「Insulating」に関連した英語例文の一覧と使い方(989ページ目) - Weblio英語例文検索

This liquid crystal display element is characterized in that an insulating layer having a specified range of surface resistivity lower than that of a substrate is provided between the substrate and electrodes or between the substrate and the electrodes, on the backside of the face on which the electrodes are formed of the substrate and on the side face of the substrate.例文帳に追加

基板の表面抵抗率より小さい特定範囲の表面抵抗率を有する絶縁層が該基板と電極間、または該基板と電極間、かつ該基板の電極形成面の裏面、かつ該基板の側面に設けたことを特徴とする液晶表示素子。 - 特許庁

The electric heater is composed of cylindrical protecting tubes 12 made of ceramic, resistive heating elements 14 spirally wound and inserted into the protective tubes 12, and an insulating layer 16 with a castable material 16a poured into the tube 12 to be solidified to seal the inside of the tube 12.例文帳に追加

セラミックからなる筒状の保護管１２と、螺旋状に巻回され、保護管１２内に挿入されてなる発熱抵抗体１４と、保護管１２内に流し込まれたキャスタブル１６ａが固化して保護管１２内部を密閉した絶縁層１６とで構成されていることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having different gate structures in one same element so as to increase an element operating speed in a low voltage operation section and prevent a gate insulating film in the low voltage operation section from acting like a metal diffusion source and to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加

異なるゲート構造を同一素子内に備え、低電圧動作部における素子動作を高速化するとともに、低電圧動作部においてゲート絶縁膜が金属拡散源となることを防ぐことが可能な半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

When a thin-film transistor is formed, a laminated structure is formed on an insulating substrate 0 which structure includes polycrystalline semiconductor thin film 5, a gate oxide film 3 which is in contact with one surface side of the thin film, and a gate electrode 1 stacked on the semiconductor thin film 5 via the gate oxide film 3.例文帳に追加

薄膜トランジスタを作成する場合、多結晶半導体薄膜５と、その一面側に接して配されたゲート酸化膜３と、ゲート酸化膜３を介して半導体薄膜５に重ねられたゲート電極１とを含む積層構造を、絶縁基板０上に形成する。 - 特許庁

To obtain a mounting body having a recess in the side face of the insulating substrate of an electronic chip component and a terminal electrode on the circumferential surface of the recess soldered to a land on the surface of a circuit board in which excess use of solder is retained without lowering connection strength extremely.例文帳に追加

チップ状電子部品の絶縁基板側面に凹部を有し、且つ当該凹部周面に端子電極を有し、当該端子電極と回路板面のランドとがはんだで接続されてなる実装体において、極端に接続強度を低下させることなく、はんだの過剰な使用を抑制する。 - 特許庁

To secure fixing between terminal connection lands 2 and conductive balls 3 with sufficient fixing strength in an electronic component having circuit elements each of which is composed of a terminal connection land 2 and a conductive ball 3 connected to the land 2 on one side of an insulating substrate 1.例文帳に追加

電子部品を構成する絶縁基板１の一方の面に回路素子と、当該回路素子を構成する端子接続用ランド２と、当該ランド２と接続される導電性ボール３を有する電子部品において、当該ランド２と、導電性ボール３との固着力を十分に確保する。 - 特許庁

To provide an interface 1 for transmitting and receiving a signal between data terminal equipment 6 and a driver device 5 while electrically insulating those devices capable of realizing miniaturization and weight reduction without making it necessary to provide any battery or external power source, and realizing power saving, heating reduction, and noise reduction.例文帳に追加

データ端末装置６とドライバー装置５とを電気的には絶縁しながら、両装置間における信号の送受信を行うインターフェイス１であって、電池や外部の電源を必要とせず小型化、軽量化が可能で、さらに省電力、低発熱、低ノイズ発生であるインターフェイス１を提供する。 - 特許庁

To suppress the formation of an island shaped oxide in laminating interface in a method of manufacturing a laminated wafer formed by directly laminating a wafer for an active layer and a wafer for a supporting substrate without interposing an insulating film and thinning the wafer for an active layer.例文帳に追加

本発明の目的は、活性層用ウェーハと支持基板用ウェーハを、絶縁膜を介さずに直接貼り合わせ、活性層用ウェーハを薄膜化することにより形成される貼り合わせウェーハの製造方法において、貼り合わせ界面における島状の酸化物の形成を抑制することにある。 - 特許庁

To provide a porous film having excellent adhesion to a substrate, excellent characteristics of a dielectric constant, hardness and the like and reduced change of dielectric constant with passage of time and suitable for usage as an interlayer insulating film in a semiconductor element device and the like and to provide a composition for manufacturing the porous film.例文帳に追加

基板との密着性に優れ、誘電率、硬度等の諸特性に優れ、誘電率の経時変化が小さく、半導体素子デバイスなどにおける層間絶縁膜として使用するのに適した多孔質膜、およびその多孔質膜を製造する組成物を提供する。 - 特許庁

When forming a memory cell array region having a high density convex part and a periphery circuit region having a low density convex part on the semiconductor substrate, after forming a two-dimensional arrangement of capacitor 216 as a memory cell in the memory cell array region, the insulating film 217 is formed all over the surface of the semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板上に凸部の密度の高いメモリセルアレイ領域と、凸部の密度の低い周辺回路領域を形成する際、メモリセルアレイ領域にメモリセルであるキャパシタ216を2次元状に配置形成した後、半導体基板上全面に絶縁膜217を形成する。 - 特許庁

In an electrophotographic liquid developer by dispersing a toner in an electrically insulating carrier liquid, the electrophotographic liquid developer is constituted in such a way that the toner has a boron salt containing compound on the inside and/or the surface as a charge imparting agent and the carrier liquid has an aniline point of 80°C to 100°C.例文帳に追加

電気的に絶縁性のキャリア液中にトナーを分散させた電子写真用液体現像剤において、前記トナーは内部及び（又は）表面に荷電付与剤として含ホウ素塩系化合物を有し、前記キャリア液はアニリン点が８０℃〜１００℃である電子写真用液体現像剤。 - 特許庁

The rod 3 derived from a cylinder body 1 is formed of a conductive material, and when contacting the tip with the object having electric potential by projection of the rod 3, the electric potential can be detected through a terminal 8 arranged in a head cover 5 from the rod 3 in an insulating state.例文帳に追加

シリンダ本体１から導出されたロッド３を導電性材料により形成し、該ロッド３の突出によりその先端を電位のある対象物に接触させたときに、その電位を上記ロッド３からヘッドカバー５に絶縁状態で設けた端子８を通して検出可能にする。 - 特許庁

The method for manufacturing a flat cable includes a step in which a flat cable 1 is formed by arranging a plurality of flat conductors 2 on a flat surface and extrusion covering an insulating resin on the surrounding of these plurality of flat conductors 2 and a terminal working step in which the terminal of the flat cable 1 formed is worked.例文帳に追加

複数本の平角導体２を一平面上に配列し、これら複数本の平角導体２の周囲に絶縁樹脂を押出被覆してフラットケーブル１を生成する工程と、生成したフラットケーブル１の端末を加工する端末加工工程とを含む。 - 特許庁

The connections 32 of a first contact 12 are circularly exposed close to the center of the inner bottom face of a recess 20 in an insulating housing 10 and the connection part 40 of a second contact 13 is annularly exposed onto a concentric circle around the connections 32 and apart from the connection part 32.例文帳に追加

絶縁ハウジング１０の凹所２０の内底面の略中心に、第一のコンタクト１２の接続部３２を円形状に露出させ、接続部３２の周囲であって同心円上に、接続部３２と離間して第二のコンタクト１３の接続部４０を環状に露出させる。 - 特許庁

A gap material 300 controlling the gap between the substrates is mixed with the seal material 52 adhering both the substrates together and an inter-layer insulating film 12' is formed in the seal area so that parts facing lead-out wires 401 of the scanning lines and data lines are recessed.例文帳に追加

両基板を接着するシール材（５２）中には、基板間ギャップを制御するギャップ材（３００）が混入されており、層間絶縁膜（１２’）は、シール領域において、走査線やデータ線の引き出し配線（４０１）に対向する部分が凹状に窪んで形成されている。 - 特許庁

To provide a corrugated cardboard flat panel excellent not only in heat insulating properties and soundproofness but also in lightweight properties and strength, further having excellent water resistance and wheatherability and expanded in use to a large extent to be made usable as a roof material or outer wall material of a temporary dwelling for emergency.例文帳に追加

断熱性や防音性に優れ、また軽量で強度にも優れているなどの特長に加えて、新たに優れた耐水性と耐候性を持ち、利用用途を大幅に拡大して緊急用仮設住宅の屋根材や外壁材などとしても使用できる段ボール平板を提供する。 - 特許庁

When both upper and lower surfaces of the conductor are sandwiched between and covered with the pair of insulating films 2a, 2b, and both the upper and lower surfaces are further sandwiched between and covered with the pair of sheath films 3a, 3b, these are welded by the same ultrasonic welding machine 11 at the same time.例文帳に追加

そして、導体の上下両面を一対の絶縁フィルム２ａ，２ｂで挟み込んで被覆し、さらにその上下両面を一対のシースフィルム３ａ，３ｂで挟み込んで被覆する際には、これらを同一の超音波溶着機１１により同時に超音波溶着する。 - 特許庁

In the liquid crystal display device, a second metal film 76b as an upper electrode of a TFD element 70 is overhung inward from a frame part of an aperture 230 along three sides 231, 232, 233 of the aperture 230 of an interlayer insulating film 23 in pixels 51 (R), 51(G) and 51(B).例文帳に追加

液晶装置において、画素５１（Ｒ）、５１（Ｇ）、５１（Ｂ）では、ＴＦＤ素子７０の上電極としての第２金属膜７６ｂが層間絶縁膜２３の開口部２３０の３つの辺２３１、２３２、２３３に沿って、開口部２３０の縁部分より内側に張り出している。 - 特許庁

A stripe base layer arranged alternately and repeatedly with an n-type base layer 21 and a p-type base layer 22 is formed on one surface of an n-type buffer layer 1 and a p-type well layer 3, an n-type emitter layer 4, an emitter electrode 10 and an insulating gate electrode 6 are formed on the base layer.例文帳に追加

ｎ型バッファ層１の一方の表面上にｎ型ベース層２１とｐ型ベース層２２が交互に繰返し配列されたストライプ状のベース層を形成し、このベース層状にｐ型ウェル層３、ｎ型エミッタ層４、エミッタ電極１０及び絶縁ゲート電極６を形成する。 - 特許庁

The fixed rollers 33 are mounted on a front portion of a heat insulating housing 30, and the frames 36, 37 mounted right and left of the drawer door 34 are respectively provided with container loading portions 39, connecting portions 40, fixed roller rolling portions 41 and bent portions 42 at ends of the frames to guide the rolling of the fixed rollers 33.例文帳に追加

断熱箱体３０の前部に固定ローラー３３を配置し、引き出しドア３４の左右に取り付けたフレーム３６・３７には、容器載置部３９と連結部４０と固定ローラー転動部４１とその端には折り曲げ部４２を形成し固定ローラー３３の転動をガイドしている。 - 特許庁

To provide an electric insulating base material which has a small dielectric constant, a small dielectric loss tangent, dimensional stability, thermal stability, low moisture absorbability and low thermal expansion coefficient which are essential for mounting the parts of high performance electric equipments, to provide a prepreg using the same, and to provide a printed circuit substrate.例文帳に追加

本発明は、高機能電子機器の部品実装に必須な、誘電率および誘電正接が小さく、寸法安定性と熱的な安定性を有し、かつ、低吸湿性、低熱膨張係数を示す電気絶縁用基材、およびそれを用いたプリプレグおよびプリント配線用基板を提供する。 - 特許庁

To obtain a ceramic suitable for an insulating substrate which can be baked at a low temperature, can be baked together with a low resistant metal such as gold, silver or copper as a conductive material, has a high thermal conductivity and low dielectric constant and has a high heat dissipation property to shorten a delay time in high frequency signal.例文帳に追加

低温焼成が可能で、金、銀、銅などの低抵抗金属を導体材料として同時焼成が可能であり、高熱伝導率かつ低誘電率を有し、高い熱放散性と高周波信号の遅延時間が小さい絶縁基板に適した磁器を得る。 - 特許庁

To provide a crushed rubber scrap for lightweight ground materials that exhibits excellent execution stability without detriment to excellent performances such as lightweightness, high water permeation, high heat-insulating properties or the like of the crushed rubber scrap as a lightweight ground material and is manufacturable at a low cost, and its manufacturing method.例文帳に追加

破砕ゴム片の軽量地盤材としての優れた機能、例えば、軽量、高透水性、高断熱性等を損なうことなく、優れた施工安定性を発揮できるとともに、低コストでの製造が可能な軽量地盤材用破砕ゴム片およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a DRAM capacitor which easily ensures the adhesiveness of a lower electrode and a peripheral insulating film, prevents an increase in leakage current of a capacitor in this portion, prevents the collapse of the lower electrode in wet-etching, and improves the reliability of the device, and to provide the method of manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

下部電極と周辺絶縁膜との密着性を容易に確保し、この部分でのキャパシタのリーク電流の増大を防止し、また、ウエットエッチング時の下部電極の倒壊を防止し、ひいてはデバイスの信頼性を向上したＤＲＡＭ型のキャパシタを有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

This panel is equipped with two rectangular surface sheets 4, 4 disposed in parallel at a prescribed interval, edge members 20 inserted along four sides 24 of the surface sheets 4, 4, and a foaming heat-insulating material 1 filled and solidified in a space formed by the edge members 20 and the surface sheets 4, 4.例文帳に追加

所定間隔をもって平行に配設された２枚の矩形状の表面シート４，４と、表面シート４，４の４辺24…に沿って介装された縁部材20と、縁部材20と表面シート４，４により形成された空間内に充填固化された発泡断熱材１と、を備える。 - 特許庁

To increase the quantity of light emitted outward from a chip type LED constituted by mounting a light emitting diode chip 15 on the top surface of an insulating substrate 12, and providing package bodies 16 and 16' which hermetically seal the diode chip 15 and composed of a transparent material along diagonals in the top view of the LED.例文帳に追加

絶縁基板１２の上面に、発光ダイオードチップ１５を搭載し、更に、この発光ダイオードチップを密封する透明体によるパッケージ体１６，１６′を設けて成るチップ型ＬＥＤにおいて、平面視において、対角線に沿って外向きに出射される光量を多くする。 - 特許庁

In light-emitting element, at least a first electrode, a light- emitting region containing organic material(s), and a second electrode are sequentially formed on a substrate, and which has an insulating heat radiation layer between the substrate and the first electrode, and in which thermal conductivity of the heat radiation layer is 50 W/mK or more.例文帳に追加

基板上に少なくとも第１の電極、有機材料を含む発光領域、第２の電極が順に形成され、前記基板と前記第１の電極の間に絶縁性の放熱層を有し、前記放熱層の熱伝導率が５０Ｗ／ｍＫ以上である発光素子。 - 特許庁

Then, a connection part 261 is formed from the base of the lower storage capacitor electrode 26 to one part on the pad 23 and between the remaining part on the pad 23 and the base of the lower storage capacitor electrode 26, a side wall 22 of a silicon oxide film is interposed as an insulating film for short-circuiting prevention.例文帳に追加

そして、蓄積容量下部電極２６の底面からパッド２３上の一部に至る接続部２６１が形成され、パッド２３上の残部と蓄積容量下部電極２６の底面との間に短絡防止用絶縁膜としてのシリコン酸化膜のサイドウォール２２が介挿されている。 - 特許庁

A cylindrical rotor 1 of an electric rotating machine uses a peripheral insulating layer 2, having connecting paths (U-shaped grooves) 21 formed in proximity to the center of magnetic poles and a spacer 3 provided with a base portion 31, having branched paths (U-shaped grooves) 32 formed in proximity to the center of the magnetic poles.例文帳に追加

回転電気機械の円筒形回転子１は、従来例と対比し、磁極の中心位置付近に連通路（凹溝）２１が形成された外周部絶縁層２と、磁極の中心位置付近に分岐路（凹溝）３２が形成された基板部３１を持つスペーサ３を用いる。 - 特許庁

The fuel cell stack is equipped with a laminate including the cell laminate to laminate cells of a fuel cell, a heat storage part arranged at least at the anode side end part in a cell laminating direction of the laminate, and an insulating member to cover at least a part of the surface of the heat storage part.例文帳に追加

燃料電池のセルを積層したセル積層体を含む積層体と、積層体のセル積層方向の少なくともアノード側端部に配置された蓄熱部と、蓄熱部の表面の少なくとも一部を覆う断熱部材と、を備える燃料電池スタックである。 - 特許庁

Each thin film transistor 11 and 12 is provided with island-like crystalline polysilicon films 4b and 4c which are formed on the glass substrate 1 through a base film 2, and in which a channel region and a source/drain region are respectively formed and gate electrodes 6a and 6b formed on the polysilicon films 4b and 4c through insulating films 5.例文帳に追加

各薄膜トランジスタは、ガラス基板１上に下地膜２を介して形成されチャネル領域とソース／ドレイン領域とが形成される島状の結晶化ポリシリコン膜４ｂ，４ｃと、ポリシリコン膜４ｂ，４ｃ上に絶縁膜５を介して形成されたゲート電極６ａ，６ｂとを備える。 - 特許庁

Since the peripheral edge of the terminal electrode 5 and the whole conductive section of the electric circuit 6 are covered with an insulating film 7, the solder 8 on the electrode 5 can be prevented from flowing out of the electrode 5 and causing an unintended short circuit with the conductive section at the time of reflow-soldering the chip component 3.例文帳に追加

ここで、この表層端子電極５の周縁、及び接続電路６の導電部全てを、絶縁層７により被覆したから、チップ部品３をリフロー半田付けする際に、表層端子電極５上の半田ロウ８が流れ出て意図しない導電部と短絡してしまうことを防止できる。 - 特許庁

To provide a photo- and/or thermosetting composition that provides an excellent cured film having excellent developability and sufficient characteristics such as hardness, solder heat resistance, chemical resistance, adhesiveness, PCT (Pressure Cooker Test) durability, electroless gold plating durability, whitening resistance, electric insulating property and flexibility, and also to provide a cured product of the composition.例文帳に追加

現像性に優れ、また、硬度、はんだ耐熱性、耐薬品性、密着性、ＰＣＴ耐性、無電解金めっき耐性、白化耐性、電気絶縁性、可撓性等の特性を充分に満足する優れた硬化膜が得られる光及び／又は熱硬化性組成物及びその硬化物を提供する。 - 特許庁

The wiring grooves having depths of ≤300 nm are formed on the insulating layer 11 composed of, for example, a silicon oxide film and formed on a substrate 10, and tantalum nitrides (TaN) are deposited in the groove as lower-layer conductors 12 which become barrier metals in a thin-film state by using the sputtering method or CVD method.例文帳に追加

基板１０上に、形成された例えばシリコン酸化膜からなる絶縁層１１に深さ３００ｎｍ以下の配線用の溝を形成し、バリアメタルとなる下層導電体１２として例えばタンタルナイトライド（ＴａＮ）をスパッタリング法またはＣＶＤ法を利用して薄膜状態で堆積する。 - 特許庁

The electro-optical device is provided with: a substrate (10); a plurality of reflection type pixel electrodes (9a) arranged apart from each other with gap areas (D1, D2) on a display area (10a) on the substrate; and an interlayer insulating film (42) laminated on a layer side lower than these plurality of pixel electrodes.例文帳に追加

電気光学装置は、基板（１０）と、該基板上の表示領域（１０ａ）に、相互に間隙領域（Ｄ１、Ｄ２）を隔てて配置された複数の反射型の画素電極（９ａ）と、この複数の画素電極よりも下層側に積層された層間絶縁膜（４２）とを備える。 - 特許庁

The heat insulating and sound absorbing material for a house is formed to split and expand in a width direction since the fiber directions of a nonwoven fabric structure formed of two or more kinds of short fiber aggregates are comparatively uniform in parallel in relation to the length direction rather than the width direction of the structure.例文帳に追加

２種類以上の短繊維集合体からなる不織布構造体の繊維方向が構造体の幅方向よりも長さ方向に対して比較的平行に揃っていて幅方向に裂け、幅方向に伸縮することを特徴とする住宅用断熱・吸音材。 - 特許庁

To provide a foaming machine which is capable of easily manufacturing a flame-retardant hard urethane foam which is structured of uniform closed cells and shows high strength and outstanding heat insulating properties and further, uses a flame-retardant foaming agent which can contribute to solving issues such as the destruction of an ozone layer in the stratosphere and a global temperature rise.例文帳に追加

成層圏オゾン層の破壊や地球温暖化の問題の解決に寄与できる難燃性発泡剤を用いても、均一な独立セルからなる強度や断熱性に優れた難燃性硬質ウレタンフォームを容易に経済的に製造できる発泡機を提供する。 - 特許庁

To provide a planar display device in which a drive IC chip 3 is mounted directly on a transparent insulating substrate 21 of a display panel 2 through an ACF(anisotropic conductive film) 4 and from which a press- contacted state between terminals by means of the ACF 4 can be recognized directly then and there.例文帳に追加

ＡＣＦ（異方性導電膜）４を介して駆動ＩＣチップ３を表示パネル２の透明絶縁基板２１に直接実装する平面表示装置において、ＡＣＦ４による端子間の圧着状態をその場で直接に知ることができるものを提供する。 - 特許庁

A conductive material film 7 is formed on the interlayer insulating film 3 so as to bury the interior of the trench pattern 3a, and the conductive material film 7 is polished and removed from the surface side, thereby forming embedded wiring 7a in which the conductive material film 7 is left only in the trench pattern 3a.例文帳に追加

溝パターン３ａ内が埋め込まれるように層間絶縁膜３上に導電性材料膜７を成膜し、導電性材料膜７を表面側から研磨除去することにより溝パターン３ａ内のみに導電性材料膜７を残した埋込配線７ａを形成する。 - 特許庁

The flame-retardant electrically insulating composition is characterized by comprising 100 pts.wt. of an olefinic polymer, ≥100 and ≤300 pts.wt. of an inorganic hydrate, ≥0.5 and ≤50 pts.wt. of an inorganic lithium compound, and ≥1 and ≤50 pts.wt. of an acrylic rubber.例文帳に追加

オレフィン系ポリマー１００重量部に対し、無機水和物１００重量部以上３００重量部以下、無機リチウム化合物０．５重量部以上５０重量部以下、及びアクリルゴム１重量部以上５０重量部以下を含有することを特徴とする難燃性電気絶縁組成物。 - 特許庁

To provide a curable silicone resin composition capable of giving a cured product having high hardness and strength and excellent optical transparency in a short wavelength area, and useful as a material for an optical device or an optical part, an insulating material for an electronic device or an electronic part, or a coating material.例文帳に追加

硬度および強度が高く、さらに短波長領域での光透過性に優れる硬化物を与える、光学デバイスもしくは光学部品用材料、電子デバイスもしくは電子部品用絶縁材料またはコーティング材料として有用な硬化性シリコーン樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

The composite electrical insulator comprises a support rod 6 generally consisting of a composite material, at least one optical fiber 1, 1A, 1B, 1C and 1D placed on the periphery of the support rod, an outer insulating coating 9 consisting of a vulcanized material surrounding the support rod so as to cover the optical fiber.例文帳に追加

複合電気絶縁体は、一般に複合材料から成る支持ロッド６と、支持ロッドの外周に設けられる少なくとも１つの光ファイバ１、１Ａ、１Ｂ、１Ｃ、１Ｄと、光ファイバをカバーするように、支持ロッドを取り囲む硬化材から成る絶縁外側コーティング９とを備えている。 - 特許庁

The projection electrode 30 is formed in the wiring substrate 20 side, and is constituted of a first connection part 30A closing an opening 24a for opening the connection land 22, and a second connection part 30B formed on an insulating layer 24 with a larger diameter than the first connection part 30A.例文帳に追加

この突起電極３０は、配線基板２０側に形成され、接続ランド２２を開口させる開口部２４ａを閉塞する第１接続部３０Ａと、この第１接続部３０Ａよりも径大に絶縁層２４上に形成された第２接続部３０Ｂとで構成する。 - 特許庁

To suppress deterioration in a protection film caused after solder reflow in an electronic device wherein the surface of a metallic wire layer formed on one side of a substrate is covered by an insulating protection film and the metallic wire layer and a solder bump are joined through an opening formed to the protection film.例文帳に追加

基板の一面上に形成された金属配線層の表面を絶縁性の保護膜にて覆い、保護膜に形成された開口部を介して金属配線層とはんだバンプとを接合してなる電子装置において、はんだリフロー後に発生する保護膜の劣化を抑制する。 - 特許庁

The method includes: a step of forming a metal oxide film on a silicon substrate, and forming a silicate film by inducing a solid phase reaction between the metal oxide film and the silicon substrate by heat treatment; and a step of forming a high dielectric constant insulating film on the silicate film.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、シリコン基板上に金属酸化膜を形成し、この金属酸化膜と前記シリコン基板とを熱処理により固相反応させることでシリケート膜を形成する工程と、このシリケート膜上に高誘電率絶縁膜を形成する工程と、を有する。 - 特許庁