「Insulating」に関連した英語例文の一覧と使い方(982ページ目) - Weblio英語例文検索

When the conductive liquid 4 and insulating liquid 5 vary in refractive index and the shape of their interface varies as their characteristics vary and so on, the light incident on the photodetecting element 10 varies in intensity and distribution and then characteristic variation of a lens system can be known.例文帳に追加

導電性液体４、絶縁性液体５の特性の変化等により、これらの屈折率が変化したり、その界面の形状が変化したりすると、受光素子１０に入射する光の強度、分布が変化し、レンズ系の特性変化を知ることができる。 - 特許庁

The high-resistance layer 104 at the bottom of the via is eliminated by a thermal reduction method using reducing gas before film-forming the barrier metal on the low-permittivity insulating film 102 having a groove and a via, and the barrier metal 105 and copper as a plated seed layer are formed while retaining vacuum.例文帳に追加

溝とビアを有する低誘電率絶縁膜１０２上にバリアメタルを成膜する前に、ビア底の高抵抗層１０４を、還元性のガスを用いた熱還元法にて除去し、真空保持のまま、バリアメタル１０５、めっきのシード層としての銅を形成する。 - 特許庁

To be concrete, the lower layer crossover magnetic anisotropic film 2 and the upper layer crossover magnetic anisotropic film 3 are arranged through an insulating film 4 in a designated area such as a square area 6 or an elongated area like an X-shape in diagonal lines.例文帳に追加

具体的な構造は、非磁性体上に下層側交差型磁気異方性膜２、上層側交差型磁気異方性膜３が、絶縁膜４を介し、所定領域を正方領域６又長方領域として、対角線上にＸ字状で配置されている。 - 特許庁

The sealing layer is composed of one or more layers of thin films, and an end of the thin film (an organic buffer film 22 or a gas barrier layer 24) having the largest maximum thickness within the thin films constituting the sealing layer is positioned between the insulating film 18 and the circumferential wall 20.例文帳に追加

封止層は、１層または複数層の薄膜で構成され、絶縁膜１８と周辺壁２０との間には、封止層を構成する薄膜のうち最大の膜厚が最も厚い薄膜（有機緩衝膜２２またはガスバリア層２４）の端が位置する。 - 特許庁

An insulating material 5, having low-dielectric constant characteristic, is filled into openings 10, 11 which are formed in substrates 3, 4 having a high-dielectric constant characteristic, and a base substrate part 2 having a high-dielectric constant characteristic part and a low-dielectric constant characteristic part 12 is constituted.例文帳に追加

高誘電率特性を有する基板３，４に形成した開口部１０，１１内に低誘電率特性を有する絶縁材５を充填することにより高誘電率特性部位と低誘電率特性部位１２とを有するベース基板部２を構成する。 - 特許庁

The bump structure 70 contains an insulating protrusion 10, a first conductive layer 30 which covers the protrusion 10, and a second conductive layer 32 which is collectively arranged with the first conductive layer 30 and arranged from the first conductive layer 30 onto an electrode connection part 42.例文帳に追加

バンプ構造体７０は、絶縁性の凸状部１０と、凸状部１０を覆う第１導電層３０と、第１導電層３０と一体化して設けられ、第１導電層３０から電極接続部４２上まで設けられた第２導電層３２と、を含む。 - 特許庁

Plugs 18 and 19 penetrate the ground wiring layer 16 vertically in the memory cell region 100 and the ground wiring layer 16 and the plugs 18 and 19 are insulated, respectively, by insulating films 18a and 19a.例文帳に追加

また、メモリセル領域１００内においてプラグ１８および１９がグラウンド配線層１６を上下に貫通しているが、絶縁膜１８ａおよび絶縁膜１９ａによってグラウンド配線層１６とプラグ１８および１９のそれぞれとが絶縁されている。 - 特許庁

The capacitors comprise opposed electrodes 3, 6 made by using the first and the second interconnection layers of in the multilyer interconnection structure, while a dielectric film comprises a silicon oxide film 5 (an interlayer insulating film) between the first and the second interconnection layers.例文帳に追加

キャパシタは、多層配線構造での第１層目の配線層と第２層目の配線層により対向電極３，６を構成するとともに、第１層目の配線層と第２層目の配線層との間のシリコン酸化膜（層間絶縁膜）５を誘電膜としている。 - 特許庁

The method further comprises the steps of anisotropically etching a silicon substrate 1 from this state to form a cavity 2, thereby forming an original shape of the membrane structure 9 having an insulating film 3 made of a silicon oxide, an interlayer dielectric 5 and the protective film 8 made of a silicon nitride as structural elements.例文帳に追加

この状態からシリコン基板１の異方性エッチングを行って空洞２を形成することにより、酸化ケイ素より成る絶縁膜３、層間絶縁膜５及び窒化ケイ素より成る保護膜８を構成要素としたメンブレン構造体９の原形を形成する。 - 特許庁

Since the distance of insulation between the Si substrate 3 and the extension line 10 is lengthened by extending the insulating film 12 to both sidewall parts of the airtight space 13, it is possible to prevent the occurrence of current leakage.例文帳に追加

これに対し本実施形態では、上述の通り、気密空間１３の両側壁部まで絶縁膜１２を延伸させることによりＳｉ基板３と引出線１０との間の絶縁距離を長くしているので、電流リークが発生することを抑制できる。 - 特許庁

This film forming method comprises a process in which a compound with a siloxane bond and an Si-R bond (R is alkyl group) and a reactive gas containing an oxidizing gas and H2 are turned to plasma and made to react on each other, and a silicon-containing insulating film 204 is formed on a substrate 103.例文帳に追加

シロキサン結合とＳｉ−Ｒ結合（Ｒはアルキル基）とを有する化合物と、酸化性ガスと、Ｈ_2 とを含む反応ガスをプラズマ化して反応させ、被堆積基板１０３上にシリコン含有絶縁膜２０４を成膜する成膜方法による。 - 特許庁

Since silicide reaction advances in the intermediate electrode part 7 and the lower electrode part 5 through opening parts 6a and 8a at the time of siliciding the upper electrode part 9 formed of the polycrystalline silicon film, advance of silicide reaction can be stopped before it reaches the gate insulating film 4.例文帳に追加

多結晶シリコン膜からなる上部電極部９がシリサイド化される際、開口部６ａ、８ａを介して中間電極部７および下部電極部５にシリサイド反応が進行するので、ゲート絶縁膜４に達する前にシリサイド反応の進行を停止できる。 - 特許庁

Further, the bar material rolling-running mechanism 33 is constituted of an insulating material-made guide hearth plate 34 and a conveyor 35 with pusher pin and also, the bar materials 14 are slipped into the coil 32 for rectangular annular induction-heating so as to progress the rolling-running in succession.例文帳に追加

また、棒材転動走行機構３３を絶縁材製案内床板３４とプッシャーピン付コンベア３５で構成するとともに、長方形環状の誘導加熱用コイル３２に棒材１４を輪潜りさせて、転動走行を次々に進められるようにもする。 - 特許庁

The heat insulating device for a vehicle includes a motorcycle 10 equipped with a secondary battery 34 and a fuel cell 31 for charging the secondary battery 34, and a car body cover B which keeps the motorcycle 10 warm by heating with supplied power from the secondary battery 34.例文帳に追加

二次電池３４と、二次電池３４を充電する燃料電池３１とを備えた自動二輪車１０と、二次電池３４からの電力供給により発熱して自動二輪車１０を保温する車体カバーＢとで車両の保温装置を構成した。 - 特許庁

The optical device manufacturing apparatus for heating the mold 1 in which an optical device material 5 is arranged by the heating blocks 6, 7 and press molding of the mold 1 is performed, is provided with heat insulating parts (6a, 6b, 7a, 7b) in the heating blocks 6, 7.例文帳に追加

光学素子材料５が配置された成形型１を加熱ブロック６，７により加熱し、成形型１をプレス成形することにより光学素子を製造する光学素子の製造装置において、加熱ブロック６，７内に断熱部（６ａ，６ｂ，７ａ，７ｂ）を設けた構成とする。 - 特許庁

The semiconductor device is formed by forming an I/O buffer circuit pattern 2 on a semiconductor substrate 4, forming a through hole 10 for connecting the I/O buffer circuit pattern and the pad to an interlayer insulating film, and forming a first layer pad 8 of a double structure of an n-th metal wiring layer.例文帳に追加

半導体基板４上にＩ／Ｏバッファ回路パターン２を形成し、層間絶縁膜にＩ／Ｏバッファ回路パターンとパッドを接続するためのスルーホール１０を形成し、第ｎ番目の金属配線層にて２重構造の１重目のパッド８を形成する。 - 特許庁

Using the contact needle 23b, the semiconductor wafer is moved so that the probe needle 23a follows and comes into contact with a part of the surfaces of the electrode pads 29a and 29b from which a part of the insulating layer is removed, and the electrical characteristics of semiconductor chips are sequentially measured.例文帳に追加

接触針２３ｂを用いて、電極パッド２９ａ，２９ｂの表面の絶縁膜の一部が除去された部分に、後続してプローブ針２３ａが接触するように半導体ウェハを移動させて、順次半導体チップの電気特性の測定を行う。 - 特許庁

A p-type and an n-type thermoelectric conversion element 2 (2P, 2N) are respectively fitted to separate through-holes formed in an insulating intermediate supporting board 3 and fixed to the board 3 with respectively protruding on both sides of the board 3.例文帳に追加

Ｐ型とＮ型の各熱電変換素子２（２Ｐ，２Ｎ）を、それぞれ、絶縁性の中間支持基板３に形成された別々の貫通孔に嵌合し中間支持基板３の表裏両面側にそれぞれ突出した形態でもって中間支持基板３に固定する。 - 特許庁

Trenches 16a and 16b are formed on the entire surface of a wafer between an n^+ emitter region 6a and a p^+ collector region 12a, and the inside thereof is filled with a trench embedding insulating film 17, thereby bending a drift region for carrying breakdown voltage to increase an effective drift length.例文帳に追加

ｎ^+エミッタ領域６ａとｐ^+コレクタ領域１２ａとの間のウェハ全面にトレンチ１６ａ，１６ｂを形成し、その中をトレンチ埋め込み絶縁膜１７で埋めることによって、耐圧を担持するドリフト領域を折り曲げて、実効的なドリフト長を長くする。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a rubber holder in which burr is prevented from occurring in the rubber holder in the manufacturing method of a rubber holder which covers the connecting portion of the electrode sealed in the glass bulb of a discharge tube and the core wire peeled off from the insulating coating at the tip of the lead wire.例文帳に追加

放電管のガラスバルブに封止された電極と、リード線の先端で絶縁被覆から剥き出された芯線とを接続した部分をカバーするゴムホルダーの製造方法において、ゴムホルダーにバリが生じないようにしたゴムホルダーの製造方法を提供する。 - 特許庁

When the semiconductor single crystal 3 is pulled, the crucible 12 is driven upward by a crucible lifting mechanism 40 and the heat insulating plate 20 driven downward in contrast to the raising of the crucible 12 is arranged at the lower part of the crucible 12 in the growing furnace main body 1.例文帳に追加

そして、半導体単結晶３の引上げ時においてルツボ１２がルツボ昇降機構４０により上昇駆動され、育成炉本体１内においてルツボ１２の下方に、ルツボ１２の上昇と反対に下降駆動される断熱板２０が配置される。 - 特許庁

The integrated circuit is sucked to the head of a flip-chip bonding apparatus, and heat, load and ultrasonic vibrations are impressed thereon, thereby, the electrically insulating resin located on the predetermined electrode is removed, and conductive bumps bond or contact with the metal wiring pattern and conduction is obtained.例文帳に追加

集積回路がフリップチップボンデイング装置のヘッドに吸着され熱及び荷重及び超音波振動を印加することにより所定の電極上にある電気絶縁樹脂を排除し、導電バンプが金属配線パターンと接合または接触して導通を得る。 - 特許庁

A first resistor 11 and a second resistor 12 are juxtaposed to each other on the surface of a first insulating substrate 31 in an insulated state, and comb-shaped first and second contact patterns 14, 15 are alternately disposed between the first resistor 11 and the second resistor 12.例文帳に追加

第１絶縁性基板３１の基板面に第１抵抗体１１、第２抵抗体１２を絶縁した状態で併設し、第１抵抗体１１と第２抵抗体１２との間に櫛歯状をなす第１及び第２接触パターン１４，１５を交互に配置する。 - 特許庁

To provide an exhaust gas treatment device capable of reducing exhaust gas resistance and improving thermal insulating properties without causing drop of strength, cost increase and enlargement of a device, and without reducing muffling volume capable of being used for reduction of exhaust noise.例文帳に追加

強度低下、コストＵＰ、及び装置の大型化を招くことなく、また、排気騒音の低減に活用できる消音容積を縮小させることもなく、排気抵抗を低減するとともに、断熱性を増加することができる排ガス処理装置を提供する。 - 特許庁

In the semiconductor module 100, a circuit element such as a power semiconductor 2 or a driving IC 3 is connected to a circuit pattern of a lead frame 1 by bonding wires 4, 5 and is covered with a molding resin 6, and a ceramics insulating layer 7 is formed in a reverse surface of the molding resin 6.例文帳に追加

パワー半導体２または駆動ＩＣ３等の回路素子をボンディングワイヤ４，５によりリードフレーム１の回路パターンに接続して成形樹脂６で覆い、この成形樹脂６の反対面に、セラミックス絶縁層７を形成した半導体モジュール１００とした。 - 特許庁

Then a recessed part 20 is formed in a second interlayer insulating film 19 deposited on the film 11, in such a way that the upper surface of the plug 18 is exposed, a conductive film 21, which is formed as a capacitor lower electrode, is deposited on the wall surface and bottom of the recessed part 20.例文帳に追加

第１の層間絶縁膜１１上に堆積された第２の層間絶縁膜１９に凹部２０をプラグ１８の上面が露出するように形成した後、凹部２０の壁面及び底部に容量下部電極となる導電性膜２１を堆積する。 - 特許庁

The seal ring 104 includes seal vias 123a and 123b neighboring each other, for example, in the interlayer insulating film 107, and having a line shaped structure, and the both seal vias 123a and 123b are connected to a same seal wiring 122 constituting the seal ring 104.例文帳に追加

シールリング１０４は、例えば層間絶縁膜１０７において互いに隣り合うライン状構造のシールビア１２３ａ及び１２３ｂを含み、シールビア１２３ａ及び１２３ｂのそれぞれはシールリング１０４を構成している同一のシール配線１２２に接続されている。 - 特許庁

The nonaqueous electrolyte battery can prevent short circuit between the negative electrode 2 and the positive electrode 1 since the positive electrode 1 has the insulating film 10 even though the projection piece 20 is bent so as to come in contact with the positive electrode 1 upon connecting the negative electrodes 2 mutually by connecting the projection pieces 20 mutually.例文帳に追加

この非水電解質電池は、突片20同士を接続して負極2同士を接続する際など、突片20を正極1と接触するように折り曲げたとしても、絶縁膜10を備えることで、負極2と正極1とが短絡することを防止できる。 - 特許庁

To cope with an increase in the number of insulating elements in a device transmitting a fail signal FL indicating the abnormality of a high-voltage system and a temperature-information signal TIS representing the temperature information of a switching element SW in the high-voltage system to a low-voltage system.例文帳に追加

高圧システムに異常がある旨を示すフェール信号ＦＬと、高圧システム内のスイッチング素子ＳＷの温度情報を表現する温度情報信号ＴＩＳとを低圧システムに伝達させるものにあって、絶縁素子の数が増大すること。 - 特許庁

A metallic wire 2 meltable at a specific temperature lower than a melting point of a core material is laterally wound around a non-elastic core material 1, and further the metallic wire 2 is coated with a cylindrical member composed of a contractible linear organic insulating member 5 thermally contracted at a temperature near a melting point of the metallic wire 2.例文帳に追加

非弾性芯材（１）の周りに、芯材の溶融温度より低い、所定の温度で溶融する金属線（２）を横巻し、さらに、金属線（２）の溶融温度付近で熱収縮する収縮性線状有機絶縁体（５）からなる筒状体を被覆する。 - 特許庁

To reduce the height of a high voltage transformer while preventing the generation of corona discharge between a primary side wire winding and a secondary side wire winding which are wound around a primary winding core and a secondary winding core, respectively, which are laminated and arranged on an insulating spool interposing a barrier.例文帳に追加

絶縁性の巻枠において隔壁部を挟んで積層配置された第１巻軸部と第２巻軸部とにそれぞれ巻回される１次側巻線と２次側巻線との間でのコロナ放電の発生を防止しつつ、高圧トランスの低背化を図る。 - 特許庁

A refrigerator 1A cools a storeroom 11 that is composed in a heat-insulating box body 6 and has a door 14 being freely opened and closed and a low temperature-zone room 10 where a front is opened, and forms an air curtain at both the opening parts of the low temperature-zone room 10 and the storeroom 11.例文帳に追加

冷蔵庫１Ａは、断熱箱体６内に構成され開閉自在の扉１４を有する貯蔵室１１及び前面が開放された低温度帯室１０を冷却して、低温度帯室１０と貯蔵室１１の両開口部にエアーカーテンを形成する。 - 特許庁

Respective evaluating patterns MP1-MP6 are arranged respectively on wiring layers L1-L6 being the same as metallic circuits arranged in an insulating film 2 with a stepped form so that the evaluating pattern, formed at a deeper position from the upper surface of the IC 10, is formed so as to be longer in the direction of plane.例文帳に追加

各評価用パターンＭＰ１〜ＭＰ６は絶縁膜２中に配設されたメタル配線と同じ配線層Ｌ１〜Ｌ６にそれぞれ配設され、階段状に、ＩＣ１０上表面から深い評価用パターンほど平面方向に長く形成されている。 - 特許庁

To provide a permanent pattern forming method which can form a permanent pattern (insulating film, a protective coat of solder resist pattern or the like) in a printed-circuit board field, including a package substrate in high accuracy and efficiency by suppressing the strain of an image focused on a light-sensitivity layer.例文帳に追加

感光層上に結像させる像の歪みを抑制することにより、パッケージ基板を含むプリント配線基板分野における永久パターン（絶縁膜、ソルダーレジストパターンなどの保護膜）を高精細に、かつ、効率よく形成可能な永久パターン形成方法の提供。 - 特許庁

When rice is cooked with a steamer for a rice cooker in which a lid 2 to protect eggs is attached to a container 1 that can accommodates at least one or more eggs, and a place 3 to gather waterdrops is provided, boiled eggs are obtained and after a lapse of 60 to 70 minutes in the insulating state, soft-boiled eggs can be obtained.例文帳に追加

少なくとも一個以上卵が入る容器（１）に、卵を保護する蓋（２）をつけ、水滴の溜まる場所（３）を設けた炊飯器用蒸し器で炊飯するとゆで卵ができ、保温状態で６０分〜７０分過ぎると温泉卵ができる。 - 特許庁

When laser annealing is performed, a recording material which is located below the silicon subjected to the crystallization is completely covered with a metal film or with the metal film and an insulating film, thereby making it possible to suppress a temperature increase, at annealing and is able to reduce the thermal load on the recording material.例文帳に追加

レーザーアニールを行う際、結晶化を行うシリコンの下にある記録材料は、金属膜、または金属膜と絶縁膜により完全に覆われた状態であるため、アニール時の温度上昇を抑制でき、記録材料への熱負荷を低減できる。 - 特許庁

The conduit tube insertion tool 20 is used when a wire is inserted into a conduit tube and fixed in indirect hot-line work in order to awaken existence of a wire wherein the conduit tube is formed of an insulating elastic material and a cut is made along its longitudinal direction.例文帳に追加

電線管挿入用工具２０は、間接活線工法において電線の存在を喚起する電線管を電線に挿入・取り付ける際に用いられ、電線管は絶縁弾性材料で成形されて、その長手方向に沿って切り込み部が形成されている。 - 特許庁

Furthermore, with the USG layer 26 and the USG layer 30 of good film quality, the organic SOG layer 28 can be surrounded, so that even if the material quality of the organic SOG layer 28 is not so good, an interwiring insulating film 32 superior in insulation property can be obtained.例文帳に追加

さらに、良好な膜質のＵＳＧ層２６とＵＳＧ層３０とにより、有機ＳＯＧ層２８を囲い込むことができるので、有機ＳＯＧ層２８の材質があまり良くなくても、絶縁性に優れた配線間絶縁膜３２を得ることができる。 - 特許庁

To provide a roof improving the thermal insulating performance of a house and serving as an aid of environmental improvement by effectively using roof faces to efficiently perform plant cultivation and solar power generation, making the most of the features of an inclined face facing south and an inclined face facing north.例文帳に追加

南向き傾斜面及び北向き傾斜面の特色を生かし、屋根面を有効に利用して植物栽培及び太陽発電等を効率よく行い、家屋の断熱性能を良好にすると共に、環境改善の一助となる屋根を提供すること。 - 特許庁

There are provided a semiconductor chip 1 constituting an integrated circuit; a lead 2 which is an external connection terminal; a bonding wire 3 which connects the integrated circuit to the lead 2; and a base 4 for molding the semiconductor chip 1, the lead 2, and the bonding wire 3 with an insulating resin.例文帳に追加

集積回路を構成する半導体チップ１と、外部接続端子であるリード２と、集積回路とリード２とを接続するボンディングワイヤ３と、これら半導体チップ１、リード２及びボンディングワイヤ３を絶縁性の樹脂でモールドする基台４とを備える。 - 特許庁

Each of the abrasive particles having a surface-treated surface, has an organic functional group (R), enabling it to suppress polishing speed to a metal oxide insulating film, etc., composed of silica or the like, without largely varying polishing speed to a metal substrate of copper or the like.例文帳に追加

表面処理された研磨用粒子の表面には有機官能基（Ｒ）が存在するので、シリカ等の金属酸化物絶縁膜等に対する研磨速度を抑制することができ、このとき銅等の金属基板に対する研磨速度は大きく変化しない。 - 特許庁

To provide a polishing composition to be used in a CMP process of a semiconductor device with a copper layer, a barrier layer of a tantalum compound and an insulating layer of SiO_2, showing a sufficiently large polishing rate of the tantalum compound compared with that of the copper and essentially little polishing of SiO_2.例文帳に追加

銅膜、タンタル化合物のバリア層、ＳｉＯ_２の絶縁層を有する半導体デバイスのＣＭＰ加工プロセスにおいて、タンタル化合物の研磨レートが銅に比べて充分に大きく、ＳｉＯ_２の研磨は実質的に殆んど起こらない研磨用組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a method, by which the breakage of an element caused by the concentration of stresses in an integrally sintered laminate having a partial electrode structure can be reduce, by reducing the obstruction to the operation of the whole laminate to reduce the insulating sections of partial electrodes.例文帳に追加

一体焼結法による、部分電極構造を有する積層体において、部分電極の絶縁部を減少することで、積層体全体の動作阻害を減少し、応力の集中に起因する素子の破壊を減少する方法を提供すること。 - 特許庁

Further, the device includes a first light shielding section 11a disposed in a layer different from the gate electrode over an insulating film 41a, at least partially overlapping the first and the second LDD regions, and electrically connected to the gate electrode.例文帳に追加

更に、ゲート電極と、絶縁膜（４１ａ）を介して互いに異なる層に配置されており、第１及び第２のＬＤＤ領域と少なくとも部分的に重なるように形成されると共にゲート電極と電気的に接続された第１遮光部（１１ａ）を備える。 - 特許庁

A free magnetic layer 6 is formed of a laminate structure of a first magnetic layer 6a formed of Co-Fe or Fe and a second magnetic layer 6b formed of Co-Fe-B or Fe-B from below on an insulating barrier layer 5 made of Mg-O.例文帳に追加

フリー磁性層６は、Ｍｇ−Ｏの絶縁障壁層５上に、下からＣｏ−ＦｅあるいはＦｅで形成された第１磁性層６ａ、及びＣｏ−Ｆｅ−ＢあるいはＦｅ−Ｂで形成された第２磁性層６ｂの積層構造で形成される。 - 特許庁