Insulatingを含む例文一覧と使い方
該当件数 : 50000件
The post curing resin composition comprises a specific copolymer and a nonpolar vinyl compound, has fluidity, can be cured with a curing agent, give cured bodies having low dielectric constant, heat resistance and impact resistance and is useful as a high frequency insulating material.例文帳に追加
特定の共重合体と非極性ビニル化合物を含む後硬化性樹脂組成物であり、流動性を有し、硬化剤により硬化することが可能で、低誘電性と耐熱性、耐衝撃性を有する硬化体を与えることが出来て、特に高周波絶縁材料として有用である。 - 特許庁
To enable positive isolation of an insulating part formed on an inspecting electrode of a defective semiconductor integrated circuit element from the inspecting electrode and a contactor probe terminal, and also to enable positive conduction between an inspecting electrode of a good semiconductor integrated circuit element and the contact probe terminal.例文帳に追加
不良品の半導体集積回路素子の検査用電極の上に形成された絶縁部が検査用電極とコンタクタのプローブ端子とを確実に絶縁する一方、良品の半導体集積回路素子の検査用電極とコンタクタのプローブ端子とを確実に導通させるようにする。 - 特許庁
In the timing generator circuit which is formed on the insulating substrate and generates output pulses SRFFiout to SRFFnout of different frequencies based on the master clock MCK, at first, a clock generation part 11 generates an operation clock operating on a frequency slower than the master clock MCK.例文帳に追加
絶縁基板上に形成され、マスタークロックMCKに基づいて周波数が異なる出力パルスSRFF1out〜SRFFnoutを発生するタイミング発生回路において、先ず、クロック生成部11でマスタークロックMCKよりも遅い周波数の動作クロックを生成する。 - 特許庁
In the production process of the semiconductor device, a base 1 having a p-type semiconductor region 2 with nitrogen implanted in the upper face thereof is prepared, and a gate insulating film 5 and a gate electrode 6 are laminated in order sequentially on the base 1.例文帳に追加
本発明の一実施形態における半導体装置の製造方法は、窒素が上面内に注入されたp型の半導体領域2を有する下地1を準備し、この下地1上にゲート絶縁膜5およびゲート電極6をこの順で積層して形成する。 - 特許庁
In the variable resistance element 101, a hydrogen barrier layer 26 suppressing the diffusion of hydrogen to the variable resistance layer 22, a hydrogen barrier layer 19a in a lower electrode 19, and a buried insulating layer 21 having a function of suppressing hydrogen diffusion are formed in a peripheral area surrounding the variable resistance layer 22.例文帳に追加
可変抵抗素子部101では、可変抵抗層22を囲む周辺領域に、可変抵抗層22への水素の拡散を抑制する水素バリア層26、下部電極19における水素バリア層19a、および水素の拡散抑制機能を有する埋め込み絶縁層21が形成されている - 特許庁
To provide a heat insulating material having a shape more inexpensively and easily executable without separately executing a moistureproof film and also having moistureproof performance of a house of the next generation standard by using the moistureproof film composed of specific polyethylene and an execution method therefor.例文帳に追加
別途に防湿フィルムを施工せずに、より安価で容易に施工できる形状を有し、かつ特定のポリエチレンからなる防湿フィルムを使用することにより、上記次世代基準の住宅の防湿性能を兼ね備えた断熱材、およびその施工方法を提供すること。 - 特許庁
This method includes a step in which after trenches for defining active regions on a semiconductor substrate are formed by using a plurality of trench makes formed on the semiconductor substrate as etching masks, filler insulating films are formed, with which gap regions consisting of the trenches and trench masks are filled.例文帳に追加
この方法は、半導体基板上に形成された複数のトレンチマスクをエッチングマスクとして使用して半導体基板に活性領域を限定するトレンチを形成した後に、トレンチ及びトレンチマスクからなるギャップ領域を満たす埋め立て絶縁膜を形成する段階を含む。 - 特許庁
The movable microstructure 100 of the semiconductor is formed with an insulating film 102 composed of silicon oxide or the like on the semiconductor substrate 101 composed of a silicon substrate or the like, and a first electrode layer 110 and a second electrode layer 120 made of polysilicon or the like are formed thereon.例文帳に追加
半導体装置の微小可動構造体100は、シリコン基板などで構成される半導体基板101の上に酸化シリコンなどで構成される絶縁膜102が形成され、その上に、ポリシリコンなどで第1電極層110及び第2電極層120が形成されている。 - 特許庁
By forming a layer of insulating material made of silicon oxide between interdigital electrode sections 12 and 14 and a piezoelectric substrate 11, electromechanical coupling factor k^2 of the element becomes small, and the antiresonant frequency approaches the resonant frequency.例文帳に追加
弾性表面波素子のくし歯状電極部12、13と圧電性基板11の間に酸化ケイ素からなる絶縁性材料層を形成することにより、弾性表面波素子の電気機械結合係数k^2が小さくなり反共振周波数が共振周波数に近づく。 - 特許庁
To provide a hollow foamed molded object comprising a polyolefinic resin having heat insulating properties and lightweight properties, colored in black or gray by adding carbon black or graphite and suitably used as a duct for an automobile.例文帳に追加
本発明は、断熱性、軽量性に優れ、カーボンブラックやグラファイトが添加されることにより黒色又は灰色に着色されたポリオレフィン系樹脂中空発泡成形体、更に、自動車用のダクトとして好適に使用可能な該中空発泡成形体を提供することを目的とする。 - 特許庁
For example, the insulating coating film is obtained by coating, and baking a paint on the surface of the steel plate with one or two or more kinds to be selected from Zr ammonium carbonate, Zr potassium carbonate, Zr sodium carbonate, Zr ammonium potassium carbonate, and Zr ammonium sodium carbonate as a raw material.例文帳に追加
例えば、前記絶縁被膜は、炭酸Zrアンモニウム、炭酸Zrカリウム、炭酸Zrナトリウム、炭酸Zrアンモニウムカリウム、炭酸Zrアンモニウムナトリウムから選ばれる1種または2種以上を原料とした塗料を鋼板表面に塗布焼付けし造膜して得られるものである。 - 特許庁
To provide a gate insulating film without deterioration caused by depositions contained in spike and metal wiring and a gate electrode having a high work function, and also to provide the manufacturing method of the semiconductor device manufacturable via reduced resist mask formation processes.例文帳に追加
スパイクや金属配線に含有される析出物による劣化のないゲート絶縁膜と、高い仕事関数を有するゲート電極とを含む半導体装置、及び、少ないレジストマスク形成行程を介して製造可能な該半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁
At the time of the soft etching of a smear removing process performed prior to a catalyst bestowal process for chemical copper plating, after the via hole 13 is formed in the insulating layer 12 of a multilayer substrate by laser irradiation, aqueous solution including sulfuric acid and hydrogen peroxide is used as the soft etching liquid.例文帳に追加
多層基板の絶縁層12にレーザー照射によりビアホール13を形成した後、化学銅メッキのための触媒付与工程に先だって行われるスミア除去工程のソフトエッチの際に、ソフトエッチ液として硫酸及び過酸化水素を含む水溶液が使用される。 - 特許庁
The electronic component module includes a first insulating layer having a first surface in which first circuit patterns are embedded, electronic components of one or more different kinds, the electronic components being mounted on the first circuit patterns and having electrode parts placed in different locations, and a molding layer encompassing the electronic components.例文帳に追加
本発明による電子部品モジュールは第1回路パターンが埋め込まれた第1面を有する第1絶縁層と、上記第1回路パターンに実装され、電極部の位置が異なる少なくとも1種以上の電子部品と、上記電子部品を覆うモールド膜とを含む。 - 特許庁
An organic insulating layer 9 is disposed on a substrate 1 formed with scanning lines, signal lines 12 and switching elements 30 disposed near their intersections and the pixel electrodes 10 conducted to the switching elements 30 through contact holes 18 are formed on this layer 9.例文帳に追加
走査線,信号線12及びそれらの交差部近傍に設けられるスイッチング素子30が形成された基板1上に、有機絶縁層9を設け、この有機絶縁層9上に、コンタクトホール16を介してスイッチング素子30に導通される画素電極10を形成する。 - 特許庁
The printed board having a solder resist and a conductive pattern formed on an insulating substrate includes solid silk on the solder resist in a predetermined range including a contact surface of the printed board and a housing for storing the printed board.例文帳に追加
絶縁基板上にソルダーレジストおよび導電パターンを形成してなるプリント基板において、前記プリント基板と前記プリント基板を格納するための筐体とが接触する接触面を含む所定範囲の前記ソルダーレジスト上にベタシルクを設けることを特徴とするプリント基板。 - 特許庁
Subsequently, a gate insulating film 5 is formed on the high resistance diamond layer 4, and protective films 6a and 6b are formed between a gate electrode forming region and a source electrode forming region and between the gate electrode forming region and a drain electrode forming region.例文帳に追加
次に、高抵抗ダイヤモンド層4上にゲート絶縁膜5を形成し、ゲート電極形成予定領域とソース電極形成予定領域との間及びゲート電極形成予定領域とドレイン電極形成予定領域との間に保護膜6a及び6bを形成する。 - 特許庁
In a roll-like stacked electrode 1 constituted with a first electrode 4, a second electrode 6, and insulating layers 8, 10 for separating these electrodes, a coating layer 14 is formed in a region selected at one end of the first electrode 4 in a thermal spray coating process.例文帳に追加
第1の電極4、第2の電極6及びこれらの電極を分離するための絶縁層8,10から構成されるロール状の積層電極1において、第1の電極4の一端部の選択された領域にサーマルスプレイコーティング法を用いてコーティング層14を形成する。 - 特許庁
To provide a thin film semiconductor device and a display unit with excellent properties in stability by covering a polycrystalline silicon film with an interlayer insulating film, which has a high-level blocking function against contaminants and can repair defects of the polycrystalline silicon film caused by hydrogen supply.例文帳に追加
汚染物質に対するブロッキング作用が高く、かつ水素供給による多結晶シリコン膜の欠陥補修も可能な層間絶縁膜によって多結晶シリコン膜を覆うことにより、安定的に優れた特性を有する薄膜半導体装置および表示装置を提供することを目的とする。 - 特許庁
To provide a waste oil combustion type engine power generating device capable of stably continuing the operation of a diesel engine and recycling waste oil by improving a problem of unstable combustion at the time of starting by utilizing waste oil such as edible oil, electric insulating oil and machine oil, etc.例文帳に追加
食用油や電気絶縁油、マシン油などの廃油を利用して、燃焼が不安定な始動時の問題を改善し、安定してディーゼルエンジンの運転を継続することができ、廃油のリサイクル利用を可能とした廃油燃焼型発動発電装置を提供するものである。 - 特許庁
After depositing a first metal film 106, ferroelectric film 107 and second metal film 108 on the oxide film 105, they are patterned one after another to form capacitor elements composed of upper electrodes 108A, capacitive insulating film 107A and lower electrodes 106A.例文帳に追加
第2の酸化シリコン膜105の上に、第1の金属膜106、強誘電体膜107及び第2の金属膜108を堆積した後、これらを順次パターニングして、上部電極108A、容量絶縁膜107A及び下部電極106Aからなる容量素子を形成する。 - 特許庁
On an array substrate 100, pixel electrodes 131 and a common electrode 133 are layered across an inter-layer insulating film 132, and the common electrode 133 is constituted as a conductive film positioned closest to liquid crystal 310 in a display region A10 of the array substrate 100.例文帳に追加
アレイ基板100において画素電極131と共通電極133とは層間絶縁膜132を介して積層されており、共通電極133はアレイ基板100の表示領域A10内で液晶310に最も近くに位置する導電膜として構成されている。 - 特許庁
In the multilayer ceramic substrate 11 for multiple patterns, insulating trenches 16 are formed along the division lines deeper than the castellation holes 13 from the rear face of the substrate, and the conductor films 14 for soldering in the castellation holes 13 are divided into two parts by the insulation trenches 16.例文帳に追加
多数個取り多層セラミック基板11には、絶縁溝16が分割ラインに沿って基板裏面側からキャスタレーション形成穴13よりも深く形成され、該絶縁溝16によってキャスタレーション形成穴13内の半田付け用の導体膜14が二分割されている。 - 特許庁
The peripheral transistor is provided with a lower electrode 17 formed on a second channel region between third and fourth diffusion layer through second gate insulating films 16A and 16B, and upper electrodes 3 and 19 formed on the lower electrode 17 through a second inter-electrode dielectric 18.例文帳に追加
周辺トランジスタは、第3及び第4拡散層間の第2チャネル領域上に第2ゲート絶縁膜16A,16Bを介して形成される下部電極17と、下部電極17上に第2電極間絶縁膜18を介して形成される上部電極3,19とを有する。 - 特許庁
To provide a method for preparing an organic polymer film, having high adhesiveness on the interface with other semiconductor material which comes into contact with the lower surface or higher surface of the film when utilized as an interlaminar insulating film constituting a semiconductor device and enabling further reduction of effective permittivity of the whole film.例文帳に追加
半導体装置を構成する層間絶縁膜として利用する際、その下面、上面と接する他の半導体材料との界面においては、高い密着性を有し、また、膜全体の実効的な比誘電率の更なる低減が可能な有機高分子膜の作製方法を提供。 - 特許庁
On the surface of a flexible insulating substrate 21 composed of polyimide or polyester, a conductive coating 24 is formed by providing a copper sputter layer 23 on an adhesion reinforcement layer 22 of a nickel-chromium alloy, for example, and a first electrolytic copper plating layer 25 is formed on the conductive coating.例文帳に追加
ポリイミドやポリエステルなどの可撓性を有する絶縁基材21の表面に、例えばニッケル・クロム合金などの密着強化層22の上に銅スパッタ層23を設けて導電性被覆24を形成し、その導電性被覆の上に第1電解銅めっき層25を形成する。 - 特許庁
To provide a method for fabricating a nonlinear element in which nitrogen can be distributed suitably over the entire thickness direction of a tantalum oxide film when a tantalum oxide film containing hydrogen and nitrogen is employed as an insulating layer, to provide a nonlinear element, and to provide an electro-optic device.例文帳に追加
水素および窒素を含有するタンタル酸化膜を絶縁層として用いるにあたって、タンタル酸化膜の厚さ方向の全体にわたって窒素を好適に分布させることができる非線素子の製造方法、非線形素子、および電気光学装置を提供すること。 - 特許庁
The insulating refractories essentially consist of alumina and any of silica, magnesia, zirconia and silicon nitride.例文帳に追加
アルミナとシリカ、マグネシア、ジルコニアおよび窒化珪素のいずれかを主成分とし、耐火物に含まれる炭素含有量と金属含有量との和をX(質量%)、遷移金属酸化物の合計の含有量をY(質量%)としたとき、下記(1)式により規定される条件を満足する絶縁性耐火物。 - 特許庁
This layered type gas sensor 1 is layered integrally with a sensor cell 2 having a solid electrolyte 21 containing an electrolyte main component that is a main component of an ionic-conductive solid electrolyte, and a ceramic heater 3 having a heater substrate 31 using an insulating ceramic as a main component.例文帳に追加
イオン伝導性固体電解質の主成分である電解質主成分を含む固体電解質体21を有するセンサセル2と、絶縁性セラミックを主成分とするヒータ基板31を有するセラミックヒータ3とを、一体的に積層してなる積層型ガスセンサ素子1。 - 特許庁
The foundation top end curing cover 8 formed of elastically deformable heat insulating material into a length almost corresponding to the dammed section is detachably mounted to cover the upper end part of the foundation form, a portion corresponding to the dammed section where the self-leveling material is placed.例文帳に追加
せき止め区画にほぼ対応した長さをもち弾性変形可能な断熱性材料で形成された基礎天端養生カバー8を、基礎型枠の上端部で前記セルフレベリング材を打設したせき止め区画に対応する部位を順次覆うようにして着脱可能に取り付ける。 - 特許庁
To provide a method for forming electrodes for capacitors which increases storage capacitors and a structure to increase the storage capacitors of an electro-optic device which is formed with the storage capacitors by electrodes for first capacitors and electrodes for second capacitors via insulating films.例文帳に追加
絶縁膜を介した第1容量用電極及び第2容量用電極により蓄積容量が形成される電気光学装置において、蓄積容量を増大させる容量用電極の形成方法及び蓄積容量が増大する構造を提供することを課題とする。 - 特許庁
To provide a multilayer printed wiring board in which adhesion with an insulating resin layer laminated on a metal wiring layer can be improved by forming recesses and projections on the metal wiring layer inexpensively without performing a roughening process by treatment with chemical, and to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加
薬液処理による粗化工程を行わずに低コストで金属配線層に凹凸を形成して、金属配線層上に積層する絶縁樹脂層との密着性を向上させることができる多層プリント配線板及びその製造方法を提供することである。 - 特許庁
The photosensitive resin composition useful as a cover lay for a flexible printed wiring board, developable with an aqueous alkali solution and excellent in resistance to the heat of soldering, electric insulating property and flame retardance is provided by using a soluble polyimide as the principal component of a photosensitive cover lay.例文帳に追加
感光性カバーレイの主成分を可溶性ポリイミドとすることにより、フレキシブルプリント配線板用カバーレイとして有用な、アルカリ水溶液で現像可能で、半田耐熱性や電気絶縁性・難燃性に優れた感光性樹脂組成物および感光性カバーレイフィルムを提供することができる。 - 特許庁
Then, after connection holes 32 and 34 respectively corresponding to the source and drain regions 24 and 26 are formed in the interlayer insulating film 28 by photolithography and dry etching, fluorine ions F^+ are injected into the source and drain regions 24 and 26 respectively through the connection holes 32 and 34.例文帳に追加
ホトリソグラフィ及びドライエッチング処理によりソース領域24及びドレイン領域26にそれぞれ対応する接続孔32及び34を絶縁膜28に形成した後、接続孔32及び34をそれぞれ介してソース領域24及びドレイン領域26にフッ素イオンF^+を注入する。 - 特許庁
In the thin film transistor 1, a gate electrode 12 and an oxide semiconductor film 14 forming a channel 14A are provided on a substrate 11 with a gate insulating film 13 sandwiched, and a source electrode 16A and a drain electrode 16B are disposed so as to contact the oxide semiconductor film 14.例文帳に追加
薄膜トランジスタ1では、基板11上に、ゲート絶縁膜13を間にして、ゲート電極12とチャネル14Aを形成する酸化物半導体膜14とが設けられ、この酸化物半導体膜14に接してソース電極16Aおよびドレイン電極16Bが配設されている。 - 特許庁
This field-effect transistor has a semi-insulating GaAs substrate 1, impurities layer 120, undoped GaAs buffer layer 2, undoped AlGaAs buffer layer 3, undoped GaAs buffer layer 4, n-type GaAs channel layer 5, gate electrode 15, source electrode 19, and drain electrode 18.例文帳に追加
電界効果トランジスタは、半絶縁性GaAs基板1と、不純物層120と、アンドープGaAsバッファ層2と、アンドープAlGaAsバッファ層3と、アンドープGaAsバッファ層4と、n型GaAsチャネル層5と、ゲート電極15と、ソース電極19と、ドレイン電極18とを備えている。 - 特許庁
As an etching stopper layer 25 being provided between interconnect line forming layers 24 (interlayer insulating film layers) or a hard mask layer 23 for protecting the surface of the interconnect line forming layers 24, a silica based coating being formed using coating liquid containing a hydrolysis product of trialkoxy silane is employed.例文帳に追加
配線形成層24(層間絶縁膜層)間に設けられるエッチングストッパー層25、または配線形成層24表面を保護するためのハードマスク層23として、トリアルコキシシランの加水分解生成物を含む塗布液を用いて形成されるシリカ系被膜を用いる。 - 特許庁
To provide a decomposition treatment method for organic halogen compounds and a decomposition treatment device for easily detoxifying an oil in which an organic halogen compound such as an insulating oil used in a pole-mounted transformer is mixed in a short time and for showing a low possibility of generating side reaction products.例文帳に追加
柱上変圧器に使用された絶縁油などの有機ハロゲン化合物が混入した油を、簡易に短時間で無害化処理することができ、しかも、副反応生成物が生成する可能性が低い、有機ハロゲン化合物の分解処理方法及び分解処理装置を提供する。 - 特許庁
To provide a safe and simple remover composition having excellent performance to remove photoresist residue after dry etching of a ferroelectric thin film in a step for manufacturing a ferroelectric memory and having no corrosive action on ferroelectric materials, other wiring materials, insulating films, etc.例文帳に追加
強誘電体メモリ−の製造工程において、強誘電体薄膜のドライエッチング後のフォトレジスト残渣に対し、その除去性に優れ、かつ強誘電体材料や他の配線材料、絶縁膜等への、腐食性がなく、安全で簡便な剥離剤組成物を提供すること。 - 特許庁
After plasma treatment is applied to the surface of the metal silicide layer 13 with reducing gas, an insulating film 21 formed of silicon nitride is accumulated on the semiconductor substrate 1 including the metal silicide layer 13 in a plasma CVD method without exposing the semiconductor substrate 1 to the atmosphere.例文帳に追加
そして、金属シリサイド層13の表面を還元性ガスのプラズマで処理してから、半導体基板1を大気中にさらすことなく、金属シリサイド層13上を含む半導体基板1上に窒化シリコンからなる絶縁膜21をプラズマCVD法で堆積させる。 - 特許庁
To provide a sheathed thermocouple capable of effectively preventing meandering in drawing, thus maintaining measurement accuracy and insulating property, and eliminating affect of degradation, shunt errors, or the like by increasing a cross sectional area of each thermocouple element wire, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加
ドローイング時の蛇行を有効に防止することができ、これにより測定精度や絶縁特性を維持できるとともに、各熱電対素線の断面積を大きくして劣化やシャントエラー等の影響を無くすることが可能となるシース熱電対およびその製造方法を提供せんとする。 - 特許庁
This allows the conductive particles to float selectively in the vicinity of the upper mesh electrode 3 with low field intensity and the insulating particles to move to a lower outlet while being held by a lower perforated electrode 4 and thus can separate the particles from each other efficiently and easily.例文帳に追加
このことにより、低い電界強度で上部メッシュ電極3の近傍に導電性粒子を選択的に浮遊させることができると共に、絶縁性粒子を下部多孔性電極4に保持した状態で下部の出口に移動できるため、両者を効率良く容易に分離できる。 - 特許庁
This cold crucible induction melting device has a connected crucible composed of a first crucible 10 and a second crucible 40 connected with each other inside, and a coil 20 surrounding the outer periphery of the connected crucible, and the first crucible 10 and the second crucible 40 are connected through an insulating body 30.例文帳に追加
内部が連通する第一坩堝10と第二坩堝40とからなる連結坩堝と、この連結坩堝の外周を囲繞するコイル20を有し、第一坩堝10と第二坩堝40とが絶縁体30を介して連結されているコールドクルーシブル誘導溶解装置。 - 特許庁
A decoupling capacitor 8 is formed between an input side electrode layer S1 and an output side electrode layer S2 via interlayer insulating layers 16, 23, 27, and the decoupling capacitor 8 is formed by providing a dielectric layer 24 between a ground layer 17 and a power supply layer 25.例文帳に追加
入力側電極層S1と出力側電極層S2との間に層間絶縁層16、、23、27を介しデカップリングキャパシタ8を形成するとともに、このデカップリングキャパシタ8を、接地層17および電源層25の間に誘電体層24を設けることにより形成する。 - 特許庁
In this manufacturing method, a substrate is arranged on the bottom of a heat-insulating ceramics heating vessel with a microwave absorptive body formed inside, and the electroluminescent element using the phosphor is formed by arranging the inorganic compound semiconductor or a mixture powder sample containing it on the substrate.例文帳に追加
また内部にマイクロ波吸収体を形成した断熱性セラミックス加熱容器の底辺に、基板を配置し、この基板上に前記無機化合物半導体又はそれを含む混合物粉末試料を配置して形成した蛍光体を用いたエレクトロルミネッセンス素子の製造方法である。 - 特許庁
To manufacture a wiring structure that uses an interlayer film of an insulating organic material with less processes, without using an etching mask or etching stopper layer in an interlayer film work, nor affected by a reactive product generated through plasma processing.例文帳に追加
層間膜加工におけるエッチングマスクやエッチングストッパ層を用いることなく、また、プラズマ処理により生成する反応生成物の悪影響を受けることなく、絶縁性を有する有機材料による層間膜を用いた配線構造をより少ない工程で製造できるようにする。 - 特許庁
The static eliminator comprises a contact type discharge electrode and a non-contact type static output electrode both of which are electrically connected in parallel with a static input electrode, with a high resistor electrically connecting both types of electrodes in series with a hollow case made of insulating material.例文帳に追加
絶縁材料からなる中空のケースに静電気入力電極に、電気的に並列に接続された接触式放電電極及び非接触式静電気出力電極を、高抵抗体によって電気的に直列に接続された事を特徴とする静電気除去具。 - 特許庁
The housing 15 of the fuel pump 12 includes a cylindrical motor housing 15a so formed that the stator 16 of brushless motor 13 is molded with an insulating resin and a mounting flange 27 for fixing the fuel pump 12 to a fuel tank is formed integrally at the top of the motor housing 15a.例文帳に追加
燃料ポンプ12のハウジング15は、ブラシレスモータ13のステータ16を絶縁性樹脂でモールド成形して円筒状のモータハウジング15aを形成すると共に、燃料ポンプ12を燃料タンクに固定する取付フランジ部27を該モータハウジング15aの上端部に一体成形する。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a semiconductor device by which leak current among wiring portions due to partially selective breakage or the like, in a semiconductor device in which a metal diffusion preventive layer is selectively formed on the upper side of a wiring layer embedded in a groove for wiring formed in an insulating layer.例文帳に追加
絶縁膜中に形成されている配線用の溝に埋め込まれている配線層の上部に選択的に金属拡散防止膜を形成する半導体装置において、部分的選択破れ等に起因する配線間リーク電流を抑制する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
The amorphous silicon film is formed on the upper surface of an insulating substrate, the amorphous silicon film is crystallized in a sequentially solidifying process that a laser beam is partially irradiated using the poly-crystallization mask 300 having a slit for a transmission area to form a poly-crystalline silicon thin film.例文帳に追加
絶縁基板の上部に非晶質シリコン薄膜を形成し、透過領域のスリットを有する多結晶用マスク300を利用してレーザービームを局部的に照射する順次的凝固工程で非晶質シリコン薄膜を結晶化して多結晶シリコン薄膜を形成する。 - 特許庁
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