「Insulating」に関連した英語例文の一覧と使い方(984ページ目) - Weblio英語例文検索

The gap 50 between the reinforcing frame 15 and the actuator 11 is formed so as to expand more on the back face side than the front face side, and the insulating resin 53 is filled in the gap 50 to seal the connecting part between the flexible flat cable 12 and the actuator 11.例文帳に追加

補強フレーム１５とアクチュエータ１１との間の隙間５０は前面側よりも背面側にて拡大するように形成され、その隙間５０には、絶縁性樹脂５３が充填され、フレキシブルフラットケーブル１２とアクチュエータ１１との接合部が封止される。 - 特許庁

Each of the through-holes 5 exhibits a tapered shape of gradually extending from one surface 8 of the insulating film 1 to the other surface 9, and bumps 4 for internal connection to be electrically connected to the electrodes 6 are formed on the through-holes 5.例文帳に追加

貫通孔５は、絶縁性フィルム１の一の面８側から他の面９側に向けて徐々に広がるテーパー形状を呈するとともに、その貫通孔５に、外部接続用電極６と電気的に接続される内部接続用バンプ４が形成されている。 - 特許庁

The heat insulating material 5 is prepared by foaming a resin composition containing a copolymer (A) consisting of an aromatic vinyl unit, an unsaturated dicarboxylic acid anhydride unit and an N-alkyl-substituted maleimide unit, and a copolymer (B) consisting of the aromatic vinyl unit and a vinyl cyanide unit.例文帳に追加

断熱材５は、芳香族ビニル単位、不飽和ジカルボン酸無水物単位、及びＮ−アルキル置換マレイミド単位からなる共重合体（Ａ）と、芳香族ビニル単位及びシアン化ビニル単位からなる共重合体（Ｂ）とを含有する樹脂組成物を発泡させてなる。 - 特許庁

Separately from the low temperature conductive portion 1, a normal temperature coating portion 2 is manufactured that has: a pipe-like structure 21 that has a larger inside diameter than outside diameter of the low temperature conductive portion 1; and a normal temperature side electric insulating layer 23 that is formed on an outer circumference of the pipe-like structure 21.例文帳に追加

また、低温導電部１とは別個に、低温導電部１の外径よりも大きな内径を有するパイプ状構造物２１と、パイプ状構造物２１の外周に形成される常温側電気絶縁層２３を有する常温被覆部２を作製する。 - 特許庁

Under operation of the electrochromic display, the first electrode can be dissolved in a composition for display and the second electrode can not be dissolved in the composition for display, the second electrode is covered with an insulating film over an upper end of its side surface part or the second electrode is larger than the first electrode and deposition overvoltage of the first electrode is lower than that of the second electrode.例文帳に追加

あるいは、少なくとも第二の電極の側面部の上端まで絶縁膜で覆われているか、または、第二の電極が第一の電極より大きく、第一の電極の析出過電圧が第二の電極の析出過電圧より小さい。 - 特許庁

The unit is made of an elastic polymer material covering at least a front end part of a terminal fitting 4 protruding from a rear end edge of a jutting part 14a of an insulating body 14 protruding from a rear end edge of a main metal fitting toward the inside of an opening at a front end side of a plug cap 12.例文帳に追加

プラグキャップ１２の前端側開口の内側に、主体金具２の後端縁から突出する絶縁体１４の突出部１４ａの後端縁から突出する端子金具４の少なくとも前端部とを覆う弾性高分子材料からなる。 - 特許庁

A metallic tape is attached to central portion of the outlet, plug, and the outlet are connected to the ground line wired from the outside on the outer side and the plug is attached with insulating wire and connecting terminal for mounting to ground plate, and then these are attached to the ground plate of a ground outlet of the prior art.例文帳に追加

コンセント．プラグの中央に金属製テープを取り付けコンセントは裏側で外部より配線してきたアース線と接続、プラグはアースに取り付ける為の絶縁電線、接続端子付きで従来品のアース付きコンセントのアースに取り付けて使用します。 - 特許庁

The inner plate 2 has a mounting hole 31 through which the mounting bolt 30 for mounting the apparatus 16, is penetrated, and in the heat insulating layer 4, the nut 40 and a L-shaped piece 41 comprising a seat portion 42 to which a projecting portion 43 and the nut 40 are welded, are disposed corresponding to the mounting hole 31.例文帳に追加

内側板（2）には、機器（16）を取り付けるための取付けボルト（30）を貫通させるための取付孔（31）が設けられ、断熱層（4）中には、取付孔（31）に対応して、ナット（40）と、凸部（43）及びナット（40）が溶接された座部（42）を備えたＬ字型片（41）が設けられている。 - 特許庁

In a pair of turbulence chambers 7 and 8 made of an insulating material and passing running water, a magnet body 13 is disposed such that the turbulence chamber 7 on one side becomes N pole, the turbulence chamber 8 on the other side becomes S pole, and electrode plates 11 and 11 are provided, respectively.例文帳に追加

絶縁性材料からなり、流水が流入出する一対の乱流室７、８には、一側乱流室７はＮ極に、他側乱流室８はＳ極になる磁石体１３が設けてあり、かつ電極板１１、１１が夫々設けてある。 - 特許庁

To provide semiconductor device or the like which is allocated within the front surface of an insulating film between low dielectric constant layers placed in contact with the lower surface of a copper diffusion preventing film having a film stress in the compressing direction, and is capable of preventing generation of leak current between wires.例文帳に追加

この発明は、圧縮方向の膜ストレスを有する銅拡散防止膜の下面と接触している低誘電率層間絶縁膜の表面内に配設されている、配線間のリーク電流の発生を防止することができる半導体装置等を提供する。 - 特許庁

The projecting portions of the polysilicon film on both the sides of the hollow are completely removed, in a state wherein the side-wall insulating films etc., are removed, and the upper end portion of the polysilicon film 9b that serves as a floating gate electrode is formed into a gentle projecting shape.例文帳に追加

最終的に、サイドウォール絶縁膜等が除去された状態では、窪みの両側の突出したポリシリコン膜の部分が完全に削り取られて、フローティングゲート電極となるポリシリコン膜９ｂの上端部分はなだらかな凸状に形成される。 - 特許庁

To provide a highly reliable semiconductor device in which breakdown strength of an element isolation area or a well isolation area is maintained and which can satisfy accuracy in embedding an insulating substance in a trench constituting such areas, and to provide a method for manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置の素子分離領域またはウエル分離領域の耐圧性の維持、またそれらを構成するトレンチ内への絶縁性物質の埋め込み精度を満足させる信頼性の高い半導体装置及びその半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

This network controller 1 provided with a transformer 110 for insulating a telephone line side and a modem side, is provided with a direct current bypass circuit 109 for bypassing the transformer 110 and causing a direct current loop current to flow between telephone lines to make the transformer to be small sized.例文帳に追加

電話回線側とモデム側を絶縁するトランス１１０を備えた網制御装置１において、前記トランス１１０をバイパスして前記電話回線間に直流ループ電流を流す直流バイパス回路１０９を設けて、トランスの小型化を図った。 - 特許庁

A photovoltaic element 20 is composed by successively laminating an insulating board 21, a transparent electrode 22, an n-type semiconductor layer 23, a first p-type semiconductor layer 24, a second p-type semiconductor layer 25 (second p-type semiconductor layer), and a back electrode layer 26.例文帳に追加

光起電力素子２０は、絶縁性基板２１と、透明電極２２と、ｎ型半導体層２３と、第１のｐ型半導体層２４と、第２のｐ型半導体層２５（第２ｐ型半導体層）と、背面電極層２６とが順に積層されて構成されている。 - 特許庁

To provide a liquid crystal display device and a manufacturing method thereof that cut off light leaks caused on the right and left sides of a data line and simplify a repair stage by forming dummy patterns on the right and left sides of the data line and using glass powder for an insulating film.例文帳に追加

データラインの左右にダミーパターンを形成し、絶縁膜としてガラス粉末を使用することにより、データラインの左右で発生する光漏れを遮断すると共にリペア工程を単純化する液晶表示装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a printed wiring board that allows a resin to be sufficiently filled into core holes from a prepreg even when a plurality of the core holes are formed in high density, and prevents air bubbles from remaining in each insulating coating film respectively formed in the core holes, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

複数のコア孔が高密度に形成されている場合でもプリプレグから樹脂をコア孔内に十分に充填することができ、コア内に形成される絶縁被膜に気泡が残存しないようにしたプリント配線基板及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which a single crystal Si thin film device can be formed easily on an insulating substrate without using an adhesive, and which contains a single crystal Si thin film wherein surface defect is eliminated and film thickness is small and uniform, and a method for manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

単結晶Ｓｉ薄膜デバイスを絶縁基板に接着剤を使用することなく容易に形成可能であって、表面欠陥を除去した、膜厚が薄くかつ均一な単結晶Ｓｉ薄膜を含む半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a power MOSFET which is capable of forming a body layer without performing a thermal diffusion treatment carried out at a high temperature for a long time, and preventing impurities contained in a gate electrode from diffusing into a semiconductor substrate through a gate insulating film.例文帳に追加

高温、長時間の熱拡散処理を行わずにボディ層を形成することができ、ゲート電極中に含まれる不純物がゲート絶縁膜を通して半導体基板中に拡散することを防止できるパワーＭＯＳＦＥＴの製造方法を提供する。 - 特許庁

For the slid oxide fuel battery of banded type made by arranging a plurality of solid oxide fuel battery cells at an outside face of porous insulating base body having a fuel flow channel inside, the porous insulating base body with a rugged surface is used, and the jointing face of the rugged surface with both electrode materials is made to naturally reflect a corresponding rugged structure, whereby substantial cell areas concerning power generation are augmented.例文帳に追加

内部に燃料流路を有する多孔質絶縁性基体の外面に固体酸化物形燃料電池セルの複数個を配置してなる横縞方式の固体酸化物形燃電池であって、該多孔質絶縁性基体の表面が凹凸に形成されたものを用いることで、該凹凸面と両電極材料との接合面にも凹凸面に対応する凹凸構造を自然に反映させ、発電に係わる実質セル面積を増大させてなることを特徴とする横縞方式の固体酸化物形燃料電池及びその作製方法。 - 特許庁

The insulating material and insulating film can be produced by using the above polyether resin.例文帳に追加

（式中、Ｒ^1〜Ｒ^11は、それぞれ独立に、水素原子、置換基を有してもよい炭素数１〜１０のアルキル基、もしくは置換基を有してもよい炭素数６〜１０のシクロアルキル基、置換基を有してもよい炭素数２〜１０のアルケニル基、置換基を有してもよい炭素数２〜１０のアルキニル基、もしくは置換基を有してもよい炭素数６〜１０の芳香族環、炭素数１〜１０のアルコキシ基、カルボニル基を持つ置換基、またはアルコール基を持つ置換基のいずれかを示す。また、式中Ｘは、単結合、炭素数１〜２０の炭化水素基、−Ｏ−、−ＣＯ−のいずれかを示す。） 〔２〕〔１〕に記載のポリエーテル樹脂を用いてなる絶縁材料ならびに絶縁膜。 - 特許庁

Charge transferring electrodes which constitute the horizontal charge transfer path are arrayed through an insulating film between electrodes, while the insulating films between electrodes are arrayed and formed so that the thickness thereof becomes thinner alternately between neighboring charge transfer electrodes.例文帳に追加

半導体基板上に２次元状に配置された複数の光電変換部と、前記光電変換部で生起された信号電荷を受け取り、垂直方向に転送する垂直電荷転送部と、前記垂直電荷転送部により転送された信号電荷を受け取り、水平方向に転送する水平電荷転送部とを備えた固体撮像素子であって、前記水平電荷転送路を構成する電荷転送電極は、電極間絶縁膜を介して配列されており、前記電極間絶縁膜が、隣接する電荷転送電極間で、交互に膜厚が薄くなるように配列形成される。 - 特許庁

The printed wiring board having interconnects 3 and 4 made of conductors includes an insulating layer 2, the interconnects formed on the insulating layer 2 and composed of the conductors, and solder resist layers 6 and 7 provided covering the interconnects 3 and 4.例文帳に追加

導電体よりなる配線３，４を有するプリント配線板であって、絶縁層２と、前記絶縁層２上に形成されており、かつ導電体よりなる配線と、前記配線３，４を覆うように設けられたソルダーレジスト層６，７とを備え、前記ソルダーレジスト層６，７の膜厚をＴμｍ、前記ソルダーレジスト層６、７を構成しているソルダーレジストの比誘電率がε、前記配線３，４の配線のプリント配線板面方向での配線間距離もしくは配線のプリント配線板面方向端部と、プリント配線板端部との間の距離のうち最も小さい距離をｄ（ｍｍ）としたときに、下記の式（１）を満たす、プリント配線板。 - 特許庁

The method of forming the columnar structure of single crystal on a semiconductor substrate includes steps of: forming an insulating film on the semiconductor substrate; forming a groove on the insulating film to expose at least a portion of the semiconductor substrate at the bottom of the groove; forming an embedding film including at least germanium in the groove; melting the embedding film by heat treatment; and crystallizing the embedding film having been melted by using the semiconductor substrate as a seed.例文帳に追加

半導体基板上に単結晶の柱状構造を形成する方法であって、前記半導体基板上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜に溝を形成し、前記溝の底部に少なくとも前記半導体基板の一部を露出させる工程と、前記溝内部に少なくともゲルマニウムを含む埋め込み膜を形成する工程と、熱処理により前記埋め込み膜を溶融させる工程と、溶融した前記埋め込み膜を、前記半導体基板をシードとして単結晶化する工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 特許庁

In the multilayer printed-wiring board, the first insulating layer has an opening section opened so as to expose part of the first conductive layer, the exposed section of the first conductive layer and a second wiring pattern forming the electronic part are connected electrically by the opening section and the electronic part is embedded by a second insulating layer formed to the other surface.例文帳に追加

絶縁層と配線層からなる多層プリント配線板において、第一の絶縁層の一方の面に第一の導電層を、他方の面に配線パターンを形成した第二の導電層を具備し、配線パターン上に電子部品が形成され、第一の絶縁層は第一の導電層の一部が露出するように開口した開口部を具備し、第一の導電層の露出部と電子部品の形成された第二の配線パターンとが開口部で電気的に接続され、他方の面に形成された第二の絶縁層によって電子部品が埋設されていることを特徴とするプリント配線版。 - 特許庁

In this semiconductor device, the upper surface of a semiconductor element 2 and an insulating base body 1 surrounding it is coated with a resin coating material 3, and the surface of the semiconductor element 2 mounted on a mounting part 1a and the insulating base body 1 surrounding it is also coated with the resin coating material 3.例文帳に追加

半導体素子２が搭載されるとともに半導体素子２の各電極を外部電気回路に電気的に接続するための複数の配線導体４を有する絶縁基体１と、絶縁基体１に搭載され、各電極が配線導体４に電気的に接続された半導体素子２と、半導体素子２およびその周辺の絶縁基体１表面を被覆する樹脂製被覆材３とから成る半導体装置であって、樹脂製被覆材３は、ヤング率が100 〜800 ｋｇｆ／ｍｍ^2 であり、かつ絶縁基体１に対する密着強度が0.5 ｋｇｆ／ｍｍ^2 以上である。 - 特許庁

The line edge side and the reduction side ( or step-up side ) of the insulating cable are engaged and the reduction side (or step-up side ) of the insulating cable is stretched and fixed.例文帳に追加

棒状絶縁物の片端に掛止用突出体と巻着用突出体を併設し、もう一方の端にバインドレス碍子取付金具用貫通孔を穿設した高圧引下用バインドレス碍子を、バインドレス碍子取付金具により吊着し、高圧引下用絶縁電線の縁線側を、巻着用突出体に巻着し、次に高圧引下用絶縁電線の引下側（又は引上側）を、巻着用突出体又は掛止用突出体に巻着又は掛止し、高圧引下用絶縁電線の縁線側と引下側（又は引上側）が咬合し、高圧引下用絶縁電線の引下側（又は引上側）を張設し固着する。 - 特許庁

The catalyst 3a contains at least a first catalyst carrier having electric insulating properties, a first catalyst component containing a first rare earth element, a second catalyst carrier having electric insulating properties, and a second catalyst component containing a second rare earth element.例文帳に追加

本発明に係るガス検出方法は、可燃性ガスを含む検査対象ガスと、希土類元素を含有する触媒３ａとを接触させることにより可燃性ガスの酸化反応を生じさせ、当該酸化反応によって希土類元素から発生する発光スペクトルを計測する工程を備え、触媒３ａは、電気絶縁性を有する第１の触媒担体及び第１の希土類元素を含む第１の触媒成分と、電気絶縁性を有する第２の触媒担体及び第２の希土類元素を含む第２の触媒成分とを少なくとも含有することを特徴とする。 - 特許庁

The light emitting device is so structured that the hole injection electrode is equipped with an electrode layer formed of an oxide conductive material containing silicon or silicon oxide; and the insulating or semi-insulating barrier layer containing at least one kind selected from oxygen, nitrogen and carbon, and silicon is formed between the electrode layer and the hole injection area or the hole transportation area in the EL layer.例文帳に追加

本発明は、正孔注入電極とＥＬ層における正孔注入領域又は正孔輸送領域との間に、トンネル電流を流すことができる程度の厚さで、絶縁性又は半絶縁性のバリア層を備え、正孔注入電極において珪素又は酸化珪素を含む酸化物導電性材料からなる電極層を設け、該電極層とＥＬ層における正孔注入領域又は正孔輸送領域との間に、酸素、窒素及び炭素から選ばれた少なくとも一種と珪素とを含む絶縁性又は半絶縁性のバリア層を設けたことを特徴とするものである。 - 特許庁

In a transistor for driving pixels of an image indicating section 4 formed on the same glass substrate 2, an active layer 28 is formed on the control gate 22 formed on the glass substrate 2 through the gate insulating film 24, and the active layer 34 is formed on the active layer 28.例文帳に追加

また、同一のガラス基板２上に形成される画像表示部４の画素駆動用トランジスタでは、ガラス基板２上の制御ゲート２２上にゲート絶縁膜２４を介して活性層２８が形成され、さらに活性層２８上に活性層３４が形成されている。 - 特許庁

To obtain a substrate for an electronic part having a high adhesive strength to a metal layer and high insulating properties without losing essential characteristics of the substrate, to provide a method for producing the substrate for the electronic part and to obtain a polyimide resin precursor solution used for producing the substrate for the electronic part.例文帳に追加

金属層との密着強度が非常に高くかつ、基材が本来の特性を失うことなく、絶縁性が高い電子部品溶基材、電子部品溶基材の製造方法、電子部品溶基材の製造に用いるポリイミド樹脂前駆体溶液を提供することにある。 - 特許庁

A plating liquid is gushed through a network-like electrode 5 from a plating jet port 6 to the sheet 7 held by the insulating belts 3 for masking and the partial gold plating is applied to the sheet by executing electricity supply at the time of electroplating by a rolled electrode 4 and the network-like electrode 5.例文帳に追加

マスク用絶縁ベルト３に挟み込まれた薄板７に対してはめっき噴流口６から網目状電極５を通してめっき液が噴出され、ロール電極４及び網目状電極５による電気めっきの際の電気供給を行うことで、部分金めっきが施される。 - 特許庁

The surface on the side opposite to electrodes 2 to 4 with respect to a substrate 1 is provided with a shield 8 consisting of a conductive material assuring the pliability and an electric circuit part 7 is covered by an insulating member 9 formed with a shield 10 consisting of the similar conductive material on the surface thereof.例文帳に追加

柔軟性を確保した電電材料からなるシールド８を、基板１に対して電極２〜４とは反対側の面上に設けるとともに、同様の導電材料からなるシールド１０が表面に形成された絶縁部材９により、電気回路部７を覆う。 - 特許庁

In an electromechanical conversion device 10, a plurality of electromechanical conversion elements 2, which include a first electrode 3 and a second electrode 6 that are provided so as to face each other via an insulator 7, are formed on an insulating layer 5 formed on one surface of a semiconductor substrate 1.例文帳に追加

電気機械変換装置１０では、絶縁部７を介して対向する位置に設けられた第１電極３と第２電極６とを含む電気機械変換エレメント２が半導体基板１の一方の面に形成された絶縁層５上に複数形成されている。 - 特許庁

To reduce occurrence of mounting defect of an insulating ring to a negative electrode terminal board and an appearance defect caused by it, and to suppress the spray-shaped jet of an alkali electrolyte, even if the gas pressure in an alkaline dry cell increases, in a manufacturing process of the alkaline dry cell.例文帳に追加

アルカリ乾電池の製造工程において、絶縁リングの負極端子板への装着不良およびそれに起因する電池の外観不良の発生を低減化するとともに、アルカリ乾電池内部のガス圧が上昇した場合でも、アルカリ電解液のスプレー状の噴出を抑制する。 - 特許庁

Gate electrodes 15, 25 and side walls 16, 26 are formed on a silicon substrate 1, dummy gate patterns 6, 7 are formed so as to cover the upper surfaces of gate electrodes 15, 25 and one part the upper surfaces of the side walls 16, 26, and a stress control insulating film 8 for covering the surface thereof is formed.例文帳に追加

シリコン基板１上にゲート電極１５、２５とサイドウォール１６、２６とを形成し、ゲート電極１５、２５の上面およびサイドウォール１６、２６の上面の一部を被覆するようにダミーゲートパターン６、７を形成し、その表面を被覆する応力制御絶縁膜８を形成する。 - 特許庁

In the board with built-in element 100, a crystal oscillating element 31 formed of a crystal oscillating body 31a, and a pair of electrodes 31b is stored in a recessed part where at least a surface is arranged on one face 6a of an insulating board 6.例文帳に追加

水晶振動体３１ａおよび一対の電極３１ｂからなる水晶振動素子３１が、少なくとも表面が絶縁性の基板６の一面６ａ上に設けられた凹部の内部に収納されてなることを特徴とする素子内蔵基板１００を採用する。 - 特許庁

The p-channel type field effect transistor comprises: a gate electrode GE2 arranged with a gate insulating film 3 interposed therebetween; and a source-drain region arranged inside a trench g2 provided in the silicon substrate 1 at both sides of the gate electrode GE2, and formed of SiGe having a larger lattice constant than that of Si.例文帳に追加

このｐチャネル型電界効果トランジスタは、ゲート絶縁膜３を介して配置されたゲート電極ＧＥ２と、ゲート電極の両側のシリコン基板１中に設けられた溝ｇ２の内部に配置され、Ｓｉより格子定数が大きいＳｉＧｅよりなるソース・ドレイン領域と、を有する。 - 特許庁

The first electrode 52 is formed on the surface of the planarization layer 48 and is connected to a drain electrode of the current source transistor TS via the conduction hole Hb1 which is formed in a side in the planarization layer 48 and the second insulating layer 46, wherein the side is opposite to the light emitting element E side across the current source transistor TS.例文帳に追加

第１電極５２は、平坦化層４８の面上に形成され、平坦化層４８および第２絶縁層４６のうち電流源トランジスタＴSを挟んで発光素子Ｅとは反対側に形成された導通孔Ｈb1を介して電流源トランジスタＴSのドレイン電極に接続される。 - 特許庁

Further by making the exhaust gas channel 50 at a downstream side where the exhaust gas of the comparatively low temperature flows, and the heat conductive pipe 61 at the upstream side where the water of the comparatively low temperature flows, function as heat insulating layers, the escape of the heat from the casing 31 can be effectively prevented.例文帳に追加

しかも、比較的に低温の排気ガスが流れる下流側の排気ガス通路５０と、比較的に低温の水が流れる上流側の伝熱管６１とを断熱層として機能させることで、ケーシング３１からの熱逃げを効果的に抑制することができる。 - 特許庁

An N- layer 32 having an N-type impurity diffused to a low concentration is provided right below the insulating layer 14, and a second P+ region 34 formed by implanting ions etc., and a second N+ region 36 are formed in the N- layer 32 to obtain a second photodiode 30.例文帳に追加

絶縁層１４の直下にＮ型不純物を低濃度に拡散させたＮ−層３２が設けられ、Ｎ−層３２中にイオン等を注入して形成された第２のＰ＋領域３４および第２のＮ＋領域３６が形成され、第２のフォトダイオード３０とされている。 - 特許庁

To provide a surface treating method of a substrate having irregularities on the surface (e.g. a semiconductor substrate having protruding insulating parts and recessed electrode parts formed on the surface being used in the formation of a metal film pattern) in which only the protrusions can be reformed selectively in the fabrication of a semiconductor device.例文帳に追加

半導体デバイス製造において、表面に凹凸形状を有する基板（たとえば、金属膜パターンの形成に用いられる、凸部絶縁部と凹部電極部が表面に形成された半導体基板等）の、凸部のみを選択的に改質しうる基板の表面処理方法を提供すること。 - 特許庁

The nonvolatile semiconductor storage device includes a first lamination portion 110 wherein a drain side selective transistor SDT and a source side selective transistor SST are formed on a semiconductor substrate 10, and a second lamination portion 120 wherein interlayer insulating layers 122 and first conductive layers 121 are alternately laminated.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置は、ドレイン側選択トランジスタＳＤＴ及びソース側選択トランジスタＳＳＴが半導体基板１０上に形成された第１積層部１１０と、層間絶縁層１２２及び第１導電層１２１が交互に積層された第２積層部１２０とを備える。 - 特許庁

Since the non-magnetic multi-electrode poles and multi-magnetic poles are supported by the insulating body, and the magnetic poles 4 are made positioned outside the electrode poles 2, manufacturing cost is suppressed, and the multipolar electric field, the multipolar magnetic field, and the multipolar electromagnetic field can be independently generated.例文帳に追加

非磁性体の多電極子と多磁極子を絶縁体で支持し、前記磁極子４が電極子２の外側に位置するようにしたので、製造コストを抑え、高加工精度及び高位置精度を確保した多極子電場、多極子磁場、多極子電磁場をそれぞれ独立に発生させることができる。 - 特許庁

This substrate 10 with a built-in capacitor comprises: a base material 11 having a required thickness; and a pair of conductors (penetrating electrodes) 12, 13 formed so as to penetrate the base material at required patterns in the direction of the thickness of the base material 11 and oppositely arranged through an insulating layer 14.例文帳に追加

キャパシタ内蔵基板１０は、所要の厚さを有した基材１１と、基材１１の厚さ方向にそれぞれ所要のパターン形状で貫通形成され、かつ絶縁層１４を介在させて対向配置された１対の導体（貫通電極）１２，１３とを備える。 - 特許庁

To provide a method for firmly joining a liquid crystal polyester film which has excellent characteristics including heat resistance, mechanical properties, electrical properties, and gas-barrier properties and is suitable for insulating members for electric and electronic components and low profile metal foil to each other.例文帳に追加

本発明の目的は、耐熱性、機械的特性、電気的特性、ガスバリアー性などの優れた特性を備え、電子及び電気部品の絶縁部材として好適な液晶性ポリエスルフィルムと表面粗度が小さいロープロファイル金属箔とを高い密着力で接合する方法を提供することにある。 - 特許庁