「Insulating」に関連した英語例文の一覧と使い方(986ページ目) - Weblio英語例文検索

Further, the surface of chromium on the surface of leadout tip parts 881, 882 of the other principal side 841 of the crystal vibrating reed 8 formed at opposed positions 89 opposite to the leadout electrodes 871, 872 of the one principal side 842 is oxidized to be an insulating material.例文帳に追加

また、水晶振動片８の他主面８４１の、一主面８４２に形成された引き出し先端部８７１，８７２に対向する対向位置８９に形成された引き出し先端部８８１，８８２は、その表面のクロムの表面が酸化されて、絶縁材料となっている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and manufacturing method thereof where such problems as substrate soaring and hot carrier which are easy to occur with an SOI device are sufficiently suppressed while crystal defect is hard to occur at a surrounding structure even with a wide spread partial separation insulating film.例文帳に追加

ＳＯＩデバイスにおいて生じやすい基板浮遊問題やホットキャリアの問題を充分に抑制することが可能で、広く分布する部分分離絶縁膜であっても周囲の構造に対し結晶欠陥を生じさせにくい半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a thin film semiconductor element having the proper crystallinity of a semiconductor film, proper electrical characteristics of the thin film semiconductor element, the high reliability of a gate insulating film and high productivity in the method for manufacturing the thin film semiconductor element formed on a substrate.例文帳に追加

基板上に形成された薄膜半導体素子の製造方法において、半導体膜の結晶性が良く、薄膜半導体素子の電気特性が良く、ゲート絶縁膜の信頼性が高く、且つ生産性の高い薄膜半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a release layer transfer film and a laminated film capable of enhancing the reliability and productivity of a semiconductor chip packaging line by forming the release layer easily on a flexible printed wiring board for COF while preventing thermal fusion of an insulating layer and a heating tool.例文帳に追加

ＣＯＦ用フレキシブルプリント配線板に容易に離型層を形成でき、絶縁層が加熱ツールに熱融着することがなく、半導体チップ実装ラインの信頼性及び生産性を向上させることができる離型層転写用フィルム及び積層フィルムを提供する。 - 特許庁

The low-heat-resistance wiring board for the LED lighting device has an insulating layer 2, and desired wiring patterns 3a and 3b laminated on a composite material substrate 1 made of a composite material obtained by dispersing a specified amount of silicon carbide particles in aluminum alloy.例文帳に追加

本発明のＬＥＤ照明装置用の低熱抵抗配線基板は、アルミニウム合金に所定量の炭化珪素粒子を分散させた複合材料からなる複合材料基板１上に、絶縁層２、および所望の配線パターン３ａおよび３ｂが積層され備えている。 - 特許庁

Although each cathode electrode line 2 and each gate electrode line 4 is drivingly controlled by being connected to a means of control 15 respectively, many almost circular holes 5 penetrating through the gate electrode line 4 and the insulating layer 3 and reaching the thin film 7 are formed in each crossing area 9.例文帳に追加

各カソード電極ライン２及び各ゲート電極ライン４は制御手段１５にそれぞれ接続されて駆動制御されるが、その各交差領域９においては、ゲート電極ライン４と絶縁層３とを貫通して薄膜７に達する多数の略円形の孔５が形成されている。 - 特許庁

On a semiconductor substrate 100, where a memory cell transistor and impurity diffusion layer 111 are formed, a first interlayer insulating film 112, having a first plug 113 connected with the memory cell transistor and a second plug 114 connected with the impurity diffusion layer 111, is formed.例文帳に追加

メモリセルトランジスタと不純物拡散層１１１とが形成された半導体基板１００の上に、メモリセルトランジスタと接続する第１のプラグ１１３及び不純物拡散層１１１と接続する第２のプラグ１１４を有する第１の層間絶縁膜１１２を形成する。 - 特許庁

A semiconductor element is equipped with a semiconductor substrate 1, buffer layers 2, which are each formed by laminating a single crystal matching layer 21 and an insulating layer 22, dispersedly formed on the substrate 1, and a single crystal growth layer 3 formed on the buffer layers 2 and the substrate 1.例文帳に追加

半導体基板１と、単結晶からなる整合層２１と絶縁層２２とを積層してなり上記基板１表面上に部分的に形成された緩衝層２と、該緩衝層２及び上記基板１表面に形成された単結晶成長層３とを備える。 - 特許庁

By a method of manufacturing transistor elements, the source electrode 120 and the drain electrode 130 made of metal are formed on a transparent glass substrate 110, a transparent semiconductor oxide channel layer 140 made of InGaZnO_4 is formed on the source and drain electrodes, and a transparent insulating layer 150 is formed on the upper surface (Fig. 8(a)).例文帳に追加

透明ガラス基板１１０上に金属からなるソース電極１２０，ドレイン電極１３０を形成し、その上に、ＩｎＧａＺｎＯ_４からなる透明な酸化物半導体チャネル層１４０を形成し、その上面に透明な絶縁層１５０を形成する（図８(a) ）。 - 特許庁

To provide a new fluorine-containing hybrid material capable of lowering a refractive index and a dielectric constant while maintaining heat resistance and transparency of a polyimide-based polymeric material, and capable of being suitably used as materials for reflection-preventing films, an optical waveguides, and interlayer insulating films, etc.例文帳に追加

ポリイミド系高分子材料の耐熱性と透明性を維持したままで、屈折率と誘電率を低下させることが可能で、反射防止膜、光導波路、層間絶縁膜等の材料として好適に用いることのできる、新規のフッ素含有ハイブリッド材料を提供する。 - 特許庁

To provide a bobbin for a molded coil, the molded coil, a molded transformer, and methods of manufacturing them, in which winding can be formed within a short time by preventing slipping or twisting of an insulating film during winding and interposed between a prepreg cylinder and the winding.例文帳に追加

本発明の目的は、プリプレグ材筒と巻線との間に介在させた絶縁フィルムの巻線時に発生するずれや捻じれを防止し、短時間で巻線を作製することができるモールドコイル用ボビンとモールドコイル及びモールド変圧器並びにそれらの製造方法を提供することにある。 - 特許庁

The wiring grooves for forming the upper-layer wiring are formed only in the wafer central part, while, in the wafer peripheral part, the insulating film for forming the wiring grooves is left without forming the wiring grooves, and in the wafer outer peripheral edge part, the metal layer deposited for forming the wiring is removed by wet etching.例文帳に追加

そして、ウエハ中央部にのみ上層配線形成用の配線溝を形成し、ウエハ周辺部では配線溝を形成することなく、配線溝形成用の絶縁膜を残留させ、ウエハ外周縁部では、配線形成時に堆積した金属層をウエットエッチング法により除去する。 - 特許庁

As a result, when a layer formed by the adhesive 10 is thin, namely even when the amount of the adhesive 10 used is slight, radiant heat applied to the adhesive 10 can not readily pass through the adhesive 10 and the adhesive 10 surely can exhibit heat-insulating or warmth-retaining effect.例文帳に追加

したがって、接着剤10によって形成された層が薄い場合、つまり、接着剤10の使用量が少ない場合であっても、接着剤10に与えられた輻射熱は当該接着剤10を容易に通過することができず、確実に断熱或いは保温効果を発揮することができる。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a ceramic heater capable of eliminating trouble caused by residual pores that may be formed in a baking process, in a ceramic heater having a structure where a heat generation member formed of a conductive ceramic without being made of metal is embedded in a base body formed of an insulating ceramic.例文帳に追加

絶縁性セラミックからなる基体に、導電性セラミックからなり金属製ではない発熱部材が埋設された構造を備えたセラミックヒータにおいて、焼成課程に形成されうる残留気孔による不具合を解消するセラミックヒータの製造方法を提供する。 - 特許庁

An n-type semiconductor region 12 and a p-type semiconductor region 13 are provided on a semi-insulating GaAs substrate 11 and an n-type ohmic electrode 14 is provided on the n-type semiconductor region 12, while a p-type ohmic electrode 15 is provided on the p-type semiconductor region 13.例文帳に追加

半絶縁性ＧａＡｓ基板１１上にｎ型半導体領域１２とｐ型半導体領域１３を設け、ｎ型半導体領域１２上にｎ型オーミック電極１４を設け、ｐ型半導体領域１３上にｐ型オーミック電極１５を設けている。 - 特許庁

This packaging member has a structure, in which a wiring board 1 for the input and output of an actuating signal with the semiconductor device 10; a conductor plate 2 for supplying electric power for supplying operating power for the semiconductor device 10; and a conductor plate 3 for GND are layered via insulating films 4.例文帳に追加

半導体デバイス１０に対して動作信号の入出力を行う配線基板１と、半導体デバイス１０に動作電源を供給するための電源供給用導体板２およびＧＮＤ用導体板３とを、絶縁フィルム４を介して積層した構造の実装部材を備える。 - 特許庁

To provide a multilayer circuit board (motherboard or semiconductor chip mounting board) capable of ensuring high bonding strength between an interlayer insulating layer and wiring without forming an unevenness having a thickness of almost exceeding 1 μm and efficiently transmitting a high-speed electric signal, and to provide a method of manufacturing a semiconductor package or the like.例文帳に追加

配線の表面に１μｍを超す程度の凹凸を形成することなく層間絶縁層と配線の接着強度が確保でき、高速電気信号を効率よく伝送可能な多層回路基板（マザーボード、半導体チップ搭載基板）と半導体パッケージ等の製造方法を提供する。 - 特許庁

In this multichip module which has a semiconductor device and the wiring board on which to mount the semiconductor device, that wiring board has a glass board which is equipped with a hole made by sand blast and the wiring layer which is equipped with wiring and insulating layers made on the surface of that glass board.例文帳に追加

半導体装置と該半導体装置を実装する配線基板とを有するマルチチップモジュールであって、該配線基板は、サンドブラストにより形成された孔を備えるガラス基板と、該ガラス基板の表面に形成された配線および絶縁層を備えた配線層とを有する。 - 特許庁

There are provided a first lower layer wiring (31) formed on an insulation film of a semiconductor substrate; a first via hole (61) formed on the first lower wiring; and a MIM capacitor formed on the first via hole being composed of a lower electrode (9), insulating film (8), and upper electrode (12).例文帳に追加

半導体基板上の絶縁膜上に形成された第１の下層配線（３１）と、この第１の下層配線上に形成された第１のビアホール（６１）と、この第１のビアホール上に形成され、下部電極（９）、絶縁膜（８）、及び上部電極（１２）からなるＭＩＭキャパシタと、を備えている。 - 特許庁

This molded product for the heat insulating container comprises a resin composition consisting essentially of a rubber-modified thermoplastic resin obtained by using a rubber-like polymer having a specific structure and a strong affinity for a mixture of an aromatic vinylic compound with an alkyl (meth)acrylate compound.例文帳に追加

芳香族ビニル系化合物と(メタ)アクリル酸アルキルエステル化合物の混合物と強い親和性を有する特定の構造を有するゴム状重合体を用いて得られるゴム変性熱可塑性樹脂を主成分とする樹脂組成物よりなる断熱容器用成形品。 - 特許庁

A powdered adhesive such as a semi-cured epoxy resin which is melted by heating is stuck uniformly on a crushed foamed resin, and the resin is charged between surface plates A2, B3, which form an outer shell, and compression-molded with heating to obtain an insulating layer 5.例文帳に追加

発泡樹脂を粉砕したものに熱で溶融する粉末状の接着剤、例えば半硬化状態のエポキシ樹脂などを均一に付着させ、それを外殻である表面板Ａ２、Ｂ３の間に投入して加熱下で圧縮成型することによって断熱層５を得る。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device, which forms a highly reliable wiring structure by solving the problem at the time of using xerogel or fluororesin for the interlayer insulating film between wirings for reducing the interwiring capacitance, the problem, when misalignment occurs, and others.例文帳に追加

配線間容量を低減するために配線間の層間絶縁膜にキセロゲルもしくはフッ素樹脂を用いた際の問題点、ミスアライメントを生じた場合の問題点等を解決して信頼性の高い配線構造を形成する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The oxide thin film transistor includes: a first oxide semiconductor layer having a first source region, a first drain region, and a first channel region between the first source region and the first drain region; and a first gate insulating layer and a first gate electrode which are sequentially stacked on the first channel region.例文帳に追加

酸化物薄膜トランジスタは、第１ソース領域、第１ドレイン領域、及びそれらの間の第１チャンネル領域を有する第１酸化物半導体層、及び第１チャンネル領域上に順次積層された第１ゲート絶縁層及び第１ゲート電極を含みうる。 - 特許庁

The semiconductor package is equipped with a semiconductor device 6 with electrodes formed on the surface of a circuit, a flexible substrate 101 provided with a thermoplastic insulating resin layer formed on the one or both the sides of a wiring pattern, and, at least, an insert substrate 201 arranged around the semiconductor device 6.例文帳に追加

回路面上に電極が形成された半導体デバイス６と、配線パターンの片面又は両面に熱可塑性絶縁樹脂層を有する可撓性基板１０１と、半導体デバイス６の周囲に配置された少なくとも１つの挿入基板２０１とを備えている。 - 特許庁

The oxide semiconductor film 40 and a gate electrode 20 are formed holding a gate insulating film 30 therebetween on a substrate 10, and a source region 42 and a drain region 43 to be electrically connected with a source electrode 62 and a drain electrode 63, respectively, are formed on the oxide semiconductor film 40.例文帳に追加

基板１０上に、ゲート絶縁膜３０を挟んで酸化物半導体膜４０とゲート電極２０を形成し、酸化物半導体膜４０に、ソース電極６２およびドレイン電極６３とそれぞれ電気的に接続されるソース領域４２およびドレイン領域４３を形成する。 - 特許庁

In addition, when the flow rate of monosilane (SiH4) which is supplied for forming crystal nuclei and the crystal nucleus forming temperature are appropriately controlled, such selectively can be realized that HSG nuclei are not formed in the silicon-based insulating film, but only on the amorphous silicon film.例文帳に追加

また、結晶核形成のために供給するモノシラン（ＳｉＨ_4）の流量と結晶核形成温度とを、適度に制御することにより、ＨＳＧ核が、アモルファスシリコン膜上にのみ形成されて、シリコン系絶縁膜には形成されないように選択性を持たせることができる。 - 特許庁

In the semiconductor substrate 101, in which magnetic loss members 2 are formed in the inside, the members 2 are formed in a prescribed pattern near the surface on one side, and the members 2 and a semiconductor- substrate region on the surface are covered uniformly with an insulating film 3.例文帳に追加

磁気損失部材２がその内部に形成されてなる半導体基板１０１であって、磁気損失部材２は、一方の側の表面近傍において，所定のパターンにて形成され、磁気損失部材２及び前記表面での半導体基板領域とが絶縁膜３にて一様に被覆されている。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device of high yield and reliability wherein, related to a memory where a ferroelectrics is sued as a capacitor insulating film, neither silicon nitride for recovering the damage in an integrated circuit nor a titanium nitride at a metal wiring top layer is released in thermal process.例文帳に追加

強誘電体を容量絶縁膜に用いたメモリにおいて、集積回路の損傷を回復するための窒化シリコン及び金属配線最上層の窒化チタンが熱処理によってはがれず、高歩留り、高信頼性の半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A gate electrode 5 is provided on the surface side via an insulating film 4 and is removed in a constant shape so as not to cover the channel region 8 at the intersection part of three or four cells, where a plurality of cells adjoin, forming a removal part 10.例文帳に追加

その表面側に絶縁膜４を介してゲート電極５が設けられ、このゲート電極５が、前記複数個のセルの隣接する３または４個のセルの交点部分にチャネル領域８上にかからないように一定の形状で除去されることにより、除去部１０が形成されている。 - 特許庁

An organic layer in which at least a hole transport layer 14 and an organic luminous layer (electron transporting luminous layer) 15 are laminated is formed between a first electrode 12 and a second electrode 16, and the organic layer is connected to the first electrode 12 via an opening of an insulating layer 13.例文帳に追加

第１の電極１２と第２の電極１６との間に、少なくともホール輸送層１４と有機発光層（電子輸送性発光層）１５とが積層された有機層が形成され、その有機層を絶縁層１３の開口部を介して第１の電極１２に接続させる。 - 特許庁

The insulating polymeric material is obtained by properly adding a hardening agent, a hardening promoter, etc., to an epoxidized vegetable oil (for example, a vegetable oil composed of an ester of glycerin with an aliphatic acid wherein a double bond in the aliphatic acid is epoxidized), and three dimensionally crosslinked by heating.例文帳に追加

エポキシ化された植物油（例えばグリセリンと脂肪酸とのエステルであって該脂肪酸中に二重結合部位を有しエポキシ化する植物油脂）に対し、例えば硬化剤や硬化促進剤等を適宜添加し、加熱して３次元架橋することにより絶縁性の高分子材料組成物を得る。 - 特許庁

Heat generated in a first membrane electrode assembly unit 11(1), and a second membrane electrode assembly unit 11(2) is radiated to the outside of the fuel cell stack from the heat dissipation unit 12Urh in the separator 12U through a heat dissipating insulating sheet 60 and an upper heat sink 50U.例文帳に追加

第１の膜電極接合体ユニット１１（１）、および、第２の膜電極接合体ユニット１１（２）において発生した熱は、セパレータ１２Ｕにおける放熱部１２Ｕｒｈから、放熱絶縁シート６０、および、上側ヒートシンク５０Ｕを介して、燃料電池スタックの外部に放熱される。 - 特許庁

To miniaturize the whole inkjet head by decreasing a gap between the inner peripheral face of a reinforcing frame and the outer peripheral face of an actuator, and to well protect an electric connection between a flexible flat cable and an actuator by filling surely an insulating resin into the gap.例文帳に追加

補強フレームの内周面とアクチュエータの外周面との間の隙間を小さくすることによりインクジェットヘッド全体を小型化し、またその隙間に確実に絶縁性樹脂を充填して、フレキシブルフラットケーブルとアクチュエータとの電気的接合部をインクに対して良好に保護する。 - 特許庁

A high-density and highly reliable coreless printed board is manufactured by transferring circuit patterns to a resin insulating layer and embedding the circuit patterns therein by utilizing the carrier member for transferring circuit patterns constructed with a barrier layer and circuit patterns on which unevenness is formed only at outer upper ends, on one surface of the carrier layer.例文帳に追加

キャリア層の一面に、バリア層と、外側上端にだけ凹凸が形成されている回路パターンとを有するように構成された回路転写用キャリア部材を利用して回路パターンを樹脂絶縁層に転写して埋め込めることで、高密度、高信頼度のコアレスプリント基板を製作する。 - 特許庁

To provide a road structure capable of preventing local damage by noises and an exhaust gas of the living environment of the peripheral area of a road by sound-insulating noises emitted from an automobile traveling on the road while upwards diffusing the exhaust gas.例文帳に追加

道路を走行する自動車から発せられる騒音を遮音すると共に排気ガスを上方に拡散させることにより、道路の周辺地域の生活環境が騒音や排気ガスにより局地的に損なわれることを防止することができる道路構造体を提供する。 - 特許庁

The soft magnetic member 1 comprises a resin film 2 composed of the insulating resin, the foundation layer 3 composed of a nonmagnetic metal film arranged on the film 2 and formed by a vacuum film forming method, and the soft magnetic metal layer 4 arranged on the layer 3.例文帳に追加

絶縁樹脂から構成された樹脂フィルム２と、樹脂フィルム２上に配置され真空成膜法で形成された非磁性金属膜から構成された下地層３と、下地層３上に配置された軟磁性金属層４とを備えることを特徴とする軟磁性部材１。 - 特許庁

By using the ILD layer comprising at least two insulating layers and by removing a part of the layer in the storage capacitor region, a charge area in the storage capacitor can be reduced by an increase in the capacity of the storage capacitor, and the area of the light emitting region can be increased.例文帳に追加

これにより、少なくとも２層の絶縁層からなるＩＬＤ層を使用し、かつストレージキャパシタの領域では一部層が除去されることによって、ストレージキャパシタの容量の増大によるストレージキャパシタのチャージ面積の縮小が可能であり、発光領域の面積を拡大できる。 - 特許庁

Anodic oxidation is then performed using the lower electrode 13x as anode to transform an aluminum film 17x containing nitrogen into an aluminum oxide film 18x and to form tantalum oxide films 14y and 14z containing nitrogen, as an insulating layer 14x, at the upper surface portion and the side face portion of the lower electrode 13x.例文帳に追加

次に、下電極１３ｘを陽極にして陽極酸化を行い、窒素含有アルミニウム膜１７ｘをアルミニウム酸化膜１８ｘとするとともに、下電極１３ｘの上面部および側面部に窒素含有タンタル酸化膜１４ｙ、１４ｚを形成し、絶縁層１４ｘとする。 - 特許庁

In this thin EL element provided with a pair of a first electrode layer and a second electrode layer interposing a luminescent layer on an insulating base, a thin layer having a quantum size is provided between the luminescent layer and the first electrode layer and between the luminescent layer and the second electrode layer are provided.例文帳に追加

絶縁基板上に発光層を介在した一対の第１の電極層と第２の電極層とを備えてなる薄膜ＥＬ素子において、前記発光層と前記第１の電極層及び前記第２の電極層との間に量子サイズの薄膜層を備えた。 - 特許庁

The electrode 3 is provided on a stage body 16, and has a dielectric block 4 on which the substrate 5 is loaded on the surface, a characteristics compensation ring 17 provided outside a substrate loading area of the block 4, and an insulating ring 22 provided outside the ring 17.例文帳に追加

下部電極３は、ステージ本体１６上に設けられ、その表面に基板５が載置される誘電体ブロック４と、誘電体ブロック４の基板載置エリアの外側に設けられた特性補正リング１７と、特性補正リング１７の外側に設けられた絶縁リング２２とを有する。 - 特許庁

A vacuum chamber 1 is formed by molding a metal-made tank 2 with an insulating resin 5, a part of which is cylindrically molded, so as to surround a portion of a movable conductor 13 extended from the vacuum chamber 1 at the side of grounding contact to form an insulated barrier 20.例文帳に追加

真空容器１は、金属製のタンク２を絶縁性樹脂５でモールドして構成され、その絶縁性樹脂５の一部が真空容器１から延出する接地接点側可動導体１３の延出部を囲繞するように筒状に形成されて絶縁バリア２０を構成している。 - 特許庁

The heat insulating material 1 for sticking to the skin having the constitution obtained by focusing attention on an organic conductor gel heatable by the microwave oven, etc., and coating or impregnating a flexible sheet 3, such as a nonwoven fabric, woven fabric or sponge, with this organic conductor gel 2 is provided.例文帳に追加

電子レンジなどで加熱し得る有機導体ゲルに着目し、この有機導体ゲルを主体とするゲル状の肌塗用保温材、並びに、この有機導体ゲル２を不織布、織布、スポンジなどの柔軟性シート３に塗布又は含浸させてなる構成を備えた肌貼用保温材１を提供する。 - 特許庁

To obtain a high performance capacitor insulating film excellent in specific dielectric constant, heat resistance, and current leaking characteristics by adsorbing a silicon atom layer, an oxygen atom layer, and a metal atom layer or the like using an atom layer deposition method to form a metal silicate layer and nitriding and oxidizing the silicate layer.例文帳に追加

原子層蒸着法を用い、シリコン原子の層、酸素原子の層、金属原子の層等を吸着させて金属シリケートの層を形成し、それを窒化および酸化することで、比誘電率、耐熱性、電流リーク特性に優れた高性能なキャパシタ絶縁膜を得ることを可能とする。 - 特許庁

As the developing solution 20d reaches the bottom and near the bottom of the aperture 10w, the second resist layer 17 in the region from a part on the pad electrode 12 to the dicing line DL is reliably removed to reliably expose a part of the second insulating film 16.例文帳に追加

ここで、現像液２０ｄが開口部１０ｗの底部及びその近傍に行き渡り、当該底部のパッド電極１２の一部上からダイシングラインＤＬに至る領域の第２のレジスト層１７が確実に除去されて、第２の絶縁膜１６の一部が確実に露出される。 - 特許庁

The semiconductor chip 1 further comprises an electrode housing part 4 penetrating through the semiconductor chip body 2, an electrode 7 in which at least a part thereof is housed in the electrode housing part 4, and an insulating part 5 interposed between the electrode 7 and the semiconductor chip body 2 in the electrode housing part 4.例文帳に追加

半導体チップ１は、更に、半導体チップ本体２を貫通する電極収容部４と、少なくとも一部が電極収容部４内に収容された電極７と、電極収容部４内において、電極７と半導体チップ本体２との間に介在する絶縁部５とを備えている。 - 特許庁