventional aromatic polyamide fibrous paper, among others improved in mechanical strength of the paper itself, handleability in forming laminates and the deformation resistance of such laminates.例文帳に追加

耐熱性及び高湿度下における電気絶縁性に優れ、特に電気回路用積層物の基材として好適で、従来の芳香族ポリアミド繊維紙における前記の問題点、とりわけ紙自体の強力の向上を図り、積層板を成形する際の紙の取扱い性や積層板の耐変形性が向上された新規な芳香族ポリアミド繊維紙を提供すること。 - 特許庁

In the image driving element sheet, a plurality of thin film transistors coupled via a gate bus line and a source bus line are formed on a support sheet, the thin film transistors have source electrodes and drain electrodes coupled by channels consisting of gate electrodes, gate insulation layers, semiconductor layers in this order and the pixel electrodes are joined with the drain electrodes via an anisotropic conductive film.例文帳に追加

支持体シート上に、ゲートバスライン及びソースバスラインを介して連結された複数の薄膜トランジスタが形成され、該薄膜トランジスタはゲート電極、ゲート絶縁層、半導体層からなるチャネルで連結されたソース電極及びドレイン電極をこの順に有し、画素電極が異方性導電膜を介してドレイン電極と接合されている画像駆動素子シート。 - 特許庁

The E' center density of the interlayer insulation film 10 is turned to 1.0×10^18 spins/cm^3 or less.例文帳に追加

基板１上に絶縁膜を形成する工程と、ポリシリコン膜４を形成する工程と、ゲート絶縁膜７を形成する工程と、ゲート電極８を形成する工程と、層間絶縁膜１０を形成する工程と、ポリシリコン膜４と接続するソース・ドレイン配線１１を形成する工程と、保護膜１２を形成する工程とを備え、層間絶縁膜１０のＥ'センター密度を１．０×１０^１８ｓｐｉｎｓ／ｃｍ^３以下とする。 - 特許庁

The metallic powder having the insulation film formed thereon is produced by coating the metallic powder with a dispersion sol in which a Mg-Al-based layered double hydroxide that is reversibly peelable in water is dispersed in water, and then drying and burning it to form a baked film of the Mg-Al-based layered double hydroxide on the surface of the metallic powder.例文帳に追加

金属粉末を、水中において可逆的に剥離するＭｇ−Ａｌ系層状複水酸化物を水に分散させた分散ゾルで被覆した後、乾燥および焼成を行い、該金属粉末の表面にＭｇ−Ａｌ系層状複水酸化物の焼成皮膜を形成させたことを特徴とする絶縁皮膜形成金属粉末およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

A semiconductor laser device 100 is provided with a first semiconductor laser structure 10 arranged on a substrate 30, a second semiconductor laser structure 20 which is arranged on the first semiconductor laser structure 10 and has a wavelength different from that of the first semiconductor laser structure 10, and an insulation film 50 covering the side surface 20a of the second semiconductor laser structure 20.例文帳に追加

基板３０上に配置された第１半導体レーザ構造１０と、第１半導体レーザ構造１０上に配置され、第１半導体レーザ構造１０の発振波長と異なる発振波長を有する第２半導体レーザ構造２０と、第２半導体レーザ構造２０の側面２０ａを被覆する絶縁膜５０とを備えた半導体レーザ装置１００である。 - 特許庁

A adhesive film for circuit connection 10 has: a conductive adhesive layer 3b containing an adhesive composition 4b and conductive particles 5; and an insulation adhesive layer 3a containing an adhesive composition 4a and not containing the conductive particles.例文帳に追加

本発明は、接着剤組成物４ｂ及び導電粒子５を含有する導電性接着剤層３ｂと、接着剤組成物４ａを含有し、導電粒子を含有しない絶縁性接着剤層３ａと、を備え、絶縁性接着剤層３ａの厚みＴｉと、導電性接着剤層３ｂの厚みＴｃとが、下記式（１）の関係を満たす回路接続用接着フィルム１０に関する。 - 特許庁

A νMOS transistor circuit has a plurality of signal input electrodes 5 making capacitive coupling, through an insulation film, with a floating gate electrode 3, i.e., the gate electrode of a CMOS circuit formed on an Si substrate 1, wherein the plurality of signal input electrodes 5 are formed on the Si substrate.例文帳に追加

Ｓｉ基板１上に形成されたＣＭＯＳ回路のゲート電極をフローティングゲート電極３とし、フローティングゲート電極３と絶縁膜を介して容量結合する複数の信号入力用電極５を備えたνＭＯＳトランジスタ回路において、複数の信号入力用電極５を該Ｓｉ基板上に形成したことを特徴とするνＭＯＳトランジスタ回路を構成する。 - 特許庁

To provide a dielectric ceramic capable of decreasing loss and heat generation at the time of being used under the condition of high frequency and high voltage or large current, having stable insulation resistance in AC load or DC load, capable of using a base material such as nickel without troubles as an internal electrode material and for constituting a dielectric ceramic layer of a laminated ceramic capacitor.例文帳に追加

高周波かつ高電圧あるいは大電流下での使用時の損失および発熱を小さくでき、交流負荷あるいは直流負荷において安定した絶縁抵抗を示し、さらにはニッケルのような卑金属を内部電極材料として問題なく用いることができる、積層セラミックコンデンサの誘電体セラミック層を構成するための誘電体セラミックを提供する。 - 特許庁

The semiconductor device has an island-like non-single crystal silicon-made active layer and a silicon oxide film formed by CVD or PVD on the active layer as a gate insulation film, and contains nitrogen in the interface between the silicon oxide and the active layer at a concentration more than ten times as much as a mean concentration of nitrogen contained in the silicon oxide film.例文帳に追加

島状の非単結晶珪素よりなる活性層と、該活性層上にＣＶＤ法もしくはＰＶＤ法によって形成された酸化珪素膜をゲイト絶縁膜として有し、前記酸化珪素と活性層との界面には前記酸化珪素膜中に含有される平均的な窒素濃度の１０倍以上の濃度の窒素を含有していることを特徴とする半導体装置である。 - 特許庁

The ferroelectric substance element is provided with a common electrode 11, a ferroelectric substance functional film 10 formed on the common electrode 11 and an individual electrode 3 formed on the ferroelectric substance functional film 10 while the ferroelectric substance functional film 10 is constituted of a ferroelectric substance film 10a and an insulation reinforced film 10b including at least one kind of the constituting elements of the ferroelectric substance film 10a.例文帳に追加

共通電極１１と、共通電極１１上に形成された強誘電体機能膜１０と、強誘電体機能膜１０上に形成された個別電極３とを有し、強誘電体機能膜１０を、強誘電体膜１０ａおよび当該強誘電体膜１０ａの構成元素の少なくとも一種類の元素を含む絶縁強化膜１０ｂで構成する。 - 特許庁

To provide a technique for preventing concentration measuring failure of ions, which are the charged gas molecules or fine particles present in the air, or the insulation failure phenomenon of an insulating part brought about by the stagnation of the ions in a measuring instrument of the fixing of the ions to an electrode by an air ion concentration measuring and cleaning control part, in a system for measuring the concentration of the ions.例文帳に追加

空気中に存在する帯電した気体分子や微粒子であるイオンの濃度を測定する装置に於いて、このイオンが測定装置内に滞留し又電極に固着することにより惹起されるイオン濃度の測定不良や絶縁部分の絶縁不良現象を空気イオン濃度測定清浄制御部により防止すべくした技術を提供する。 - 特許庁

To provide an ESD current occurrence prevention method by which a steep ESD current does not flow in a base made of metal from an insulation sheet constituted of an insulating sheet and a magnetic shield plate or constituted of the insulating sheet, the magnetic shield plate, a sound absorption member and the like and a leakage magnetic flux is effectively attenuated at a low cost and to provide a magnetic disk apparatus.例文帳に追加

本発明は、絶縁シートと磁気シールド板から構成される、あるいは絶縁シート、磁気シールド板および吸音部材等から構成されるインシュレーションシートから、金属製のベースに急峻なＥＳＤ電流が流れ込まないようにし、かつ、低コストで効果的に漏洩磁束を減衰させる方法およびこの方法を具現化する磁気ディスク装置を提供する。 - 特許庁

A semiconductor package substrate comprises a base substrate including a circuit having a connection pad 103 in an insulation layer 101, a protection layer 106 formed on the base substrate and including polyimide with an open part for exposing the connection pad 103, and a post bump 115 including a seed layer 110 and an electrolytic plating layer 114 formed on the connection pad at the open part of the protection layer 106.例文帳に追加

絶縁層１０１に接続パッド１０３を含む回路が形成されたベース基板と、ベース基板上に形成され、接続パッド１０３を露出させるオープン部を有し、ポリイミドを含む保護層１０６と、保護層１０６のオープン部の接続パッド上に形成されたシード層１１０と電解メッキ層１１４からなるポストバンプ１１５とを含んでなる半導体パッケージ基板。 - 特許庁

A dielectric breakdown protective element constituted of an insulation gate type field effect transistor is replaced with an equivalent circuit using a bipolar transistor, and a current flowing from the drain of the dielectric breakdown protective element to a substrate is expressed by a first current source by an impact ionization current and a second current source by the current based on an electron / hole pair thermally generated in a depletion layer.例文帳に追加

絶縁ゲート型電界効果トランジスタにより構成される静電破壊保護素子を、バイポーラトランジスタを用いた等価回路に置き換え、静電破壊保護素子のドレインから基板に流れる電流を、インパクトイオン化電流による第１電流源と、空乏層において熱的に発生する電子・正孔対に基づく電流による第２電流源とによって表す。 - 特許庁

To provide a method of forming metal wiring in a semiconductor device capable of preventing a loss of the metal wiring by forming a capping film on the metal wiring to address an issue that, because a sputtering process is employed to make inter-metal wiring insulation in a process of forming an insulating film, ion bombardment accelerated by a high energy causes a loss of a part of the metal wiring.例文帳に追加

金属配線の間を絶縁させるために、絶縁膜形成工程の際にスパッタリング方法を用いるため、高いエネルギーで加速されたイオン衝撃によって金属配線が一部損失してしまうが、金属配線の上部にキャッピング膜を形成することにより、金属配線の損失を防止することが可能な半導体素子の金属配線形成方法を提供。 - 特許庁

The multi layer circuit board includes insulation boards each having layers and wiring patterns formed and stacked on each layer; and veer electrodes connecting in series the wiring patterns formed in each of the layers, in which one of the veer electrodes is formed as a veer group including a plurality of veer units which connect the wiring patters formed on one layer to the wiring patters on another layer.例文帳に追加

本発明の一実施形態の多層回路基板は各層に配線パターンが形成されて積層される絶縁基板と、上記各層に形成された配線パターンを直列連結するビア電極を含み、上記１つのビア電極は一層に形成された配線パターンと異なる層に形成された配線パターンを並列接続する複数の単位ビアで構成されたビア束で形成される。 - 特許庁

To provide ion conductor of which ion conductivity is high as it keeps large amount of electrolyte, whose electrolyte hardly leaks out, of which electrolyte solvent has no confinement, of which electrolyte supporter density can be raised, and which has high electron insulation property, high mechanical strength, high heat resistivity, processability and function as separator, and to provide an electrochemical device using it.例文帳に追加

電解液の保持量が多いことによりイオン伝導度が高く、電解液が漏洩しにくく、電解液の溶媒に制限がなく、電解液中の支持電解質の濃度を上げることができ、しかも電子絶縁性や強度や耐熱性が高い上に加工性もあり、セパレーターとしての機能も有するイオン伝導体、およびこれを用いた電気化学デバイスを提供する。 - 特許庁