「Insulating」に関連した英語例文の一覧と使い方(995ページ目) - Weblio英語例文検索

An element isolation region 21 is formed on a main surface of a semiconductor substrate SUB1, a n-type well NW2 is formed in an active region defined by the element isolation region 21, and a silicon film pattern SP1 is formed on the n-type well NW2 through an insulating film 22a.例文帳に追加

半導体基板ＳＵＢ１の主面に素子分離領域２１が形成され、素子分離領域２１で規定された活性領域にｎ型ウエルＮＷ２が形成され、ｎ型ウエルＮＷ２上に絶縁膜２２ａを介してシリコン膜パターンＳＰ１が形成されている。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device in which a defect of a barrier metal film having a multilayer wiring structure is interpolated with a diffused barrier film by self-formation reaction between Mn of a CuMn layer and an interlayer insulating film, the specific resistance of a Cu layer on the CuMn layer being reduced.例文帳に追加

多層配線構造のバリアメタル膜の欠陥を、ＣｕＭｎ層のＭｎと層間絶縁膜との自己形成反応による拡散バリア膜で補間する半導体装置の製造方法において、ＣｕＭｎ層上のＣｕ層の比抵抗を低減する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The surface of the contact face of the protection film 6 with sealing resin 7 is roughened by providing electric insulating particles in the protection layer 6, forming irregularities on the contact face and roughening the contact face by hitting the ceramic particles on the contact face.例文帳に追加

保護層６の封止用樹脂７との接触面は、保護層６中に電気絶縁性の粒子を介在させて当該接触面に凹凸を形成したり、当該接触面にセラミック粒子をぶつけることにより当該接触面を粗化したりすることにより、表面粗化処理がなされている。 - 特許庁

A first seal member 38 for insulating the airtight container 11 from a metal terminal 31 and for sealing between the inside of the housing H and the inside of the airtight container 11 is arranged between an outer wall surface 371 of the housing H in a cluster block 37 and an insulation member 32.例文帳に追加

クラスタブロック３７におけるハウジングＨの外壁面３７１と絶縁部材３２との間には、密閉容器１１と金属端子３１との間を絶縁するとともに、ハウジングＨ内と密閉容器１１内との間をシールする第１のシール部材３８が配設されている。 - 特許庁

By elongating an end of a element formation region Ac, in which nonvolatile memory cells are formed, by length D using a region under a dummy conductive film DSG, stress added from an insulating film 6 surrounding the element formation region Ac is concentrated to the elongated region.例文帳に追加

不揮発性メモリセルが形成される素子形成領域Ａｃの端部を、ダミー導電性膜ＤＳＧの下の領域を利用して長さＤだけ伸長することにより、かかる伸長した領域に、素子形成領域Ａｃを囲む絶縁膜６から加わる応力を集中させる。 - 特許庁

By the manufacturing method for the printed wiring board which has a process wherein a photoresist layer is formed on an insulating resin layer having an electrification layer provided on its top surface and then etched away after a conductor circuit is formed by electroplating after exposure development, the photoresist layer is etched away with an oxidizer.例文帳に追加

表面に給電層を設けた絶縁樹脂層上に、フォトレジスト層を形成し、露光現像後、電気めっきにより導体回路を形成し、その後フォトレジスト層をエッチング除去する工程を有するプリント配線板の製造方法において、フォトレジスト層のエッチング除去を酸化剤により行う。 - 特許庁

In a manufacturing method of a semiconductor substrate, a process for changing stress of a hetero-epitaxial layer is performed on a support substrate comprising a structure where the hetero-epitaxial layer whose lattice constant differs from the support substrate, an insulating layer, and an Si layer are sequentially laminated for changing distortion of the Si layer.例文帳に追加

半導体基板の製造方法は、支持基板とは格子定数の異なるヘテロエピタキシャル層、絶縁層、Ｓｉ層が順に積層された構造を少なくとも含む支持基板に、前記Ｓｉ層の歪みを変化させるために、前記ヘテロエピタキシャル層の応力を変化させる工程を行なう。 - 特許庁

To provide an insulating liquid excellent in preservability and long-term stability and fixing characteristics of toner particles to a recording medium, and to provide an image forming apparatus using the above liquid developer, and a liquid developer and a method of manufacturing the liquid developer.例文帳に追加

保存性、長期安定性に優れるとともに、記録媒体へのトナー粒子の定着特性に優れた絶縁性液体、液体現像剤、および液体現像剤の製造方法を提供すること、また、このような液体現像剤を用いた画像形成装置を提供することにある。 - 特許庁

To provide a plasma CVD method for forming a film and a plasma CVD device, which enable the adhesion of an insulating film such as an SiOF film having poor adhesiveness to a metal component such as wiring or a ferroelectric capacitor in a semiconductor element, and to provide the semiconductor element.例文帳に追加

半導体素子中の配線や強誘電体キャパシタなどの金属構成部に対して、ＳｉＯＦ膜などの密着性の悪い絶縁膜を密着させることができるプラズマＣＶＤ成膜方法及びプラズマＣＶＤ装置並びに半導体素子を提供する - 特許庁

To provide a spark plug for an internal combustion engine capable of surely fixing a central electrode whether it is of a large under-brim diameter or a space of a part corresponding to an over-brim part or the like of a through-hole of an insulating body is diminished due to miniaturization.例文帳に追加

鍔下径が大きい中心電極であっても、小型化にともなって絶縁体の貫通孔の鍔上部等に対応する部分の空間が縮小化されている場合であっても、中心電極を確実に固定することができる内燃機関用スパークプラグを提供する。 - 特許庁

In the fixing device where thermistors 2312 and 2313 are made to abut on the respective surfaces of a fixing roller 231 and a pressurizing roller 232 and a temperature is detected, the insulating tapes of the thermistors are made in almost triangular shapes and are arranged so that tips are made to turn the rotary directions of the rollers.例文帳に追加

定着ローラ２３１および加圧ローラ２３２のそれぞれの表面にサーミスタ２３１２，２３１３を当接させて温度を検出するようにした定着装置において、各サーミスタの絶縁テープを略三角形の形状とし、先端を各ローラの回転方向に沿って向くように配置した。 - 特許庁

When the voltage accumulated in a smoothing capacitor C1, with the power switch SW1 is set to off, since the offset voltage is not applied to the insulating amplifier 4, a high-precision voltage value can be detected at a low voltage level of about 20 to 30 V.例文帳に追加

また、電源スイッチＳＷ１がオフとされたときに、平滑コンデンサＣ１に蓄積された充電電圧をモニタする場合には、絶縁アンプ４には、オフセット電圧が供給されないので、２０〜３０ボルト程度の低い電圧レベルで、高精度な電圧値の検出が可能となる。 - 特許庁

To provide a composite sheet capable of easily performing the dehydration curing of an inorganic adhesive and capable of being further enhanced in non-combustibility, sound insulating properties, heat resistance, durability, lightweight properties, reliability and productivity, method for manufacturing the same and a panel equipped with the composite sheet.例文帳に追加

無機系接着剤の脱水硬化を容易に行なうことができ、不燃性、防音性、断熱性、耐久性、軽量性、信頼性および生産性をさらに向上させることが可能な複合板と、その製造方法およびそれを備えたパネルを提供することである。 - 特許庁

To improve an electric charge holding characteristic and a writing/erasing characteristic by providing an insulation characteristic corresponding to a physical property value of a metallic oxide by manufacturing a nonvolatile semiconductor storage device by using a metallic oxide film as a block insulating film of a MONOS structure.例文帳に追加

ＭＯＮＯＳ構造のブロック絶縁膜として金属酸化膜を用いて不揮発性半導体記憶装置を製造することができ、且つ金属酸化物の物性値に相応した絶縁特性を得ることにより、電荷保持特性及び書込み／消去特性の向上をはかる。 - 特許庁

Moreover, an insulating layer 4, such as a silicon oxide film, is formed on the main surface on one side of the main surfaces of the substrate 1 and field plates 5a and 5b are respectively connected electrically with the regions 2 and 3 for making an electric field in the surfaces of the regions 2 and 3 relax.例文帳に追加

また、半導体基板１の一主表面上にシリコン酸化膜等の絶縁層４が形成され、ｐ＋型アノード領域２及びｎ＋型カソード領域３には表面の電界を緩和させるためにそれぞれフィールドプレート５ａ，５ｂが電気的に接続されている。 - 特許庁

The resin insulating board is made of thin resin boards stuck together, and contrived in a pipe shape with the boards cavitated, then, air circulation is improved with a structure of passing air in the pipe with faveolate, round and square shaped holes so as to apply the cavity for everything.例文帳に追加

樹脂板絶縁板は薄い樹脂板を貼り合せ、その中を空洞化にして、パイプ状に工夫し、その空洞をすべてに応用できるよう峰の巣状、丸型、角型穴を作り空気をパイプ内を流通さす式組で、空気の流通をよくすることで解決ができた。 - 特許庁

In addition, even when stress is added to an exposed part of the electrode body 60 constituting the pad 60P at the mounting onto an external substrate, since the electrode body 60 except for the exposed part is protected by the first insulating layer 50, cracks or the like are less likely generated to the electrode body 60.例文帳に追加

また、パッド６０Ｐを構成する電極体６０の露出部分に対して、外部基板への実装の際に応力が加わっても、該電極体６０は露出部分以外は第１絶縁層５０により保護が図られるので、電極体６０にクラック等が生じ難い。 - 特許庁

When the first fixed contact member 40 is properly fitted in first accepting grooves 24 of a base part 12, the mounting part 50 of the fixed contact member 40 is nonlinearly extended along the accepting grooves 24 while securing at least the predetermined insulating distance between the electromagnetic device 14.例文帳に追加

基部１２の第１の受容溝２４に第１の固定接点部材４０を適正に嵌入すると、固定接点部材４０の取付部分５０は、電磁石装置１４との間に少なくとも所定の絶縁距離を確保しつつ受容溝２４に沿って屈曲して延びる。 - 特許庁

A hydrogen ion or a helium ion is implanted in a boundary or in the vicinity of the boundary between an insulating layer and the Si layer, and then the substrate is heated at 950°C or higher in an oxidizing atmosphere or an inert gas atmosphere to melt the SiGe mixed crystal layer 14 and diffuse Ge in a part of the Si layer 13.例文帳に追加

絶縁層とＳｉ層の界面又は界面近傍に水素又はヘリウムをイオン注入した後、基板を酸化性雰囲気下又は不活性ガス雰囲気下、９５０℃以上で熱処理してＳｉＧｅ混晶層１４を溶融するとともにＳｉ層１３の一部にＧｅを拡散する。 - 特許庁

Thickness of a gate insulating film is differentiated between a circuit attaching importance to the operating speed and a circuit attaching importance to the gate insulation breakdown voltage, or an LDD region forming position is differentiated between a circuit attaching importance to the hot carrier countermeasure and a circuit attaching importance to the off current countermeasure.例文帳に追加

動作速度を重視する回路とゲート絶縁耐圧を重視する回路とでゲート絶縁膜の厚さを異ならせたり、ホットキャリア対策を重視する薄膜トランジスタとオフ電流対策を重視する薄膜トランジスタとでＬＤＤ領域の形成位置を異ならせる。 - 特許庁

This metal oxide structure has: a conductive metal oxide member 1 having projections 12 each having a cross-sectional circle conversion diameter of 0.01-10,000 μm and a length not less than 0.1 μm; and an insulating metal oxide layer 2 for covering at least tip parts of the projections 12.例文帳に追加

断面の円換算径０．０１〜１０，０００μｍ、かつ長さ０．１μｍ以上である突起物１２を有する導電性の金属酸化物部材１と、該突起物１２の少なくとも先端部を被覆する絶縁性金属酸化物層２とを有する金属酸化物構造体。 - 特許庁

This expanded heat insulating label is made of an expanded polystyrene sheet as a base material (11), and the base material (11) has a layer structure coated with an ultraviolet- or electron beam-curing resin film (protection film) on one face (the front side when the base material is attached to the drink-filled package).例文帳に追加

この発泡断熱性ラベルは、発泡ポリスチレンシートを基材（１１）とするラベルであり、基材（１１）の片側面（飲料充填包装体に取付けられるときにおもて面となる側）を紫外線又は電子線硬化型樹脂皮膜（保護皮膜）で被覆した層構成を有している。 - 特許庁

In a semiconductor device for electrostatic protection in a two-way SCR structure formed on an SOI substrate, an embedded n^+-type region 12 is formed on an embedded insulating film 11, and an anode p-type region 20 and a cathode p-type region 21 comprise extension regions 20a, 21a.例文帳に追加

ＳＯＩ基板に形成された双方向型ＳＣＲ構造の静電気保護用半導体装置において、埋め込み絶縁膜１１上に埋め込みｎ^+ 型領域１２を形成し、アノードｐ型領域２０、カソードｐ型領域２１は、延長領域２０ａ、２１ａを備えている。 - 特許庁

The capacitance means may be either a chip condenser (5), or that formed by generating electrostatic capacitance by disposing an internal line (7) of another conductive strip with intermediation of insulating film (6) to bridge on the input signal line (2) and the output signal line (3) to have overlapping parts.例文帳に追加

キャパシタンス手段は、チップコンデンサ（５）を用いてもよいし、絶縁体のフィルム（６）を介して別の導体のストリップからなる中間ライン（７）を、入力信号ライン（２）および出力信号ライン（３）の上にまたがって重なり合うように設けて、静電容量を生じさせて構成してもよい。 - 特許庁

A conductive layer 18 is formed on the control gate of each memory cell on a memory column via an insulating film 17, and the conductive layer 18 is connected to an impurity region 11-1 located between a bit line side selective transistor 21 and its adjacent memory cell M1 via a contact 24.例文帳に追加

メモリ列の各メモリセルのコントロールゲートの上に絶縁膜１７を介して導電層１８を形成し、当該導電層１８はコンタクト２４を介してビット線側選択トランジスタ２１とその隣接のメモリセルＭ１との間にある不純物領域１１−１に接続されている。 - 特許庁

In this electro-optical device, a flattening film 80 is formed between electrodes 74, 75 and the like each of which is connected to the wiring formed on a junction board such as a flexible board and the like and a first interlayer insulating layer 284 is formed on the flattening film 80 and at edge parts of the electrodes 74, 75.例文帳に追加

フレキシブル基板等の中継基板に形成された配線に接続される電極７４，７５等の電極の間に平坦化膜８０が形成されており、平坦化膜８０上及び電極７４，７５の端部に第１層間絶縁層２８４が形成されている。 - 特許庁

To provide a gate device 1 furnished with two door curtains 2, 3 arranged in parallel with each other and to respectively and individually close a passage and making contact with an heat insulating air buffer between them and for a closure of the passage between a plurality of rooms of remarkably different temperature such as a passage of a freezer.例文帳に追加

互いに平行に配置され、通路を単独で夫々閉じる２つのドアカーテン（２、３）を具備し、これらドアカーテンはこれらの間の断熱空気バッファーに接している、冷凍室の通路のような著しく異なった温度の複数の部屋間の通路のクロージャのためのゲート装置（１）を提供する。 - 特許庁

To avoid a risk that a hot water pipe is damaged by exposure in a folding part and a risk that a radiating sheet appearing on the outer side upon folding is damaged in a folding structure for a hot water mat for floor heating comprising a heat insulating material constituted of a plurality of panel plates having hot water pipes.例文帳に追加

温水パイプの敷設された複数のパネル板から構成される断熱材からなる床暖房用温水マットの折畳構造において、折畳部における露出により温水パイプが損傷するリスクと、折り畳んだ際に外側に表れる放熱シートが破損するリスクを回避する。 - 特許庁

The terminal pin mold 38 has an insertion groove 38a molded by an insulating resin material, penetrating in the vertical direction so as to insert a dropping part 34a of the tuner terminal pin 34 and open to the rear surface side; and an engaging hole 38b penetrating in the horizontal direction from the insertion groove 38a.例文帳に追加

端子ピンモールド３８は、絶縁性樹脂材により成型されており、チューナ端子ピン３４の垂下部３４ａを挿通するように上下方向に貫通すると共に背面側に開口する挿通溝３８ａと、挿通溝３８ａから水平方向に貫通する係止孔３８ｂとを有する。 - 特許庁

To reduce vibration and noise and lengthen the life of an impact tool by insulating transmission in the radial direction of vibration generated by collision with a hammer, a middle piece, a tip tool of the impact tool driven by a motor and a workpiece and performing impact crushing work or the like.例文帳に追加

電動機により駆動され、衝撃破砕等の作業を行う衝撃工具の打撃子、中間子、先端工具、被削材等の衝突に伴い発生する振動の半径方向への伝達を絶縁することにより衝撃工具の低振動、低騒音、長寿命化を図る。 - 特許庁

In an element substrate 10 of the electro-optical device 100, the optical sensor 310 is formed on a region outside a pixel region 10b, and the optical sensor 310 is formed between an underlayer protective film 12 and a gate insulating film 2 formed on the light-transmitting substrate 10d.例文帳に追加

電気光学装置１００の素子基板１０において画素領域１０ｂの外側領域に光センサ３１０が形成されており、光センサ３１０は、透光性基板１０ｄ上に形成された下地保護膜１２とゲート絶縁膜２との層間に形成されている。 - 特許庁

In the insulating material for the high frequency wiring board, an adhesive layer 12 is formed on at least one surface of a porous resin layer 11, and the difference between the dielectric constant at 10 GHz of the layer 11 and the dielectric constant at 10 GHz of the adhesive layer 12 is 0.4 or less.例文帳に追加

樹脂多孔質層１１の少なくとも片面に接着性層１２が形成されており、前記樹脂多孔質層１１の１０ＧＨｚにおける誘電率と前記接着性層１２の１０ＧＨｚにおける誘電率との差が０．４以下である高周波配線基板用絶縁材。 - 特許庁

Consequently, as compared with a case without the cupric oxide layer 14 and the cuprous oxide layer 15, the adhesion is improved between the second upper layer rewiring 13 consisting of copper and a third insulating film (overcoat film) 17 consisting of a polyimide or epoxy based resin or the like, and moisture resistance can be improved.例文帳に追加

これにより、酸化第２銅層１４および酸化第１銅層１５が無い場合と比較して、銅からなる第２の上層再配線１３とポリイミドやエポキシ系樹脂等からなる第３の絶縁膜（オーバーコート膜）１７との密着性が向上し、耐湿性を向上することができる。 - 特許庁

The portion 6d of the auxiliary capacitance electrode 6 is connected instead to one end of a relay wiring line 31 (metal film 31c made of chromium etc.) for the auxiliary capacitance electrode which is provided on a top surface of a gate insulating film 12 and in three-layered structure through a contact hole 32 (with stable contact resistance).例文帳に追加

その代わりに、補助容量電極６の一部６ｄは、コンタクトホール３２を介して、ゲート絶縁膜１２の上面に設けられた３層構造の補助容量電極用中継配線３１（クロム等からなる金属膜３１ｃ）の一端部に接続されている（コンタクト抵抗安定）。 - 特許庁

To provide lead plate fitting structure eliminating a fear of short circuit between a positive electrode and a negative electrode by forming and placing an electrically insulating material in a suitable dimension or shape between the lead plate and the side part of a secondary battery.例文帳に追加

この発明の課題はリード板と二次電池の側部との間に電気的絶縁性のある絶縁材を適当な寸法或いは形状に選定して形成し、これを介在配置して負極と正極とが短絡する危惧が無いようにしたリード板取り付け構造を提供するものである。 - 特許庁

The solid-state image pickup element further includes a hole section 30 formed in the insulating layer in the upper part of the photoelectric conversion section, a silicon nitride layer 39 covering a bottom surface and a side surface of the hole section 30, and a buried layer 40 formed on the silicon nitride layer 39.例文帳に追加

そして、この固体撮像素子は、光電変換部の上方において絶縁層に形成されている孔部３０と、この孔部３０の底面及び側面を被覆する窒化シリコン層３９と、窒化シリコン層３９上に形成されている埋め込み層４０とを備える。 - 特許庁

This small motor is provided with an insulating holder integrally formed out of synthetic resin, a cover 13 covering a case cap 5 from the outside, and a pair of brush holders 12 protruding from the cover 13 to the inside of the motor through a notch formed in the case cap 5.例文帳に追加

小型モータは、合成樹脂により一体に成形することにより構成された絶縁ホルダー１６が備えられ、かつ、ケース蓋５を外側から覆うカバー部１３と、該カバー部１３からケース蓋５に設けられた切り欠きを通してモータ内部に突出する一対のブラシホルダー１２とを備えている。 - 特許庁

The heat transfer medium is provided by melting 750 ppm of Ethoquard 0/12 (R) being a surfactant made by Lion Inc. mainly composed of methyl ammonium chloride and 450 ppm of sodium salicylate in tap water, and in the heating device, a sheathed heater is wound around a piping, and it is further covered by a heat insulating material.例文帳に追加

熱搬送媒体は、水道水にメチルアンモニウムクロライドを主成分とする界面活性剤：エソカードＯ／１２（ライオン社製）とサリチル酸ナトリウムを７５０ｐｐｍ、４５０ｐｐｍ溶解させたものであり、加熱装置はシーズヒータを配管に巻き付け、更に断熱材で覆ってある。 - 特許庁

After a silicon oxide film or a silicon oxide-nitride film is formed on a semiconductor substrate 1 as the lower-layer insulating film 3, the film 3 is partially removed and the highly dielectric film 4 having a higher dielectric constant than the film 3 has is formed on the film 3 and the exposed portion of the substrate 1.例文帳に追加

半導体基板１上に、下層絶縁膜３としてシリコン酸化膜またはシリコン酸窒化膜を形成した後、これを部分的に除去し、露出した半導体基板１上と下層絶縁膜３上とに、下層絶縁膜３よりも誘電率が高い高誘電率膜４を形成する。 - 特許庁

Then, the adhesive for electrode connection 2 further contains insulating resin fine particles with an average particle size of 2 μm or less, with a blended volume of the resin fine particles to the total of the adhesive for electrode connection 2 of 0.5 wt.% or more and 20 wt.% or less.例文帳に追加

そして、電極接続用接着剤２は、平均粒径が２μｍ以下の絶縁性の樹脂微粒子を更に含有しており、電極接続用接着剤２の全体に対する樹脂微粒子の配合量が、０．５重量％以上２０重量％以下である。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor substrate, with which the occurrence of a parasitic MOS or the degradation of reliability of a gate insulating film can be suppressed in a semiconductor substrate and a semiconductor device having an SOI structure, and to provide a method of manufacturing a semiconductor device, and the semiconductor device.例文帳に追加

ＳＯＩ構造を備えた半導体基板および半導体装置において、寄生ＭＯＳの発生や、ゲート絶縁膜の信頼性劣化を少なくすることのできる半導体基板の製造方法、半導体装置の製造方法、および半導体装置を提供すること。 - 特許庁

This insulating coating material for the enamel wire is obtained by dissolving a polyester-based resin obtained by reacting a polybasic carboxylic acid or a derivative thereof, with a polyhydric alcohol while regulating the ratio of the equivalent of the carboxyl group to the equivalent of the hydroxy group so as to be 1:(1.2-3.0), in propylene carbonate.例文帳に追加

多価カルボン酸或いはその誘導体と多価アルコールとを、これらのカルボキシル基当量対水酸基当量の比が１：１．２〜３．０となるように反応させて得られるポリエステル系樹脂をプロピレンカーボネートに溶解してなることを特徴とするエナメル線用絶縁塗料。 - 特許庁

This vacuum heat insulating material 6 is used in the high temperature atmosphere, and includes a core material 2 composed of an inorganic fiber assembly, an adsorbent 3 adsorbing moisture and a gas component, and the enclosing material 7 having a metallic layer 9 and the thermal welding layer 8 and storing the core material 2 and the adsorbent 3.例文帳に追加

真空断熱材６は、高温雰囲気で使用されるものであって、無機繊維集合体からなる芯材２と、水分やガス成分を吸着する吸着剤３と、金属層９及び熱溶着層８を有して芯材２及び吸着剤３を収納した外包材７とを備える。 - 特許庁

To prevent an undercut of a lower wiring layer caused at a bottom of an opening when the opening down to the lower wiring layer is formed in an oxide silicon-based insulating film with an etching gas containing fluorocarbon based gas by using a mask of photoresist film pattern, and an ashing step is carried out with oxide plasma.例文帳に追加

フォトレジスト膜パターンをマスクにしてフルオロカーボン系ガスを含んだエッチングガスにより下層配線層に達する開口部を酸化シリコン系絶縁膜に開口部を形成し、酸素プラズマによるアッチングを行なうときに開口部底部における下層配線層のアンダー・カット部の形成を抑制する。 - 特許庁

The insulating film forming process includes: a stage where the metal magnetic particles 10 are dispersed into an organic solvent; a stage where metal alkoxide and a phosphoric acid aqueous solution are added to the organic solvent; and a stage where the surfaces of the metal magnetic particles 10 are dried, so as to remove the organic solvent.例文帳に追加

絶縁被膜形成工程は、金属磁性粒子１０を有機溶剤に分散させる工程と、金属アルコキシドおよびリン酸水溶液を有機溶剤に加える工程と、金属磁性粒子１０の表面を乾燥して有機溶剤を除去する工程とを含んでいる。 - 特許庁