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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > Insulatingの意味・解説 > Insulatingに関連した英語例文

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Insulatingを含む例文一覧と使い方

該当件数 : 50000



例文

To materialize a metal gate CMOS semiconductor device which suppresses damages to a semiconductor substrate, a gate insulating film, and first and second electroconductive layers (metal gate electrode materials) in a production process as much as possible, prevents an increase of a gate resistance value and a gate leakage current, and is extremely high reliable.例文帳に追加

製造プロセスにおける半導体基板やゲート絶縁膜、第1及び第2の導電層(金属ゲート電極材料)へのダメージを可及的に抑止し、ゲート抵抗値及びゲートリーク電流の増加を防止して、極めて信頼性の高い金属ゲートCMOS型の半導体装置を実現する。 - 特許庁

A PMOSFET 100 is formed on an active region segmented by an element isolation insulating film 16, and a stress providing film 17 for applying a compression stress in a gate length direction on the channel region of the PMOSFET 100 is formed on the upper part of the element isolation film 16.例文帳に追加

素子分離絶縁膜16によって区画された活性領域にPMOSFET100が形成されており、素子分離絶縁膜16の上部には、PMOSFET100のチャネル領域にゲート長方向に圧縮応力を印加する応力付与膜17が形成されている。 - 特許庁

An FPC 7 is formed of a copper inner pattern which is a conductor coated with at insulating polyimide resin film, and the ends of the inner pattern are connected to the LD chip 1 and a mount 4a of the tip of the lead terminal 4 respectively by using a brazing filler metal.例文帳に追加

FPC7は、電導体である銅製の内部パターンを絶縁体であるポリイミド樹脂製の被膜で覆って構成されており、内部パターンの各端部とLDチップ1およびリード端子4の先端部であるマウント部4aとが、ろう材を用いてそれぞれ接続されている。 - 特許庁

Further, the semiconductor device 10 includes a heat dissipation trench 40 which extends toward the side of the drift region 26 from the surface of a body region 28 on the side of the emitter region 36, and is filled with a heat conductive member 44 covered with a trench insulating film 42.例文帳に追加

さらに、半導体装置10は、ボディ領域28のエミッタ領域36側の表面からドリフト領域26側に向けて伸びているとともに、トレンチ絶縁膜42で被覆されている熱伝導性部材44が充填されている放熱用トレンチ40を備えている。 - 特許庁

例文

To provide a ridge waveguide type semiconductor laser of a constitution, wherein an electrode can be formed at a prescribed position with good accuracy even in the case where a deviation is generated in the electrode formation position, a good current constriction can be realized and the adhesion of a semiconductor layer to an insulating film is good.例文帳に追加

電極を精度良く所定の位置に形成することができ、電極形成位置にずれが生じた場合であっても良好な電流狭窄が実現することができ、半導体層や絶縁膜との密着性が良好な、リッジ導波路型半導体レーザを提供すること。 - 特許庁


例文

Since the nano particle of good charge trap nature exists between insulating nano particles, a phenomenon is not caused in which metal nano particles mutually gather and which became a problem in the case of the formation of a memory by use of the existing nano particle of good charge trap nature.例文帳に追加

本発明によれば、電荷トラップ性の良好なナノ粒子が絶縁性ナノ粒子の間に存在するので、既存の電荷トラップ性の良好なナノ粒子のみを使用してメモリを形成する場合に問題になった金属ナノ粒子が互いに集まる現象が生じない。 - 特許庁

A hollow ring-shaped sensor case 23 accommodating a toroidal coil 22 consists of a ring-shaped case 23A of conductive metal having an opening throughout the entire corner of its circumference and a ring-shaped rim part 23B of insulating material closing the opening, both made integral with each other.例文帳に追加

トロイダルコイル22を収納した中空リング状のセンサケース23は、外周縁部の隅部がその全体に渡って開口した形状の導電金属製の環状ケース23Aと、上記開口部分を閉鎖する絶縁材料製の環状枠部23Bとを一体化して成る。 - 特許庁

In a planar heating element where a heat insulating material, a heater, and a metal plate on the underside of the heater are arranged in lamination and the laminated members are integrated integrally and reliably, the heater wire in the heater is sandwiched by relatively thin metal plates having a high thermal conductivity.例文帳に追加

断熱材とヒータ、該ヒータの下側に金属板を積層状態に配設形成し、積層各部材を確実に一体的に形成した面状発熱体であって、前記ヒータに於けるヒータ線を熱伝導性が高く比較的薄い金属板でサンドイッチ状に挟持する。 - 特許庁

To manufacture a circuit wiring board having a minute fine pitch, high dimension accuracy and reliability of bonding between a circuit wiring and an insulating resin layer by preventing the deterioration of dimension accuracy of a wiring having a formed pattern which is caused by heat treatment in a process of manufacturing the circuit wiring board.例文帳に追加

回路配線基板の製造過程における加熱処理によって生じるパターン形成された配線の寸法精度の低下を防止し、微細なファインピッチで、寸法精度が高く、しかも回路配線と絶縁樹脂層との密着信頼性が高い回路配線基板を製造する。 - 特許庁

例文

In the organic thin-film transistor provided with a support, a gate electrode, a gate insulating layer, an organic semiconductor layer, a source electrode, a drain electrode and at least one electrode of a different kind, a protective layer is provided as a constituting layer and the protective layer contains a siloxane compound.例文帳に追加

支持体、ゲート電極、ゲート絶縁層、有機半導体層、ソース電極、ドレイン電極および少なくとも1つの別種の電極を有する有機薄膜トランジスタにおいて、 構成層として保護層を有し、該保護層がシロキサン化合物を含有することを特徴とする有機薄膜トランジスタ。 - 特許庁

例文

To provide a method for manufacturing a semiconductor device preventing a low electric-field leakage by preventing the crystallization of an insulating film containing amorphous HfAlO and maintaining an amorphous state, achieving a charge accumulation layer having excellent charge holding characteristics and enabling fining with a large capacity.例文帳に追加

非結晶質のHfAlOを含む絶縁膜の結晶化を抑制しアモルファス状態を維持することにより低電界リークを防ぎ、良好な電荷保持特性を持つ電荷蓄積層を実現し、大容量・微細化を可能とする半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a gas-insulated switch which can screen the electromagnetic waves leaking out through an insulating spacer and can electrically cut off a main body container and a ground container from each other when applying test voltage to the contact or the like of the breaker of itself.例文帳に追加

絶縁スペーサを通って外部に漏れる電磁波を遮蔽することが出来ると共に、ガス絶縁開閉装置の遮断器の接触子などに試験電圧を印加する時には本体容器と接地容器間を電気的に切り離すことが出来るガス絶縁開閉装置を提供する。 - 特許庁

When the ITO film to be an pixel electrode 4 is deposited after that, oxygen transfer at the interface between the interlayer insulating film and the ITO film is prevented and side etching of the ITO at the interface can be suppressed, because the oxygen ratio of the film surface in the nitrogen plasma treatment is lower than that in oxygen plasma treatment.例文帳に追加

その後、絵素電極4となるITO膜を成膜する際に、窒素プラズマ処理では膜表面の酸素割合が酸素プラズマ処理よりも低いため、層間絶縁膜とITOとの界面における酸素移動を防いで界面でのITOのサイドエッチングを抑制することができる。 - 特許庁

The support frame 112 is electrically connected to the primary plane electrode 106a' and is insulated from the N-th plane electrode 106b', thus forming a primary capacitor, having the insulating adhesion layer 110 as a capacitance between the support frame 112 and the N-th plane electrode 106b'.例文帳に追加

サポートフレーム112は、第1のプレーン電極106a’と電気的に接続されるとともに第Nのプレーン電極106b’と絶縁され、サポートフレーム112と第Nのプレーン電極106b’との間で絶縁性接着層110を容量膜とする第1のキャパシタを形成する。 - 特許庁

This cooling device has a structure in which a liquid helium storing tank is not installed in a vacuum chamber, but in place of it, a port for feeding liquid helium is installed in view of thermal insulation, a liquid helium container and the port are connected by a vacuum thermal insulating pipe and liquid helium is supplied directly from the container.例文帳に追加

真空チャンバーの中に液体ヘリウムの貯蔵タンクを設置せず、代わりとして断熱に配慮した液体ヘリウム導入用のポートを設置し、液体ヘリウムコンテナとポートとを真空断熱配管で接続し、液体ヘリウムをコンテナから直接供給する構造としたものである。 - 特許庁

This method comprises the steps of: forming a first insulating layer on a substrate; forming a first film on the insulator using printing technique; and removing a predetermined portion of the insulator by using the fist film as a mask, using photographic exposure technique or etching technique.例文帳に追加

絶縁体の第1の層を基板上に形成すること、印刷技法を用いて絶縁体上に第1の膜を形成すること、および、写真露光技法またはエッチング技法を用いて、第1の膜をマスクと使用して絶縁体の所定の部分を除去することを含む。 - 特許庁

In a case where liquid resin that has condensed from insulating gas inside the case adheres to respective surfaces of the fixed terminals 2A and 2B, the liquid resin enters the recessed grooves 11 and is thus prevented from adhering to respective contact regions between the fixed contacts 1A and 1B and the movable contacts 3A and 3B.例文帳に追加

ケース内の絶縁性ガスが固定端子2A,2Bの表面で凝集して液状の樹脂が付着した場合、この液状の樹脂は凹溝11内に入り込むから、固定接点1A,1Bと可動接点3A,3Bとの接触部位に絶縁性の樹脂が付着するのを抑制できる。 - 特許庁

An upstream area Za of a predetermined length of the cylindrical wall of the retort 2 is set in the downstream direction from a retort upstream end 23 within the external heating chamber 11, and evaporation of moisture in the sludge M is promoted without making the cylindrical wall composed of the inner pipe 24 into a heat insulating structure in the upstream area Za.例文帳に追加

レトルト2の筒壁のうち、外熱室11内のレトルト上流端23から下流方向へ所定長の上流領域Zaを設定して当該上流領域Zaでは内管24よりなる筒壁を断熱構造とせずに汚泥M中の水分の蒸発を促進させる。 - 特許庁

The mating mark for the semiconductor device comprises a recess 38 provided on an insulating layer 80, a conductive layer 32 embedded into the recess 38, and an oxidation barrier layer 42 provided on the conductive layer 32 while the area occupancy of the recess 38 in a plane pattern is not less than 5%.例文帳に追加

本発明の半導体装置の合わせマークは、絶縁層80に設けられた凹部38と、凹部38に埋め込まれた導電層32と、導電層32上に設けられた酸化バリア層42と、を含み、平面パターンにおける凹部38の面積占有率が5%以上である。 - 特許庁

To form an adhesive layer on the entire surface of a photoconductive layer by a relatively easy method so that adhesion between the photoconductive layer and an insulating screen is enhanced and to obtain a screen laminated photoreceptor in which good electric conduction between the photoconductive layer and electrically conductive colored particles can be ensured.例文帳に追加

比較的簡単な方法で光導電層の全面に接着層を形成でき、光導電層と絶縁性スクリーンとの間の密着性を向上させると共に、光導電層と導電性着色粒子との良好な導通を得ることができるスクリーン積層感光体を提供する。 - 特許庁

In this way, an n-type semiconductor whose electric conductivity is comparatively high, light absorptivity is comparatively low and impurities are hardly diffused, is used as the clad layers formed on and under the optical waveguide layer 103, further a semi-insulating layer is provided between the n-type clad layers 102 and 104.例文帳に追加

このように、光導波路層103の上下に形成するクラッド層として、導電率が比較的高く、光吸収が比較的小さく、不純物が比較的拡散しにくいn型の半導体を用い、更にn型クラッド層102及び104間に半絶縁性の層を設ける。 - 特許庁

The first light absorption layer 26 is formed by vapor-depositing an Au thin film 27 on the inner wall of a trench formed to separate an operation region of each circuit, and heat treating the same to form an Au-Si eutectic crystal section 28, and further embedding the trench with an insulating film 29.例文帳に追加

この第1光吸収層26は、各回路の動作領域を分離する形で形成されたトレンチ溝の内壁にAu薄膜27を蒸着させ、熱処理してAu−Si共晶部28を形成し、このトレンチ溝内を絶縁膜29で埋め込むことにより形成される。 - 特許庁

To provide a connection structure of a conductive particle for a connection member that has excellent repairing properties, excellent connection reliability in the electrode with a minute area in the electrical connection of a fine pattern, high insulating properties between fine wires, and excellent connection properties in a wide electrode pattern.例文帳に追加

リペア性に優れ、微細パターンの電気的接続において、微小面積の電極の接続信頼性に優れると共に、微細な配線間の絶縁性が高く、幅広い電極パターンの接続性に優れた接続部材のための、導電粒子の連結構造体を提供する。 - 特許庁

The present invention relates to the electronic component comprising a substrate 50, a first spiral coil 10 provided on the substrate 50, a second spiral coil 20 provided above the first coil 10 apart therefrom with the gap, and an insulating first support portion 38 supporting the second coil 20.例文帳に追加

本発明は、基板50と、基板50上に設けられたスパイラル状の第1コイル10と、第1コイル10上方に空隙を介し離間して設けられたスパイラル状の第2コイル20と、第2コイル20を支持する絶縁性の第1支持部38と、を具備する電子部品である。 - 特許庁

This reactor 1 is composed of a coil 2 to generate magnetic flux by energizing it, a core 3 made of magnetic powder-mixed slurry filled around the coil 2 and formed by mixing magnetic powder in a liquid insulating material, and a case 4 to seal the coil 2 and the core 3.例文帳に追加

通電によって磁束を発生するコイル2と、コイル2の周囲に充填されると共に磁性粉末を液状絶縁材に混合してなる磁性粉末混合スラリーからなるコア3と、コイル2及びコア3を密封するケース4とからなることを特徴とするリアクトル1。 - 特許庁

The dehydrating device A comprises a heat chamber 3 for performing thermal dehydration process by heating the substrate 10 provided with at least the insulating layer, and a temperature-lowering chamber 4 for a temperature-lowering process where the temperature of the substrate 10 is lowered while keeping an atmosphere in a low dew point after the thermal dehydration process.例文帳に追加

脱水装置Aは、少なくとも前記絶縁層が配設された基板10を加熱して加熱脱水処理を行う加熱室3と、前記加熱脱水処理後に雰囲気を低露点に保ちながら基板10の温度を下げる降温処理を行う降温室4と、を備えてなる。 - 特許庁

The exterior members 26 and 27 are formed respectively by bending a sheet metal of a required thickness in the shape of a letter U in section, and engagement holes 32 are made in first bent parts 26a and 27a on the lower side of the members, at positions corresponding respectively to the ribs 30 formed on the heat insulating member 24.例文帳に追加

外装部材26,27は、所要厚みの板金材を断面コ字状に折曲形成したものであって、その上側の第1折曲げ部26a,27aには、断熱部材24に形成された各リブ30と夫々対応する位置に係合孔32が穿設される。 - 特許庁

The fixture 5 secures a necessary insulating distance between a radiation fin 2 and the back face metallic portion 1b of the power semiconductor element 1 or the power semiconductor element 1 when the power semiconductor element 1 is fixed to the radiation fin 2, resulting in preventing the breakage of the element 1 due to a lightning surge or the like.例文帳に追加

これにより、電力半導体素子1を放熱フィン2に固定する際、電力半導体素子の背面1b、あるいは電力半導体素子1と放熱フィン2との間に必要な絶縁距離を確保することができ、雷サージなどによる素子の破壊を防ぐことを可能としている。 - 特許庁

To provide a photosensitive cover lay film which does not require post-baking at a high temperature, contains a photosensitive resin, can be developed with an alkaline aqueous solution, preferably an aqueous weak alkali solution and gives an insulating film having flexibility and heat resistance by post-baking and to provide a method for forming the cover lay film.例文帳に追加

高温でのポストベ−クを必要とせず、樹脂が感光性でアルカリ性、好適には弱アルカリ水溶液でも現像可能で、ポストベ−クして得られる絶縁膜が柔軟性と耐熱性とを有している感光性カバ−レイフィルムおよびカバ−レイフィルムの形成法を提供する。 - 特許庁

Since there is a difference in coefficient of thermal expansion, a heat is generated at the operation of the semiconductor chip 30, but each stress is absorbed by the insulating layers 236A and 236B with different coefficient of thermal expansion.例文帳に追加

半導体チップ30と基板90との熱膨張率は異なり、半導体チップ30の動作時に発生する熱によって半導体チップ30と基板90との間に応力が発生するが、熱膨張率の異なる絶縁膜236A、236Bによりそれぞれ応力を吸収できる。 - 特許庁

The metal plate 2, an insulating layer 3, and an electrode 4 are pressure-bonded before both the surfaces of a substrate are subjected to resist patterning, thus manufacturing an electrode pattern and the groove of the periphery of the metal plate 2 simultaneously by etching, and then performing cutting along the groove or punching for dividing into a plurality of pieces.例文帳に追加

また、金属板2と絶縁層3と電極4を圧着後、基板両面のレジストパターニングを行って、エッチングにより電極パターンと同時に金属板2の周縁部の溝を作製し、その後、溝に沿った切削加工又は打ち抜き加工をし複数個に分割する。 - 特許庁

In the method for forming a wiring of an MOSFET, wiring layers 22 and 24 formed on an insulating film 20 are etched by dry etching to form groups of wiring lines which are arranged, in each group, to have a set spacing therebetween and are extended in the same direction.例文帳に追加

本方法は、MOSFETの配線形成方法であって、絶縁膜20上に成膜された配線層22、24をドライエッチング法によりエッチングして、配線と配線との間が設定配線間スペースで配列され、同じ方向に延在する複数本の配線からなる配線群を形成する。 - 特許庁

The stripper 2 has a fixed member 4 fixing two points of the cable immersed in the flux storage tank 1, three blades 22 rotating with an axial center of the insulating cover covered cable 3 immersed in the flux storage tank 1 as a center and a driving part 21 rotating the blades 22.例文帳に追加

剥離器2は、フラックス貯留槽1に浸漬される電線の2点を固定する固定部材4と、フラックス貯留槽1に浸漬される絶縁被膜被覆電線3の軸心を中心として回転する3枚の刃22と、刃22を回転させる駆動部21と、を備える。 - 特許庁

In this semiconductor laser element 38, the part passing through an upper clad layer 18, an active layer 16, and a lower clad layer 14 of a pit- like recessed section 30 formed on a GaAs substrate 12 through an n-type GaAs layer 22 (current blocking layer) is covered with an insulating film 32.例文帳に追加

本半導体レーザ素子38では、n−GaAs 層22(電流ブロッキング層)を貫通してGaAs 基板12に達するピット状凹部30のうち、上部クラッド層18、活性層16及び下部クラッド層14を貫通する凹部の部分が、絶縁膜32で覆われている。 - 特許庁

To provide a polishing composition and a polishing method suitable for chemical mechanical polishing (CMP) of a semiconductor substrate, a semiconductor component such as an inter-layer insulating film, and a recording medium component and an optical component, capable of flattening a surface of a polishing object and speeding-up a polishing speed.例文帳に追加

半導体基板、層間絶縁膜などの半導体部品や、記録媒体部品および光学用部品などの化学的機械研磨(CMP)に適し、被研磨物の表面を平坦にし、かつ研磨速度を高くできる研磨用組成物および研磨方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a thermal insulating panel capable of being put on a framework material consisting of a vertical shaft material such as a column, a stud and a horizontal member such as a girth, a beam, accurately and efficiently carrying out work and, at the same time, constructing an insulation wall exhibiting a high thermal insulation function.例文帳に追加

柱や間柱などの縦軸材と、胴差や梁などの横架材からなる軸組材に張設する断熱パネルであって、施工が正確且つ能率よく行えると共に高い断熱機能を発揮する断熱壁を施工することができる断熱パネルを提供する。 - 特許庁

A pre-action type sprinkler fire extinguisher is provided in which the secondary pipe 3 connected to a secondary side of an alarm valve 1 is filled with a pressurized fire extinguishing agent 11 being liquid at room temperature, volatile, having insulating property, and fire extinguishing capacity.例文帳に追加

予作動式スプリンクラ消火設備における警報弁1の二次側に接続される二次側配管3に、常温で液体であり、揮発性を有し、電気絶縁性があり、消火能力のある消火剤11を加圧充填してなることを特徴とする予作動式スプリンクラ消火設備。 - 特許庁

To be concrete, the top section 8a and outer peripheral surface 8b of a vaporizing section 8, the outside of a splitting member 35, the internal and external surfaces of a vertical wall 50 constituting the loop of a burner port plate 36, and the outsides of outer and inner combustion walls 41 and 43 are coated with the heat insulating coating.例文帳に追加

具体的には、気化部8の頂部8a及び外周面8b、分流部材35の外側、炎孔プレート36のループを構成する垂直壁50の内外面、外側燃焼壁41の外側及び内側燃焼壁43の外側に断熱塗料が塗布されている。 - 特許庁

The fuel cell stack 10 is formed in polygonal pillar shape as a whole by arranging current collectors 13, 13a, insulating plates 14, 14a, and end plates 15, 15a toward outside at the both ends of a fuel cell laminated body 12 in which a plurality of fuel battery cells 11 of polygonal shape are laminated.例文帳に追加

燃料電池スタック10を、多角形状の燃料電池セル11を複数積層した燃料電池積層体12の両端に外方に向かって集電板13,13a、絶縁板14,14aおよびエンドプレート15,15aを配置して全体として多角柱状に形成する。 - 特許庁

The transistor for driving T2 has a channel area CH arranged between a pair of current ends, a gate electrode G superposed on the channel area CH through an insulating film 51, so as to be a control end, and a shield 54 larger than the gate electrode G and shielding the channel area CH from light.例文帳に追加

駆動用トランジスタT2は、一対の電流端の間に配されたチャネル領域CHと、絶縁膜51を介してチャネル領域CHに重なって制御端となるゲート電極Gと、ゲート電極Gより大きくチャネル領域CHを遮光するシールド54とを有する。 - 特許庁

To provide an epoxy resin composition of which the roughened surface of the cured product has high adhesiveness to a plated conductor and forms an insulating layer with a small coefficient of linear thermal expansion, even though the roughness of the roughened surface after the roughening of the cured product surface of the epoxy resin composition is relatively small.例文帳に追加

エポキシ樹脂組成物の硬化物表面を粗化処理した粗化面の粗度が比較的小さいにもかかわらず、該粗化面がめっき導体に対して高い密着力を示し、かつ線膨張率が小さい絶縁層を達成し得るエポキシ樹脂組成物の提供。 - 特許庁

In this mobile liquefied gas storage tanks loaded on a vehicle such as a tanker or a stationary liquefied gas storage tank, a metallic film vacuum heat insulating panel 2 of which the inside is heat-insulated by evacuation, is attached to an inner peripheral face or an outer peripheral face of a tank main body 1.例文帳に追加

タンクローリー等の車両に搭載される移動式の液化ガス貯蔵タンクもしくは定置式の液化ガス貯蔵タンクであって、タンク本体1の内周面もしくは外周面に、内部が真空排気によって断熱された金属膜製の真空断熱パネル2が貼着されている。 - 特許庁

Or a housing case 25 forming numerous tiny holes 25a is mounted in the pressure vessel 21, a heat exchanger 22 is housed together with the powder of the alloy M for hydrogen storage into the housing case 25 and a breathing heat insulating material 27 is filled between the pressure vessel 21 and the housing case 25.例文帳に追加

あるいは圧力容器21内に多数の小孔25aを形成した収納ケース25を内装し、この収納ケース25内に水素吸蔵合金Mの粉末と共に熱交換器22を収納せしめ、圧力容器21と収納ケース25との間を通気性の有る断熱材27で充填する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device wherein the breakdowns of its gate insulating layer are generated hardly which are caused by the electric-field concentrations to the corners of its source and drain electrodes, to provide an electrooptic device and an electrooptic appliance which use the semiconductor device, and to provide the manufacturing method of the semiconductor device.例文帳に追加

ソース電極及びドレイン電極の角部における電界集中に起因するゲート絶縁層の絶縁破壊が起こりにくい半導体装置、当該半導体装置を用いた電気光学装置、電子機器及び当該半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

In the filter producing treated water 2 by allowing water 1 to be treated containing solid suspended material 5, 6 to pass through a filter membrane 3, the filter membrane 3 is constituted so as to carry conductive or insulating coated fine particles 4 which seize and coagulate the suspended material 5, 6.例文帳に追加

固形の懸濁物5,6を含有する被処理水1を濾過膜3に通して処理水2を生成する濾過器において、前記濾過膜3は前記懸濁物5,6を捕捉して凝集させる導電性または絶縁性の被覆微粒子4を担持している構成とする。 - 特許庁

A plurality of silicon nanowires 11 having a gate insulating film 12 on a side are separated in parallel one another for arrangement, and a gate electrode 13 is provided so that the plurality of silicon nano wires 11 can be buried around the silicon nanowires 11, thus obtaining the integrated quantum thin-line transistor having a columnar structure.例文帳に追加

側面にゲート絶縁膜12を有する複数のシリコンナノワイヤー11を互いに平行にかつ互いに分離して配置し、これらのシリコンナノワイヤー11の周囲にそれらを埋め込むようにゲート電極13を設けることにより柱状構造の集積型量子細線トランジスタを得る。 - 特許庁

To provide a radiation-sensitive resin composition having good sensitivity, having high surface hardness and solvent resistance as well as excellent flatness (residual film rate), and to provide an interlayer insulating film for a display element and a method for forming the film, which is obtained from the above composition and does not induce display failure.例文帳に追加

良好な感度を有し、また表面硬度及び耐溶媒性に加え、優れた平坦性(残膜率)を有する感放射線性樹脂組成物、表示不良を引き起こさない当該組成物から得られる表示素子用層間絶縁膜及びその形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a printed wiring board thermosetting epoxy resin composition capable of forming a cured film which is superior in heat resistance, crack resistance, electric insulation properties, and adhesive properties to a conductor layer, a build-up multilayer printed wiring board equipped with an insulating resin layer formed by the use of the same, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

耐熱性、クラック耐性、電気絶縁性、導体層との密着性に優れる硬化塗膜を形成できるプリント配線板用熱硬化性エポキシ樹脂組成物、それを用いて絶縁樹脂層を形成したビルドアップ多層プリント配線板及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A recess 12 of a predetermined depth, having an acute angle step Ea, is formed in a substrate 11, a resist film is formed having an open annular pattern RP passing through the acute angle step, an annular wiring conductor 16 and an annular insulating layer are formed alternately, to form a helical wiring conductor.例文帳に追加

鋭角段差部Eaを備える所定深さのくぼみ12を基板11に形成し、この鋭角段差部を通る環状パターンRPを開口したレジスト膜を形成し、環状配線導体16と環状絶縁層とを交互に形成してヘリカル状の配線導体を形成する。 - 特許庁

例文

In a small space provided relative to an insulating plate on the lid plate, a protection circuit 14 is stored, and thereby a compact battery with excellent safety can be established even in case a failed voltage or failed current is impressed/fed or the battery temperature has risen high.例文帳に追加

さらに、蓋板上の絶縁版との間のわずかな空間に保護回路14を収納することにより、万が一異常電圧、異常電流が印加されたり、電池が高温になった場合においても、安全性に優れ、しかもコンパクトな電池を提供すること可能としている。 - 特許庁




  
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